本文介紹了在緩沖氧化物腐蝕(BOE)溶液中溫度對氮化物和氧化物層腐蝕速率的影響。明確的框架結構和減少的蝕刻時間將提高制造過程的生產率，該方法從圖案化氮化硅開始，以研究在BOE工藝之后形成的框架結構
2022-05-05 14:00:50
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隨著科技的不斷進步，新的半導體材料正在為整個電子行業(yè)帶來深刻的變革。在這場技術革命的前沿，第三代半導體材料嶄露頭角。與前兩代半導體材料相比，第三代半導體在高溫、高壓、高頻等應用環(huán)境中展現(xiàn)出了更為出色的性能。從材料分類的角度來看，第三代半導體材料主要可以分為以下四類。
2023-08-21 09:33:071580 
來源 華西證券編輯：智東西內參作者：吳吉森等隨著 5G、IoT 物聯(lián)網(wǎng)時代的來臨，以砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的化合物半導體市場有望快速崛起。其中，Ga...
2021-08-31 06:32:26
半導體材料可分為單質半導體及化合物半導體兩類，前者如硅（Si）、鍺(Ge）等所形成的半導體，后者為砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等化合物形成。半導體在過去主要經歷了三代變化
2019-05-06 10:04:10
氧化鎵是一種新型超寬禁帶半導體材料，是被國際普遍關注并認可已開啟產業(yè)化的第四代半導體材料。與碳化硅、氮化鎵等第三代半導體相比，氧化鎵的禁帶寬度遠高于后兩者，其禁帶寬度達到4.9eV，高于碳化硅
2023-03-15 11:09:59
敏感，據(jù)此可以制造各種敏感元件，用于信息轉換。 半導體材料的特性參數(shù)有禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率、非平衡載流子壽命和位錯密度。禁帶寬度由半導體的電子態(tài)、原子組態(tài)決定，反映組成這種材料的原子中價
2013-01-28 14:58:38
隔著一條禁帶，當電子吸收了光的能量從價帶跳躍到導帶中去時就把光的能量變成了電，而帶有電能的電子從導帶跳回價帶，又可以把電的能量變成光，這時材料禁帶的寬度就決定了光電器件的工作波長?！ ⌒」β?b class="flag-6" style="color: red">半導體
2016-01-14 15:34:44
寬禁帶半導體的介紹
2016-04-18 16:06:50
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產品來實現(xiàn)這一目標。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎。與硅相比
2018-10-30 08:57:22
市場趨勢和更嚴格的行業(yè)標準推動電子產品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產品有出色的性能優(yōu)勢，有助于高頻應用實現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導體作為頂尖的功率器件半導體供應商，除了提供適合全功率
2019-07-31 08:33:30
在所有電力電子應用中，功率密度是關鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關頻率驅動。隨著基于硅的技術接近其發(fā)展極限，設計工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
GaNFast功率半導體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半導體在快速充電市場的應用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導體硅（Si）和第二代化合物半導體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導體
2019-06-25 07:41:00
，傳統(tǒng)的硅功率器件的效率、開關速度以及最高工作溫度已逼近其極限，使得寬禁帶半導體氮化鎵成為應用于功率管理的理想替代材料。香港科技大學教授陳敬做了全GaN功率集成技術的報告，該技術能夠實現(xiàn)智能功率集成
2018-11-05 09:51:35
兼首席執(zhí)行官John Croteau表示：“本協(xié)議是我們引領射頻工業(yè)向硅上氮化鎵技術轉化的漫長征程中的一個里程碑。截至今天，MACOM通過化合物半導體小廠改善并驗證了硅上氮化鎵技術的優(yōu)勢，射頻性能和可靠性
2018-02-12 15:11:38
負有盛名。MACOM公司氮化鎵產品已經是第四代，且極具價格優(yōu)勢和廣闊的應用前景。2017 電子設計創(chuàng)新大會展臺現(xiàn)場Demo關于MACOM據(jù)悉，MACOM是一家高性能模擬射頻、微波和光學半導體產品領域
2017-07-18 16:38:20
同質性范圍的化學計量化合物，因此在評估中被視為線化合物。纖鋅礦結構被認為是唯一穩(wěn)定的固體形式。盡管亞穩(wěn)態(tài)閃鋅礦結構可以在薄膜中產生并且在高壓下預計在 III 族氮化物中會出現(xiàn) NiAs 型改性，但并未
2021-07-07 10:28:12
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN 半導體材料與器件手冊編號：JFSJ-21-059III族氮化物半導體的光學特性介紹III 族氮化物材料的光學特性顯然與光電應用直接相關，但測量光學特性
2021-07-08 13:08:32
解決的問題，以開發(fā)適用于 III 族氮化物外延的 GaN 襯底的表面處理。 1. 介紹 單晶體 GaN 襯底是最有希望替代藍寶石襯底的候選者之一，藍寶石襯底常用于 III 族氮化物器件，如發(fā)光二極管 (LED
2021-07-07 10:26:01
重要材料的濕法腐蝕，即氧化鋅、氮化鎵和碳化硅。雖然氧化鋅很容易在許多酸溶液中蝕刻，包括硝酸/鹽酸和氫氟酸/硝酸，在非酸性乙酰丙酮中，第三族氮化物和碳化硅很難濕法蝕刻，通常使用干法蝕刻。已經研究了用于氮化
2021-10-14 11:48:31
大多數(shù) III 族氮化物的加工都是通過干式等離子體蝕刻完成的。 干式蝕刻有幾個缺點，包括產生離子誘導損傷 并且難以獲得激光所需的光滑蝕刻側壁。通過干法蝕刻產生的側壁的粗糙度約為 50 nm，盡管最近
2021-07-07 10:24:07
使用這些納米線陣列，可以實現(xiàn)寬帶光捕獲。接觸電極，如氧化銦錫 (ITO)、銀和銅，對具有不同帶隙的半導體納米線太陽能電池器件的影響，重點是光吸收。雖然傳統(tǒng)的導電氧化物材料，如氧化銦錫 (ITO
2021-07-09 10:20:13
的開路條件下被光蝕刻。 介紹近年來，氮化鎵和相關氮化物半導體在藍綠色發(fā)光二極管、激光二極管和高溫大功率電子器件中的應用備受關注。蝕刻組成材料的有效工藝的可用性因此非常重要。由于第三族氮化物不尋常的化學
2021-10-13 14:43:35
和 6 英寸晶片具有 100 納米 LPCVD 氮化物層掩蔽材料。晶片在一側用光刻法進行圖案化，然后在工藝流程中通過干法蝕刻氮化物和/或熱氧化物層以給出所需的圖案略III. 電阻結果與討論 略IV.
2021-07-19 11:03:23
，主要用于LED等方面?！ 。?）有機合成物半導體。有機化合物是指含分子中含有碳鍵的化合物，把有機化合物和碳鍵垂直，疊加的方式可以構成導帶，經過化學的添加，可以讓其進入到能帶，這樣能夠發(fā)作電導率，從而
2020-03-26 15:40:25
市場趨勢和更嚴格的行業(yè)標準推動電子產品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產品有出色的性能優(yōu)勢，有助于高頻應用實現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導體作為頂尖的功率器件半導體供應商，除了提供適合全功率
2020-10-30 08:37:36
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產品來實現(xiàn)這一目標。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎。與硅相比
2020-10-27 09:33:16
計算中的瓶頸。此外當PBG結構為圓環(huán)形時，一般的階梯近似不足以滿足計算精度。針對以上兩個問題，本文采用本課題組帶有共形網(wǎng)格建模的MPI并行FDTD程序對圓環(huán)形PBG結構進行了分析。討論了單元數(shù)目，單元間距，圓孔內徑和導帶寬度對S參數(shù)的影響，最后設計了一種寬禁帶圓環(huán)形PBG結構。
2019-06-27 07:01:22
”，無疑令三星雪上加霜。 因受市況每況愈下的影響和制約，韓國三星電子的發(fā)展面臨著巨大的挑戰(zhàn)。據(jù)最新報導顯示，三星電子計劃明年將半導體事業(yè)的投資ST22I支出砍半，從134億美元降至70億美元，提前
2012-09-21 16:53:46
三極管具有什么特性？什么是寬禁帶半導體？
2021-06-08 07:09:36
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
目前，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，寬禁帶，以下簡稱為：WBG）”以及基于新型材料的電力半導體，其研究開發(fā)技術備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
1、GaAs半導體材料可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類，元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產品來實現(xiàn)這一目標。那么具體什么是寬禁帶技術呢？
2019-07-31 07:42:54
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩(wěn)定性等優(yōu)越性質，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導體生產中采用的主要半導體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導體工作溫度。此外，SiC 的導熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導通電
2023-02-21 16:01:16
流，但隨著5G的到來，砷化鎵器件將無法滿足在如此高的頻率下保持高集成度。[color=rgb(51, 51, 51) !important]于是，GaN成為下一個熱點。氮化鎵作為一種寬禁帶半導體，可承受更高
2019-07-08 04:20:32
功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
單芯片互補式金屬氧化物半導體（CMOS）傳感器有哪幾種？它們分別有什么應用以及特點？
2021-06-17 08:54:54
。今天安泰測試就給大家分享一下吉時利源表在寬禁帶材料測試的應用方案。一·寬禁帶材料介紹寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件
2022-01-23 14:15:50
類型包括硅鍺雙極互補金屬氧化物半導體（BiCMOS）和硅鍺異質結雙極晶體管（SiGe HBTs）。DTRA關注的其他設備類型還包括45納米絕緣硅（SOI）芯片、氮化鎵異質結場效應晶體管（GaAn HFET）功率半導體和其他抗輻射微電子和光子器件，用于當前和未來軍事系統(tǒng)，如衛(wèi)星和導彈。
2012-12-04 19:52:12
本文基于Agilent ADS仿真軟件設計實現(xiàn)一款高效GaN寬禁帶功率放大器，詳細說明設計步驟并對放大器進行了測試，結果表明放大器可以在2．3～2．4 GHz內實現(xiàn)功率15W以上，附加效率超過67％的輸出。
2021-04-06 06:56:41
際此萬物互聯(lián)時代的來臨，圖像傳感可說是促進物聯(lián)網(wǎng)應用的一個重要接口，是萬物之“眼”。安森美半導體寬廣的成像和像素技術和圖像傳感器陣容，配以公司在成像領域的經驗和專長，實現(xiàn)超越人眼界限的創(chuàng)新
2019-07-25 06:36:49
下一代電源半導體的方案陣容，包括針對汽車功能電子化的寬禁帶WBG（碳化硅SiC和氮化鎵GaN）、全系列電子保險絲eFuse以減少線束、和免電池的智能無源傳感器以在汽車感測/車身應用中增添功能。
2018-10-25 08:53:48
安森美半導體應用于物聯(lián)網(wǎng)的成像技術和方案分享
2021-05-31 07:07:32
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導體(SiC、GaN)電力電子技術應用交流會”將于7月16日在浙江大學玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導體電力電子技術的應用、寬禁帶半導體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術
2017-07-11 14:06:55
流，但隨著5G的到來，砷化鎵器件將無法滿足在如此高的頻率下保持高集成度。于是，GaN成為下一個熱點。氮化鎵作為一種寬禁帶半導體，可承受更高的工作電壓，意味著其功率密度及可工作溫度更高，因而具有高功率密度
2019-07-05 04:20:06
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術，可實現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應用中取得硅器件無法實現(xiàn)的性能。那么，為什么關于氮化鎵半導體仍然有如此多的誤解？事實又是怎樣的呢？
關于氮化鎵技術
2023-06-25 14:17:47
摘要：介紹了氧化物半導體甲烷氣體敏感元件的工作機理，論述了改善氧化物半導體甲烷氣敏傳感器性能的幾種途徑。采用加入催化劑、控制材料的微細結構、利用新制備工藝和表面修飾等新方法、新技術可提高氧化物半導體
2018-10-24 14:21:10
一、化合物半導體應用前景廣闊，市場規(guī)模持續(xù)擴大 化合物半導體是由兩種及以上元素構成的半導體材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作為第二代和第三代半導體的主要代表，因其在高功率
2019-06-13 04:20:24
之一和全球第二大功率分立器件和模塊半導體供應商，提供廣泛的高能效和高可靠性的系統(tǒng)方案，并采用新型的寬禁帶材料如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等進行新產品開發(fā)，用于汽車功能電子化和HEV/EV應用。
2019-07-23 07:30:07
射頻半導體技術的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業(yè)應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
`海飛樂技術目前產品范圍包括有：快恢復二極管、FRD模塊、肖特基二極管、SBD模塊、MOS管、MOS模塊，各種以及寬禁帶（WBG）半導體器件，涵蓋變頻、逆變、新能源汽車、充電樁、高頻電焊、特種電源等
2019-10-24 14:21:23
泛的寬禁帶半導體材料之一，憑借碳化硅（SiC）陶瓷材料自身優(yōu)異的半導體性能，在各個現(xiàn)代工業(yè)領域發(fā)揮重要革新作用。是高溫、高頻、抗輻射、大功率應用場合下極為理想的半導體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低
2021-01-12 11:48:45
(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
半導體制作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，范圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經濟發(fā)展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產品，如計算機、移動電話或是數(shù)字錄音機當中
2016-11-27 22:34:51
請問怎么優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門驅動器設計？
2021-06-17 06:45:48
半導體材料是一類具有半導體性能（導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內）、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。按種類可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類
2019-06-27 06:18:41
氮化鎵單晶材料生長難度非常大，蘇州納維的2英寸氮化鎵名列第一。真正的實現(xiàn)了“中國造”的氮化鎵襯底晶片。氮化物半導體的產業(yè)發(fā)展非?？?，同樣也是氮化物半導體產業(yè)發(fā)展不可或缺的要素。
2018-01-30 13:48:017651 本文首先介紹了SiC功率半導體器件技術發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導體器件的突破。
2018-05-28 15:33:5410898 
本文首先介紹了半導體屬于什么行業(yè)以及半導體是做什么的，其次介紹了半導體行業(yè)公司，最后闡述了半導體發(fā)展前景，分別從銷售額、發(fā)展狀況以及2018-2023年全球半導體前景預測三個方面詳細介紹。
2018-05-31 11:43:22126523 
臺積電昨日宣布，與意法半導體合作加速市場采用氮化鎵產品。意法半導體預計今年晚些時候將首批樣品交給其主要客戶。
2020-02-21 15:41:182538 。III族氮化物化合物半導體具有帶隙可調的優(yōu)點，響應波段范圍可覆蓋可見-紫外波段。GaN紫外傳感器具有體積小、靈敏度高、噪聲低、抗可見光干擾能力強、功耗低、壽命長等優(yōu)點。（以下為系列中部分產品）
2020-07-13 10:54:581678 鎵（GaN）為代表的第三代半導體產業(yè)前景廣闊。?全球范圍內，氮化鎵（GaN）專利申請量排名前四的國家及地區(qū)是日本、中國大陸、美國、韓國、中國臺灣，其中中國專利量占全球的23%。雖然在專利方面國內有一定有一定
2021-06-01 11:37:087297 第三族氮化物已成為短波長發(fā)射器、高溫微波晶體管、光電探測器和場發(fā)射尖端的通用半導體。這些材料的加工非常重要，因為它們具有異常高的鍵能。綜述了近年來針對這些材料發(fā)展起來的濕法刻蝕方法。提出了通過
2022-02-23 16:20:242208 
了解氮化鎵
-寬帶隙半導體：為什么？
-氮化鎵與其他半導體的比較(FOM)
-如何獲得高片電荷和高遷移率？
2023-01-15 14:54:25829 氮化鎵前景怎么樣 氮化鎵產業(yè)概述 1、產業(yè)地位 隨著半導體化合物持續(xù)發(fā)展，相較第一代硅基半導體和第二代砷化鎵等半導體，第三代半導體具有高擊穿電場、高熱導率、高電子遷移率、高工作溫度等優(yōu)點。以SiC
2023-02-03 14:31:18693 氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
2023-02-03 18:21:212564 生長在c面生長表面上的c面氮化鎵基半導體層由于自發(fā)極化和壓電極化而產生內電場，這降低了輻射復合率。為了防止這樣的極化現(xiàn)象，正在進行對非極性或半極性氮化鎵基半導體層的研究。
2023-02-05 14:23:451979 
氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導體材料，是第三代半導體材料的典型代表， 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術及產業(yè)鏈已經初步形成，相關器件快速發(fā)展。第三代半導體氮化鎵產業(yè)范圍涵蓋氮化鎵單晶襯底、半導體器件芯片設計、制造、封測以及芯片等主要應用場景。
2023-02-07 09:36:56980 
來源：《半導體芯科技》雜志12/1月刊 近年來，芯片材料、設備以及制程工藝等技術不斷突破，在高壓、高溫、高頻應用場景中第三代半導體材質優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)。其中，氮化鎵憑借著在消費產品快充電源領域的如
2023-02-17 18:13:202222 在材料領域的第一代，第二代， 第三代 并不具有“后一代優(yōu)于前一代”的說法。國外一般會把氮化鎵、碳化硅等材料叫做寬
禁帶半導體；把氮化鎵、氮化鋁、氮化銦和他們的混晶材料成為氮化物半導體、或者把氮化
2023-02-27 14:50:12
5 氮化鎵 (GaN) 是一種半導體材料，因其卓越的性能而越來越受歡迎。與傳統(tǒng)的硅基半導體不同，GaN 具有更寬的帶隙，這使其成為高頻和大功率應用的理想選擇。
2023-03-03 10:14:39718 郝躍院士長期從事新型寬禁帶半導體材料和器件、微納米半導體器件與高可靠集成電路等方面的科學研究與人才培養(yǎng)。在氮化鎵∕碳化硅第三代(寬禁帶)半導體功能材料和微波器件、半導體短波長光電材料與器件研究和推廣、微納米CMOS器件可靠性與失效機理研究等方面取得了系統(tǒng)的創(chuàng)新成果。
2023-04-26 10:21:32719 以氮化鎵（GaN）為代表的一系列具有纖鋅礦結構的氮化物半導體是直接帶隙半導體材料，其組成的二元混晶或三元混晶在室溫下禁帶寬度從0.7 eV到6.28 eV連續(xù)可調，是制備藍綠光波段光電器件的優(yōu)選材料。
2023-08-04 11:47:57742 
氮化鎵是一種無機物質，化學式為GaN，是氮和鎵的化合物，是一種具有直接帶隙的半導體。自1990年起常用于發(fā)光二極管。這種化合物的結構與纖鋅礦相似，硬度非常高。氮化鎵具有3.4電子伏特的寬能隙，可用
2023-09-13 16:41:45860 氮化鎵（GaN）被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導體材料之后的第三代半導體材料，今天金譽半導體帶大家來簡單了解一下，這個材料有什么厲害的地方。
2023-11-03 10:59:12663 
由于其獨特的材料特性，III族氮化物半導體廣泛應用于電力、高頻電子和固態(tài)照明等領域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關蝕刻已經被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結構。
2023-11-30 09:01:58166 
氮化鎵半導體和碳化硅半導體是兩種主要的寬禁帶半導體材料，在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實、細致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學性能以及應用領域等方面的差異。 一、物理特性： 氮化
2023-12-27 14:54:18331 氮化鎵半導體芯片（GaN芯片）和傳統(tǒng)的硅半導體芯片在組成材料、性能特點、應用領域等方面存在著明顯的區(qū)別。本文將從這幾個方面進行詳細介紹。 首先，氮化鎵半導體芯片和傳統(tǒng)的硅半導體芯片的組成
2023-12-27 14:58:24424 氮化鎵半導體并不屬于金屬材料，它屬于半導體材料。為了滿足你的要求，我將詳細介紹氮化鎵半導體的性質、制備方法、應用領域以及未來發(fā)展方向等方面的內容。 氮化鎵半導體的性質 氮化鎵（GaN）是一種
2024-01-10 09:27:32398
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