MEMS的快速發展基于相關技術的相對成熟，但是MEMS對于大部分人來說還是比較陌生的。對此，本文將詳細為你講述MEMS技術，帶你全方位的了解MEMS。

寫在前面

雖然大部分人對于MEMS（Microelectromechanical systems，微機電系統/微機械/微系統）還是感到很陌生，但是其實MEMS在我們生產，甚至生活中早已無處不在了，智能手機，健身手環、打印機、汽車、無人機以及VR/AR頭戴式設備，部分早期和幾乎所有近期電子產品都應用了MEMS器件。

MEMS是一門綜合學科，學科交叉現象及其明顯，主要涉及微加工技術，機械學/固體聲波理論，熱流理論，電子學，生物學等等。MEMS器件的特征長度從1毫米到1微米，相比之下頭發的直徑大約是50微米。

MEMS傳感器主要優點是體積小、重量輕、功耗低、可靠性高、靈敏度高、易于集成等，是微型傳感器的主力軍，正在逐漸取代傳統機械傳感器，在各個領域幾乎都有研究，不論是消費電子產品、汽車工業、甚至航空航天、機械、化工及醫藥等各領域。

常見產品有壓力傳感器，加速度計，陀螺，靜電致動光投影顯示器，DNA擴增微系統，催化傳感器。

MEMS的快速發展是基于MEMS之前已經相當成熟的微電子技術、集成電路技術及其加工工藝。 MEMS往往會采用常見的機械零件和工具所對應微觀模擬元件，例如它們可能包含通道、孔、懸臂、膜、腔以及其它結構。然而，MEMS器件加工技術并非機械式。相反，它們采用類似于集成電路批處理式的微制造技術。

批量制造能顯著降低大規模生產的成本。若單個MEMS傳感器芯片面積為5 mm x 5 mm，則一個8英寸(直徑20厘米)硅片(wafer)可切割出約1000個MEMS傳感器芯片（圖1），分攤到每個芯片的成本則可大幅度降低。

因此MEMS商業化的工程除了提高產品本身性能、可靠性外，還有很多工作集中于擴大加工硅片半徑（切割出更多芯片），減少工藝步驟總數，以及盡可能地縮傳感器大小。

MEMS需要專門的電子電路IC進行采樣或驅動，一般分別制造好MEMS和IC粘在同一個封裝內可以簡化工藝，如圖3。不過具有集成可能性是MEMS技術的另一個優點。

正如之前提到的，MEMS和ASIC (專用集成電路)采用相似的工藝，因此具有極大地潛力將二者集成，MEMS結構可以更容易地與微電子集成。然而，集成二者難度還是非常大，主要考慮因素是如何在制造MEMS保證IC部分的完整性。

例如，部分MEMS器件需要高溫工藝，而高溫工藝將會破壞IC的電學特性，甚至熔化集成電路中低熔點材料。MEMS常用的壓電材料氮化鋁由于其低溫沉積技術，因為成為一種廣泛使用post-CMOS compatible（后CMOS兼容）材料。

雖然難度很大，但正在逐步實現。與此同時，許多制造商已經采用了混合方法來創造成功商用并具備成本效益的MEMS 產品。一個成功的例子是ADXL203，

ADXL203是完整的高精度、低功耗、單軸/雙軸加速度計，提供經過信號調理的電壓輸出，所有功能（MEMS & IC）均集成于一個單芯片中。這些器件的滿量程加速度測量范圍為±1.7 g，既可以測量動態加速度（例如振動），也可以測量靜態加速度（例如重力）。在智能手機中，iPhone 5采用了4個 MEMS傳感器，三星Galaxy S4手機采用了八個MEMS傳感器。

iPhone 6 Plus使用了六軸陀螺儀&加速度計（InvenSense MPU-6700）、三軸電子羅盤（AKM AK8963C）、三軸加速度計（Bosch Sensortec BMA280），磁力計，大氣壓力計（Bosch Sensortec BMP280）、指紋傳感器(Authen Tec的TMDR92)、距離傳感器，環境光傳感器(來自AMS的TSL2581 )和MEMS麥克風。

iphone 6s與之類似，稍微多一些MEMS器件，例如采用了4個MEMS麥克風。預計將來高端智能手機將采用數十個MEMS器件以實現多模通信、智能識別、導航/定位等功能。 MEMS硬件也將成為LTE技術亮點部分，將利用MEMS天線開關和數字調諧電容器實現多頻帶技術。

以智能手機為主的移動設備中，應用了大量傳感器以增加其智能性，提高用戶體驗。這些傳感器并非手機等移動/通信設備獨有，在本文以及后續文章其他地方所介紹的加速度、化學元素、人體感官傳感器等可以了解相關信息，在此不贅敘。此處主要介紹通信中較為特別的MEMS器件，主要為與射頻相關MEMS器件。

通信系統中，大量不同頻率的頻帶（例如不同國家，不同公司間使用不同的頻率，2G，3G，LTE，CDMD以及藍牙，wifi等等不同技術使用不同的通信頻率）被使用以完成通訊功能，而這些頻帶的使用離不開頻率的產生。

聲表面波器件，作為一種片外(off-chip)器件，與IC集成難度較大。表面聲波（SAW）濾波器曾是手機天線雙工器的中流砥柱。2005年，安捷倫科技推出基于MEMS體聲波（BAW）諧振器的頻率器件（濾波器），該技術能夠節省四分之三的空間。

BAW器件不同于其他MEMS的地方在于BAW沒有運動部件，主要通過體積膨脹與收縮實現其功能。（另外一個非位移式MEMS典型例子是依靠材料屬性變化的MEMS器件，例如基于相變材料的開關，加入不同電壓可以使材料發生相變，分別為低阻和高阻狀態，詳見后續開關專題）。

在此值得一提的事，安華高Avago（前安捷倫半導體事業部）賣的如火如荼的薄膜腔聲諧振器（FBAR）。也是前段時間天津大學在美國被抓的zhang hao研究的東西。得益于AlN氮化鋁壓電材料的沉積技術的巨大進步，AlN FBAR已經被運用在iphone上作為重要濾波器組件。下圖為FBAR和為SMR (Solidly Mounted Resonator)。其原理主要通過固體聲波在上下表面反射形成諧振腔。