引言 化學(xué)蝕刻是通過與強(qiáng)化學(xué)溶液接觸來控制工件材料的溶解。該過程可以應(yīng)用于任何材料。銅是利用化學(xué)腐蝕工藝制造微電子元件、微工程結(jié)構(gòu)和精密零件中廣泛使用的工程材料之一。在這項(xiàng)研究中,銅在50℃用兩種
2021-12-29 13:21:462088 摘要 我們?nèi)A林科納研究了正磷酸、聚磷酸、和鐵(III)氯化物蝕刻劑對工藝條件變化的敏感性,以確定該蝕刻劑系統(tǒng)在純鋁電路光刻制造中的潛在生產(chǎn)應(yīng)用。溫度變化、正磷酸濃度、多磷酸濃度的影響。檢測了酸濃度
2022-01-07 15:40:121194 摘要 本文從晶體生長科學(xué)的角度回顧了單晶的濕化學(xué)蝕刻。起點(diǎn)是有光滑和粗糙的晶體表面。光滑面的動力學(xué)是由粗糙面上不存在的成核勢壘控制的。因此后者蝕刻速度更快數(shù)量級。對金剛石晶體結(jié)構(gòu)的分析表明,晶面
2022-01-25 13:51:111721 引言 正在開發(fā)化學(xué)下游蝕刻(CDE)工具,作為用于半導(dǎo)體晶片處理的含水酸浴蝕刻的替代物。對CDE的要求包括在接近電中性的環(huán)境中獲得高蝕刻速率的能力。高蝕刻率是由含NF”和0的混合物的等離子體放電分解
2022-06-29 17:21:423346 蝕刻機(jī)理 諸如KOH-、NaOH-或TMAH-溶液的強(qiáng)含水堿性介質(zhì)蝕刻晶體硅通孔 硅+ 2 OH- + 2 H O ?硅(OH) + H ?二氧化硅(OH) 2- + 2 H 因?yàn)椴煌娴腟i原子
2022-07-11 16:07:221344 PCB,電路板,基板上面如何出現(xiàn)電路呢?這就要蝕刻來實(shí)現(xiàn)。所謂蝕刻,先在板子外層需保留的銅箔部分,也就是電路的圖形部分,在上面預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層,然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉。銅有兩層,一層
2017-02-21 17:44:26
為了在基板上形成功能性的MEMS結(jié)構(gòu),必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常,蝕刻過程分為兩類:浸入化學(xué)溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻,其中使用反應(yīng)性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中,我們將簡要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術(shù)。
2021-01-09 10:17:20
動物致癌的化合物。其中 15 種屬于多環(huán)芳烴,由于苯并[a]芘是第一個(gè)被發(fā)現(xiàn)的環(huán)境化學(xué)致癌物,而且致癌性很強(qiáng),故常以苯并 [a] 芘作為多環(huán)芳的代表,它占全部致癌性多環(huán)芳烴 1%-20% 。 PAHs
2015-08-31 17:50:55
以ALKYLIMIDAZOLE作為護(hù)銅劑而開始,由日本四國化學(xué)公司首先開發(fā)之商品,于1985年申請專利,用于蝕刻阻劑(ETCHING RESIST),但由于色呈透明檢測不易,未大量使用。其后推出
2018-09-10 16:28:08
PCB制作工藝中的堿性氯化銅蝕刻液1.特性1)適用于圖形電鍍金屬抗蝕層,如鍍覆金、鎳、錫鉛合金,錫鎳合金及錫的印制板的蝕刻。 2)蝕刻速率快,側(cè)蝕小,溶銅能力高,蝕刻速率容易控制。 3)蝕刻液可以
2018-02-09 09:26:59
,通過光化學(xué)法,網(wǎng)印圖形轉(zhuǎn)移或電鍍圖形抗蝕層,然后蝕刻掉非圖形部分的銅箔或采用機(jī)械方式去除不需要部分而制成印制電路板PCB。而減成法中主要有雕刻法和蝕刻法兩種。雕刻法是用機(jī)械加工方法除去不需要的銅箔,在單
2018-09-21 16:45:08
一、蝕刻液的選擇 蝕刻液的選擇是非常重要的,它所以重要是因?yàn)樗谟≈齐娐钒逯圃旃に囍兄苯佑绊懜呙芏燃?xì)導(dǎo)線圖像的精度和質(zhì)量。當(dāng)然蝕刻液的蝕刻特性要受到諸多因素的影響,有物理、化學(xué)及機(jī)械方面的。現(xiàn)
2018-09-11 15:19:38
PCB印制電路中影響蝕刻液特性的因素一、蝕刻液的選擇 蝕刻液的選擇是非常重要的,它所以重要是因?yàn)樗谟≈齐娐钒逯圃旃に囍兄苯佑绊懜呙芏燃?xì)導(dǎo)線圖像的精度和質(zhì)量。當(dāng)然蝕刻液的蝕刻特性要受到諸多因素
2013-10-31 10:52:34
工藝,可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。目前,錫或鉛錫是最常用的抗蝕層,用在氨性蝕刻劑的蝕刻工藝中.氨性蝕刻劑是普遍使用的化工藥液,與錫或鉛錫不發(fā)生任何化學(xué)反應(yīng)。氨性蝕刻劑主要是指氨水/氯化氨蝕刻液。此外
2018-11-26 16:58:50
使用的化工藥液,與錫或鉛錫不發(fā)生任何化學(xué)反應(yīng)。氨性蝕刻劑主要是指氨水/氯化氨蝕刻液。此外,在市場上還可以買到氨水/硫酸氨蝕刻藥液。 以硫酸鹽為基的蝕刻藥液,使用后,其中的銅可以用電解的方法分離出來
2018-09-13 15:46:18
使用化學(xué)溶液去除材料。在 CMOS 制造中,濕法工藝用于清潔晶片和去除薄膜。濕法清潔過程在整個(gè)工藝流程中重復(fù)多次。一些清潔過程旨在去除微粒,而另一些則是去除有機(jī)和/或無機(jī)表面污染物。濕蝕刻劑可以是各向同性
2021-07-06 09:32:40
書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:GaN、ZnO和SiC的濕法化學(xué)蝕刻編號:JFKJ-21-830作者:炬豐科技摘要寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性,使其對高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種
2021-10-14 11:48:31
各向異性(晶體)化學(xué)蝕刻是半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)工藝技術(shù),其中小平面和小平面定義的幾何形狀決定了器件的特性。例子是:(1)具有原子級光滑面的光學(xué)設(shè)備(波導(dǎo)、激光器)減少損失(2)MEMS,其中幾何形狀可以通過
2021-07-08 13:09:52
。這個(gè)蝕刻步驟可以產(chǎn)生光滑的晶體表面,并且可以通過改變第一步驟的方向、化學(xué)試劑和溫度來選擇特定的蝕刻平面。GaN晶體的濕化學(xué)蝕刻是一個(gè)非常重要的工藝。清洗效果的好壞極大地影響了芯片的特性。性能可靠、功能
2021-07-07 10:24:07
,非常需要尋找可能更適合器件制造的其他蝕刻劑。2. 蝕刻率研究在我們的研究中,我們使用通過低壓金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積在半絕緣、Cr 摻雜、取向的 GaAs 襯底上生長的 InGaP 層。AsH3、PH3
2021-07-09 10:23:37
的,并且在光刻膠顯影步驟后驗(yàn)證了附著力。沒有參考文獻(xiàn)提到在濕蝕刻過程中使用預(yù)涂層處理來提高附著力,也沒有觀察到對濕蝕刻輪廓的影響,這通常歸因于蝕刻劑的 GaAs 晶體結(jié)構(gòu)和特性。 背景: 流程變更 對我們
2021-07-06 09:39:22
書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:微鏡角度依賴性與蝕刻劑選擇編號:JFKJ-21-047作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com/index.html抽象的:在為微光學(xué)創(chuàng)建
2021-07-19 11:03:23
書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:硅納米柱與金屬輔助化學(xué)蝕刻的比較編號:JFSJ-21-015作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
工藝中的蝕刻。目前,錫或鉛錫是最常用的抗蝕層,用在氨性蝕刻劑的蝕刻工藝中.氨性蝕刻劑是普遍使用的化工藥液,與錫或鉛錫不發(fā)生任何化學(xué)反應(yīng)。氨性蝕刻劑主要是指氨水/氯化氨蝕刻液。此外,在市場上還可以買到氨水
2018-04-05 19:27:39
時(shí),化學(xué)鍍鎳液已完全分解了。二、影響鍍液不穩(wěn)定的主要因素 1、鍍液的配比不當(dāng) ①次亞磷酸鹽(還原劑)濃度過高提高鍍液中次亞磷酸鹽的濃度,可以提高沉積速度。但是當(dāng)沉積速度達(dá)到極限時(shí),繼續(xù)增加次亞磷酸鹽的濃度
2018-07-20 21:46:42
)的特性制冷劑的分類 氟哩昂的特性制冷劑的要求 熱力學(xué)的要求在大氣壓力下,制冷劑的蒸發(fā)溫度(沸點(diǎn))ts要低。這是一個(gè)很重要的性能指標(biāo)。ts愈低,則不僅可以制取較低的溫度,而且還可以在一定的蒸發(fā)溫度to下
2011-02-21 15:51:57
在噴淋蝕刻過程中,蝕刻液是通過蝕刻機(jī)上的噴頭,在一定壓力下均勻地噴淋到印制電路板上的。蝕刻液到達(dá)印制板之后進(jìn)入干鏌之間的凹槽內(nèi)并與凹槽內(nèi)露出的銅發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。此時(shí)的蝕刻液既能與銅導(dǎo)線之間凹槽的底露銅
2018-09-10 15:56:56
,才能發(fā)生選擇性沉積。銅原子由于不具備化學(xué)鎳沉積的催化晶種的特性,所以需通過置換反應(yīng),使銅面沉積所需要的催化晶種。(1)鈀活化劑Pd2+ + Cu → Pd + Cu2+(2)釕活化劑Ru2+ + Cu
2015-04-10 20:49:20
噴灑在板子的表面。它把新鮮的溶液噴灑在板子上,具有很高的蝕刻速率。下列因素決定了蝕刻的均勻程度: 1 )噴灑樣式、力量、噴灑量的一致性和排放的位置; 2) 蝕刻劑的化學(xué)性能、泵的壓力、噴嘴的外形
2018-09-11 15:27:47
)光致抗蝕劑:用光化學(xué)方法獲得的,能抵抗住某種蝕刻液或電鍍?nèi)芤航g 的感光材料。 2)正性光致抗蝕劑:光照射部分分解(或軟化),曝光顯影之后,能把生產(chǎn)用照相底版上透 明的部分從板面上除去。3)負(fù)性光致抗
2010-03-09 16:22:39
在印制電路加工中﹐氨性蝕刻是一個(gè)較為精細(xì)和覆雜的化學(xué)反應(yīng)過程,卻又是一項(xiàng)易于進(jìn)行的工作。只要工藝上達(dá)至調(diào)通﹐就可以進(jìn)行連續(xù)性的生產(chǎn), 但關(guān)鍵是開機(jī)以后就必需保持連續(xù)的工作狀態(tài)﹐不適宜斷斷續(xù)續(xù)地生產(chǎn)
2017-06-23 16:01:38
的減小。 ●電解液這一塊,在-20度,-30度下電解液結(jié)冰,黏度增大,形成性能惡化。電解液從三方面:溶劑,鋰鹽,添加劑。溶劑對磷酸鐵鋰電池包低溫影響從70%多影響到90%多,有十幾個(gè)點(diǎn)的影響;其次
2018-09-27 16:45:07
`分析原理 CleverChem380全自動間斷化學(xué)分析儀將比色分析法自動化的一種分析測試手段,完全模擬人工比色法,將樣品、試劑和顯色劑加入比色皿中產(chǎn)生顏色反應(yīng),待測物濃度與反應(yīng)液最終顏色深淺
2015-09-21 14:45:25
朝向工作臺面,并帶動晶片轉(zhuǎn)動。 蝕刻液導(dǎo)入裝置是朝向上述工作臺面而設(shè)置,用以導(dǎo)入蝕刻液至晶片背面。 然而上述方法會有下列缺點(diǎn): (1)需要多使用一層光阻 (2)采用此單晶片蝕刻機(jī)臺進(jìn)行蝕刻時(shí),由于
2018-03-16 11:53:10
`濺鍍制程需經(jīng)過高真空濺鍍、黃光制程、蝕刻多道工藝,是一套成熟穩(wěn)定、可靠性極佳的工藝,許多車用電子廠商與高端應(yīng)用制造商均使用此工藝。而較為成本導(dǎo)向的消費(fèi)性產(chǎn)品所應(yīng)用的MOSFET則較適合使用化學(xué)鍍來
2021-06-26 13:45:06
是半導(dǎo)體制造,微機(jī)械和微流控設(shè)備中的重要過程,需要微尺度的特征來優(yōu)化性能或創(chuàng)建層流態(tài),這在宏觀上幾乎是不可能獲得的。由于能夠通過改變蝕刻劑濃度和蝕刻時(shí)間來輕松控制z軸蝕刻,因此常用于分層應(yīng)用。缺點(diǎn)包括許多化學(xué)廢物,其中許多是高酸性和多步過程。
2021-01-08 10:15:01
濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高,因?yàn)樗?b class="flag-6" style="color: red">化學(xué)藥品可以非常精確地適應(yīng)各個(gè)薄膜。對于大多數(shù)解決方案,選擇性大于100:1。
2021-01-08 10:12:57
碳粉上的Pt和Pt-CeO2催化劑對四種醇的電化學(xué)氧化具有較高的活性。而Pt-CeO2/C催化劑與Pt/C催化劑相比表現(xiàn)了更好的活性和更強(qiáng)的抗毒化能力。
2011-03-11 12:31:25
大量涉及蝕刻面的質(zhì)量問題都集中在上板面被蝕刻的部分,而這些問題來自于蝕刻劑所產(chǎn)生的膠狀板結(jié)物的影響。對這一點(diǎn)的了解是十分重要的, 因膠狀板結(jié)物堆積在銅表面上。一方面會影響噴射力,另一方面會阻檔了
2017-06-24 11:56:41
工藝中.氨性蝕刻劑是普遍使用的化工藥液,與錫或鉛錫不發(fā)生任何化學(xué)反應(yīng)。氨性蝕刻劑主要是指氨水/氯化氨蝕刻液。 此外,在市場上還可以買到氨水/硫酸氨蝕刻藥液。以硫酸鹽為基的蝕刻藥液,使用后,其中的銅
2018-09-19 15:39:21
采用RCC與化學(xué)蝕刻法制作高密度互連印制板 &
2006-04-16 21:23:491075 磷酸鐵鋰化學(xué)分析法
本標(biāo)準(zhǔn)適用于磷酸鐵鋰產(chǎn)品、半成品及磷鐵礦的分析.
1.0 引用標(biāo)準(zhǔn)
2009-10-27 10:33:452057
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