PI354x-00-BGIZ 是 48V Cool-Power ZVS 降壓穩(wěn)壓器產(chǎn)品系列的最新產(chǎn)品，為現(xiàn)有 PI354x-00-LGIZ LGA 系列提供了新的 BGA 封裝選項(xiàng)。
2018-08-22 16:59:28
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PI358x 系列是 Vicor 48V ZVS 降壓穩(wěn)壓器產(chǎn)品系列的最新成員，可為現(xiàn)有 LGA 和 BGA 系統(tǒng)級(jí)封裝 （SiP） 產(chǎn)品提供一個(gè)全新低成本的 GQFN 封裝選項(xiàng)。
2019-03-07 13:18:045798 UnitedSiC布將推出四種新型SiC FET，其RDS（ON）值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，適用于電動(dòng)汽車（EV）逆變器、高功率DC/DC轉(zhuǎn)換器、大電流電池充電器和固態(tài)斷路器等高功率應(yīng)用。
2019-12-10 13:45:241799 &符號(hào)在C語(yǔ)言中有兩種含義：①取地址；②按位與；問題就來了。本人近期有一段程序其中有一條：if(addr&3 != 0)adh_block[addr>>2]2]2]
2015-05-25 14:30:42
在 PowerShell 中輸入 python dmeo.py，就可以執(zhí)行這個(gè) python 腳本啦。以上介紹了兩種最原始的 Python 程序的執(zhí)行方式。3. 重要提示在后面學(xué)習(xí) Python
2022-02-16 18:31:16
系列中低壓NMOS管場(chǎng)效應(yīng)管封裝制造、研發(fā)、生產(chǎn)、銷售主營(yíng)SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220、TO-263、DNF3*3等封裝因?yàn)閷Ｗⅲ詫I(yè)惠海半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)，為您提供周到完善
2020-09-23 15:08:14
220uf/10v和220uf/16有什么區(qū)別，能不能在單片機(jī)里面用。
2013-10-06 13:02:54
表示處理器或處理器子系統(tǒng)。
FAST型號(hào)有兩種交付方式：
·作為ARM?IP的型號(hào)和工具組合，讓您可以為您的精確系統(tǒng)構(gòu)建自定義模型。
·作為完整ARM?平臺(tái)的獨(dú)立模型，開箱即用，讓您可以在通用
2023-08-09 06:25:02
平臺(tái)來表示處理器或處理器子系統(tǒng)。
FAST型號(hào)有兩種交付方式：
·作為ARM?IP的型號(hào)和工具組合，讓您可以為您的精確系統(tǒng)構(gòu)建自定義模型。
·作為完整ARM?平臺(tái)的獨(dú)立模型，開箱即用，讓您可以在通用系統(tǒng)
2023-08-25 06:34:13
，BGA封裝技術(shù)的很多方面，諸如安裝條件，還沒有弄清楚。近年來，工程師們測(cè)試了兩種規(guī)格的BGA封裝(BGA—P225個(gè)管腳和BGA—T426個(gè)管腳)，并確定哪一種安裝策略提高了封裝效率和封裝可靠性。在
2018-08-23 17:26:53
小的波動(dòng)，但是信號(hào)已經(jīng)非常接近直流了。 下面來介紹兩種常用的電源濾波電路 1，電容濾波 電容濾波是一種最簡(jiǎn)單的電源濾波形式，如圖所示，在整流全橋之后加上了一個(gè)濾波電容C，從整流全橋輸出的單向
2021-01-11 15:48:50
使用 Altium Desinger繪制的PCB封裝默認(rèn)情況下為平面，也就是將其切換到 3D 視圖時(shí)，只能看到的是封裝的形狀，并不是元件的外觀，這里給大家介紹兩種建立元件3D圖形的方法，一種是通過 Altium Designer軟件直接建立，另一種是借助 3D 圖形繪制軟件生成的模型文件建立電子元件的外觀
2019-07-12 07:37:24
重新編譯內(nèi)核，但是rv板子里/usr/src里的版本和板子原裝的版本不一樣，這個(gè)可以直接替換嗎因?yàn)樾枰趦?nèi)核中新增內(nèi)核模塊，需要修改.config然后進(jìn)行重新編譯。
2021-12-28 06:38:44
在PADS中怎么放置兩種不同孔徑的過孔啊？
2023-04-28 16:45:06
，包括通過軟件調(diào)整控制單元，以免修改硬件。AD5761R及該系列產(chǎn)品提供兩種小型封裝——3 mm × 3 mm引腳框架芯片級(jí)封裝(LFCSP)和16引腳超薄緊縮封裝(TSSOP)，并且支持–55°C至
2018-10-16 09:52:03
ADE7878，通過三相標(biāo)準(zhǔn)源給進(jìn)220V基波信號(hào)，設(shè)置功率因素為0.5L，調(diào)試過程中發(fā)現(xiàn)總有功電能在正常累計(jì)模式下可正常累積，線路周期累計(jì)模式下寄存器的值為0；總無(wú)功電能，視在電能在兩種累計(jì)模式下均無(wú)法累積，寄存器值接近于0；基波無(wú)功可正常累積，請(qǐng)教這是什么問題
2019-01-11 14:26:39
AGM Micro發(fā)布了兼容STM32的MCU產(chǎn)品系列，推出具有低延遲高靈活性的功能模塊MCU產(chǎn)品系列。AGM32產(chǎn)品系列對(duì)32位MCU的廣大客戶群提供國(guó)產(chǎn)替代和新智能應(yīng)用市場(chǎng)的開拓。
此次AGM
2023-12-29 11:18:08
AGM32系列產(chǎn)品都提供從flash零等待指令執(zhí)行功能。
芯片內(nèi)置了豐富的外設(shè)資源，包含3個(gè)12位ADC、2個(gè)DAC，2個(gè)基本定時(shí)器，5個(gè)高級(jí)定時(shí)器，以及一系列接口：2個(gè)CAN2.0、5個(gè)UART、2個(gè)I2C，支持SDIO、Ethernet MAC、USB、FS+OTG等。
2023-12-29 10:52:29
破壞的可能性也很小。 以上就是關(guān)于ASEMI快恢復(fù)二極管型號(hào)大全之TO220和TO-3P封裝的詳細(xì)介紹。ASEMI品牌在整流橋和二極管領(lǐng)域已有12年的專業(yè)經(jīng)驗(yàn)，供應(yīng)全系列高品質(zhì)，高性能的整流橋和二極管產(chǎn)品。`
2021-07-24 13:51:33
產(chǎn)品詳情CMD196C3是通用寬帶RF /微波高隔離非反射MMIC SPDT開關(guān)，采用3x3 mm無(wú)鉛表面貼裝（SMT）封裝。 CMD196C3覆蓋DC至18 GHz，在8 GHz時(shí)具有1.5 dB
2020-02-19 15:05:40
。 首先：GDDR3和DDR3是兩種不同的規(guī)格，請(qǐng)看下圖下載 (126.26 KB)2009-5-31 09:29 通過上面的圖我們清楚的看見在ATI 的4670系列中低端產(chǎn)品線中明顯的說明了顯存
2011-02-23 15:27:51
2.0V5.5V，工作溫度范圍包含-40?C+85?C常規(guī)型。且具有多種省電工作模式保證低功耗應(yīng)用的要求。并提供LQFP48、LQFP32和QFN32共3種封裝形式。該產(chǎn)品系列可用于完全替代
2021-08-10 06:26:32
MediaTek MT2523產(chǎn)品系列(MT2523D/MT2523G)基于一個(gè)高度集成的封裝系統(tǒng)(SIP)，其中包括一個(gè)微控制器單元、低功耗GNSS(MT2523G)、雙模式藍(lán)牙和電源管理單元
2021-07-22 06:40:42
，獲得的縱向電場(chǎng)分布幾乎是恒定的，而給定擊穿電壓所需的漂移區(qū)長(zhǎng)度大幅降低。與此同時(shí)，漂移區(qū)的雜質(zhì)濃度提高。這兩種技術(shù)都可導(dǎo)致通態(tài)電阻的大幅降低。擴(kuò)展器件系列，實(shí)現(xiàn)更高阻斷能力占板空間更小的全新高效邊緣終端
2018-12-07 10:21:41
ADI HMC系列該系列支持SPI接口，有兩種通信MODE，SPI_OPEN_MODE和SPI_HMC_MODE。這兩種模式由軟件控制，根據(jù)上電時(shí)SCK和SEN誰(shuí)先出現(xiàn)rise edge來選擇，如果
2021-11-05 07:03:31
SQL語(yǔ)言的兩種使用方式在終端交互方式下使用，稱為交互式SQL嵌入在高級(jí)語(yǔ)言的程序中使用，稱為嵌入式SQL―高級(jí)語(yǔ)言如C、Java等，稱為宿主語(yǔ)言嵌入式SQL的實(shí)現(xiàn)方式源程序(用主語(yǔ)言和嵌入式SQL
2021-12-20 06:51:26
STC15系列新增主流封裝 LQFP48/9mmx9mm，取代LQFP44/12mmx12mm 管腳圖
2022-10-26 07:15:21
STM32 L1系列，基于 Cortex-M3 內(nèi)核，工作頻率為 32 MHz，在性能、特性、存儲(chǔ)器容量和封裝引腳數(shù)量方面擴(kuò)展了超低功耗產(chǎn)品系列。 The STM32 L1 系列融合了高性能和超低
2022-07-11 14:09:05
??ST擴(kuò)展了STM32L4產(chǎn)品系列及其性能。最新的STM32L4+系列單片機(jī)在繼承了原有L4優(yōu)越的超低功耗特性的同時(shí)，還提供了更加優(yōu)越的性能（最高頻率可達(dá)120 MHz）、更大容量的內(nèi)置存儲(chǔ)器
2021-08-03 08:15:22
STM32 F 103 C 6 T 7 xxx 1 2345 6 78 第1部分：產(chǎn)品系列名，固定為STM32 第2部分：產(chǎn)品類型；F表示這是Flash產(chǎn)品，目前沒有其它選項(xiàng) 第3部分
2014-10-09 19:03:28
YX133 SOP-16QFN3*3-16 兩種封裝可選8位16Pin單片機(jī)?6路PWM輸出?14個(gè)IO引腳?10個(gè)中斷來源?高精準(zhǔn)度8（6+2）通道12位模數(shù)轉(zhuǎn)換器YX150C SOP-8
2021-12-10 07:47:26
能仿真調(diào)試；2 在使用C6455或者C6713時(shí)只能選則coff格式輸出，反之也不能仿真調(diào)試；想問一下兩種格式的區(qū)別，和由此帶來的使用上的影響？其次，TI不同型號(hào)的產(chǎn)品在選取這兩個(gè)選項(xiàng)的時(shí)候是否存在一定依據(jù)？
2020-05-21 14:09:09
℃，寬工作電壓1.65V5.5V，支持Sleep和DeepSleep兩種低功耗工作模式，在最低功耗模式下工作電流僅為450nA，從DeepSleep模式下喚醒時(shí)間僅為4us。03CW32L031系列選型
2022-09-16 10:30:15
能等級(jí)的衍生應(yīng)用時(shí)有卓越的設(shè)計(jì)效率。STM32F3系列混合信號(hào)微控制器包括：STM32F301、STM32F302、STM32F303通用產(chǎn)品線范圍包括了基本型產(chǎn)品、包含高性價(jià)比外設(shè)組合的產(chǎn)品，以及
2022-12-01 14:56:06
流向結(jié)論，當(dāng)輸入為220V時(shí)，手動(dòng)斷開開關(guān)后，電路就是一個(gè)常見的橋式整流，C1+C2電壓≈300VDC所以開關(guān)Ｋ置于不同位置時(shí)１１０Ｖ和２２０Ｖ對(duì)電源的作用是一樣的，即實(shí)現(xiàn)了對(duì)１１０Ｖ／２２０Ｖ兩種不同電壓的選擇，輕輕波動(dòng)開關(guān)即可。
2021-06-24 06:00:00
` 誰(shuí)知道雙絞線分為哪兩種？`
2019-12-31 15:53:14
S－l、S－4的封裝外形基本相同;TO一220封裝外形與國(guó)產(chǎn)管S一7B封裝外形基本相同;T0一202封裝外形與國(guó)產(chǎn)管S一6封裝外形基本相同。 采用TO系列封裝的常用晶體管有:T0一3為:2SD869
2008-06-17 14:42:50
Kinetis L系列概述Kinetis L系列MCU將新型ARM? Cortex?-M0+處理器的卓越能效和易用性與Kinetis 32位MCU組合的性能、豐富的外設(shè)集、支持功能和可擴(kuò)展性
2016-07-14 17:05:07
現(xiàn)在市面上常見的ARM架構(gòu)分為兩種一種是M系列另外一種是A系列，這兩種有什么區(qū)別啊，用的時(shí)候他們一般分別用在什么地方啊。
2023-10-26 07:00:09
) 無(wú)鉛封裝的新組件。 LIS2L02AL和LIS2L06AL是兩個(gè)特別緊湊的雙軸加速計(jì)，增強(qiáng)了ST現(xiàn)有的深受市場(chǎng)歡迎的“低重力加速度”的加速計(jì)產(chǎn)品系列，同時(shí)還縮小了偏移量公差，提高了溫度漂移性能，而且
2018-10-26 16:27:33
嗨，如果有Spartan 3系列的路線圖或產(chǎn)品生命周期文檔，有人可以告訴我嗎？我們目前在現(xiàn)有產(chǎn)品中使用Spartan 3A器件（XC3S50A-4VQG100C）。我現(xiàn)在處于新設(shè)計(jì)的早期階段，改進(jìn)
2019-04-12 14:45:27
，范圍從0.1UF----680UF ③ 表示容量誤差，鉭電容的容量誤差有兩種：一是±10%（K）和±20%（M） ④ 表示電容的耐壓，指在85℃時(shí)額定直流電壓，鉭電容的耐壓范圍從4V---50V
2015-04-01 10:14:54
輸入至輸出電壓差可能很大，會(huì)引起極大的功耗。有兩種主要的封裝類型：表面貼裝式封裝和通孔式封裝。 通孔式封裝選項(xiàng)（如圖1所示的T0-220）具有被焊接到印刷電路板（PCB）鉆孔中的引線。另一方面，表面貼
2018-09-05 15:37:21
在調(diào)試6670時(shí)，發(fā)現(xiàn)L2的地址有0x0080 0000，每個(gè)核也有自己的L2地址，像核0 有0x1080 0000。難道每個(gè)核有自己的L2，另外有一個(gè)L2？如果是這樣的話，這兩種L2有什么關(guān)系嗎？ 謝謝啊
2019-01-04 11:30:22
請(qǐng)問C語(yǔ)言中兩種引用頭文件方式的區(qū)別是什么？
2021-10-15 07:36:30
電流都是3mA，是不是有點(diǎn)大？3、我想用這兩種芯片產(chǎn)生1.3V的電壓給TMS320C6748的內(nèi)核供電，可不可行？
2019-07-16 11:21:55
品佳公司現(xiàn)正推廣英飛凌(Infineon)第三代高集成度功率集成電路——CoolSET F3系列產(chǎn)品。該產(chǎn)品在單一封裝中，組合了英飛凌CoolMOS功率MOSFET與新型脈寬調(diào)制(PWM)控制
2018-08-27 16:14:04
問一下哪個(gè)產(chǎn)品或者產(chǎn)品系列的可以實(shí)現(xiàn)mesh network,多對(duì)多，全網(wǎng)絡(luò)拓?fù)洌梢蕴l？
2018-11-13 15:39:07
問一下哪個(gè)產(chǎn)品或者產(chǎn)品系列的可以實(shí)現(xiàn)mesh network,多對(duì)多，全網(wǎng)絡(luò)拓?fù)洌梢蕴l？？
2018-11-13 15:41:45
LDO。而這需要具備多種多樣的輸入輸出規(guī)格和封裝，因而打造了43種機(jī)型的產(chǎn)品陣容。－簡(jiǎn)單地說，就是類似“此次的設(shè)計(jì)中使用3個(gè)LDO，全部在這個(gè)系列中”這樣嗎？是啊！這樣最好。－這樣對(duì)客戶有好處嗎？當(dāng)然有
2018-12-04 10:34:07
庫(kù)里還有0402,0603，0805，1210，1815，等貼片電容封裝。100uf貼片電容封裝為C7343，封裝庫(kù)對(duì)應(yīng)的電容值有10uF,0.1uF,22uF,220uF貼片電容。
2008-07-14 09:37:12
409 此封裝庫(kù)有0402,0603,0805,1210,1815等貼片電容封裝。封裝庫(kù)對(duì)應(yīng)的電容值有10uF,0.1uF,22uF,220uF,100uF的貼片電容。為pads封裝庫(kù)，從軟件導(dǎo)入就可以使用。
2008-07-14 09:50:0513 Qorvo 的 UF3C065030B3 650 V、27 mohm SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET 共同封裝，以生產(chǎn)當(dāng)今
2023-05-11 14:17:51
Qorvo 的 UF3C065030K3S 650 V、27 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET 共同封裝
2023-05-11 14:21:51
Qorvo 的 UF3C065030T3S 650 V、27 mohm SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET 共同封裝，以生產(chǎn)當(dāng)今市場(chǎng)上唯一
2023-05-11 14:27:22
Qorvo 的 UF3C065040B3 650 V、42 mohm SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET 共同封裝，以生產(chǎn)當(dāng)今市場(chǎng)上唯一的標(biāo)準(zhǔn)
2023-05-11 14:29:32
Qorvo 的 UF3C065040K3S 650 V、42 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET 共同封裝
2023-05-11 14:32:56
Qorvo 的 UF3C065040T3S 650 V、42 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET 共同封裝
2023-05-11 14:37:31
Qorvo 的 UF3C065080T3S 650 V、80 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET 共同封裝
2023-05-11 14:52:46
UF3C065030B3產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C065030B3 650 V、27 mohm SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET 共同
2023-05-11 18:01:04
UF3C065030K3S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C065030K3S 650 V、27 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET
2023-05-11 18:13:21
UF3C065030T3S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C065030T3S 650 V、27 mohm SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET
2023-05-11 18:30:12
UF3C065040B3 產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C065040B3 650 V、42 mohm SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化
2023-05-11 18:42:02
UF3C065040K3S 產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C065040K3S 650 V、42 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC
2023-05-11 19:01:57
UF3C065040K4S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C065040K4S 650 V、42 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC 快速 JFET
2023-05-11 20:00:05
UF3C065040T3S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C065040T3S 650 V、42 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET
2023-05-11 20:11:52
UF3C065080B3產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C065080B3 650 V、80 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si
2023-05-11 20:28:32
UF3C065080K3S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C065080K3S 650 V、80 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開 SiC JFET
2023-05-11 20:45:39
UF3C065080K4S 產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C065080K4S 650 V、80 mohm SiC FET 產(chǎn)品將其高性能 F3 SiC 快速 JFET 與 FET 優(yōu)化
2023-05-11 20:53:23
UF3C065080T3S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C065080T3S 650 V、80 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET
2023-05-12 09:35:19
UF3C120040K3S 產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C120040K3S 1200 V、35 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC
2023-05-12 09:42:48
UF3C120040K4S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C120040K4S 是一款 1200 V、35 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品，將其高性能第 3 代 SiC 快速
2023-05-12 09:51:56
UF3C120080K3S 產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C120080K3S 1200 V、80 mohm SiC FET 器件基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET
2023-05-12 12:26:54
UF3C120080K4S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C120080K4S 1200 V、80 mohm FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC 快速 JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET
2023-05-12 12:35:06
UF3C120150K4S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C120150K4S 1200 V、150 mohm SiC FET 產(chǎn)品將其高性能 F3 SiC 快速 JFET 與 FET 優(yōu)化
2023-05-12 12:52:17
UF3C120400K3S 產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C120400K3S 1200 V、410 mohm SiC FET 器件基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET
2023-05-12 14:11:46
UF3C170400K3S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C170400K3S 1700 V、410 mohm SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si
2023-05-12 14:20:38
**詳細(xì)參數(shù)說明：**- **型號(hào):** IPD220N06L3G-VB- **絲印:** VBE1638- **品牌:** VBsemi- **參數(shù):** - 封裝類型
2024-02-03 14:23:15
UnitedSiC / Qorvo D2-PAK封裝中的UF3C SiC FET采用D2-PAK-3L和D2-PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC / Qorvo UF3C SiC FET
2024-02-26 19:57:09
UnitedSiC / Qorvo UF3N170400B7S 1700V-400mW SiC常開JFETUnitedSiC/Qorvo UF3N170400B7S 1700V-400mW SiC
2024-02-26 23:19:55
電腦鎖產(chǎn)品系列/產(chǎn)品組成 產(chǎn)品系列 &n
2009-12-28 14:43:01722 超緊湊薄型封裝的MicroFET MOSFET產(chǎn)品系列
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 為滿足便攜產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員不斷尋求效率更高、外形更小更薄的解決方案的
2010-05-11 17:55:27738 2014年4月24日，TDK株式會(huì)社（社長(zhǎng)：上釜健宏）新增了積層陶瓷電容器的樹脂電極產(chǎn)品系列，該系列著重了在基板封裝后，由于分割基板等的壓力造成的“翹曲裂紋”對(duì)策，并將從2014年7月起開始量產(chǎn)。
2014-04-29 14:29:541755 中國(guó)，北京 - 2017年6月15日 - Silicon Labs（亦稱“芯科科技”，NASDAQ：SLAB）發(fā)布了新型的支持全面Bluetooth?5連接和更多存儲(chǔ)容量選項(xiàng)的多頻段SoC，進(jìn)一步擴(kuò)展了其Wireless Gecko片上系統(tǒng)（SoC）產(chǎn)品系列。
2021-11-02 11:36:441726 藍(lán)牙5.0在低功耗標(biāo)準(zhǔn)中新增了兩種模式。第一種模式的符碼率(symbol rate)是現(xiàn)有的1Msps低功耗標(biāo)準(zhǔn)的兩倍，稱為L(zhǎng)E 2M PHY(以前的標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)在稱為L(zhǎng)E 1M PHY)。LE 1M和LE 2M PHY都屬于所謂的低公耗未編碼物理層標(biāo)準(zhǔn)，因?yàn)樗鼈儍?nèi)部都沒有糾錯(cuò)編碼階段。
2018-05-16 09:48:5819644 
高頻寬帶產(chǎn)品系列
2018-06-07 13:46:003492 
C2000產(chǎn)品系列簡(jiǎn)介
2018-08-20 02:08:004844 PI354x-00-BGIZ 是 48V Cool-Power ZVS 降壓穩(wěn)壓器產(chǎn)品系列的最新產(chǎn)品，為現(xiàn)有 PI354x-00-LGIZ LGA 系列提供了新的 BGA 封裝選項(xiàng)。 Pi354x
2018-09-15 14:33:002929 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC宣布擴(kuò)展UF3C FAST產(chǎn)品系列，并推出采用TO-247-4L 4引腳Kelvin Sense封裝的全新系列650 V和1200 V高性能碳化硅
2019-01-01 10:33:003613 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC/美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司 宣布，已經(jīng)為UJ3C（通用型）和UF3C（硬開關(guān)型）系列650V SiC FET新增加了7種新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封裝組合產(chǎn)品。
2019-05-08 09:04:021767 UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）擴(kuò)充了其1200V產(chǎn)品系列，將其突破性的第四代SiC FET技術(shù)推廣到電壓更高的應(yīng)用中。
2022-06-06 09:33:573458 
中微愛芯MCU產(chǎn)品系列介紹PIN,GD.SMT等多個(gè)型號(hào)
2022-08-19 15:26:5911 意法半導(dǎo)體5V產(chǎn)品系列新增一款高性能雙路運(yùn)算放大器。新產(chǎn)品TSV782的增益帶寬（GBW）為30MHz ，輸入失調(diào)電壓（典型值） 為50μV，可實(shí)現(xiàn)高速、高準(zhǔn)確度的信號(hào)調(diào)理。
2022-10-13 14:11:072255
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