全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電2018年凈利飆升至新臺(tái)幣3,511.31億元，全年業(yè)績續(xù)寫新高，同時(shí)7nm以下制程進(jìn)度不僅大幅超前主要對(duì)手三星電子(Samsung Electronics)，更令格芯(GlobalFoundries；GF)、聯(lián)電、中芯、世界先進(jìn)、力晶與華虹等二線廠商望塵莫及。


相關(guān)半導(dǎo)體從業(yè)者表示，二線企業(yè)已難與三星、臺(tái)積電在7nm以下先進(jìn)制程拼戰(zhàn)，而隨著臺(tái)積電、三星積極擴(kuò)大8寸晶圓代工產(chǎn)能，搶食車用電子、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)等芯片訂單，二線企業(yè)所面臨的挑戰(zhàn)進(jìn)一步增大。
盡管ASIC礦機(jī)晶片大單于2018年第2季中后消退，臺(tái)積電2018年業(yè)績?nèi)詫懴滦赂?，營收首度突破兆元大關(guān)，EPS也沖上13.55元。值得一提的是，7nm制程出貨占臺(tái)積電2018年第4季晶圓銷售金額已達(dá)23%，10nm制程出貨則占6%，16/20nm制程出貨占21%?？傮w而言，先進(jìn)制程(包含28nm及更先進(jìn)制程)的營收達(dá)到第4季晶圓銷售金額的67%。


臺(tái)積電搶先進(jìn)入7nm制程，更已確立7nm、5nm及3nm EUV制程規(guī)劃，在資本密集度與技術(shù)難度大幅增加下，已全面拉高競(jìng)爭(zhēng)門檻，同級(jí)戰(zhàn)場(chǎng)上僅銀彈充裕的三星能與其對(duì)抗，而10nm制程延遲至2019年底才登場(chǎng)的英特爾(Intel)，代工事業(yè)已名存實(shí)亡。半導(dǎo)體業(yè)者表示，自2011年進(jìn)入28nm世代后，晶圓廠明顯縮減，隨著制程再向下推進(jìn)，資本、技術(shù)與人才要求大增。制程技術(shù)已難與三星、臺(tái)積電相比的二線晶圓代工業(yè)者，近年紛紛啟動(dòng)轉(zhuǎn)型策略或調(diào)整策略方向。


如全球第二大晶圓代工廠格芯，在不敵臺(tái)積電投資黑洞后，過去1年來陸續(xù)曝出調(diào)整計(jì)劃，包括更換執(zhí)行長、啟動(dòng)裁員計(jì)劃及暫停成都12寸晶圓廠一期投資計(jì)劃；而最受關(guān)注的擱置7nm以下先進(jìn)制程研發(fā)計(jì)劃，以及將新加坡8寸晶圓廠售予世界先進(jìn)，一連串舉動(dòng)也使得格芯出售傳言甚囂塵上。


格芯為消弭市場(chǎng)傳言，大動(dòng)作發(fā)布中國區(qū)總裁上任消息，同時(shí)聲明格芯專注12nm/14nm FinFET及12FDX/22FDX市場(chǎng)決心，積極爭(zhēng)取RF、嵌入式存儲(chǔ)器和低功耗晶片等客戶。不過，半導(dǎo)體業(yè)者認(rèn)為，雖然格芯強(qiáng)調(diào)與成都政府持續(xù)合作，且目前如云天勵(lì)飛與瑞芯微電子已在格芯22FDX技術(shù)平臺(tái)上開發(fā)、設(shè)計(jì)的人工智能(AI)芯片已成功流片，但近年隨著物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用全面起飛，各種特殊制程崛起，8寸晶圓代工產(chǎn)能已成為搶手標(biāo)的，格芯近年卻反而一直尋求買家，最后將新加坡8寸廠出售予世界先進(jìn)。加上格芯目前12寸成熟制程產(chǎn)能利用率也未如預(yù)期，且已宣布轉(zhuǎn)單臺(tái)積電7nm的大客戶超微，7nm比重逐步擴(kuò)增，面臨龍頭臺(tái)積電市占率將突破6成后，格芯2019年市占率恐下滑至5%，短期內(nèi)業(yè)務(wù)分拆求售傳言恐難歇止，獲利壓力也持續(xù)擴(kuò)增。


而市占排名約與格芯相仿的聯(lián)電，原與臺(tái)積電并列全球晶圓代工雙雄，由于與IC設(shè)計(jì)公司合資經(jīng)營晶圓代工事業(yè)的商業(yè)模式效益未如預(yù)期，以及1997年子公司聯(lián)瑞大火與2000年和IBM合作失敗等因素沖擊，營運(yùn)表現(xiàn)逐年走低。聯(lián)電2017年確立不再投資12nm以下先進(jìn)制程，最新制程為2017年第1季進(jìn)入量產(chǎn)的14nm，但占營收比重僅1%，比重甚低，28nm約10%，比重最高為40nm制程，約為23%。原奮發(fā)再起的聯(lián)電，2018年風(fēng)波不斷，6月底時(shí)大動(dòng)作放出兩大重磅消息，除斥資新臺(tái)幣逾160億元買下與富士通半導(dǎo)體(Fujitsu Semiconductor Limited；FSL)合資的12寸晶圓廠日本三重富士通半導(dǎo)體(MIFS)全部股權(quán)外，同時(shí)將整合大陸廠和艦、聯(lián)芯與從事IC設(shè)計(jì)服務(wù)的聯(lián)暻半導(dǎo)體，由和艦申請(qǐng)發(fā)行A股，并向上海證券交易所申請(qǐng)上市交易。聯(lián)電希望借由將三重富士通納入獨(dú)資子公司，可全面擴(kuò)大日本車用電子客戶群，同時(shí)可立即增加3.5萬片12寸晶圓月產(chǎn)能及6.4億美元年?duì)I收，而和艦A股上市所籌得的資金，則可用來擴(kuò)充產(chǎn)能，和艦8寸晶圓月產(chǎn)能6.5萬片，原預(yù)計(jì)半年后，單月可增加約1萬片，將全面推升業(yè)績表現(xiàn)。


但始料未及的是，福建晉華在2018年10月底突遭美國商務(wù)部以國家安全為由，列為出口管制清單，火燒連環(huán)船效應(yīng)如預(yù)期擴(kuò)大，不僅等美國三大半導(dǎo)體設(shè)備廠立即暫停與晉華12寸廠的所有合作項(xiàng)目，關(guān)系相當(dāng)緊密的聯(lián)電更是遭受重創(chuàng)。而正值中美貿(mào)易戰(zhàn)敏感時(shí)刻，聯(lián)電迄仍今仍未脫身，營運(yùn)表現(xiàn)也明顯減弱，2018年第4季繳出10年來單季虧損，且2019年第1季因中低階手機(jī)需求低于預(yù)期及挖礦潮消退，產(chǎn)能利用率、晶圓出貨量將明顯下滑，全年?duì)I運(yùn)表現(xiàn)并不樂觀。


另擁有大基金扶植且有粱孟松助陣的中芯，全面加速14nm技術(shù)發(fā)展，日前已宣布14nm將在2019年第3季正式量產(chǎn)，而12nm制程開發(fā)亦已取得突破。不過由中芯2018年?duì)I運(yùn)表現(xiàn)來看，全年?duì)I收雖達(dá)33.6億美元，年增8.3%，達(dá)歷史新高，但凈利大幅下幅25.6%，毛利率也減少1.7個(gè)百分點(diǎn)，由于景氣反轉(zhuǎn)、12寸產(chǎn)能利用率下滑，預(yù)期2019年首季營收將持續(xù)下滑。值得注意的是，目前中芯主要營收來源來自40/45nm和55/65nm，分別占第4季營收的20.3%和23%，28nm僅占營收5.4%，未來14/12nm制程良率的學(xué)習(xí)曲線時(shí)間并不短，加上臺(tái)積電南京廠以16nm為主，2019年月產(chǎn)能可達(dá)2萬片，全面就近服務(wù)大陸客戶，已成為中芯14/12nm最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。


半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)專家表示，除專注8寸晶圓代工的世界先進(jìn)外，二線企業(yè)都面臨先進(jìn)制程推進(jìn)困難、研發(fā)成本不斷飆升，及12寸晶圓需求不佳等難題，而今隨著車用電子、物聯(lián)網(wǎng)及工業(yè)4.0等新應(yīng)用正進(jìn)入成長爆發(fā)期，持續(xù)帶動(dòng)面板驅(qū)動(dòng)IC、微控制器(MCU)、電源管理IC(PMIC)、金氧半場(chǎng)效電晶體(MOSFET)等需求走揚(yáng)，將加重投入8寸晶圓產(chǎn)能擴(kuò)張力道。


原本應(yīng)屬于二線廠商的求生主戰(zhàn)場(chǎng)將更加激烈，除臺(tái)積電新增8寸廠，三星先前也擴(kuò)大8寸廠代工，由原本嵌入式快閃記憶體(eFlash)、PMIC、顯示器驅(qū)動(dòng)IC、圖像傳感器等業(yè)務(wù)，再為物聯(lián)網(wǎng)與指紋識(shí)別芯片客戶提供代工服務(wù)。專注成熟與特殊制程的二線企業(yè)接下來不僅得面臨半導(dǎo)體景氣反轉(zhuǎn)，8寸晶圓代工搶單危機(jī)也即將引爆，其中，也包括剛買下GF新加坡8寸廠的世界先進(jìn)，也將與大股東臺(tái)積電廝殺搶單。
?
來源：DIGITIMES
?
?
?
?