摘要 本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強(qiáng)原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫度下進(jìn)行，例如在大約23丁和 大約200V之間
2022-02-07 14:01:26
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原子層刻蝕和沉積工藝利用自限性反應(yīng)，提供原子級(jí)控制。 泛林集團(tuán)先進(jìn)技術(shù)發(fā)展事業(yè)部公司副總裁潘陽(yáng)博士 分享了他對(duì)這個(gè)話題的看法。 技術(shù)節(jié)點(diǎn)的每次進(jìn)步都要求對(duì)制造工藝變化進(jìn)行更嚴(yán)格的控制。最先進(jìn)的工藝
2021-02-08 10:53:006590 
原子層沉積技術(shù)（Atomic layer deposition， ALD）近年在集成電路制程設(shè)備產(chǎn)業(yè)中受到相當(dāng)大的矚目，對(duì)比于其他在線鍍膜系統(tǒng)，原子層沉積技術(shù)具有更優(yōu)越的特點(diǎn)，如絕佳的鍍膜批覆性以及
2021-02-05 15:23:174743 
單晶圓系統(tǒng)也能進(jìn)行多晶硅沉積。這種沉積方法的好處之一在于能夠臨場(chǎng)進(jìn)行多晶硅和鎢硅化物沉積。DRAM芯片中通常使用由多晶硅-鈞硅化物形成的疊合型薄膜作為柵極、局部連線及單元連線。臨場(chǎng)多晶硅/硅化物沉積
2022-09-30 11:53:001235 進(jìn)行MEMS制造的最基本需求是能夠沉積1到100微米之間的材料薄膜。NEMS的制造過程是基本一致的，膜沉積的測(cè)量范圍從幾納米到一微米。
2022-10-11 09:12:591193 比較厚的金屬或合金薄膜[2]。應(yīng)用于MEMS器件中的微電鍍與以防腐和美觀為目的的普通電鍍?cè)?b class="flag-6" style="color: red">一樣，同屬于電化學(xué)范疇，除膜厚度不受限制外，它還具有生產(chǎn)周期短、設(shè)備簡(jiǎn)單、易于操作等優(yōu)點(diǎn)，可以大大降低MEMS工藝薄膜沉積的成本，有利于產(chǎn)業(yè)化。
2019-07-04 08:14:01
的解決方案 泛林集團(tuán)通過其獨(dú)有的Durendal?工藝解決這一問題。該工藝可以產(chǎn)出優(yōu)質(zhì)、光滑的大型銅柱頂部表面，整個(gè)晶圓上的大型銅柱高度也非常均勻。整套Durendal?工藝可以在SABRE? 3D設(shè)備上
2020-07-07 11:04:42
）110100100010-910-310-410-510-610-710-110-210-310-410-510110-110-210-3103102101 另一方面，在濺射工藝中，沉積速率一般比蒸發(fā)低2個(gè)數(shù)量級(jí)，而壓力比蒸發(fā)高4個(gè)數(shù)量級(jí)，因此所沉積的薄膜含有較高的氧。正是這個(gè)原因?yàn)R射不像蒸發(fā)那樣被認(rèn)為是一種清潔的薄膜制備方法
2016-12-08 11:08:43
。表面微加工是采用薄膜沉積、光刻以及刻蝕工藝，通過在犧牲層薄膜上沉積結(jié)構(gòu)層薄膜，然后去除犧牲層釋放結(jié)構(gòu)層實(shí)現(xiàn)可動(dòng)結(jié)構(gòu)。除了上述兩種微加工技術(shù)以外，MEMS制造還廣泛地使用多種特殊加工方法，其中常見的方法
2016-12-09 17:46:21
。 6.氣相沉積系統(tǒng)（GIS）：FIB加工前為材料提供保護(hù)層，或用于材料精加工。 Dual Beam FIB-SEM制樣： FIB主要用于材料微納結(jié)構(gòu)的樣品制備，包括：TEM樣品制備、材料微觀截面截取
2017-06-29 14:16:04
。 6.氣相沉積系統(tǒng)（GIS）：FIB加工前為材料提供保護(hù)層，或用于材料精加工。 Dual Beam FIB-SEM制樣： FIB主要用于材料微納結(jié)構(gòu)的樣品制備，包括：TEM樣品制備、材料微觀截面截取
2017-06-29 14:20:28
。 6.氣相沉積系統(tǒng)（GIS）：FIB加工前為材料提供保護(hù)層，或用于材料精加工。 Dual Beam FIB-SEM制樣： FIB主要用于材料微納結(jié)構(gòu)的樣品制備，包括：TEM樣品制備、材料微觀截面截取
2017-06-29 14:24:02
。光刻膠的圖案通過蝕刻劑轉(zhuǎn)移到晶片上。沉積：各種材料的薄膜被施加在晶片上。為此，主要使用兩種工藝，物理氣相沉積 (PVD) 和化學(xué)氣相沉積 (CVD)。制作步驟：1.從空白晶圓開始2.自下而上構(gòu)建
2021-07-08 13:13:06
：MacEtch 是一種濕法蝕刻工藝，可提供對(duì)取向、長(zhǎng)度、形態(tài)等結(jié)構(gòu)參數(shù)的可控性，此外，它是一種制造極高縱橫比半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)單且低成本的方法。 3 該工藝利用了在氧化劑（例如過氧化氫 (H2O2)）和酸（例如
2021-07-06 09:33:58
的作用：1.通過減薄/研磨的方式對(duì)晶片襯底進(jìn)行減薄，改善芯片散熱效果。2.減薄到一定厚度有利于后期封裝工藝。氣相外延爐氣相外延是一種單晶薄層生長(zhǎng)方法。是化學(xué)氣相沉積的一種特殊方式，其生長(zhǎng)薄層的晶體結(jié)構(gòu)
2018-09-03 09:31:49
Down機(jī)、制程異常…等。工程人員解決以上所發(fā)生的問題，使這些"故障"消弭于無形謂之Trouble Shooting。241) Tungsten 鎢一種金屬。用以連接上下兩層金屬線
2020-02-17 12:20:00
10-3103102101 另一方面，在濺射工藝中，沉積速率一般比蒸發(fā)低2個(gè)數(shù)量級(jí)，而壓力比蒸發(fā)高4個(gè)數(shù)量級(jí)，因此所沉積的薄膜含有較高的氧。正是這個(gè)原因?yàn)R射不像蒸發(fā)那樣被認(rèn)為是一種清潔的薄膜制備
2016-06-17 14:40:12
推出Dual Beam FIB-SEM制樣業(yè)務(wù)，并介紹Dual Beam FIB-SEM在材料科學(xué)領(lǐng)域的一些典型應(yīng)用，包括透射電鏡( TEM)樣品制備，材料微觀截面截取與觀察、樣品微觀刻蝕與沉積以及
2017-06-28 16:45:34
。 5.納米操縱手：用于超薄樣品（納米級(jí)）固定轉(zhuǎn)移及精細(xì)加工。 6.氣相沉積系統(tǒng)（GIS）：FIB加工前為材料提供保護(hù)層，或用于材料精加工。 Dual Beam FIB-SEM制樣： FIB主要用于材料微
2017-06-28 16:40:31
。 5.納米操縱手：用于超薄樣品（納米級(jí)）固定轉(zhuǎn)移及精細(xì)加工。 6.氣相沉積系統(tǒng)（GIS）：FIB加工前為材料提供保護(hù)層，或用于材料精加工。 Dual Beam FIB-SEM制樣： FIB主要用于材料微
2017-06-28 16:50:34
轉(zhuǎn)移及精細(xì)加工。 6.氣相沉積系統(tǒng)（GIS）：FIB加工前為材料提供保護(hù)層，或用于材料精加工。 Dual Beam FIB-SEM制樣： FIB主要用于材料微納結(jié)構(gòu)的樣品制備，包括：TEM樣品制備、材料
2017-06-29 14:08:35
太陽(yáng)能電池可分為三類：?jiǎn)尉Ч杼?yáng)能電池、多晶硅太陽(yáng)能電池和薄膜太陽(yáng)能電池三種。非晶硅薄膜就是相對(duì)于單晶硅和多晶硅來說的。薄膜太陽(yáng)電池作為一種新型太陽(yáng)能電池，由于其原材料來源廣泛、生產(chǎn)成本低、便于大規(guī)模
2016-01-29 15:46:43
應(yīng)用材料((Applied Materials Inc., AMAT)公司日前宣布在Endura Volta CVD Cobalt系統(tǒng)中通過化學(xué)氣相沉積方法，在銅互連工藝中成功實(shí)現(xiàn)鈷薄膜沉積。這一
2014-07-12 17:17:04
材料，應(yīng)用于此工藝的材料黏度較高。如Loctite FP640l，其黏度在室溫時(shí)達(dá)300 000～ 600000Cps。局部填充工藝的特點(diǎn)是： ·底部填充材料被沉積在基板上元件角落處或四周
2018-09-06 16:40:03
`哪位了解LCVD激光氣相沉積設(shè)備，想買一臺(tái)用來做補(bǔ)線用。如圖，沉積出寬10um左右的金屬線。求大神指點(diǎn)！`
2014-01-17 10:36:02
）設(shè)備投資不大，廢物處理更簡(jiǎn)單，工藝成本比沉銅低；（3）藥水與流程相對(duì)減少，時(shí)效性可達(dá) 48H，更便于維護(hù)與管理。缺點(diǎn)：（1）在導(dǎo)電性能方面，導(dǎo)電碳粉會(huì)弱于沉積銅層；（2）其適用性不如沉銅廣，因此，雖然
2022-06-10 16:05:21
相關(guān)專業(yè),5年以上相關(guān)工作經(jīng)驗(yàn)；2.熟練掌握一種主流OLED光學(xué)、電學(xué)仿真軟件的使用；3.數(shù)量掌握一種力學(xué)仿真軟件。2、ALD工藝工程師崗位職責(zé)：1. 負(fù)責(zé)原子層沉積設(shè)備評(píng)估，完成設(shè)備比對(duì)表及設(shè)備招標(biāo)
2016-12-16 11:45:29
沉積到PCB焊盤表面的一種工藝。這種方法通過在焊盤表面用銀（ Ag ）置換銅（ Cu ），從而在其上沉積一層銀鍍層。
優(yōu)點(diǎn)與缺點(diǎn)并存，優(yōu)點(diǎn)是可焊性、平整度高，缺點(diǎn)是存儲(chǔ)要求高，易氧化。
沉金板
沉金
2023-12-12 13:35:04
請(qǐng)問一下8寸 原子層沉積設(shè)備ALD，單晶片。國(guó)內(nèi)設(shè)備大約在什么價(jià)位啊？
2023-06-16 11:12:27
，而且往往會(huì)充填到板厚度的100％以上。本章的網(wǎng)板設(shè)計(jì)部分將提供用于焊接定位孔的另一種可 行方法。 根據(jù)生產(chǎn)的特定組件，可使用不同的工藝步驟。最便利和最高成本效益的工藝是設(shè)計(jì)一個(gè)同時(shí)適合 SMC和異形
2018-11-22 11:01:02
采用濺射技術(shù), 對(duì)薄膜沉積的相關(guān)工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化, 獲得了電阻溫度系數(shù)TCR≤±10×10- 6ö℃的錳銅薄膜。該項(xiàng)技術(shù)為錳銅傳感器的薄膜化奠定了基礎(chǔ), 同時(shí)也可用于制作錳銅薄膜
2009-06-27 09:32:16
19 用脈沖激光(Nd:YAG 激光)沉積技術(shù)在硅基上沉積富硅SiO2薄膜(SiOx,x<2)，沉積時(shí)氧氣壓力分別為1.33，2.66，3.99，5.32，6.65，7.98Pa，膜的厚度約為300nm。隨后，在氬(Ar)氣中1000℃的溫度下對(duì)
2010-08-03 16:24:350 半導(dǎo)體制程之薄膜沉積
在半導(dǎo)體組件工業(yè)中，為了對(duì)所使用的材料賦與某種特性，在材料表面上常以各種方法形成被膜而加以使用，假如
2009-03-06 17:14:585558 
硅單晶(或多晶)薄膜的沉積
硅（Si）單晶薄膜是利用氣相外延(VPE)技術(shù)，在一塊單晶Si 襯底上沿其原來的結(jié)晶軸方向，生長(zhǎng)一層導(dǎo)電類型
2009-03-09 13:23:416889 PZT厚膜的電射流沉積研究_王大志
2017-03-19 18:58:180 由于低溫沉積、薄膜純度以及絕佳覆蓋率等固有優(yōu)點(diǎn)，ALD（原子層淀積）技術(shù)早從21世紀(jì)初即開始應(yīng)用于半導(dǎo)體加工制造。DRAM電容的高k介電質(zhì)沉積率先采用此技術(shù)，但近來ALD在其它半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域也已發(fā)展
2018-02-13 03:16:0025903 進(jìn)入投資。將來也會(huì)采用其他的物理沉積技術(shù)。”Crowley說，原子層沉積（atomic layer desposition，ALD）工藝更昂貴，但優(yōu)點(diǎn)是便于控制，且薄膜厚度更薄，厚度通常是納米級(jí)而不是微米級(jí)。
2018-11-09 08:57:115182 在等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法PECVD沉積 SiO2和 SiN掩蔽層過程中!分解等離子體中濃度較高的H原子使MG受主鈍化!同時(shí)在P-GaN材料表面發(fā)生反應(yīng)形成淺施主特性的N空位。
2018-12-17 08:00:0017 CMOS器件是在硅材料上逐層制作而成的。雖然蝕刻和沉積是標(biāo)準(zhǔn)工藝，但它們主要使用光刻和等離子蝕刻在裸片上創(chuàng)建圖案。另一方面，MEMS是采用體硅加工工藝嵌入到硅中，或通過表面微加工技術(shù)在硅的頂部形成。
2020-09-01 11:21:323490 沉積是半導(dǎo)體制造工藝中的一個(gè)非常重要的技術(shù)，其是一連串涉及原子的吸附、吸附原子在表面擴(kuò)散及在適當(dāng)?shù)奈恢孟戮劢Y(jié)，以漸漸形成薄膜并成長(zhǎng)的過程。在一個(gè)新晶圓投資建設(shè)中，晶圓廠80%的投資用于購(gòu)買設(shè)備。其中，薄膜沉積設(shè)備是晶圓制造的核心步驟之一，占據(jù)著約25%的比重。
2020-09-07 15:50:106019 
不久前，MEMS 蝕刻和表面涂層方面的領(lǐng)先企業(yè) memsstar 向《電子產(chǎn)品世界》介紹了 MEMS 與傳統(tǒng) CMOS 刻蝕與沉積工藝的關(guān)系，對(duì)中國(guó)本土 MEMS 制造工廠和實(shí)驗(yàn)室的建議
2022-12-13 11:42:001674 ）及化學(xué)氣相沉積（CVD）工藝已經(jīng)無法滿足極小尺寸下良好的臺(tái)階覆蓋要求，而控制納米級(jí)別厚度的高質(zhì)量超薄膜層制備也成為技術(shù)難點(diǎn)。 原子層沉積（ALD）是一種可以將物質(zhì)以單原子膜的形式，一層一層鍍?cè)诨妆砻娴南冗M(jìn)沉積技術(shù)。一個(gè)
2021-04-17 09:43:2116607 
“國(guó)家智能傳感器創(chuàng)新中心和思銳智能都青睞‘智能’兩個(gè)字，都對(duì)超越摩爾產(chǎn)業(yè)情有獨(dú)鐘，雙方就以原子層沉積（ALD）設(shè)備及技術(shù)作為起點(diǎn)，建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，未來將在制造工藝設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化，以及新材料、新工藝、新器件、新應(yīng)用等方面展開合作研究
2021-05-30 09:02:243898 
業(yè)界主流的薄膜沉積工藝主要有原子層沉積（ALD）、物理式真空鍍膜（PVD）和化學(xué)式真空鍍膜（CVD）等，其中ALD屬于CVD的一種，屬于當(dāng)下最先進(jìn)的薄膜沉積技術(shù)。
2021-09-03 11:12:421149 
薄膜集成電路是使用了薄膜工藝在藍(lán)寶石、石英玻璃、陶瓷、覆銅板基片上制作電路元、器件及其接線，最后進(jìn)行封裝而成的。 集成電路薄膜沉積工藝可以分為三類，為物理氣相沉積（PVD）、化學(xué)氣相沉積（CVD
2021-12-22 16:41:067760 摘要 丁二烯、氫和氬的三元混合物在平行板等離子體反應(yīng)器中沉積了類金剛石碳膜。這些薄膜的蝕刻量為02，cf4/02等離子體放電。推導(dǎo)出了沉積氣體混合物的組成與根據(jù)蝕刻和沉積速率定義的無量綱數(shù)(EN
2022-01-07 16:19:111028 
本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強(qiáng)原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫度下進(jìn)行，例如在大約23丁和 大約200V之間
2022-02-15 11:11:143427 
摘要 本文的目的是建立科技鎖的技術(shù)水平，必須打開科技鎖才能將直接大氣壓等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(AP-PECVD)視為工業(yè)應(yīng)用的可行選擇。總結(jié)了理解和優(yōu)化等離子體化學(xué)氣相沉積工藝的基本科學(xué)原理。回顧
2022-02-21 16:50:111900 
半導(dǎo)體晶片上的粒子沉積是集成電路制造中的一個(gè)重要問題。隨著集成電路的特征尺寸接近亞微米的尺寸，晶片上的顆粒沉積是造成產(chǎn)品損失的主要原因。我們開發(fā)了一種用于檢測(cè)半導(dǎo)體晶片上顆粒沉積的靈敏方法。該方法
2022-02-22 15:17:09905 
嵌入式硅鍺在最近的技術(shù)節(jié)點(diǎn)中被應(yīng)用于互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體中，以提高器件性能并實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展。本文發(fā)現(xiàn)硅鍺表面相對(duì)于溝道的位置對(duì)功率因數(shù)校正閾值電壓和器件可變性有顯著影響。因此，嵌入式硅鍺的凹槽蝕刻和沉積必須得到很好的控制。我們展示了器件對(duì)填充工藝的敏感性，并描述了用于優(yōu)化外延控制的前饋和反饋技術(shù)。
2022-02-23 10:08:142280 
Fraunhofer ISIT的PowderMEMS是一項(xiàng)新研發(fā)的創(chuàng)新技術(shù)，用于在晶圓級(jí)上從多種材料中創(chuàng)建三維微結(jié)構(gòu)。該技術(shù)基于通過原子層沉積（ALD）工藝在空腔中將微米級(jí)粉末顆粒粘合在一起。
2022-03-17 09:46:232011 本文研究了外延沉積前原位工藝清洗的效果，該過程包括使用溶解的臭氧來去除晶片表面的有機(jī)物，此外，該過程是在原位進(jìn)行的，沒有像傳統(tǒng)上那樣將晶圓從工藝轉(zhuǎn)移到?jīng)_洗罐。結(jié)果表明，與不使用溶解臭氧作為表面處理
2022-04-12 13:25:49559 
評(píng)估各種清洗技術(shù)的典型方法是在晶片表面沉積氮化硅(Si，N4)顆粒，然后通過所需的清洗工藝處理晶片。國(guó)家半導(dǎo)體技術(shù)路線圖規(guī)定了從硅片上去除顆粒百分比的標(biāo)準(zhǔn)挑戰(zhàn)，該挑戰(zhàn)基于添加到硅片上的“>
2022-05-25 17:11:381242 
薄膜沉積設(shè)備介紹
2022-06-22 15:22:1710 ALD是Atomic Layer Deposition（原子層沉積）的縮寫，是通過重復(fù)進(jìn)行材料供應(yīng)（前體）和排氣，利用與基板之間的表面反應(yīng)，分步逐層沉積原子的成膜方式。
2022-10-11 10:04:001339 在一起。然而，隨著芯片特征變得更小，現(xiàn)有材料可能無法在所需厚度下實(shí)現(xiàn)相同性能，從而可能需要新的材料。 泛林集團(tuán)發(fā)明了一種名為 SPARC 的全新沉積技術(shù)，用于制造具有改進(jìn)電絕緣性能的新型碳化硅薄膜。重要的是，它可以沉積超薄層，
2022-10-14 17:12:59505 
盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司對(duì)其300mm Ultra Fn立式爐干法工藝平臺(tái)進(jìn)行了功能擴(kuò)展，研發(fā)出新型Ultra Fn A立式爐設(shè)備。該設(shè)備的熱原子層沉積（ALD）功能豐富了盛美上海立式爐系列設(shè)備的應(yīng)用。首臺(tái)Ultra Fn A立式爐設(shè)備已于9月底運(yùn)往中國(guó)一家先進(jìn)的邏輯制造商。
2022-11-01 09:18:151466 物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition， PVD)工藝是指采用物理方法，如真空蒸發(fā)、濺射 （Sputtering）鍍膜、離子體鍍膜和分子束外延等，在圓片表面形成薄膜。
2022-11-03 15:32:204187 化學(xué)氣相沉積 (Chemical Vapor Deposition, CVD）是指不同分壓的多種氣相狀態(tài)反應(yīng)物在一定溫度和氣壓下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成的固態(tài)物質(zhì)沉積在襯底材料表面，從而獲得所需薄膜的工藝技術(shù)。
2022-11-04 10:56:067439 由于 ALD 技術(shù)逐層生長(zhǎng)薄膜的特點(diǎn)，所以 ALD 薄膜具有極佳的合階覆蓋能力，以及極高的沉積均勻性和一致性，同時(shí)可以較好她控制其制備薄膜的厚度、成分和結(jié)構(gòu)，因此被廣泛地應(yīng)用在微電子領(lǐng)域。
2022-11-07 10:43:165138 Hannover（簡(jiǎn)稱：LZH）合作開發(fā)了一種新的空間ALD系統(tǒng)，該系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)“以前所未有的速度在復(fù)雜形狀的光學(xué)元件上涂覆薄膜層”。 Beneq的ALD系統(tǒng)（稱為C2R）可實(shí)現(xiàn)高達(dá)200 rpm的速度，沉積速率高達(dá)1 μm/h。LZH指出，ALD是一種自限性和各向同性工藝，每個(gè)周期產(chǎn)生大約1埃的層厚度。這
2022-12-22 16:30:242866 現(xiàn)有的原子層沉積技術(shù)氮摻雜過程需要在氮?dú)獾入x子體的高溫條件下進(jìn)行，但是高溫環(huán)境下的薄膜生長(zhǎng)會(huì)引起電池正極和負(fù)極材料的相變和分解。雖然有研究指出低溫條件下在氨氣環(huán)境中可以實(shí)現(xiàn)氮摻雜的原子層沉積，但是同時(shí)會(huì)顯著增加氨氣尾氣處理的設(shè)備成本和維護(hù)難度以及安全風(fēng)險(xiǎn)。
2023-01-16 14:09:13644 薄膜沉積是晶圓制造的三大核心步驟之- - ，薄膜的技術(shù)參數(shù)直接影響芯片性能。
半導(dǎo)體器件的不斷縮小對(duì)薄膜沉積工藝提出了更高要求，而ALD技術(shù)憑借沉積薄膜厚度的高度可控性、優(yōu)異的均勻性和三E維保形性,在半導(dǎo)體先進(jìn)制程應(yīng)用領(lǐng)域彰顯優(yōu)勢(shì)。
2023-02-16 14:36:54555 濺射鍍膜(Vacuum Sputtering)基本原理是充氬(Ar)氣的真空條件下，使氬氣進(jìn)行輝光放電，這時(shí)氬(Ar)原子電離成氬離子(Ar+)，氬離子在電場(chǎng)力的作用下加速轟擊以鍍料制作的陰極靶材，靶材會(huì)被濺射出來而沉積到工件表面。
2023-02-24 09:51:092595 ALD技術(shù)是一種將物質(zhì)以單原子膜的形式逐層鍍?cè)诨妆砻娴姆椒ǎ軌驅(qū)崿F(xiàn)納米量級(jí)超薄膜的沉積。
2023-04-25 16:01:052442 
近日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中微公司”，上交所股票代碼：688012）推出自主研發(fā)的12英寸低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）設(shè)備Preforma Uniflex CW。這是中微公司深耕高端微觀加工設(shè)備多年、在半導(dǎo)體薄膜沉積領(lǐng)域取得的新突破，也是實(shí)現(xiàn)公司業(yè)務(wù)多元化增長(zhǎng)的新動(dòng)能。
2023-05-17 17:08:41831 。 PVD 沉積工藝在半導(dǎo)體制造中用于為各種邏輯器件和存儲(chǔ)器件制作超薄、超純金屬和過渡金屬氮化物薄膜。最常見的 PVD 應(yīng)用是鋁板和焊盤金屬化、鈦和氮化鈦襯墊層、阻擋層沉積和用于互連金屬化的銅阻擋層種子沉積。 PVD 薄膜沉積工藝需要一個(gè)高真空的平臺(tái)，在
2023-05-26 16:36:511751 在了解芯片沉積工藝之前，先要闡述下薄膜（thin film）的概念。薄膜材料是厚度介于單原子到幾毫米間的薄金屬或有機(jī)物層。
2023-06-08 11:00:122192 
離子束輔助沉積 (IBAD) 是一種薄膜沉積技術(shù)，可與濺射或熱蒸發(fā)工藝一起使用，以獲得具有出色工藝控制和精度的最高質(zhì)量薄膜。
2023-06-08 11:10:22986 
器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)。近年來，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)，它基于連續(xù)的、自限性的表面反應(yīng)。ALE是一種蝕刻技術(shù)，允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應(yīng)。
2023-06-15 11:05:05526 
原子層沉積（Atomic layer deposition，ALD）是一種可以沉積單分子層薄膜的特殊的化學(xué)氣相沉積技術(shù)。
2023-06-15 16:19:212038 
3D NAND 工藝通過堆疊存儲(chǔ)單元, 提供更高的比特密度, 上海伯東日本 Atonarp Aston? 質(zhì)譜分析儀適用于先進(jìn)半導(dǎo)體工藝（如沉積和蝕刻）所需的定量氣體分析. 沉積應(yīng)用中: 實(shí)時(shí)過程
2023-06-21 10:09:13197 
韞茂科技成立于2018年，致力于成為平臺(tái)形態(tài)的納米級(jí)薄膜沉積設(shè)備制造企業(yè)。目前擁有ald原子層沉積系統(tǒng)、pvd物理氣體沉積系統(tǒng)、cvd化學(xué)氣體沉積系統(tǒng)、uhv超高真空涂層設(shè)備等12種產(chǎn)品。
2023-06-28 10:41:03540 近日，泛林集團(tuán)推出了Coronus DX產(chǎn)品，這是業(yè)界首個(gè)晶圓邊緣沉積解決方案，旨在更好地應(yīng)對(duì)下一代邏輯、3D NAND和先進(jìn)封裝應(yīng)用中的關(guān)鍵制造挑戰(zhàn)。隨著半導(dǎo)體芯片關(guān)鍵尺寸的不斷縮小，其制造變得
2023-06-29 10:08:27650 在半導(dǎo)體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實(shí)也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨(dú)要強(qiáng)調(diào)“沉積”工藝呢？
2023-06-29 16:58:37404 
在前幾篇文章（點(diǎn)擊查看），我們一直在借用餅干烘焙過程來形象地說明半導(dǎo)體制程 。在上一篇我們說到，為制作巧克力夾心，需通過“刻蝕工藝”挖出餅干的中間部分，然后倒入巧克力糖漿，再蓋上一層餅干層。“倒入巧克力糖漿”和“蓋上餅干層”的過程在半導(dǎo)體制程中就相當(dāng)于“沉積工藝”。
2023-06-29 16:56:17830 
和在刻蝕工藝中一樣，半導(dǎo)體制造商在沉積過程中也會(huì)通過控制溫度、壓力等不同條件來把控膜層沉積的質(zhì)量。例如，降低壓強(qiáng)，沉積速率就會(huì)放慢，但可以提高垂直方向的沉積質(zhì)量。因?yàn)椋瑝簭?qiáng)低表明設(shè)備內(nèi)反應(yīng)氣體粒子
2023-07-02 11:36:401214 
近日，泛林集團(tuán) (Nasdaq: LRCX) 推出了Coronus DX產(chǎn)品，這是業(yè)界首個(gè)晶圓邊緣沉積解決方案，旨在更好地應(yīng)對(duì)下一代邏輯、3D NAND和先進(jìn)封裝應(yīng)用中的關(guān)鍵制造挑戰(zhàn)。隨著半導(dǎo)體芯片
2023-07-05 00:39:29422 薄膜沉積是指在基底上沉積特定材料形成薄膜，使之具有光學(xué)、電學(xué)等方面的特殊性能。
2023-07-13 09:10:487776 
該研究首次應(yīng)用紫外光輔助原子層沉積（UV-ALD）技術(shù)于石墨烯表面，并展示了利用UV-ALD沉積Al2O3薄膜在石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GFETs）中的應(yīng)用。在ALD過程中進(jìn)行5秒最佳紫外照射，導(dǎo)致在石墨烯表面上沉積出更加致密平滑的Al2O3薄膜
2023-08-16 15:52:37282 
在半導(dǎo)體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實(shí)也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨(dú)要強(qiáng)調(diào)“沉積”工藝呢？
2023-08-17 15:33:27370 
上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼品牌 RF 射頻離子源, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標(biāo), 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, IBSD 離子束濺射沉積 和 IBD 離子束沉積是其典型的應(yīng)用.
2023-05-25 10:18:34501 
由于異質(zhì)結(jié)電池不同于傳統(tǒng)的熱擴(kuò)散型晶體硅太陽(yáng)能電池，因此在完成對(duì)其發(fā)射極以及BSF的注入后，下一個(gè)步驟就是在異質(zhì)結(jié)電池的正反面沉積ITO薄膜，ITO薄膜能夠彌補(bǔ)異質(zhì)結(jié)電池在注入發(fā)射極后的低導(dǎo)電性
2023-09-21 08:36:22407 
PECVD作為太陽(yáng)能電池生產(chǎn)中的一種工藝，對(duì)其性能的提升起著關(guān)鍵的作用。PECVD可以將氮化硅薄膜沉積在太陽(yáng)能電池片的表面，從而有效提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換率。但為了清晰客觀的檢測(cè)沉積后太陽(yáng)能電池
2023-09-27 08:35:491775 在鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)工藝中，ITO薄膜沉積是能夠提升鈣鈦礦太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換率的關(guān)鍵步驟，其中，真空蒸鍍沉積技術(shù)可較為便捷的制備高純度、高質(zhì)量的ITO薄膜，是沉積工藝中的一項(xiàng)核心技術(shù)
2023-10-10 10:15:53649 邑文電子科技有限公司副總經(jīng)理葉國(guó)光。葉總主要研究方向?yàn)榛衔锇雽?dǎo)體器件與ALD原子層沉積技術(shù)，在LED，LD，HEMT與VCSEL的技術(shù)開發(fā)與ALD應(yīng)用于半導(dǎo)體器件的技術(shù)領(lǐng)域頗具權(quán)威。本報(bào)告主要從半導(dǎo)體
2023-10-18 11:33:442992 
牛津儀器（Oxford Instruments）推出PlasmaPro ASP系統(tǒng)，這是其Atomfab?產(chǎn)品系列中的一款高速原子層沉積（ALD）研究系統(tǒng)。PlasmaPro ASP受益于新的專利
2023-10-23 16:20:07487 
半導(dǎo)體設(shè)備系列研究-薄膜沉積設(shè)備
2023-01-13 09:06:526 黎微明博士指出，傳統(tǒng)的PVD和CVD在鍍膜方面具有局限性。ALD技術(shù)特點(diǎn)在于可在復(fù)雜形貌上，完成原子層精度控制能力的高質(zhì)量薄膜沉積工藝。具體來看，ALD技術(shù)具有三維共形性，可廣泛適用于不同形狀的基底。
2023-11-02 17:27:05435 眾所周知，材料的宏觀性質(zhì)，例如硬度、熱和電傳輸以及光學(xué)描述符與其微觀結(jié)構(gòu)特征相關(guān)聯(lián)。通過改變加工參數(shù)，可以改變微結(jié)構(gòu)，從而能夠控制這些性質(zhì)。在薄膜沉積的情況下，微結(jié)構(gòu)特征，例如顆粒尺寸和它們的顆粒
2023-11-22 10:20:59214 
半導(dǎo)體前端工藝（第五篇）：沉積——“更小、更多”，微細(xì)化的關(guān)鍵
2023-11-27 16:48:42217 
薄膜沉積技術(shù)主要分為CVD和PVD兩個(gè)方向。 PVD主要用來沉積金屬及金屬化合物薄膜,分為蒸鍍和濺射兩大類，目前的主流工藝為濺射。CVD主要用于介質(zhì)/半導(dǎo)體薄膜，廣泛用于層間介質(zhì)層、柵氧化層、鈍化層等工藝。
2023-12-05 10:25:18997 金屬柵極的沉積方法主要由HKMG的整合工藝決定。為了獲得穩(wěn)定均勻的有效功函數(shù)，兩種工藝都對(duì)薄膜厚度的均勻性要求較高。另外，先柵極的工藝對(duì)金屬薄膜沒有臺(tái)階覆蓋性的要求，但是后柵極工藝因?yàn)樾枰匦?b class="flag-6" style="color: red">填充原來多晶硅柵極的地方，因此對(duì)薄膜的臺(tái)階覆蓋 性及其均勻度要求較高。
2023-12-11 09:25:31659 
在太陽(yáng)能電池的薄膜沉積工藝中，具有化學(xué)氣相沉積（CVD）與物理氣相沉積（PVD）兩種薄膜沉積方法，電池廠商在沉積工藝中也需要根據(jù)太陽(yáng)能電池的具體問題進(jìn)行針對(duì)性選擇，并在完成薄膜沉積工藝后通過
2023-12-26 08:33:01312 薄膜電容是一種常見的電子元件，其具有體積小、重量輕、容量大、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。薄膜電容的工藝與結(jié)構(gòu)對(duì)其性能和可靠性有著重要的影響。本文將對(duì)薄膜電容的工藝與結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)的介紹
2024-01-10 15:41:54444 
優(yōu)化硅的形態(tài)與沉積方式是半導(dǎo)體和MEMS工藝的關(guān)鍵，LPCVD和APCVD為常見的硅沉積技術(shù)。
2024-01-22 09:32:15433 
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