硅通孔）技術。 三星的創(chuàng)新被認為是大規(guī)模生產(chǎn)高性能芯片的最具挑戰(zhàn)性的封裝技術之一，因為它需要精確的精度才能通過具有60,000多個TSV孔的三維配置垂直互連12個DRAM芯片。 封裝的厚度（720um）與當前的8層高帶寬存儲器（HBM2）產(chǎn)品相同，這在組件設計上是一項重大進步。這將
2019-10-08 16:32:23
5606 在“NEPCON日本2013”的技術研討會上，英特爾和高通分別就有望在新一代移動SoC（系統(tǒng)級芯片）領域實現(xiàn)實用的 TSV（硅通孔）三維封裝技術發(fā)表了演講。兩家公司均認為，“三維封裝是將來的技術方向”。
2013-01-22 09:06:011342 TSV技術應用即將遍地開花。隨著各大半導體廠商陸續(xù)將TSV立體堆疊納入技術藍圖，TSV應用市場正加速起飛，包括影像感應器、功率放大器和處理器等元件，皆已開始采用；2013年以后，3D TSV技術更將由8寸晶圓逐漸邁向12寸晶圓應用。
2013-01-27 10:25:003306 本文報道了TSV過程的細節(jié)。還顯示了可以在8-in上均勻地形成許多小的tsv(直徑:6 m，深度:22 m)。通過這種TSV工藝的晶片。我們華林科納研究了TSV的電學特性，結果表明TSV具有低電阻和低電容；小的TSV-硅漏電流和大約83%的高TSV產(chǎn)率。
2022-06-16 14:02:432749 
華林科納對包括背照式圖像傳感器、中介層和 3D 存儲器在內的消費產(chǎn)品相關設備的需求正在推動使用硅通孔 (TSV) [1] 的先進封裝。 TSV 處理的各種工藝流程(先通孔、中間通孔和最后
2022-07-19 14:51:42566 
硅通孔（TSV） 是當前技術先進性最高的封裝互連技術之一。基于 TSV 封裝的核心工藝包括 TSV 制造、RDL/微凸點加工、襯底減薄、圓片鍵合與薄圓片拿持等。
2023-05-08 10:35:242025 
主要的技術路徑。2.5D/3D封裝正在加速3D互連密度的技術突破，TSV及TGV的技術作為2.5D/3D封裝的核心技術，越來越受到重視。
2023-05-23 12:29:112878 
來源：半導體風向標 從HBM存儲器到3D NAND芯片，再到CoWoS，硬件市場上有許多芯片是用英文稱為TSV構建的，TSV是首字母縮寫，意為“通過硅通孔”并翻譯為via硅的事實，它們垂直地穿過
2023-07-26 10:06:15619 先進封裝處于晶圓制造與封測的交叉區(qū)域 先進封裝處于晶圓制造與封測制程中的交叉區(qū)域，涉及IDM、晶圓代工、封測廠商。先進封裝要求在晶圓劃片前融入封裝工藝步驟，具體包括應用晶圓研磨薄化、重布線（RDL
2023-08-07 10:59:46852 
)、重新分配層(RDL)封裝、倒片(Flip Chip)封裝、及硅通孔(TSV)封裝。此外，本文還將介紹應用于這些晶圓級封裝的各項工藝，包括光刻(Photolithography)工藝、濺射(Sputtering)工藝、電鍍(Electroplating)工藝和濕法(Wet)工藝。
2023-11-08 09:20:192758 
在上篇文章中介紹了扇入型晶圓級芯片封裝(Fan-In WLCSP)、扇出型晶圓級芯片封裝(Fan-Out WLCSP)、重新分配層(RDL)封裝、倒片(Flip Chip)封裝，這篇文章著重介紹硅通孔(TSV)封裝工藝。
2023-11-08 10:05:531827 
硅通孔技術（TSV，Through Silicon Via）是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通，實現(xiàn)芯片之間互連的技術，是2.5D/3D 封裝的關鍵工藝之一。通過垂直互連減小互連長度、信號延遲，降低電容、電感，實現(xiàn)芯片間低功耗、高速通訊，增加帶寬和實現(xiàn)小型化。
2024-01-09 09:44:131902 
以硅通孔（TSV）為核心的 2.5D/3D 封裝技術可以實現(xiàn)芯片之間的高速、低功耗和高帶寬的信號傳輸。
2024-02-25 16:51:10484 
具有代表性的技術包括晶圓級封裝（WLP）及采用TSV（硅通孔）的硅轉接板等，潛藏著新的商機。
2011-08-28 12:17:464024 
封裝貼片應用領域有著以下幾點：1、NCC-常規(guī)系列1206封裝貼片電容應用領域 適用于一般電子電路Suitable for、通訊設備、電腦周邊、電源及智能手機各種電路應用。2、高壓品-HVC系列（高壓
2017-08-11 11:57:51
TSV0505D - DC/DC Converters - TRACO Electronic AG
2022-11-04 17:22:44
TSV0505S - DC/DC Converters - TRACO Electronic AG
2022-11-04 17:22:44
TSV0512D - DC/DC Converters - TRACO Electronic AG
2022-11-04 17:22:44
TSV0512S - DC/DC Converters - TRACO Electronic AG
2022-11-04 17:22:44
TSV0515D - DC/DC Converters - TRACO Electronic AG
2022-11-04 17:22:44
TSV0515S - DC/DC Converters - TRACO Electronic AG
2022-11-04 17:22:44
TSV1205D - DC/DC Converters - TRACO Electronic AG
2022-11-04 17:22:44
TSV1205S - DC/DC Converters - TRACO Electronic AG
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TSV1212D - DC/DC Converters - TRACO Electronic AG
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TSV1212S - DC/DC Converters - TRACO Electronic AG
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TSV1215D - DC/DC Converters - TRACO Electronic AG
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TSV1215S - DC/DC Converters - TRACO Electronic AG
2022-11-04 17:22:44
TSV2405D - DC/DC Converters - TRACO Electronic AG
2022-11-04 17:22:44
TSV2405S - DC/DC Converters - TRACO Electronic AG
2022-11-04 17:22:44
TSV2412D - DC/DC Converters - TRACO Electronic AG
2022-11-04 17:22:44
TSV2412S - DC/DC Converters - TRACO Electronic AG
2022-11-04 17:22:44
TSV2415D - DC/DC Converters - TRACO Electronic AG
2022-11-04 17:22:44
TSV2415S - DC/DC Converters - TRACO Electronic AG
2022-11-04 17:22:44
TSV622-3-4-5 - Micropower, wide bandwidth CMOS operational amplifiers - STMicroelectronics
2022-11-04 17:22:44
TSV6292-3-4-5 - Micropower, wide bandwidth CMOS operational amplifiers - STMicroelectronics
2022-11-04 17:22:44
TSV629X - Micropower, wide bandwidth CMOS operational amplifiers - STMicroelectronics
2022-11-04 17:22:44
TSV632-3-4-5 - Micropower, wide bandwidth CMOS operational amplifiers - STMicroelectronics
2022-11-04 17:22:44
TSV911AIDCKR
2023-03-28 13:13:59
TSV914 - High performance CMOS quad operational amplifier - STMicroelectronics
2022-11-04 17:22:44
TSV994IPT是一個四路運放芯片，當我VCC=+3.3V，VDD=-5V供電時，芯片明顯發(fā)燙，且不能正常工作，這時什么導致的？？？
2019-08-29 11:23:12
MICROFJ-30035-TSV-TR
2023-04-06 23:31:03
MICROFJ-60035-TSV-TR
2023-04-06 23:31:03
MICROFJ-60035-TSV-TR1
2023-04-06 23:35:33
ad693有ad693ad和ad693aq的封裝，請問這兩種封裝有什么區(qū)別，ad693ad的抗輻照性能是否更佳？
謝謝！
2023-11-23 07:05:39
是2.5D封裝，將光芯片和電芯片都和一個中介板相連（通過TSV和bump），中介板可以實現(xiàn)芯片間高速互聯(lián)，這個中介板稱為interposer。【TSV是硅通孔，可以實現(xiàn)硅芯片內部的互聯(lián)；bump是金屬
2023-03-29 10:48:47
對單片機的封裝有些疑問
2015-05-19 19:51:17
使用STM32_Programmer_CLI構建鏡像，可以根據(jù)Flashlayout_emmc.tsv安裝到板子上， 同樣，從sd卡啟動時，是否可以使用命令根據(jù)Flashlayout_emmc.tsv將構建的鏡像安裝
2022-12-16 08:39:14
硅通孔（TSV）電鍍的高可靠性是高密度集成電路封裝應用中的一個有吸引力的熱點。本文介紹了通過優(yōu)化濺射和電鍍條件對完全填充TSV的改進。特別注意具有不同種子層結構的樣品。這些樣品是通過不同的濺射和處理
2021-01-09 10:19:52
你好， OpAmp TSV632的數(shù)據(jù)表允許最大輸入電流為10mA（第4頁）。沒有給出任何標志，所以我認為不允許負輸入電流。但是我不確定它會對我有所幫助，如果它們被允許的話......那么，有人
2019-08-09 06:18:51
你有TSV6390AIDT和/或TSV6290AIDT的SPICE型號嗎？ 謝謝， 何魯麗 ＃運算放大器，香料宏模型
2019-08-06 14:07:54
——頻率分類 石英晶振的應用領域隨著科學技術的發(fā)展,國內外晶體振蕩器性能越來越優(yōu)異,應用領域也越來越廣泛。其中在傳感器技術領域的應用就是一個典型的例子。在水平姿態(tài)傳感器領域中,雖然有電阻應變式、半導體壓阻式
2013-01-04 20:50:54
)和香港科技大學先進微系統(tǒng)封裝中心與LED-FPD工程技術研究開發(fā)中心主任李世瑋教授(Ricky Lee)擔任授課教師。此次精心設計的培訓課程方案將涉及到設計領域、封裝制造最先進的封裝和集成技術解決方案
2016-03-21 10:39:20
STMicroelectronics 運算放大器 TSV912AIDT 雙 高速、精密, 8MHz增益帶寬積
2022-05-31 10:04:31
3D-IC設計者希望制作出高深寬比(HAR>10:1)硅通孔(TSV)，從而設計出更小尺寸的通孔，以減小TSV通孔群在硅片上的占用空間，最終改進信號的完整性。事實上，當前傳統(tǒng)的TSV生產(chǎn)供應鏈已落后于ITRS對其的預測。
2011-01-14 16:10:401719 
半導體封裝領域的分析師JeromeBaron這樣指出：在處于半導體前工序和后工序中間位置的“中端”領域，具有代表性的技術包括晶圓級封裝（WLP）及采用TSV（硅通孔）的硅轉接板等，潛藏著
2011-08-12 23:56:051194 高通(Qualcomm)先進工程部資深總監(jiān)Matt Nowak日前指出，在使用高密度的硅穿孔(TSV)來實現(xiàn)芯片堆疊的量產(chǎn)以前，這項技術還必須再降低成本才能走入市場。他同時指出，業(yè)界對該技術價格和
2011-10-14 09:16:362315 重點討論了垂直互連的硅通孔(TSV)互連工藝的關鍵技術及其加工設備面臨的挑戰(zhàn)．提出了工藝和設備開發(fā)商的應對措施并探討了3DTSV封裝技術的應用前景。
2011-12-07 10:59:23
88 對3D封裝技術結構特點、主流多層基板技術分類及其常見鍵合技術的發(fā)展作了論述,對過去幾年國際上硅通孔( TSV)技術發(fā)展動態(tài)給與了重點的關注。尤其就硅通孔關鍵工藝技術如硅片減薄
2011-12-07 11:00:52149 2011年，半導體封裝業(yè)界的熱門話題是采用TSV(硅通孔)的三維封裝技術。雖然TSV技術此前已在CMOS圖像傳感器等產(chǎn)品上實用化，但始終未在存儲器及邏輯LSI等用途中普及。最近，存儲器及邏
2011-12-23 09:34:584662 TSV3DIC技術雖早于2002年由IBM所提出，然而，在前后段IC制造技術水準皆尚未成熟情況下，TSV3DIC技術發(fā)展速度可說是相當緩慢，DIGITIMESResearch分析師柴煥欣分析，直至2007年東芝（Toshiba）將
2012-02-21 08:45:371435 中微半導體設備有限公司（以下簡稱“中微”）推出了8英寸硅通孔（TSV）刻蝕設備Primo TSV200E?
2012-03-15 09:39:401323 你最近有看到關于過孔硅（TSV）的新聞嗎？
2012-04-16 08:54:465346 硅通孔技術（Through Silicon Via， TSV）技術是一項高密度封裝技術，正在逐漸取代目前工藝比較成熟的引線鍵合技術，被認為是第四代封裝技術。TSV技術通過銅、鎢、多晶硅等導電物質
2016-10-12 18:30:2714721 
TSV互連結構傳輸性能分析及故障建模研究_尚玉玲
2017-01-07 19:00:393 The TSV99x and TSV99xA family of single， dual， and quad operational amplifiers offers low voltage
2017-09-04 14:51:1812 The TSV91x operational amplifiers （op amps） offer low voltage operation and rail-to-rail input
2017-09-04 16:50:103 The TSV358， TSV358A， TSV324， and TSV324A （dual and quad） devices are low voltage versions of the LM358 and LM324 commodity operational amplifiers.
2017-09-05 09:12:306 The TSV6390， TSV6391， and their “A” versions are single operational amplifiers （op amps） offering
2017-09-05 09:34:144 The TSV52x and TSV52xA series of operational amplifiers offer low voltage operation and rail-torail
2017-09-05 09:52:585 The TSV630 and TSV631 devices are single operational amplifiers offering low voltage， low power operation， and rail-to-rail input and output.
2017-09-05 10:04:3216 The TSV622， TSV622A， TSV623， TSV623A， TSV624， TSV624A， TSV625， and TSV625A dual and quad operational amplifiers offer low voltage
2017-09-05 10:58:254 The TSV620， TSV620A， TSV621， and TSV621A are single operational amplifiers offering low voltage， low power operation
2017-09-05 11:01:536 The TSV85x， TSV85xA series of single， dual， and quad operational amplifiers offer low voltage operation with a rail-to-rail output swing.
2017-09-25 10:42:0911 硅通孔TSV發(fā)生開路故障和泄漏故障會降低三維集成電路的可靠性和良率，因此對綁定前的TSV測試尤為重要。現(xiàn)有CAFWAS測試方法對泄漏故障的測試優(yōu)于其他方法（環(huán)形振蕩器等），缺點是該方法不能測試
2017-11-22 10:56:2917 要實現(xiàn)三維集成，需要用到幾個關鍵技術，如硅通孔（TSV），晶圓減薄處理，以及晶圓/芯片鍵合。TSV 互連具有縮短路徑和更薄的封裝尺寸等優(yōu)點，被認為是三維集成的核心技術。
2017-11-24 16:23:4858827 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供TI(ti)TSV914相關產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有TSV914的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，TSV914真值表，TSV914管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2018-11-02 18:33:05
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供TI(ti)TSV912相關產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有TSV912的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，TSV912真值表，TSV912管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2018-11-02 18:33:05
對于目前的高端市場，市場上最流行的2.5D和3D集成技術為3D堆疊存儲TSV，以及異構堆疊TSV中介層。Chip-on-Wafer-on-Substrate（CoWos）技術已經(jīng)廣泛用于高性能計算
2019-02-15 10:42:196191 
從英特爾所揭露的技術資料可看出，F(xiàn)overos本身就是一種3D IC技術，透過硅穿孔(Through-Silicon Via, TSV)技術與微凸塊(micro-bumps)搭配，把不同的邏輯芯片堆疊起來。
2019-08-14 11:18:423271 
TSL2584TSV Block Diagram
2021-01-22 09:39:411 RoHS Certificate TSL2584TSV
2021-01-25 07:17:067 直通硅通孔(TSV)器件是3D芯片封裝的關鍵推動者，可提高封裝密度和器件性能。要實現(xiàn)3DIC對下一代器件的優(yōu)勢，TSV縮放至關重要。
2022-04-12 15:32:46942 
硅通孔(Through Silicon Via，TSV)技術是一項高密度封裝技術，它正在逐漸取代目前工藝比較成熟的引線鍵合技術，被認為是第四代封裝技術。在2.5D/3D IC中TSV被大規(guī)模應用于
2022-05-31 15:24:392053 本文介紹了采用芯和半導體ViaExpert軟件進行TSV陣列的建模和仿真分析流程。TSV結構復雜，存在建模繁瑣、分析不便等問題。
2022-06-03 09:03:001363 
onsemi TSV 封裝的 SiPM 傳感器的處理和焊接
2022-11-14 21:08:391 2.5D封裝是傳統(tǒng)2D IC封裝技術的進展，可實現(xiàn)更精細的線路與空間利用。在2.5D封裝中，裸晶堆棧或并排放置在具有硅通孔(TSV)的中介層(interposer)頂部。其底座，即中介層，可提供芯片之間的連接性。
2022-11-15 09:35:361598 TSV 是目前半導體制造業(yè)中最為先進的技術之一，已經(jīng)應用于很多產(chǎn)品生產(chǎn)。實現(xiàn)其制程的關鍵設備選擇與工藝選擇息息相關， 在某種程度上直接決定了 TSV 的性能優(yōu)劣。本文筆者在綜述 TSV 的工藝流程
2023-02-17 10:23:531010 硅通孔(Through Si Vias，TSV)硅轉接基板技術作為先進封裝的一種工藝方式，是實現(xiàn)千級IO芯片高密度組裝的有效途徑，近年來在系統(tǒng)集成領域得到快速應用。
2023-06-16 16:11:33343 
本文要點：3D集成電路需要一種方法來連接封裝中垂直堆疊的多個裸片由此，與制造工藝相匹配的硅通孔（Through-SiliconVias，TSV）設計應運而生硅通孔設計有助于實現(xiàn)更先進的封裝能力，可以
2022-11-17 17:58:04806 
編者注：TSV是通過在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通；TSV技術通過銅、鎢、多晶硅等導電物質的填充，實現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互聯(lián)，這項技術是目前唯一的垂直電互連技術，是實現(xiàn)3D先進封裝的關鍵技術之一。
2023-07-03 09:45:342003 
TSV不僅賦予了芯片縱向維度的集成能力，而且它具有最短的電傳輸路徑以及優(yōu)異的抗干擾性能。隨著摩爾定律慢慢走到盡頭，半導體器件的微型化也越來越依賴于集成TSV的先進封裝。
2023-07-25 10:09:36470 
的頂部和底部都暴露出來，用銅填充的過孔就可以通過晶片提供互連。這提供了由晶片隔離和保護的堅固耐用的互連。它還提供了使用小得多的體積的互連，同時減少了對與現(xiàn)代微電子封裝相關的大多數(shù)封裝的需求。本工作使用兩種方法生產(chǎn)銅基TSV，
2023-08-30 17:19:11326 
先進封裝中硅通孔(TSV)銅互連電鍍研究進展
2023-09-06 11:16:42536 
并瓜分全部的市場份額，在新應用催化下，也為后端封測廠和TSV設備公司帶來了市場機會。 硅通孔 /? TSV(Through-Silicon Via) 硅通孔TSV是一種能讓3D封裝遵循摩爾定律演進的互連
2023-11-09 13:41:212362 
3D-IC 中 硅通孔TSV 的設計與制造
2023-11-30 15:27:28212 
TSV是2.5D和3D集成電路封裝技術中的關鍵實現(xiàn)技術。半導體行業(yè)一直在使用HBM技術將DRAM封裝在3DIC中。
2023-11-27 11:40:20211 
三星電子和sk海力士用于tsv蝕刻的設備都是Syndion。synthion是典型的深硅蝕刻設備，深度蝕刻到晶片內部，用于tsv和溝槽等的高度和寬度比的形成。泛林集團 sabre 3d將用于用銅填充蝕刻的晶圓孔來制作線路的tsv線路。
2023-11-30 10:15:57333 的 2.5D/3D 封裝技術可以實現(xiàn)芯片之間的高速、低功耗和高帶寬的信號傳輸。常見的垂直 TSV 的制造工藝復雜，容易造成填充缺陷。錐形 TSV 的側壁傾斜，開口較大，有利于膜層沉積和銅電鍍填充，可降低工藝難度和提高填充質量。在相對易于實現(xiàn)的刻蝕條件下制備
2024-02-25 17:19:00119 
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