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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>多磷酸蝕刻劑的化學(xué)特性

多磷酸蝕刻劑的化學(xué)特性

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【轉(zhuǎn)】PCB化學(xué)鍍鎳液不穩(wěn)定性的原因

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在PCB堿性蝕刻中常見的問題的原因和故障解決方法

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PCB蝕刻過程中應(yīng)該注意的問題

蝕刻液的種類:不同的蝕刻化學(xué)組分不同,其蝕刻速率就不同,蝕刻系數(shù)也不同。例如:酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常為3,堿性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)可達(dá)到4。近來的研究表明,以硝酸為基礎(chǔ)的蝕刻系統(tǒng)可以做到幾乎沒有側(cè)蝕,達(dá)到蝕刻的線條側(cè)壁接近垂直。這種蝕刻系統(tǒng)正有待于開發(fā)。
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蝕刻的工藝流程及注意事項(xiàng)

蝕刻(etching)是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。蝕刻技術(shù)可以分為濕蝕刻(wet etching)和干蝕刻(dry etching)兩類。它可通過曝光制版、顯影后,將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜去除,在蝕刻時(shí)接觸化學(xué)溶液,達(dá)到溶解腐蝕的作用,形成凹凸或者鏤空成型的效果。
2019-04-24 15:52:5729780

蝕刻的原理

通常所指蝕刻也稱腐蝕或光化學(xué)蝕刻(photochemicaletching),指通過曝光制版、顯影后,將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜去除,在蝕刻時(shí)接觸化學(xué)溶液,達(dá)到溶解腐蝕的作用,形成凹凸或者鏤空成型的效果。
2019-04-25 15:41:3614173

電路板蝕刻是什么意思

蝕刻法是用蝕刻液將導(dǎo)電線路以外的銅箔去除掉的方法,雕刻法是用雕刻機(jī)將導(dǎo)電線路以外的銅箔去除掉的方法,前者是化學(xué)方法,較常見,后者是物理方法。
2019-05-17 11:13:2122179

蝕刻機(jī)的工作原理及應(yīng)用范圍

蝕刻指通過曝光制版、顯影后,將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)摸去處,在蝕刻時(shí)接觸化學(xué)溶液,達(dá)到溶解腐蝕的作用,形成凹凸或者鏤空成型的效果。最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版。蝕刻機(jī)可以分為化學(xué)蝕刻機(jī)及電解蝕刻機(jī)兩類。
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2020-03-28 14:00:5943882

噴淋蝕刻在精細(xì)印制電路制作過程中的蝕刻原理解析

在噴淋蝕刻過程中,蝕刻液是通過蝕刻機(jī)上的噴頭,在一定壓力下均勻地噴淋到印制電路板上的。蝕刻液到達(dá)印制板之后進(jìn)入干鏌之間的凹槽內(nèi)并與凹槽內(nèi)露出的銅發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。
2020-04-08 14:53:253295

pcb蝕刻機(jī)的基礎(chǔ)原理

,錫鉛為抗蝕劑。 二、蝕刻反應(yīng)基本原理 1.酸性氯化銅蝕刻液 ①.特性 -蝕刻速度容易控制,蝕刻液在穩(wěn)定狀態(tài)下能達(dá)到高的蝕刻質(zhì)量 -蝕銅量大 -蝕刻液易再生和回收 ②.主要反應(yīng)原理 蝕刻過程中,Cu2+有氧化性,將板面銅氧化成Cu+:Cu+CuCl2→2CuC
2020-12-11 11:40:587462

PCB蝕刻定義及蝕刻操作條件

蝕刻:將覆銅箔板表面由化學(xué)藥水蝕刻去除不需要的銅導(dǎo)體,留下銅導(dǎo)體形成線路圖形,這種減去法工藝是當(dāng)前印制電路板加工的主流
2021-01-06 14:32:018529

淺談pcb蝕刻制程及蝕刻因子

1、 PCB蝕刻介紹 蝕刻是使用化學(xué)反應(yīng)而移除多余材料的技術(shù)。PCB線路板生產(chǎn)加工對蝕刻質(zhì)量的基本要求就是能夠?qū)⒊刮g層下面以外的所有銅層完全去除干凈,僅此而已。在PCB制造過程中,如果要精確地
2021-04-12 13:48:0031019

用于化學(xué)分析的Si各向異性濕法化學(xué)蝕刻

分析化學(xué)小型化的一個(gè)方便的起點(diǎn)是使用單c:晶體硅作為起始材料,微加工作為使技術(shù),濕化學(xué)蝕刻作為關(guān)鍵的微加工工具。在本文中,我們回顧了硅微加工,并描述了形成可能用于化學(xué)分析應(yīng)用的通道、柱和其他幾何圖案
2021-12-22 17:29:021095

晶圓濕式用于硅蝕刻浴晶圓蝕刻

)、(TMAH)、NaOH等,但KOH與TMAH相比,平整度更好,并且只對硅的 100 表面做出反應(yīng),因此Fig。如1所示,具有54.74的各向異性蝕刻特性,毒性小。使用KOH的硅各向異性濕式蝕刻在壓力傳感器、加速度計(jì)、光學(xué)傳感器等整體MEMS裝置結(jié)構(gòu)形成等中使用。 實(shí)驗(yàn) KOH硅濕法蝕刻工藝 工藝
2021-12-23 09:55:35484

濕法化學(xué)蝕刻硅太陽能電池的光電特性

的光學(xué)特性。樣品的全反射系數(shù)低于未經(jīng)處理的硅太陽能電池。硅太陽能電池的整體效率取決于所選的銀離子濃度制備條件和濕法蝕刻時(shí)間。太陽能電池的紋理化表面顯示出效率的提高,電路光電流高于沒有紋理化的參考硅太陽能電池。給出了
2022-01-04 17:15:35633

關(guān)于氮化鎵的晶體學(xué)濕式化學(xué)蝕刻的研究

光增強(qiáng)電化學(xué)(PEC)濕蝕刻也被證明用于氮化鎵。PEC蝕刻具有設(shè)備成本相對較低、表面損傷較低的優(yōu)點(diǎn),但尚未找到一種生產(chǎn)光滑的垂直側(cè)壁的方法。氮化鎵的裂切面也有報(bào)道,在藍(lán)寶石基質(zhì)上生長的氮化
2022-01-17 15:38:05942

關(guān)于KOH溶液中氮化鋁的濕化學(xué)蝕刻的研究報(bào)告

引言 我們?nèi)A林科納研究了KOH基溶液中AIN的濕式化學(xué)蝕刻蝕刻溫度和材料質(zhì)量的關(guān)系。這兩種材料的蝕刻速率都隨著蝕刻溫度的增加而增加,從20~80°C不等。通過在1100°C下快速熱退火,提高了反應(yīng)
2022-01-17 16:21:48324

關(guān)于HF與HNO3混合物中硅的濕化學(xué)蝕刻機(jī)理研究報(bào)告

介紹 本文通過詳細(xì)的動力學(xué)研究,闡明了在富含HF的高頻/HNO3混合物中對硅的濕式化學(xué)蝕刻的機(jī)理。蝕刻實(shí)驗(yàn)后,我們進(jìn)行進(jìn)行了化學(xué)分析并研究了蝕刻速率與溫度、蝕刻劑的硅含量利用率和攪拌速度的函數(shù)關(guān)系
2022-01-24 15:41:131340

關(guān)于氮化鎵的深紫外增強(qiáng)濕法化學(xué)蝕刻的研究報(bào)告

本文探討了紫外輻照對生長在藍(lán)寶石襯底上的非有意摻雜n型氮化鎵(GaN)層的濕法化學(xué)刻蝕的影響。實(shí)驗(yàn)過程中,我們發(fā)現(xiàn)氮化鎵的蝕刻發(fā)生在pH值分別為2-1和11-15的磷酸水溶液和氫氧化鉀溶液中。在稀釋
2022-01-24 16:30:31948

氮化鎵的大面積光電化學(xué)蝕刻的實(shí)驗(yàn)報(bào)告

索引術(shù)語:氮化鎵,蝕刻 摘要 本文介紹了我們?nèi)A林科納的一種利用氫氧化鉀溶液和大面積汞燈照明對氮化鎵進(jìn)行光增強(qiáng)濕法化學(xué)刻蝕的工藝。討論了n+氮化鎵、非有意摻雜氮化鎵和p-氮化鎵樣品的結(jié)果。 介紹 光電化學(xué)
2022-02-07 14:35:421479

半導(dǎo)體各向異性蝕刻的表面化學(xué)和電化學(xué)

摘要 綜述了半導(dǎo)體各向異性蝕刻的表面化學(xué)和電化學(xué)。描述了對堿性溶液中硅的各向異性化學(xué)蝕刻和 n 型半導(dǎo)體中各向異性孔的電化學(xué)蝕刻的最新見解。強(qiáng)調(diào)了電流效應(yīng)在開路蝕刻中的可能作用。 介紹 由于簡單
2022-03-03 14:16:37905

玻璃在氫氟酸中的濕法化學(xué)蝕刻

HF對基片進(jìn)行了研究,主要分為隨機(jī)蝕刻和周期性蝕刻。 我們討論了蝕刻的問題機(jī)理、蝕刻速率、硬掩膜材料、周期性光俘獲結(jié)構(gòu)。
2022-03-08 11:52:411214

KOH溶液中氮化鋁的濕化學(xué)蝕刻

本文研究了KOH基溶液中AIN的濕式化學(xué)蝕刻蝕刻溫度和材料質(zhì)量的關(guān)系。這兩種材料的蝕刻速率都隨著蝕刻溫度的增加而增加,從20~80°C不等。通過在1100°C下快速熱退火,提高了反應(yīng)性濺射制備
2022-03-09 14:37:47431

用于化學(xué)分析應(yīng)用的Si各向異性濕法化學(xué)蝕刻

分析化學(xué)小型化的一個(gè)方便的起點(diǎn)在于使用單晶硅作為起始材料,微加工作為使能技術(shù),濕化學(xué)蝕刻作為關(guān)鍵的微加工工具。在這次可行性研究和學(xué)習(xí)中都起到了關(guān)鍵作用。
2022-03-11 13:58:08514

怎樣通過重新化學(xué)表面處理改善水痕缺陷

根據(jù)水痕缺陷主要成分是氧化硅的特征, 利用磷酸氧化硅有較低的蝕刻率, 并不會蝕刻掉多晶硅的特性, 工藝易于控制。 因此對于用光學(xué)顯微鏡觀察到產(chǎn)生水痕缺陷的晶圓,選用熱磷酸重新進(jìn)行表面化學(xué)處理五分鐘
2022-03-15 15:09:53325

局部陽極氧化和化學(xué)蝕刻對硅表面的自然光刻

利用作為掩模的陽極多孔氧化鋁的模式轉(zhuǎn)移,制備了具有100nm周期性自有序結(jié)構(gòu)的孔和柱陣列納米結(jié)構(gòu),納米圖案的轉(zhuǎn)移是通過一個(gè)涉及硅的局部陽極化和隨后的化學(xué)蝕刻的組合過程來實(shí)現(xiàn)的。利用這一方法,可以通過改變蝕刻條件來制造負(fù)圖案和正圖案。
2022-03-23 11:05:54373

硅和二氧化硅的濕化學(xué)蝕刻工藝

硅是微電子學(xué)和微細(xì)力學(xué)中最常用的襯底材料。它不僅可用作無源襯底,也可用作電子或機(jī)械元件的有源材料。如本章所述,所需的圖案也可以通過濕化學(xué)蝕刻方法來實(shí)現(xiàn)。
2022-03-23 14:17:161812

詳解單晶硅的各向異性蝕刻特性

觀察到不同的蝕刻特性,當(dāng)氫氧化鉀濃度固定為20 wt%時(shí),在80℃以上的蝕刻溫度下觀察到U形槽的蝕刻形狀,在80℃以下觀察到V形槽的蝕刻形狀,蝕刻硅表面產(chǎn)生的小丘隨著蝕刻劑溫度和濃度的增加而減少。
2022-03-25 13:26:342506

一種制備PS層的超聲增強(qiáng)化學(xué)蝕刻方法

本文采用超聲增強(qiáng)化學(xué)蝕刻技術(shù)制備了多孔硅層,利用高頻溶液和硝酸技術(shù)在p型取向硅中制備了多孔硅層。超聲檢測發(fā)現(xiàn)p型硅多孔硅層的結(jié)構(gòu),用該方法可以制備質(zhì)量因子的多孔硅微腔,超聲波蝕刻所導(dǎo)致的質(zhì)量的提高
2022-04-06 13:32:13331

基于噴射條件的蝕刻特性和霧化特性研究

本研究根據(jù)蝕刻條件的變化,對蝕刻特性——蝕刻率和蝕刻系數(shù)進(jìn)行了球面分析,并使用速度、液滴大小、沖擊力(PDA)系統(tǒng)分析了噴嘴、噴射壓力、線短距離、工質(zhì)物性值變化時(shí)的噴霧特性,并考察了與蝕刻特性的相互關(guān)系。
2022-04-07 16:16:39398

硅晶圓蝕刻過程中的流程和化學(xué)反應(yīng)

引言 硅晶圓作為硅半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料,是極其重要的,將作為鑄錠成長的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中,晶圓表面會產(chǎn)生加工變質(zhì)層。為了去除該加工變質(zhì)層,進(jìn)行化學(xué)蝕刻,在硅晶片的制造工序
2022-04-08 17:02:101682

硅晶圓蝕刻過程中的化學(xué)反應(yīng)研究

硅晶圓作為硅半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料,是極其重要的,將作為鑄錠成長的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中,晶圓表面會產(chǎn)生加工變質(zhì)層。為了去除該加工變質(zhì)層,進(jìn)行化學(xué)蝕刻,在硅晶片的制造工序中,使共有
2022-04-12 15:28:16943

噴霧特性蝕刻特性的相互關(guān)系

本研究根據(jù)蝕刻條件的變化,對蝕刻特性——蝕刻率和蝕刻系數(shù)進(jìn)行了球面分析,并使用速度、液滴大小、沖擊力(PDA)系統(tǒng)分析了噴嘴、噴射壓力、線短距離、工質(zhì)物性值變化時(shí)的噴霧特性,并考察了與蝕刻特性的相互關(guān)系。
2022-04-14 14:02:00395

一種制備PS層的超聲增強(qiáng)化學(xué)蝕刻方法

本文采用超聲增強(qiáng)化學(xué)蝕刻技術(shù)制備了多孔硅層,利用高頻溶液和硝酸技術(shù)在p型取向硅中制備了多孔硅層。超聲檢測發(fā)現(xiàn)p型硅多孔硅層的結(jié)構(gòu),用該方法可以制備質(zhì)量因子的多孔硅微腔,超聲波蝕刻所導(dǎo)致的質(zhì)量的提高
2022-04-15 10:18:45332

硅晶片的化學(xué)蝕刻工藝研究

拋光的硅片是通過各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先,通過切片將單晶硅錠切成圓盤(晶片),然后進(jìn)行稱為研磨的平整過程,該過程包括使用研磨漿擦洗晶片。 在先前的成形過程中引起的機(jī)械損傷通過蝕刻是本文的重點(diǎn)。在準(zhǔn)備用于器件制造之前,蝕刻之后是各種單元操作,例如拋光和清潔。
2022-04-28 16:32:37670

蝕刻作為硅晶片化學(xué)鍍前的表面預(yù)處理的效果

金屬涂層,如銅膜,可以很容易地沉積在半導(dǎo)體材料上,如硅晶片,而無需使無電鍍工藝進(jìn)行預(yù)先的表面預(yù)處理。然而,銅膜的粘附性可能非常弱,并且容易剝離。在本研究中,研究了在氫氟酸溶液中蝕刻作為硅晶片化學(xué)
2022-04-29 15:09:06464

單晶硅的各向異性蝕刻特性說明

劑濃度觀察到不同的蝕刻特性,當(dāng)氫氧化鉀濃度固定為20wt%時(shí),在80℃以上的蝕刻溫度下觀察到U形槽的蝕刻形狀,在80℃以下觀察到V形槽的蝕刻形狀,蝕刻硅表面產(chǎn)生的小丘隨著蝕刻劑溫度和濃度的增加而減少。 為了了解單晶硅的KOH溶液和K
2022-05-05 16:37:362658

堿性KOH蝕刻特性的詳細(xì)說明

氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物,是用于硅晶片微加工最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說,它們在某些方向上的蝕刻速度比在其他方向上的蝕刻
2022-05-09 15:09:201420

硅KOH蝕刻:凸角蝕刻特性研究

引用 本文介紹了我們?nèi)A林科納半導(dǎo)體研究了取向硅在氫氧化鉀水溶液中的各向異性腐蝕特性和凸角底切機(jī)理。首先,確定控制底切的蝕刻前沿的晶面,并測量它們的蝕刻速率。然后,基于測量數(shù)據(jù),檢驗(yàn)了凸角補(bǔ)償技術(shù)
2022-06-10 17:03:481114

GaN的晶體濕化學(xué)蝕刻工藝詳解

50納米,4,5,盡管最近有報(bào)道稱rms粗糙度低至4–6納米的表面。6光增強(qiáng)電化學(xué)(PEC)濕法蝕刻也已被證明適用于氮化鎵(GaN)的蝕刻。7–10 PEC蝕刻具有設(shè)備成本相對較低和表面損傷較低的優(yōu)勢
2022-07-12 17:19:243454

磷酸的腐蝕特性及緩蝕劑 氮化硅濕法蝕刻中熱磷酸蝕刻

在半導(dǎo)體濕法蝕刻中, 熱磷酸廣泛地用于對氮化硅的去除工藝, 實(shí)踐中發(fā)現(xiàn)溫下磷酸對氮化硅蝕刻率很難控制。 從熱磷酸在氮化硅濕法蝕刻中的蝕刻原理出發(fā), 我們?nèi)A林科納分析了影響蝕刻率的各個(gè)因素, 并通過
2022-08-30 16:41:592998

什么是等離子蝕刻 等離子蝕刻應(yīng)用用途介紹

反應(yīng)性離子蝕刻綜合了離子蝕刻和等離子蝕刻的效果:其具有一定的各向異性,而且未與自由基發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的材料會被蝕刻。首先,蝕刻速率顯著增加。通過離子轟擊,基材分子會進(jìn)入激發(fā)態(tài),從而更加易于發(fā)生反應(yīng)。
2022-09-19 15:17:553390

磷酸鐵鋰電池的溫度特性有哪些表現(xiàn)?

總之,磷酸鐵鋰電池具有安全性高、循環(huán)壽命長、溫度特性好和成本低等優(yōu)勢,具備廣泛的應(yīng)用前景。 磷酸鐵鋰電池是一種新型的鋰離子電池,與傳統(tǒng)的三元鋰電池相比,其具有更高的安全性和更長的壽命。然而,磷酸
2023-03-07 16:19:271377

硅的濕式化學(xué)蝕刻和清洗

本文綜述了工程師們使用的典型的濕化學(xué)配方。盡可能多的來源已經(jīng)被用來提供一個(gè)蝕刻劑和過程的簡明清單
2023-03-17 16:46:232013

什么是金屬蝕刻蝕刻工藝?

金屬蝕刻是一種通過化學(xué)反應(yīng)或物理沖擊去除金屬材料的技術(shù)。金屬蝕刻技術(shù)可分為濕蝕刻和干蝕刻。金屬蝕刻由一系列化學(xué)過程組成。不同的蝕刻劑對不同的金屬材料具有不同的腐蝕特性和強(qiáng)度。
2023-03-20 12:23:433172

p型氮化鎵的晶體學(xué)濕式化學(xué)蝕刻

大多數(shù)iii\-氮化物的蝕刻目前是通過干燥工藝完成的。雖然干蝕刻具有許多理想的特性,包括高蝕刻率和獲得垂直壁的能力,但干蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn),包括產(chǎn)生離子致?lián)p傷和難以獲得光滑的蝕刻側(cè)壁,這是激光所需要的。
2023-03-22 10:55:501110

蝕刻技術(shù)蝕刻工藝及蝕刻產(chǎn)品簡介

關(guān)鍵詞:氫能源技術(shù)材料,耐高溫耐酸堿耐濕膠帶,高分子材料,高端膠粘劑引言:蝕刻(etching)是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。蝕刻技術(shù)可以分為濕蝕刻(wetetching)和干蝕刻
2023-03-16 10:30:163505

PCB印制電路中影響蝕刻特性的因素

蝕刻液的化學(xué)成分的組成:蝕刻液的化學(xué)組分不同,其蝕刻速率就不相同,蝕刻系數(shù)也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常是&;堿性氯化銅蝕刻液系數(shù)可達(dá)3.5-4。而正處在開發(fā)階段的以硝酸為主的蝕刻液可以達(dá)到幾乎沒有側(cè)蝕問題,蝕刻后的導(dǎo)線側(cè)壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553

氮化鎵的晶體學(xué)濕式化學(xué)蝕刻

目前,大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn),包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法蝕刻產(chǎn)生的側(cè)壁典型均方根(rms)粗糙度約為50納米
2023-11-24 14:10:30241

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