引言 用多能氬離子輻照x射線切割鈮酸鋰單晶，產(chǎn)生厚度為400納米的均勻損傷表面層，研究其在HF水溶液中的腐蝕行為。使用不同的酸溫度和濃度，表明可以通過(guò)將溫度從24℃提高到55℃來(lái)提高蝕刻速率，同時(shí)
2021-12-23 16:36:59
1300 引言 本文將討論在不同的濕化學(xué)溶液中浸泡后對(duì)InP表面的氧化物的去除。本文將討論接收襯底的各種表面成分，并將有助于理解不同的外原位濕化學(xué)處理的影響。這項(xiàng)工作的重點(diǎn)將是酸性和堿性溶液。許多報(bào)告表明
2022-01-12 16:27:331604 
硅表面常用的HF-HNO3-H2O蝕刻混合物的反應(yīng)行為因?yàn)榱蛩峒尤攵艿斤@著影響。HF (40%)-HNO3 (65%)-H2SO4 (97%)混合物的最大蝕刻速率為4000–5000 NMS-1
2022-01-13 14:19:142328 
的測(cè)量區(qū)域發(fā)現(xiàn)了一條寬6um，深6nm的肉眼無(wú)法觀測(cè)到的劃痕，玻璃屏表面的粗糙度在1nm附近。玻璃表面臺(tái)階檢測(cè): 下圖為透明玻璃表面鍍的一層金屬膜，需要測(cè)膜層的厚度，由于其非透明的特性，薄膜測(cè)厚儀
2018-03-15 16:45:52
軟件做出調(diào)整。 蝕刻率(etch rate)對(duì)ICT測(cè)試很重要，因?yàn)樗鼪Q定銀表面處理會(huì)光亮還是灰暗。在銀沉積步驟中，銀沉積到銅表面的等高線上，因此如果表面的粗糙度增加，因而面積增加，表現(xiàn)為灰暗表面，而
2008-06-18 10:01:53
）水溶液中以較快的腐蝕速率被去除干凈。而多晶硅在HF水溶液中的腐蝕速度非常慢，在經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間腐蝕PSG或PBSG后，多晶硅結(jié)構(gòu)層不會(huì)發(fā)生明顯腐蝕。表面硅MEMS加工技術(shù)常見(jiàn)的工藝流程首先在襯底上淀積犧牲層
2018-11-05 15:42:42
AD5933對(duì)溶液電導(dǎo)率的測(cè)量。AD5933通過(guò)片內(nèi)直接頻率信號(hào)發(fā)生器（DDS），產(chǎn)生信號(hào)來(lái)激勵(lì)外部復(fù)阻抗，外部阻抗響應(yīng)信號(hào)由片上ADC進(jìn)行采樣，然后由片上DSP單元進(jìn)行DFT處理。DFT算法在各掃描頻率
2018-11-15 09:57:43
我想問(wèn)一下差分信號(hào)length tuning中，gap，amplitude increasegap increase如何設(shè)置，和差分線的width和gap是什么關(guān)系
2019-09-06 05:35:21
本文介紹了CR95HF主要特性，方框圖和MCU的典型應(yīng)用以及DEMO-CR95HF-A 演示板等效電路，天線電路框圖，和DEMO-CR95HF-A電路與所用材料。
2021-05-26 06:56:44
1．FPC電鍍 (1)FPC電鍍的前處理 柔性印制板FPC經(jīng)過(guò)涂覆蓋層工藝后露出的銅導(dǎo)體表面可能會(huì)有膠黏劑或油墨污染，也還會(huì)有因高溫工藝產(chǎn)生的氧化、變色，要想獲得附著力良好的緊密鍍層必須把導(dǎo)體表面的
2018-11-22 16:02:21
時(shí)會(huì)使覆蓋層剝離。在最終焊接時(shí)出現(xiàn)焊錫鉆人到覆蓋層下面的現(xiàn)象。可以說(shuō)前處理清洗工藝將對(duì)柔性印制板F{C的基本特性產(chǎn)生重大影響，必須對(duì)處理條件給予充分重視。麥|斯|艾|姆|P|CB樣板貼片,麥1斯1艾1姆
2013-11-04 11:43:31
PCB表面處理最基本的目的是保證良好的可焊性或電性能。由于自然界的銅在空氣中傾向于以氧化物的形式存在，不大可能長(zhǎng)期保持為原銅，因此需要對(duì)銅進(jìn)行其他處理。 1、熱風(fēng)整平(噴錫) 熱風(fēng)整平又名
2018-11-28 11:08:52
來(lái)看，PCB的表面處理工藝方面的變化并不是很大，好像還是比較遙遠(yuǎn)的事情，但是應(yīng)該注意到：長(zhǎng)期的緩慢變化將會(huì)導(dǎo)致巨大的變化。在環(huán)保呼聲愈來(lái)愈高的情況下，PCB的表面處理工藝未來(lái)肯定會(huì)發(fā)生巨變。 二. 表面處理
2018-09-17 17:17:11
PCB表面OSP的處理方法PCB化學(xué)鎳金的基礎(chǔ)步驟
2021-04-21 06:12:39
零件表面缺陷對(duì)鍍層質(zhì)量影響會(huì)有： 1.零件在工序轉(zhuǎn)移或運(yùn)輸過(guò)程中，有可能因沒(méi)有認(rèn)真保護(hù)而受到機(jī)械損傷，使零件表面產(chǎn)生拉溝、劃傷、撞擊凹陷等缺陷。這些缺陷如果不消除，零件表面處理以后仍然會(huì)
2019-04-01 00:33:06
，采用的是我所工藝部研制生產(chǎn)的水平式等離子體處理機(jī)，如下圖2-4所示： 2 多層板層壓前的等離子體內(nèi)層介質(zhì)表面微蝕處理研究 眾所周知，在各類多層板的制造中，為了保證多層板的層間結(jié)合力，將會(huì)針對(duì)所待
2018-09-10 15:56:55
，做到嚴(yán)格的控制工藝條件，就能夠更好的改善溶液與基板銅表面的接觸狀態(tài)。 2）粘度：蝕刻過(guò)程中，隨著銅的不斷溶解，蝕刻液的粘度就會(huì)增加，使蝕刻液在基板銅箔表面上流動(dòng)性就差，直接影響蝕刻效果。要達(dá)到理想的蝕刻液的最佳狀態(tài)就要充分利用蝕刻機(jī)的功能，確保溶液的流動(dòng)性。
2018-09-11 15:19:38
溶液與基板銅表面的接觸狀態(tài)。麥|斯|艾|姆|P|CB樣板貼片,麥1斯1艾1姆1科1技全國(guó)1首家P|CB樣板打板 2）粘度：蝕刻過(guò)程中，隨著銅的不斷溶解，蝕刻液的粘度就會(huì)增加，使蝕刻液在基板銅箔表面
2013-10-31 10:52:34
包含多個(gè)步驟的過(guò)程在導(dǎo)體表面上形成一個(gè)薄錫鍍層，包括清理、微蝕刻、酸性溶液預(yù)浸、沉浸非電解浸錫溶液和最后清理等。化錫處理可以為銅和導(dǎo)體提供良好保護(hù)，有助于HSD電路的低損耗性能。遺憾的是，由于隨著
2023-04-19 11:53:15
PCB各種表面處理的優(yōu)劣噴錫 HASL是工業(yè)中用到的主要的有鉛表面處理工藝。工藝由將電路板沉浸到鉛錫合金中形成，過(guò)多的焊料被“風(fēng)刀”去除，所謂的風(fēng)刀就是在板子表面吹的熱風(fēng)。對(duì)于PCA工藝，HASL
2017-10-31 10:49:40
問(wèn)題： 1、對(duì)于表面貼裝工藝，尤其對(duì)于0603及0402 超小型表貼，因?yàn)楹副P平整度直接關(guān)系到錫膏印制工序的質(zhì)量，對(duì)后面的再流焊接質(zhì)量起到?jīng)Q定性影響，所以，整板鍍金在高密度和超小型表貼工藝中時(shí)常見(jiàn)到。 2
2018-06-22 15:16:37
工藝方面的變化并不是很大，好像還是比較遙遠(yuǎn)的事情，但是應(yīng)該注意到：長(zhǎng)期的緩慢變化將會(huì)導(dǎo)致巨大的變化。在環(huán)保呼聲愈來(lái)愈高的情況下，PCB的表面處理工藝未來(lái)肯定會(huì)發(fā)生巨變。 表面處理最基本的目的是保證良好的可焊
2018-07-14 14:53:48
油、微蝕、活化、沉鎳、沉金等小步驟。其布局與噴錫車間類似，前后處理是水平線，沉鎳金是小型的龍門線。3.抗氧化膜（OSP）抗氧化膜是三種表面處理中成本最低的一種，通常是在分成小板之后通過(guò)水平線的方式進(jìn)行
2023-03-24 16:58:06
：長(zhǎng)度；D：深度；H：高度芯片通道幾何圖流動(dòng)特性在平行流動(dòng)區(qū)域不同的分散速率可進(jìn)行精確控制，下面是在不同的流速時(shí)兩相（水與FITC）水溶液擴(kuò)散流動(dòng)的一些照片（注射泵推動(dòng)）。另外，對(duì)于擴(kuò)散混合情況，列舉
2018-07-09 10:00:31
雖然目前來(lái)看，PCB的表面處理工藝方面的變化并不是很大，好像還是比較遙遠(yuǎn)的事情，但是應(yīng)該注意到：長(zhǎng)期的緩慢變化將會(huì)導(dǎo)致巨大的變化。在環(huán)保呼聲愈來(lái)愈高的情況下，PCB的表面處理工藝未來(lái)肯定會(huì)
2018-12-10 11:30:13
PCB墊表面的銅在空氣中容易氧化污染，所以必須對(duì)PCB進(jìn)行表面處理。那么pcb線路板表面常見(jiàn)的處理方法有哪幾種呢？
2023-04-14 14:34:15
各有優(yōu)缺點(diǎn)。但是，沒(méi)有關(guān)于它們的系統(tǒng)比較的報(bào)告。因此，在本文中，我們首次對(duì) CMP 和 ICP 干蝕刻 GaN 襯底表面處理方法進(jìn)行了直接比較。 2. 實(shí)驗(yàn)程序 2.1 GaN 襯底的金剛石拋光作為最終
2021-07-07 10:26:01
關(guān)系 ，蝕刻表面保持光滑。相比之下，在 H2O2 含量較高的溶液中蝕刻會(huì)導(dǎo)致表面明顯粗糙。GaAs 的蝕刻速率與 InGaP 的蝕刻速率大致相同。因此，該溶液適用于非選擇性 MESA 蝕刻。這 HC1
2021-07-09 10:23:37
下的光電流與三等效反應(yīng)下的半導(dǎo)體氧化有關(guān)，導(dǎo)致表面的溶解和粗糙化。在1.2M的鹽酸溶液中，由于氯氣離子的競(jìng)爭(zhēng)氧化，n-GaN被穩(wěn)定為陽(yáng)極分解。在草酸和檸檬酸的存在下，觀察到陽(yáng)極光電流的增殖。在黑暗
2021-10-13 14:43:35
空氣中很容易氧化，而且容易受到污染。這也是PCB必須要進(jìn)行表面處理的原因。1、噴錫（HASL） 在穿孔器件占主導(dǎo)地位的場(chǎng)合，波峰焊是最好的焊接方法。采用熱風(fēng)整平（HASL， Hot-air
2017-09-04 11:30:02
。因此，在20世紀(jì)初Gouy與Chapman 提出擴(kuò)散雙電層模型，在溶液中的反離子會(huì)因靜電作用吸附于帶電粒子表面，同時(shí)受熱運(yùn)動(dòng)影響而在粒子周圍擴(kuò)散。因此，反離子在溶液中的分布濃度將隨粒子表面的距離增加
2018-12-13 13:38:20
什么是表面處理？表面處理常用的方式是什么？表面處理技術(shù)在消費(fèi)電子產(chǎn)業(yè)中有哪些應(yīng)用？
2021-08-12 06:03:15
減輕鍍錫表面的錫須生長(zhǎng) 使用純錫鉛表面處理時(shí)，可能會(huì)生長(zhǎng)錫須，這是值得關(guān)注的問(wèn)題之一。近年來(lái)，人們已經(jīng)做了大量的測(cè)試和分析工作，對(duì)于錫須在各種不同環(huán)境條件下的生長(zhǎng)成因，有更多了解。本文將討論，在
2015-03-13 13:36:02
。 下面的段落將縱覽已經(jīng)對(duì)表面處理技術(shù)的變化產(chǎn)生影響的事件。 3、手機(jī)PWB表面處理的歷史演變： 3.1. HASL + 碳 在第一代產(chǎn)品中，從80年代后期起，PWB盤面的正常表面處理是熱風(fēng)整平
2009-04-07 17:16:22
我在使用Multi Role Demo里面的multi.c時(shí)需要用到GAP_RegisterForHCIMsgs(selfEntity); 但我在編譯時(shí)搜不到這個(gè)函數(shù)，我原本以為它會(huì)
2019-09-25 09:59:56
有任何事件在PSoC BLE設(shè)備上生成，如果我使用GAP的設(shè)備名稱特性將我的BLE設(shè)備名稱從我的Android側(cè)改變。
2019-10-16 07:40:42
市電經(jīng)變壓器B隔離降壓為10V，再經(jīng)C1、C2及Rl限流，二只6．8V穩(wěn)壓管刀雙向限幅(穩(wěn)定電壓)，以確保探針兩端檢測(cè)出的電壓值能客觀、準(zhǔn)確地反映小溶液的濃度值。 當(dāng)二根不銹鋼探針插入溶液中
2021-05-10 06:46:00
怎么用LABVIEW索引出對(duì)應(yīng)溫度（列）和體積濃度（行，百分比）下的乙二醇水溶液的密度（中間的數(shù)值）
2017-08-12 20:41:36
產(chǎn)生影響的事件。 3、手機(jī)PWB表面處理的歷史演變： 3.1. HASL + 碳 在第一代產(chǎn)品中，從80年代后期起，PWB盤面的正常表面處理是熱風(fēng)整平(HASL)。在很多場(chǎng)合，HASL與碳被組合
2018-08-31 14:13:20
換向器表面要求換向器表面加工特性換向器精車刀具選擇
2021-01-22 06:39:45
`汞和鋁銹原理：鋁是高度活潑的金屬，但是表面的氧化鋁層阻止了它和空氣中氧氣完全反應(yīng)。而汞會(huì)破壞這一保護(hù)層，使得鋁迅速“生銹”。這是一段延時(shí)攝影。該過(guò)程真實(shí)長(zhǎng)度約半小時(shí)。如果畫(huà)面下移，你會(huì)看
2016-08-31 15:36:19
資料里面的AT指令都是ESP32工作在GATT模式下的指令，請(qǐng)幫忙提供ESP32在GAP模式下的AT指令，謝謝。
2023-03-08 08:56:43
導(dǎo)致粘接強(qiáng)度下降，雖然不會(huì)明顯可見(jiàn)，但在FPC電鍍工序，鍍液就有可能會(huì)從覆蓋層的邊緣滲入，嚴(yán)重時(shí)會(huì)使覆蓋層剝離。在最終焊接時(shí)出現(xiàn)焊錫鉆人到覆蓋層下面的現(xiàn)象。可以說(shuō)前處理清洗工藝將對(duì)柔性印制板的基本特性
2017-11-24 10:54:35
的混合液中，使強(qiáng)制生成一層薄氧化膜，用以進(jìn)一步保護(hù)底材。另外也可在半導(dǎo)體表面生成一種絕緣層，而令晶體管表面在電性與化學(xué)性上得到絕緣，改善其性能。此種表面皮膜的生成，亦稱為鈍化處理。 23、Pattern
2018-08-29 16:29:01
: 2003更好的理解。 1、漏電起痕試驗(yàn)中的定義 絕緣材料在戶外及嚴(yán)酷環(huán)境中往往受到鹽露、水分、灰塵等污穢物的污染，在表面形成電解質(zhì)，在電場(chǎng)作用下，材料表面出現(xiàn)一種特殊放電破壞現(xiàn)象。在材料表面導(dǎo)電通路
2017-11-03 17:09:16
工藝方面的變化并不是很大，好像還是比較遙遠(yuǎn)的事情，但是應(yīng)該注意到：長(zhǎng)期的緩慢變化將會(huì)導(dǎo)致巨大的變化。在環(huán)保呼聲愈來(lái)愈高的情況下，PCB的表面處理工藝未來(lái)肯定會(huì)發(fā)生巨變。 表面處理最基本的目的是保證良好的可焊
2018-08-18 21:48:12
。 長(zhǎng)期以來(lái)，人們研究出了針對(duì)聚四氟乙烯的多種濕法表面處理方法，其中公認(rèn)最有效的是鈉萘溶液處理法。在以往的生產(chǎn)中也多是采用自配鈉萘溶液處理的方法來(lái)進(jìn)行聚四氟乙烯類零件的孔金屬化、粘接前表面活化處理。但鈉
2019-05-28 06:50:14
重理的百分比表示。 (2)舉例：試求3克碳酸鈉溶解在100克水中所得溶質(zhì)重量百分比濃度?4．克分子濃度計(jì)算 定義：一升中含1克分子溶質(zhì)的克分子數(shù)表示。符號(hào)：M、n表示溶質(zhì)的克分子數(shù)、V表示溶液
2018-08-29 10:20:51
油、微蝕、活化、沉鎳、沉金等小步驟。其布局與噴錫車間類似，前后處理是水平線，沉鎳金是小型的龍門線。3.抗氧化膜（OSP）抗氧化膜是三種表面處理中成本最低的一種，通常是在分成小板之后通過(guò)水平線的方式進(jìn)行
2023-03-24 16:59:21
藍(lán)牙基礎(chǔ)按照下面的大綱安排發(fā)布：前面的內(nèi)容：第一講：藍(lán)牙樣例的解析第二講：藍(lán)牙協(xié)議棧初始化和調(diào)度機(jī)制 第三講：藍(lán)牙廣播初始化詳解這一講探討下藍(lán)牙4.0的GAP屬性，通用訪問(wèn)配置文件(Generic
2020-07-08 09:25:41
如題，PCB表面處理聽(tīng)說(shuō)有有機(jī)涂覆（OSP），化學(xué)鍍鎳/浸金，浸銀，浸錫等 這些處理方式在PCB文件中有體現(xiàn)么？如 PCB那一層代表著表面處理方式呢？還是在制板時(shí)給廠家說(shuō)明就好了呢？另外，一般PCB
2019-04-28 08:11:16
請(qǐng)問(wèn)主機(jī)如何獲取廣播中 GAP_ADTYPE_MANUFACTURER_SPECIFIC后面的數(shù)據(jù)？
2022-08-10 06:06:38
生銹，是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">在空氣中鎳表面會(huì)形成NiO薄膜，可防止進(jìn)一步氧化。此外鎳還能抵抗苛性堿的腐蝕，是一種很好的耐腐蝕材料。室溫下干燥氣體如CL2、NH3、SO2等不與鎳發(fā)生反應(yīng)。但是在潮濕條件下會(huì)加速鎳的腐蝕
2017-09-15 10:09:37
銅箔的表面如何處理?銅箔表面處理方法介紹_華強(qiáng)pcb 我們都知道，銅箔的表面處理一般情況下我們都分為以下兩種: 傳統(tǒng)處理法 ED銅箔從Drum撕下后，會(huì)繼續(xù)下面的處理步驟
2018-02-08 10:07:46
，去除表面的氧化鋁膜，時(shí)間10分鐘，后在焊接時(shí)取出用棉布擦拭干凈；2.把鑄件上的氣孔、夾渣等用磨頭打磨，形成敞開(kāi)式的創(chuàng)口，清除干凈；3．調(diào)整氬氣的流量，控制在2個(gè)大氣壓，啟動(dòng)開(kāi)關(guān)；4．調(diào)整焊機(jī)的電流為160A；焊接與測(cè)試
2010-03-01 21:45:58
粘接強(qiáng)度下降，雖然不會(huì)明顯可見(jiàn)，但在FPC電鍍工序，鍍液就有可能會(huì)從覆蓋層的邊緣滲入，嚴(yán)重時(shí)會(huì)使覆蓋層剝離。在最終焊接時(shí)出現(xiàn)焊錫鉆人到覆蓋層下面的現(xiàn)象。可以說(shuō)前處理清洗工藝將對(duì)柔性印制板的基本特性產(chǎn)生
2017-11-24 10:38:25
1. 克升濃度計(jì)算：
定義：一升溶液里所含溶質(zhì)的克數(shù)。
舉例：100克硫酸銅溶于水溶液10升，問(wèn)一升濃度是多少？
10
2010-10-26 17:33:241947 對(duì)于我們常用的不可充電的原電池，國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)IEC 60086-5“原電池—-第5部分：水溶液電解質(zhì)電池的安全”中就對(duì)其安全使用提出了諸多建議。
2012-05-30 15:39:241373 本文主要介紹了配比鹽霧試驗(yàn)所用鹽水溶液的三種方法。
2018-06-21 12:00:00
0 利用酸溶液去除鋼鐵表面上的氧化皮和銹蝕物的方法稱為酸洗。是將制件浸入硫酸等的水溶液，以除去金屬表面的氧化物等薄膜。是清潔金屬表面的一種方法。通常與預(yù)膜一起進(jìn)行。
2019-06-25 15:31:3222321 簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)的同時(shí)，HF900在設(shè)計(jì)中，還充分考慮了芯片的熱特性。由于獨(dú)特的單片集成工藝和封裝結(jié)構(gòu)，芯片的溫升比一般的co-pack方案低許多（參見(jiàn)表一）。同樣重要的是，HF900能夠更準(zhǔn)確地測(cè)量到同一個(gè)DIE上的FET的溫度。當(dāng)FET溫度超過(guò)150°C時(shí)，芯片關(guān)閉FET，全面保證電源的可靠工作。
2019-10-12 14:05:011858 
據(jù)外媒報(bào)道，美國(guó)倫斯勒理工學(xué)院（Rensselaer Polytechnic Institute）的工程師，采用水溶液電解質(zhì)生產(chǎn)電池。比起傳統(tǒng)有機(jī)電解質(zhì)，新電池更安全、性價(jià)比更高、性能良好。 在電池
2020-10-29 22:27:00635 書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：HQ2和HF溶液循環(huán)處理 編號(hào)：JFKJ-21-213 作者：炬豐科技 摘要 采用原子顯微鏡研究了濕法化學(xué)處理過(guò)程中的表面形貌。在SC-1清洗過(guò)程中，硅表面的
2023-04-19 10:01:00129 
我們?nèi)A林科納研究了不同醇類添加劑對(duì)氫氧化鉀溶液的影響。據(jù)說(shuō)醇導(dǎo)致硅蝕刻各向異性的改變。具有一個(gè)羥基的醇表現(xiàn)出與異丙醇相似的效果。它們導(dǎo)致(hh 1)型平面的蝕刻速率大大降低，通常在蝕刻凸形圖形的側(cè)壁處發(fā)展。這就是凸角根切減少的原因。具有一個(gè)以上羥基的醇不影響蝕刻各向異性，并導(dǎo)致表面光潔度變差。
2021-12-17 15:27:53641 力顯微鏡、常規(guī)的x光光發(fā)射光譜和掃描光發(fā)射光譜顯微鏡已經(jīng)被用于研究在有機(jī)層生長(zhǎng)之前通常用于平滑/清潔/圖案化表面的幾種處理之后的商用薄氧化銦錫膜的形態(tài)和化學(xué)性質(zhì)。還沒(méi)有觀察到氫氧化鉀基溶液的明確平滑效果，而在應(yīng)
2021-12-24 11:46:38973 
引言 我們研究了四種硅在高頻水溶液中的陽(yáng)極電流-電勢(shì)特性。根據(jù)不同電位陽(yáng)極氧化的樣品的表面條件，電流-電位曲線上通常有三個(gè)區(qū)域：電流隨電位指數(shù)變化區(qū)域的多孔硅形成，恒流區(qū)域的硅的電泳拋光，以及
2021-12-28 16:40:16905 
引言 我們根據(jù)實(shí)驗(yàn)，研究了多孔硅層(PSL)的形成機(jī)理。PSL是由只發(fā)生在孔隙底部的硅的局部溶解而形成的。在陽(yáng)極化過(guò)程中，PSL孔隙中電解質(zhì)的HF濃度保持恒定，孔隙中的陽(yáng)極反應(yīng)沿厚度方向均勻進(jìn)行
2021-12-30 14:09:06589 
引言 我們根據(jù)實(shí)驗(yàn)，研究了多孔硅層(PSL)的形成機(jī)理。PSL是由只發(fā)生在孔隙底部的硅的局部溶解而形成的。在陽(yáng)極化過(guò)程中，PSL孔隙中電解質(zhì)的HF濃度保持恒定，孔隙中的陽(yáng)極反應(yīng)沿厚度方向均勻進(jìn)行
2021-12-30 14:20:27511 
引言 氫氧化鉀溶液通常用于改善硅(100)表面光滑度和減少三維硅結(jié)構(gòu)的凸角底切。異丙醇降低了氫氧化鉀溶液的表面張力，改變了硅的蝕刻各向異性，顯著降低了(110)和(hh1)面的蝕刻速率，并在較小程度
2022-01-13 13:47:261157 
在含HF/HNO 3的溶液中進(jìn)行酸性蝕刻來(lái)實(shí)現(xiàn)。酸性溶液各向同性地蝕刻多晶硅晶片，即在所有晶體取向上產(chǎn)生圓形紋理。然而，酸性蝕刻工藝難以控制，并且化學(xué)廢物的處理昂貴。 為了克服這種對(duì)環(huán)境有害的酸性蝕刻工藝，同時(shí)保持mc-Si晶片
2022-01-13 14:47:19624 
法測(cè)定CIGSe的溶解動(dòng)力學(xué)速率。x射線光電子能譜分析表明，處理表面酸性溴溶液的蝕刻過(guò)程提供了一個(gè)控制的化學(xué)變薄過(guò)程，這使得幾乎平坦的表面和非常低的表面Se0 成為可能。 實(shí)驗(yàn)細(xì)節(jié) 刻蝕條件：本文的溶液氫溴酸：溴：水配方為0.25molL?1：0.02molL?1，超純?nèi)ルx子水。溶解過(guò)程在
2022-01-24 10:37:49286 
，表面的Ga-As鍵斷裂，元素砷留在砷化鎵表面。此外，用鹽酸+2-丙醇溶液蝕刻時(shí)可以觀察到吸附的2-丙醇分子，但用氨水溶液蝕刻時(shí)沒(méi)有檢測(cè)到吸附的水分子。 介紹 濕式化學(xué)蝕刻工藝在器件制造中已被廣泛應(yīng)用。半導(dǎo)體/電解質(zhì)界面上發(fā)生的過(guò)程
2022-01-24 15:07:301071 
研究了在半導(dǎo)體制造過(guò)程中使用的酸和堿溶液從硅片表面去除粒子。 結(jié)果表明，堿性溶液的顆粒去除效率優(yōu)于酸性溶液。 在堿性溶液中，顆粒去除的機(jī)理已被證實(shí)如下:溶液腐蝕晶圓表面以剝離顆粒，然后顆粒被電排斥到晶圓表面。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，需要0.25 nm /min以上的刻蝕速率才能使吸附在晶圓表面的顆粒脫落。
2022-02-17 16:24:272167 
本文首次提出了由標(biāo)準(zhǔn)SC1/SC2腐蝕周期引起的Si (100)表面改性的證據(jù)。SC1/SC2蝕刻(也稱為RCA清洗)通過(guò)NH3:H2O2:H2O混合物使硅片氧化，在稀釋的HF中去除氧化物，通過(guò)
2022-02-23 14:15:227113 
引言 拋光液中的污染物和表面劃痕、挖掘和亞表面損傷(固態(tài)硬盤)等缺陷是激光損傷的主要前兆。我們提出了在拋光后使用HF/HNO3或KOH溶液進(jìn)行深度濕法蝕刻，以提高熔融石英光學(xué)器件在351 nm波長(zhǎng)
2022-02-24 16:26:032429 
在高頻水溶液中，SiO的蝕刻可以通過(guò)電場(chǎng)的應(yīng)用而被阻礙或停止。在CMOS制造中，非常低水平的光可以導(dǎo)致這種影響。對(duì)溶解過(guò)程提出了平行反應(yīng)路徑，并加上電場(chǎng)在中間步驟中停止或重定向反應(yīng)的能力。
2022-03-07 15:28:241519 
實(shí)驗(yàn)研究了預(yù)清洗對(duì)KOH/IPA溶液中單晶硅表面紋理化的影響。如果沒(méi)有適當(dāng)?shù)念A(yù)清洗，表面污染會(huì)形成比未污染區(qū)域尺寸小的金字塔，導(dǎo)致晶片表面紋理特征不均勻，晶片表面反射率不均勻。根據(jù)供應(yīng)商的不同，晶片的表面質(zhì)量和污染水平可能會(huì)有所不同，預(yù)清洗條件可能需要定制，以達(dá)到一致和期望的紋理化結(jié)果。
2022-03-17 15:23:08501 本文根據(jù)測(cè)量的OCP和平帶電壓，構(gòu)建了氫氧化鉀水溶液中n-St的定量能帶圖，建立了同一電解質(zhì)中p-St的能帶圖，進(jìn)行了輸入電壓特性的測(cè)量來(lái)驗(yàn)證這些能帶圖，硅在陽(yáng)極偏置下的鈍化作用歸因于氧化物膜的形成
2022-03-17 17:00:081119 
使用酸性或氟化物溶液對(duì)硅表面進(jìn)行濕蝕刻具有重大意義，這將用于生產(chǎn)微電子包裝所需厚度的可靠硅芯片。本文研究了濕蝕刻對(duì)浸入48%高頻/水溶液中的硅片厚度耗散、減重、蝕刻速率、表面形貌和結(jié)晶性
2022-03-18 16:43:11530 
本文對(duì)晶片采用HF溶液洗凈的晶片氫氟酸處理后的護(hù)發(fā)素及干燥方法，使用異丙基去除上述晶片表面殘存的HF的步驟，關(guān)于晶片氫氟酸處理后的護(hù)發(fā)素和干燥方法，其特點(diǎn)是在對(duì)上述晶片施加82-84℃溫度的同時(shí)通過(guò)
2022-03-23 17:06:051599 
量，測(cè)量了漆器和表面形狀，并根據(jù)清潔情況測(cè)量了科隆表面特性。 本實(shí)驗(yàn)使用半導(dǎo)體用高純度化學(xué)溶液和DI 晶片，電阻率為22~38 ohm~ cm，使用了具有正向的4 inches硅基底，除裸晶圓外，所有晶片均采用piranha+HF清洗進(jìn)行前處理，清楚地知道紗線過(guò)程
2022-03-24 17:10:271760 
我們?nèi)A林科納研究探索了一種新的濕法腐蝕方法和減薄厚度在100 μm以下玻璃的解決方案，為了用低氫氟酸制備蝕刻溶液，使用NH4F或nh4hf 2作為主要成分并加入硫酸或硝酸是有效的，研究了混合酸溶液
2022-05-20 16:20:243162 ./oschina_soft/gap.zip
2022-06-16 14:27:231 用半導(dǎo)體制造中的清洗過(guò)程中使用的酸和堿溶液研究了硅片表面的顆粒去除。
2022-07-05 17:20:171683 
的蝕刻去除了金屬污染物。用氰化氫HCN水溶液清洗被金屬污染的碳化硅，然后進(jìn)行RCA清洗，反之亦然，可以完全去除它們。結(jié)果表明，強(qiáng)吸附金屬和粗糙碳化硅表面底部區(qū)域的金屬不能分別用RCA法和HCN法去除。由于
2022-09-08 17:25:461453 
微弧氧化：在電解質(zhì)溶液中（一般是弱堿性溶液）施加高電壓生成陶瓷化表面膜層的過(guò)程，該過(guò)程是物理放電與電化學(xué)氧化協(xié)同作用的結(jié)果。
2023-02-20 11:18:311518 等離子體表面預(yù)處理改善油漆和清漆對(duì)表面的粘合，從而提高涂料和上漆的質(zhì)量。 許多成分由金屬、玻璃、陶瓷甚至木材和紡織品天然材料等制成，它們的表面很難上漆。
2022-09-05 14:43:23386 
通過(guò)金徠等離子體處理，可以提高金屬表面的活性，改善金屬表面的結(jié)合力、增強(qiáng)涂層附著力等性質(zhì)，使得金屬制品的質(zhì)量和性能得到明顯的改善和提升。此外，等離子體處理還可以改善金屬表面的光潔度，使得金屬表面更加平整光滑。
2023-05-05 10:51:23528 
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