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4CCM場效應晶體管源極輸出電路圖
4CCM場效應晶體管源極輸出電路圖
- 電路圖(495405)
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場效應晶體管的基礎知識
場效應晶體管（Field Effect Transistor，簡稱FET）是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件。它的主要特點是具有輸入電阻高、噪聲低、功耗低等優點。場效應晶體管的工作原理是基于電場效應，即在柵極和源極之間施加一個控制電壓，使得溝道區域的載流子發生漂移，從而改變電流的導通狀態。
2023-09-28 17:10:46
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MOSFET場效應晶體管設計基礎
MOSFET是金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的簡稱，有時候我們也會簡寫成MOS。下面是一個典型的MOSFET結構。
2023-07-11 10:56:24440
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場效應晶體管的工作原理和結構
場效應晶體管(Field Effect Transistor，簡稱FET)是一種半導體器件，它是一種基于電場效應的三極管。與普通的三極管相比，場效應晶體管的控制電流非常小，因此具有高輸入阻抗和低噪聲等優點。
2023-05-17 15:15:372186
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場效應晶體管的作用
場效應晶體管是電壓控制元件，因此和普通雙極型晶體管相比，場效應晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態范圍大、功耗小、易于集成等特點，這就決定了場效應晶體管與其它電子元件有異曲同工之妙。
2023-05-16 15:20:04769
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場效應晶體管的分類
場效應晶體管是依靠一塊薄層半導體受橫向電場影響而改變其電阻（簡稱場效應），使具有放大信號的功能。這薄層半導體的兩端接兩個電極稱為源和漏。控制橫向電場的電極稱為柵。
2023-05-16 15:14:08669
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場效應晶體管工作原理
場效應晶體管是一種利用控制輸入電路的電場效應來控制輸出電路電流的半導體器件，并以此命名。因為它只依靠半導體中的多數載流子來導電，所以又稱為單極晶體管。場效應晶體管英文是Field Effect Transistor，縮寫為FET。
2023-05-16 15:02:23375
375場效應晶體管分類、結構、測試、工作原理是什么
的焊接順序是漏極、源極、柵極。拆機時順序相反。（6）.電路板在裝機之前，要用接地的線夾子去碰一下機器的各接線端子，再把電路板接上去。（7）. MOS場效應晶體管的柵極在允許條件下，最好接入保護二極管
2011-12-19 16:30:31
場效應晶體管放大電路詳解
場效應晶體管的源極、漏極和柵極分別相當于晶體管的發射極、集電極和基極。對應于晶體管放大電路，場效應晶體管放大電路也有三種組態：共源極放大電路、共漏極放大電路和共柵極放大電路，其特點分別和晶體管放大電路中的共射極、共集電極、共基極放大電路類似。
2022-11-30 09:30:001635
1635MOS場效應晶體管使用注意事項_MOS場效應管安裝及拆卸流程
MOS場效應晶體管在使用時應注意分類，不能隨意互換。MOS場效應晶體管由于輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時應注意以下規則。
2020-10-02 18:06:006720
6720鰭式場效應晶體管之父
場效應晶體管有4個部分——1個源極、1個漏極、一個連接這兩者的導電通道和一個控制沿通道電流的柵極。由于這些器件被做得更小，人們開始注意到晶體管的性能隨著長期使用在改變。這一改變在短期測試中無法顯現，企業也很難預測。
2020-08-17 09:36:425371
5371如何進行場效應晶體管的分類和使用
場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管。而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。
2020-07-02 17:19:05
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20場效應晶體管的簡單介紹
場效應晶體管（FET）簡稱場效應管，它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
2020-07-02 17:18:56103
103FET場效應晶體管掃盲
一、什么是FET FET是Field Effect Transistor的縮寫，稱為場效應晶體管。它是晶體管的一種。通常所說的晶體管是指雙極晶體管。 場效應晶體管的工作方式是溝道中的多數載流子在電場
2020-03-23 11:03:187650
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兩列典型的場效應晶體管應用電路
電路中C1和C2分別是輸入端耦合電容和輸出端耦合電容。電路中的正極性電源通過漏極負載電阻R2，把電壓加在了場效應晶體管的漏極，而負極性電源通過柵極偏置電阻R1，把電壓加在了場效應晶體管的柵極。
2019-10-13 15:33:004953
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功率場效應晶體管的工作特性
功率MOS場效應晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導體），FET（FieldEffectTransistor場效應晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應來控制半導體（S）的場效應晶體管。
2019-10-11 10:26:319321
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51單片機的場效應晶體管詳細資料說明
不同的是，場效應晶體管（FET）是一種用電壓來控制電流的器件，具有很高的輸入阻抗，且溫度穩定性好、噪聲低。按照結構的不同，場效應晶體管可以分為以下兩類：
2019-06-04 17:53:003
3隧穿場效應晶體管是什么_隧穿場效應晶體管的介紹
隧穿場效應晶體管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是帶間隧穿（Band-to-band tunneling或者BTBT）。
2018-01-03 15:32:4525373
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增強型和耗盡型場效應晶體管
總的來說，場效應晶體管可區分為耗盡型和增強型兩種。耗盡型場效應晶體管(D-FET)就是在0柵偏壓時存在溝道、能夠導電的FET;增強型場效應晶體管(E-FET)就是在0柵偏壓時不存在溝道、不能
2012-02-02 11:55:2020511
20511場效應晶體管開關電路
場效應晶體管開關電路
場效應晶體管（簡稱場效應管）有結型（J-FET）和絕緣柵型（MOS-FET）兩類。
場效應管作為開關器件應用類似
2010-05-24 15:26:0611575
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結型場效應晶體管是什么?
結型場效應晶體管是什么?
結型場效應晶體管 利用場效應原理工作的晶體管，簡稱FET。場效應就是改變外加垂直于半導體表面上電場的方向或大小，
2010-03-04 15:58:133598
3598場效應晶體管的分類及使用
場效應晶體管的分類及使用
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2010-01-13 16:01:59133
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什么是場效應晶體管
場效應晶體管
場效應晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即
2009-05-24 23:11:156293
6293功率場效應晶體管(MOSFET)原理
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功率場效應管(Power MOSFET)也叫電力場效應晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關斷能力,而且有驅動功率小
2009-04-25 16:05:108795
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MOS場效應晶體管使用注意事項:
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