富士igbt模塊
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2012-06-19 11:26:00
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2021-10-22 15:03:10
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三菱igbt模塊資料下載
三菱igbt模塊資料
三菱電機第5代IGBT模塊和IPM模塊應用手冊
Mitsubishi ElectricThe 5th Generation IGBT Modules & IPM ModulesApplication Note
2007-12-22 10:58:18197
富士IGBT模塊2MBI75U4A-120
2MBI75U4A-120 技術參數:? Ic(A),Tc=80℃ 75? Vce(sat),Max(V) 2.05? Ton(us)  
2023-01-13 08:57:21
富士IGBT模塊2MBI75VA-120-50
2MBI75VA-120-50 技術參數:? Ic(A),Tc=80℃ 75? Vce(sat),Max(V) 1.85? Ton(us) &nb
2023-01-13 08:59:32
富士IGBT模塊2MBI100U4A-120
性能概要:?緊湊的封裝 目標應用:? 變頻電機驅動? AC和DC伺服驅動放大器? 不間斷電源? 工業機器,如電焊機聲明:各位買家朋友,由于電子產品品種多、季節性很強、流量大,價格浮動也大。買家朋友在購買時請先向賣家咨詢確認再下單產品型號參數說明封裝形式FZ1200R12HP41200A,1200VIHM 130mmFZ900R12KE4900A,1
2023-01-13 09:02:58
富士IGBT模塊2MBI150U4H-120-50
性能概要:? 低損耗:與標準U系列相比,導通切換的損耗降低30%以上。? 易于并聯? 更低的電磁噪聲 目標應用:? 變頻器? 有源濾波設備2MBI150U4H-120-50是IGBT模塊
2023-01-13 09:08:42
富士IGBT模塊2MBI150VA-120-50
2MBI150VA-120-50技術參數:? Ic(A),Tc=80℃ 150? Vce(sat),Max(V) 1.85? Ton(us) &
2023-01-13 09:10:58
富士IGBT模塊2MBI150VB-120-50
2MBI150VB-120-50 技術參數:? Ic(A),Tc=80℃ 150? Vce(sat),Max(V) 1.85? Ton(us) &
2023-01-13 09:13:45
富士IGBT模塊2MBI200U4B-120-50
2MBI200U4B-120-50 技術參數:? Ic(A),Tc=80℃ 200? Vce(sat),Max(V) 2.05? Ton(us) &
2023-01-13 09:16:30
富士IGBT模塊2MBI200U4H-120-50
2MBI200U4H-120-50 技術參數:? Ic(A),Tc=80℃ 200? Vce(sat),Max(V) 2.05? Ton(us) &
2023-01-13 09:19:02
富士IGBT模塊2MBI200VB-120-50
2MBI200VB-120-50 技術參數:? Ic(A),Tc=80℃ 200? Vce(sat),Max(V) 1.75? Ton(us) &
2023-01-13 09:21:36
富士IGBT模塊
2MBI100VA-060-50 技術參數:? Ic(A),Tc=80℃ 100? Vce(sat),Max(V) 1.6? Vce(V) &nb
2023-03-23 09:07:26
富士IGBT模塊2MBI150VA-060-50
2MBI150VA-060-50 技術參數:? Ic(A),Tc=80℃ 150? Vce(sat),Max(V) 1.6? Vce(V) &n
2023-03-23 09:10:15
富士IGBT模塊2MBI200VA-060-50
2MBI200VA-060-50 技術參數:? Ic(A),Tc=80℃ 200? Vce(sat),Max(V) 1.6? Vce(V) &nb
2023-03-23 09:12:19
富士IGBT模塊2MBI300VB-060-50
2MBI300VB-060-50 技術參數:? Ic(A),Tc=80℃ :300? Vce(sat),Max(V) :1.6? Vce(V) :600? Ton(us) :0.4? Toff(us) :0.52
2023-03-23 09:17:43
富士IGBT模塊2MBI400VB-060-50
2MBI400VB-060-50 技術參數:? Ic(A),Tc=80℃ :400? Vce(sat),Max(V) :1.6? Vce(V) :600? Ton(us) :0.4? Toff(us) :0.52
2023-03-23 09:26:39
富士IGBT模塊2MBI400VD-060-50-060
2MBI400VD-060-50-060 技術參數:? Ic(A),Tc=80℃ :400? Vce(sat),Max(V) :1.6? Vce(V) :600? Ton(us) :0.6? Toff(us) :0.8 &nb
2023-03-23 09:28:37
富士IGBT模塊2MBI600U2E-060
2MBI600U2E-060 技術參數:? Ic(A),Tc=80℃ :600? Vce(sat),Max(V) :2.45? Vce(V) :600? Ton(us) :1.2? Toff(us) :1.2 &n
2023-03-23 09:34:38
富士IGBT模塊2MBI600VD-060-50
2MBI600VD-060-50 技術參數:? Ic(A),Tc=80℃ :600? Vce(sat),Max(V) :1.6? Vce(V) :600? Ton(us) :0.6? Toff(us) :0.8 &
2023-03-23 09:38:33
富士IGBT模塊
2MBI600VE-060-50 技術參數:? Ic(A),Tc=80℃ :600? Vce(sat),Max(V) :1.6? Vce(V) :600? Ton(us) :0.4? Toff(us) :0.52
2023-03-23 09:40:29
富士IGBT模塊6MBI50VA-060-50
6MBI50VA-060-50 技術參數:? Ic(A),Tc=80℃ 50? Vce(sat),Max(V) 1.6? Ton(us) &nbs
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2023-03-23 09:54:04
富士IGBT模塊
6MBI75VA-060-50 技術參數:? Ic(A),Tc=80℃ 75? Vce(sat),Max(V) 1.6? Ton(us) &nbs
2023-03-23 09:55:56
富士IGBT模塊6MBI75VW-60-50
6MBI75VW-60-50 技術參數:? Ic(A),Tc=80℃ 75? Vce(sat),Max(V) 1.6? Ton(us)  
2023-03-23 09:57:23
富士IGBT模塊6MBI100VA-060-50
6MBI100VA-060-50 技術參數:? Ic(A),Tc=80℃ 100? Vce(sat),Max(V) 1.6? Ton(us) &n
2023-03-23 10:00:55
富士IGBT模塊6MBI100VW-060-50
6MBI100VW-060-50 技術參數:? Ic(A),Tc=80℃ 100? Vce(sat),Max(V) 1.6? Ton(us) &n
2023-03-23 10:06:49
富士IGBT模塊6MBI150VB-060-50
6MBI150VB-060-50 技術參數:? Ic(A),Tc=80℃ 150? Vce(sat),Max(V) 1.6? Ton(us) &n
2023-03-23 10:11:09
富士IGBT模塊6MBI150VX-060-50
6MBI150VX-060-50 技術參數:? Ic(A),Tc=80℃ 150? Vce(sat),Max(V) 1.6? Ton(us) &n
2023-03-23 10:13:06
富士IGBT應用手冊-RCH984中文資料
RCH984富士IGBT模塊中文資料說明書:第 1 章構造與特征1. 元件的構造與特征1-22. 富士電機電子設備技術的IGBT.1-33. 通過控制門極阻斷過電流.1-54. 限制過電流功能.1-65. 模
2010-07-20 09:14:48426
富士電機IGBT模塊應用手冊
本內容提供了富士電機IGBT模塊應用手冊 1 元件的構造與特性 2 富士電機電子設備技術的IGBT 3 通過控制門極阻斷過電流 4 限制過電流功能 5 模塊的構造 6 IGBT模塊電路構造
2011-04-15 16:25:31264
富士IGBT模塊資料
2012-06-02 14:55:1713
富士IGBT模塊選型手冊2012版
2014-04-03 17:16:360
壓接式IGBT模塊結溫提取方法
壓接式絕緣柵極雙極性晶體管( IGBT)模塊因優越的電氣性能和封裝設計,受到柔性直流輸電等大功率應用場合的青睞,其模塊可靠性也成為大功率應用場合研究的重點,而IGBT模塊結溫是影響器件可靠性
2018-02-01 10:20:499
常見IGBT模塊及原理分析
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)模塊是一種功率半導體器件,它是由多個IGBT芯片、反并聯二極管、驅動電路、保護電路等組成的集成模塊。IGBT模塊通常根據結構、電壓、電流、功率等參數進行分類。
2023-02-20 17:32:254882
IGBT功率模塊的優勢
IGBT最常見的形式其實是模塊(Module),而不是單管。IGBT模塊是由IGBT與FWD(續流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品,具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點。
2023-02-22 15:08:141760
什么是IGBT模塊(IPM Modules)
IGBT模塊的起源可以追溯到20世紀80年代,當時日本的電子工程師們致力于克服傳統功率器件的局限性,尤其是普通雙極晶體管和場效應晶體管(FET)。IGBT模塊的出現正是為了綜合這兩者的優點,以滿足
2023-09-12 16:53:531805
igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區別是什么?
igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區別是什么? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種高壓、高電流功率半導體器件,常被用于
2023-11-10 14:26:281270
igbt模塊型號及參數 igbt怎么看型號和牌子
。IGBT的應用領域廣泛,包括變頻器、電機驅動、電力電子設備等。 IGBT模塊是指將多個IGBT芯片和驅動電路封裝在一個模塊內,使得IGBT能夠方便地進行安裝和維護。IGBT模塊通常由IGBT芯片、散熱器
2024-01-18 17:31:231082
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