氮化鎵作為一種寬帶隙半導體，已被用于制造發光二極管和激光二極管等光電器件。最近已經開發了幾種用于氮化鎵基材料的不同干蝕刻技術。電感耦合等離子體刻蝕因其優越的等離子體均勻性和強可控性而備受關注。本研究
2022-04-26 14:07:28
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等離子體圖形化刻蝕過程中，刻蝕圖形將影響刻蝕速率和刻蝕輪廓，稱為負載效應。負載效應有兩種:宏觀負載效應和微觀負載效應。
2023-02-08 09:41:262467 。常見的干法刻蝕設備有反應離子刻蝕機（RIE）、電感耦合等離子體刻蝕機（ICP）、磁性中性線等離子體刻蝕機（NLD）、離子束刻蝕機（IBE），本文目的對各刻蝕設備的結構進行剖析，以及分析技術的優缺點。
2024-01-20 10:24:561114 
在半導體加工工藝中，常聽到的兩個詞就是光刻(Lithography)和刻蝕(Etching)，它們像倆兄弟一樣，一前一后的出現，有著千絲萬縷的聯系，這一節介紹半導體刻蝕工藝。
2024-01-26 10:01:58552 
工藝設計與優化應用領域：集成電路（硅柵、鋁柵CMOS、BiCMOS）、分立器件(DIODE、TRANSISTOR、MOS)、功率器件（DMOS、VDMOS、LDMOS、BCD、IGBT）、特種器件、光電子器件、半導體傳感器、MEMS等`
2015-01-07 16:15:47
`什么是MEMS傳感器？MEMS的全稱是微型電子機械系統（Micro-ElectroMechanical System），微機電系統是指可批量制作的，將微型機構、微型傳感器、微型執行器以及信號處理
2016-12-09 17:46:21
關于MEMS傳感器的基礎知識，你了解多少？本文將從MEMS傳感器的概念、制造及工藝、MEMS傳感器與傳統傳感器的區別、MEMS傳感器的分類幾大部分詳解，幫助初識MEMS傳感器的讀者快速了解這一
2018-11-12 10:51:35
MEMS傳感器，也就是我們常說的智能傳感器，是應用最廣泛的MEMS器件。它一般是把信號處理電路和敏感單元集成制作在一個芯片上，這樣能夠感知被測參數，并且還能對所得到的信號進行分析、處理和識別、判斷
2013-10-11 16:21:38
工藝。如Deal-Grove模型所述，這種制造MEMS的方法主要依賴于硅的氧化。熱氧化工藝用于通過高精度尺寸控制生產各種硅結構。包括光頻率梳[24]和硅MEMS壓力傳感器[25]在內的設備已經通過
2021-01-05 10:33:12
傳感器和變送器本是熱工儀表的概念。傳感器是把非電物理量如溫度、壓力、液位、物料、氣體特性等轉換成電信號或把物理量如壓力、液位等直接送到變送器。變送器則是把傳感器采集到的微弱的電信號放大以便轉送或
2018-11-16 15:16:08
、等離子束焊）和抽真空充氮密封。從密封效果來看，焊接密封為最佳，充填涂覆密封膠為最差。對于室內干凈、干燥環境下工作的傳感器，可選擇涂膠密封的傳感器，而對于一些在潮濕、粉塵性較高的環境下工作的傳感器，應選
2016-09-27 21:35:49
AOE刻蝕氧化硅可以，同時這個設備可以刻蝕硅嗎？大致的氣體配比是怎樣的，我這里常規的刻蝕氣體都有，但是過去用的ICP，還沒有用過AOE刻蝕硅，請哪位大佬指點一下，謝謝。
2022-10-21 07:20:28
Dual Beam FIB(雙束聚焦離子束)機臺能在使用離子束切割樣品的同時，用電子束對樣品斷面(剖面)進行觀察，亦可進行EDX的成份分析。iST宜特檢測具備超高分辨率的離子束及電子束的Dual
2018-09-04 16:33:22
FIB聚焦離子束電路修改服務芯片 在開發初期往往都存在著一些缺陷，FIB(Focused Ion Beam, 聚焦離子束) 電路修改服務，除了可提供了 芯片 設計者直接且快速修改 芯片 電路，同時
2018-08-17 11:03:08
新加坡知名半導體晶圓代工廠招聘資深刻蝕工藝工程師和刻蝕設備主管！此職位為內部推薦，深刻蝕工藝工程師需要有LAM 8寸機臺poly刻蝕經驗。刻蝕設備主管需要熟悉LAM8寸機臺。待遇優厚。有興趣的朋友可以將簡歷發到我的郵箱sternice81@gmail.com，我會轉發給HR。
2017-04-29 14:23:25
緩沖氧化物刻蝕劑中是溶解二氧化硅的成分，并轉化為可水沖洗的成分。形成反應的能量來自緩沖氧化物刻蝕溶液的內部或外部加熱器。等離子體刻蝕機要求相同的元素：化學刻蝕劑和能量源。物理上，等離子體刻蝕劑由反應室
2018-12-21 13:49:20
好的傳感器的設計是經驗加技術的結晶。一般理解傳感器是將一種物理量經過電路轉換成一種能以另外一種直觀的可表達的物理量的描述。而下文我們將對傳感器的概念、原理特性進行逐一介紹，進而解析傳感器的設計的要點。
2020-08-28 08:04:04
械加工技術，是近年來隨著集成電路工藝發展起來的，它是離子束、電子束、分子束、激光束和化學刻蝕等用于微電子加工的技術，目前已越來越多地用于傳感器領域，例如濺射、蒸鍍、等離子體刻蝕、化學氣體淀積(CVD
2018-10-25 11:54:06
傳感器是數據采集、信息處理的關鍵部件，它可以將物理世界中的一個物理量映射到一個定量的測量值，使人們對物理世界形成量化認識。第一代傳感器網絡點到點信號傳輸功能的傳統傳感器，采用二線制的4~20mA電流
2018-11-08 10:46:01
半導體光刻蝕工藝
2021-02-05 09:41:23
的加工工藝流程，加工過程中需要運用刻蝕機在晶圓上把復雜的3D圖形一層一層“堆疊”起來，實現單片機IC芯片的更小化。芯片，本質上是一片載有集成電路（IC：Integrated circuit）的半導體元件
2018-08-23 17:34:34
臺面刻蝕深度對埋柵SITH柵陰擊穿的影響針對臺面刻蝕深度對埋柵型靜電感應晶閘管（ＳＩＴＨ）柵陰擊穿特性的影響做了實驗研究。實驗結果表明，隨著臺面刻蝕深度的增大，器件柵陰擊穿由原來的軟擊穿變為硬擊穿
2009-10-06 09:30:24
是通過在半導體基片上刻蝕特定的圖形，來實現傳感器單元或者可以移動零點幾微米的機 械執行器。MEMS壓力傳感器是第一類批量應用的產品，如今用于負責監測數以億計的發動機歧管和輪胎的壓力；而MEMS加速度計則用 于安全氣囊、翻滾檢測以及汽車報警系統，時間也已超過15年之久。
2019-07-22 06:02:53
太陽能電池薄膜激光刻蝕機配了臺特域冷水機，用的是什么制冷機？
2017-11-25 14:30:54
離子束剖面研磨、離子束截面研磨(Cross Section Polisher, 簡稱CP)，是利用離子束切割方式，去切削出樣品的剖面，不同于一般樣品剖面研磨，離子束切削的方式可避免因研磨過程所產生
2018-08-28 15:39:44
上。 刻蝕只去除曝光圖形上的材料。 在芯片工藝中，圖形化和刻蝕過程會重復進行多次。2017年3月11日，據CCTV2財經頻道節目的報道，中微AMEC正在研制目前世界最先進的5納米等離子刻蝕機，將于2017年底將量產。轉自吳川斌的博客`
2017-10-09 19:41:52
位移傳感器是工業中不可缺少的設備，位移傳感器又稱為線性傳感器，是一種屬于金屬感應的線性器件，位移傳感器的作用是把各種被測物理量轉換為電量。那么如何檢測位移傳感器的誤差呢？以下是申思測控小編的分享：
2020-08-12 07:57:44
用USB-6009采集到JC0轉矩轉速傳感器的電壓量，通過labview處理已經得到相位差，不知道怎么轉化為轉矩物理量，知網找了很多論文都交代不明白，求大神指教
2017-05-13 23:35:34
電機與拖動第一章 磁路一、 基本要求二、學習提示第一章 磁路一、 基本要求了解磁場的基本物理量。了解物質在磁性能方面的特點。掌握恒定磁通路歐姆定律，了解交變磁通路歐姆定律和磁路基爾霍夫定律，了解磁路
2021-09-03 06:13:02
一般磁場過于復雜，在工程計算中，通常將磁場問題簡化為磁路問題。通常用到有以下5大定律，在學習5大定律前先了解一下磁路中的物理量。
2021-01-25 07:12:56
聚焦離子束-掃描電子顯微鏡雙束系統 FIB-SEM應用
聚焦離子束-掃描電鏡雙束系統主要用于表面二次電子形貌觀察、能譜面掃描、樣品截面觀察、微小樣品標記以及TEM超薄片樣品的制備。
1.FIB切片
2023-09-05 11:58:27
, Ga)，因為鎵元素具有低熔點、低蒸氣壓、及良好的抗氧化力；典型的離子束顯微鏡包括液相金屬離子源、電透鏡、掃描電極、二次粒子偵測器、5-6軸向移動的試片基座、真空系統、抗振動和磁場的裝置、電子
2020-02-05 15:13:29
` 設備型號：Zeiss Auriga Compact 聚焦離子束(FIB)與掃描電子顯微鏡(SEM)耦合成為FIB-SEM雙束系統后，通過結合相應的氣體沉積裝置，納米操縱儀，各種探測器及可控的樣品
2020-01-16 22:02:26
好的傳感器的設計是經驗加技術的結晶。一般理解傳感器是將一種物理量經過電路轉換成一種能以另外一種直觀的可表達的物理量的描述。比如轉換成僅依賴于此測物理量的較高的電壓電流等信號，再顯示出來。因此需要
2021-11-11 06:12:04
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:21 編輯
釋放MEMS機械結構的干法刻蝕技術濕法刻蝕是MEMS 器件去除犧牲材料的傳統工藝，總部位于蘇格蘭的Point 35
2013-11-04 11:51:00
因產品配置不同, 價格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實際成交合同為準全自動離子刻蝕機 MEL 3100伯東公司日本原裝進口全自動離子刻蝕機 MEL 3100
2022-11-07 17:22:14
源 RFICP 140 是一款緊湊的有柵極離子源, 非常適用于離子束濺射沉積, 離子輔助沉積和離子束刻蝕. 在離子束濺射工藝中，射頻離子源 RFICP 140 配有離子光學元
2023-05-11 14:14:53
摘要 利用Cl2/BCl3/CH4電感應耦合等離子體(ICP)干法刻蝕技術,實現了對AlGaInAs,InP材料的非選擇性刻蝕。AlGaInAs與InP的刻蝕速率分別為820nm/min與770nm/min,獲得了刻蝕深度為4.9μm,垂直光滑的A
2010-11-30 14:58:45
17 釋放MEMS機械結構的干法刻蝕技術
濕法刻蝕是MEMS 器件去除犧牲材料的傳統工藝，總部位于蘇格蘭的Point 35 Microstructures在SEMICON C
2009-11-18 09:17:32880 干法刻蝕原理
刻蝕作用：去除邊緣PN結，防止上下短路。干法刻蝕原理：利用高頻輝光放電反應，使CF4氣體激活成活性粒子，這些活性
2010-07-18 11:28:205637 離子束加工原理和離子束加工的應用范圍，離子束加工的特點。
2011-05-22 12:48:4116054 
本文在淺溝槽隔離刻蝕過程中發現，當刻蝕腔室上石英窗口的溫度超過85℃時，刻蝕終止出現在300mm晶圓的中心。我們認為刻蝕終止的原因是由于某些低揮發SiOxCly刻蝕產物再淀積。石英
2012-05-04 17:09:372803 
在一張頭發薄厚、米粒大小的透明塑料薄膜上雕刻出復雜的電路，對離子束加工是小菜一碟。北京埃德萬斯公司，一家不到百人的小公司，不聲不響地持有這一前景無限、體現國家頂級加工能力的利器。 初冬，中關村環保園一間工廠里，幾十臺離子束刻蝕機、鍍膜機正在運行。
2016-12-13 01:48:111655 鈍化層刻蝕對厚鋁鋁須缺陷影響的研究
2018-03-06 09:02:505607 反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時采用的（如當平坦化硅片表面時需要減小形貌特征）。光刻膠是另一個剝離的例子。總的來說，有圖形刻蝕和無圖形刻蝕工藝條件能夠采用干法刻蝕或濕法腐蝕技術來實現。為了復制硅片表面材料上的掩膜圖形，刻蝕必須滿足一些特殊的要求。
2018-12-14 16:05:2768523 中微半導體設備（上海）有限公司自主研制的5納米等離子體刻蝕機經臺積電驗證，性能優良，將用于全球首條5納米制程生產線。
2018-12-29 08:48:144742 物理傳感器是檢測物理量的傳感器。它是利用某些物理效應，把被測量的物理量轉化成為便于處理的能量形式的信號的裝置。
2019-12-24 14:53:483627 深反應離子刻蝕工藝，是實現高深寬比特性的重要方式，已成為微加工技術的基石。這項刻蝕技術在眾多領域均得到了應用：1)MEMS電容式慣性傳感器；2) 宏觀設備的微型化；3) 三維集成電路堆疊技術的硅通孔工藝。
2020-10-09 14:17:3512731 
不久前，MEMS 蝕刻和表面涂層方面的領先企業 memsstar 向《電子產品世界》介紹了 MEMS 與傳統 CMOS 刻蝕與沉積工藝的關系，對中國本土 MEMS 制造工廠和實驗室的建議
2022-12-13 11:42:001674 不久前，MEMS 蝕刻和表面涂層方面的領先企業 memsstar 向《電子產品世界》介紹了 MEMS 與傳統 CMOS 刻蝕與沉積工藝的關系，對中國本土 MEMS 制造工廠和實驗室的建議等。
2020-12-08 23:36:0025 北方華創（Naura）官方宣布，ICP等離子刻蝕機第1000腔交付儀式近日在北京亦莊基地舉行，NAURA刻蝕機研發團隊見證了這一歷史性時刻。
2020-12-11 15:30:092176 摘要：在半導體制造工藝的濕法刻蝕中，用熱磷酸刻蝕氮化硅和氮氧化硅是其中一個相對復雜又難以控制的工藝。在這個工藝中，熱磷酸刻蝕后的去離子水（ＤＩＷ）清洗更是一個非常重要的步驟。主要分析了由于去離子
2020-12-29 14:36:072510 
在集成電路的制造過程中，刻蝕就是利用化學或物理方法有選擇性地從硅片表面去除不需要的材料的過程。從工藝上區分，刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。前者的主要特點是各向同性刻蝕；后者是利用等離子體來進行
2020-12-29 14:42:588547 
兼容性好．采用電感耦合等離子體源(inductivelycoupledpla蛐，I凹)技術對金屬鈦進行三雛深刻蝕，采用不同刻蝕掩模、氯基刻蝕氣體，研究了線圈功率、平板功率和娼流量對刻蝕速率和選擇比等工藝參數的影響，并對砸深刻蝕參數進行了優化，得到0．
2020-12-29 14:47:002366 刻蝕是半導體制造中十分關鍵的一環，刻蝕通過物理或化學方法將硅片表面不需要的材料去除，從而將掩膜圖形正確的復制到涂膠硅片上。
2021-02-23 16:41:573382 電子束加工和離子束加工是近年來得到較大發展的新型特種加工。他們在精密微細加工方面，尤其是在微電子學領域中得到較多的應用。通常來說，電子束加工主要用于打孔、焊接等熱加工和電子束光刻化學加工，而離子束加工則主要用于離子刻蝕、離子鍍膜和離子注入等加工。?
2021-03-17 20:10:4815 聚焦離子束技術（Focused Ion beam，FIB）是利用電透鏡將離子束聚焦成非常小尺寸的離子束轟擊材料表面，實現材料的剝離、沉積、注入、切割和改性。隨著納米科技的發展，納米尺度制造業發展迅速，而納米加工就是納米制造業的核心部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。
2021-04-03 13:51:003143 刻蝕機不能代替光刻機。光刻機的精度和難度的要求都比刻蝕機高出很多，在需要光刻機加工的時候刻蝕機有些不能辦到，并且刻蝕機的精度十分籠統，而光刻機對精度的要求十分細致，所以刻蝕機不能代替光刻機。
2022-02-05 15:47:0039913 反應器。區分三個主要群體也很常見；(1)化學等離子體蝕刻，(2)協同反應離子蝕刻(RIE)和(3)物理離子束蝕刻(IBE)。一般來說，IBE僅顯示出正錐形輪廓、低選擇性和低蝕刻速率，而PE產生各向同性
2022-02-14 15:22:071612 
刻蝕速率是指在刻蝕過程中去除硅片表面材料的速度通常用?/min表示， 刻蝕窗口的深度稱為臺階高度。 為了高的產量， 希望有高的刻蝕速率。 在采用單片工藝的設備中， 這是一個很重要的參數。 刻蝕速率由工藝和設備變量決定， 如被刻蝕材料類型、 蝕機的結構配置、 使用的刻蝕氣體和工藝參數設置。
2022-03-15 13:41:592907 
我們測量了硅化物膜(CoSi2、NiSi2、TiSi2和WSi)的濺射刻蝕速率，并研究了離子能量的依賴性，發現它們與二氧化硅薄膜的相對濺射刻蝕速率幾乎與濺射離子能量無關，從相對濺射蝕刻速率和計算
2022-05-07 15:41:461126 
刻蝕室半導體IC制造中的至關重要的一道工藝，一般有干法刻蝕和濕法刻蝕兩種，干法刻蝕和濕法刻蝕一個顯著的區別是各向異性，更適合用于對形貌要求較高的工藝步驟。
2022-06-13 14:43:316 濕法刻蝕也稱腐蝕。硅的濕法刻蝕是 MEMS 加工中常用的技術。其中，各向同性 （Isotropic）濕法刻蝕常用的腐蝕劑是由氫氟酸（HF）、硝酸（ HNO3）和乙酸（CH3COOH）組成的混合物
2022-10-08 09:16:323581 在 MEMS 制造工藝中，常用的干法刻蝕包括反應離子刻蝕 （Reactive lon Etching， RIE）、深反應離子刻蝕（Deep Reactive lon Etching， DRIE） 和XerF2各向同性蝕刻。
2022-10-10 10:12:153281 干法刻蝕工藝流程為，將刻蝕氣體注入真空反應室，待壓力穩定后，利用射頻輝光放電產生等離子體；受高速電子撞擊后分解產生自由基，并擴散到圓片表面被吸附。
2022-11-10 09:54:193264 得益于遠距離無電源電子標簽技術，把僅有3mm*10mm 的電子標簽嵌入到振弦傳感器中，使四線制振弦傳感器具有了 ID 識別、溫度讀取、自動獲取物理量等智能功能。 ? ? ? ?首先，傳感器內部安裝
2022-11-23 09:14:35281 
刻蝕是移除晶圓表面材料，達到IC設計要求的一種工藝過程。刻蝕有兩種:一種為圖形 化刻蝕，這種刻蝕能將指定區域的材料去除，如將光刻膠或光刻版上的圖形轉移到襯底薄膜 上
2023-02-01 09:09:351748 刻蝕速率是測量刻蝕物質被移除的速率。由于刻蝕速率直接影響刻蝕的產量，因此刻蝕速率是一個重要參數。
2023-02-06 15:06:263998 濕法刻蝕利用化學溶液溶解晶圓表面的材料，達到制作器件和電路的要求。濕法刻蝕化學反應的生成物是氣體、液體或可溶于刻蝕劑的固體。
2023-02-10 11:03:184085 刻蝕有三種:純化學刻蝕、純物理刻蝕，以及介于兩者之間的反應式離子刻蝕（ReactiveIonEtch,RIE）。
2023-02-20 09:45:072586 氮化鎵作為一種寬帶隙半導體，已被用于制造發光二極管和激光二極管等光電器件。最近已經開發了幾種用于氮化鎵基材料的
不同干蝕刻技術。電感耦合等離子體刻蝕因其優越的等離子體均勻性和強可控性而備受關注
2023-02-22 15:45:410 從下圖中可以看出結合使用XeF2氣流和氯離子轟擊的刻蝕速率最高，明顯高于這兩種工藝單獨使用時的刻蝕速率總和。
2023-02-23 17:17:202706 等離子體最初用來刻蝕含碳物質，例如用氧等離子體剝除光刻膠，這就是所謂的等離子體剝除或等離子體灰化。等離子體中因高速電子分解碰撞產生的氧原子自由基會很快與含碳物質中的碳和氫反應，形成易揮發的co,co2和h2o并且將含碳物質有效地從表面移除。這個過程是在帶有刻蝕隧道的桶狀系統中進行的（見下圖）。
2023-03-06 13:50:481074 對于濕法刻蝕，大部分刻蝕的終點都取決于時間，而時間又取決于預先設定的刻蝕速率和所需的刻蝕厚度。由于缺少自動監測終點的方法，所以通常由操作員目測終點。濕法刻蝕速率很容易受刻蝕劑溫度與濃度的影響，這種影響對不同工作站和不同批量均有差異，因此單獨用時間決定刻蝕終點很困難，一般釆用操作員目測的方式。
2023-03-06 13:56:031773 DRAM柵工藝中，在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層，然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。
2023-04-07 09:48:162200 壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓，同時也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會改變電子和離子的平均自由程(MFP),進而影響等離子體和刻蝕速率的均勻性。
2023-04-17 10:36:431922 上海伯東美國?KRi?考夫曼公司大口徑射頻離子源?RFICP 380, RFICP 220 成功應用于 12英寸和 8英寸?IBE 離子束蝕刻機, 實現 300mm 和 200mm 硅片蝕刻, 刻蝕
2023-06-15 14:58:47665 
刻蝕在晶圓上完成電路圖的光刻后，就要用刻蝕工藝來去除任何多余的氧化膜且只留下半導體電路圖。要做到這一點需要利用液體、氣體或等離子體來去除選定的多余部分。刻蝕的方法主要分為兩種，取決于所使用的物質
2022-07-12 15:49:251454 
離子束蝕刻 (Ion beam etch) 是一種物理干法蝕刻工藝。由此，氬離子以約1至3keV的離子束輻射到表面上。由于離子的能量，它們會撞擊表面的材料。晶圓垂直或傾斜入離子束，蝕刻過程是絕對
2023-06-20 09:48:563990 
第一種是間歇式刻蝕方法(BOSCH)，即多次交替循環刻蝕和淀積工藝，刻蝕工藝使用的是SF6氣體，淀積工藝使用的是C4F8氣體
2023-07-14 09:54:463214 
刻蝕（Etching）的目的是在材料表面上刻出所需的圖案和結構。刻蝕的原理是利用化學反應或物理過程，通過移除材料表面的原子或分子，使材料發生形貌變化。
2023-08-01 16:33:383915 PVP可以在刻蝕過程中形成一層保護性的膜，降低刻蝕劑對所需刻蝕材料的腐蝕作用。它可以填充材料表面的裂縫、孔洞和微小空隙，并防止刻蝕劑侵入。這樣可以減少不需要的蝕刻或損傷，提高刻蝕的選擇性。
2023-08-17 15:39:392859 在半導體制造中，刻蝕工序是必不可少的環節。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕，這兩種技術各有優勢，也各有一定的局限性，理解它們之間的差異是至關重要的。
2023-09-26 18:21:003307 
刻蝕（或蝕刻）是從晶圓表面去除特定區域的材料以形成相應微結構。但是，在目標材料被刻蝕時，通常伴隨著其他層或掩膜的刻蝕。
2023-10-07 14:19:252073 
對DRIE刻蝕，是基于氟基氣體的高深寬比硅刻蝕技術。與RIE刻蝕原理相同，利用硅的各向異性，通過化學作用和物理作用進行刻蝕。不同之處在于，兩個射頻源：將等離子的產生和自偏壓的產生分離
2024-01-14 14:11:59512 
使用SEMulator3D?工藝步驟進行刻蝕終點探測 作者：泛林集團 Semiverse Solutions 部門軟件應用工程師 Pradeep Nanja 介紹 半導體行業一直專注于使用先進的刻蝕
2024-01-19 16:02:42130 
影響深硅刻蝕的關鍵參數有：氣體流量、上電極功率、下電極功率、腔體壓力和冷卻器。
2024-02-25 10:44:39283 
刻蝕機的刻蝕過程和傳統的雕刻類似，先用光刻技術將圖形形狀和尺寸制成掩膜，再將掩膜與待加工物料模組裝好，將樣品置于刻蝕室內，通過化學腐蝕或物理磨蝕等方式將待加工物料表面的非掩膜區域刻蝕掉，以得到所需的凹槽和溝槽。
2024-03-11 15:38:24471 
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