電池材料知識：什么是多晶硅？
多晶硅是單質硅的一種形態。熔融的單質硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金剛石晶格形態排列成許多
2010-02-06 08:47:40
2224 多晶硅市場煙硝起 日廠以價格力拼歐美業者
接近第2季太陽能多晶硅采購尾聲，受到德國下修補助前需求拉升影響，多晶硅價格
2010-03-05 09:12:56613 濕化學蝕刻是多晶硅表面紋理化的典型方法,濕化學蝕刻法也是多晶體硅表面鋸切損傷的酸織構化或氫氧化鉀鋸切損傷去除后的兩步化學蝕刻,這些表面紋理化方法是通過在氫氟酸-硝酸-H2O的酸性溶液中進行化學蝕刻
2022-03-28 14:20:49982 
引起的，濕法清洗和干法蝕刻清洗工藝被用于去除多晶硅蝕刻殘留物，這可能影響電特性和進一步的器件工藝。XPS結果表明，濕法清洗適用于蝕刻殘留物的去除。
2022-05-06 15:49:501012 
過程可以節省鎢硅化物沉積之前，去除多晶硅層上的表面氧化層過程和表面清洗步驟，這些步驟都是傳統的高溫爐多晶硅沉積和CVD鎢硅化物工藝所必需的。使用多晶硅-鎢硅化物整合系統可以使產量明顯增加。如下圖所示
2022-09-30 11:53:001235 單晶硅刻蝕用來形成相鄰晶體管間的絕緣區，多晶硅刻蝕用于形成柵極和局部連線。
2023-02-13 11:13:235905 
、 合金化6、 單面光刻（涂膠、對準、曝光、顯影）7、 雙面光刻8、 LPCVD Si3N4 （氮化硅）9、 LPCVD POLY（多晶硅）10、 a-Si （非晶硅）11、 PECVD SiO2 （氧化
2015-01-07 16:15:47
我用2H1002A4做一個LED恒流源，前面的去耦電容4.7uf/400V離2H1002A4將近90CM 這樣的一個距離對這個恒流源影響多大？什么影響？知道的幫忙解答！非常感謝！
2013-05-09 14:09:43
性功能之IC產品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達0.99999999999。晶圓制造廠再將此多晶硅
2011-12-02 14:30:44
來激活化學氣相淀積反應。其淀積溫度一般在400℃以下，可以用來淀積氧化硅、氮化硅、PSG、BPSG、Al2O3等絕緣體及鈍化膜和非晶硅薄膜以及有機化合物和TiC、TiN等耐磨抗蝕膜。在表面硅MEMS工藝中
2018-11-05 15:42:42
、陶瓷延長電纜：PE、PUR、FEP最大測量距離200 m H2O(656 ft H2O)傳感器100mbar...20bar(1.5psi...300psi)E+HFMU40-ARB2A2FMU41-ARB2A2FMU30-AAHEABGHFPMP55-AA21RA1PGBMZJA1A+AK `
2021-06-01 11:44:07
ab地址這行，為啥是0h 1h 1h 2h 2h這樣，而不是0h 1h 2h 3h。。。。。
2019-05-27 01:17:42
`FZ多晶硅24噸銷售，聯系人(傅)137-3532-3169`
2020-01-20 15:00:17
層，該多晶硅層被圖案化為可移動的機械結構，并通過犧牲性蝕刻下面的氧化物層來釋放。叉指式梳狀電極用于產生平面內力并以電容方式檢測平面內運動。這種MEMS范例使制造低成本的加速度計成為可能適用于例如汽車
2021-01-05 10:33:12
清潔 - 表面問題：金屬污染的起源：來源：設備、工藝、材料和人力，Si表面的過渡金屬沉淀是關鍵。去污：可以對一些暴露于堿或其他金屬污染物的基材進行去污。晶片不得含有任何污染薄膜。這通常在硅的 KOH
2021-07-01 09:42:27
的 Au 膜的 SEM 圖像。金屬輔助化學蝕刻：為了進行 MacEtch，將帶有 Au 圖案的 Si 晶片浸入乙醇、HF（49 wt%）和 H2O2（30 wt%）的 1:1:1 (v/v) 混合物中 5
2021-07-06 09:33:58
，臭氧化超純水 (UPW) 具有比 H2SO4、HCl、HNO3 和 NH4OH 更高的還原-氧化（氧化還原）電位，這些離子在傳統濕法清潔方法中長期使用。在這種情況下，強氧化能力使臭氧水再次成為令人滿意
2021-07-06 09:36:27
4000弧秒。3.3.由圓圈指定的數據來自峰值寬為~200弧秒的材料。 氧化鋅和相關化合物：圖3和圖4分別為Zn0.95Cd0.05O和Zn0.9Mg0.1O2的蝕刻率，作為25°C下HCl/H2O或H3PO4/H2O溶液濃度的函數。 對于Zn0.95Cd0.05O，可控的蝕刻速率(
2021-10-14 11:48:31
速率與 HCl 在 HCl:H3PO4 和 HCl:H2O 溶液中的體積分數在 20°C 下的關系。圖 5 顯示了測得的 InGaP 蝕刻速率的變化，它是 20°C 下 HCl:H3PO4:H2O
2021-07-09 10:23:37
的氧化層厚度，他們以不同的濃度混合來達到合理的刻蝕時間。一些BOE公式包括一個濕化劑用以減小刻蝕表面的張力，以使其均勻地進入更小的開孔區。暴露硅晶圓表面的過刻蝕可以引起表面的粗糙。在氫氟酸工藝期間，當
2018-12-21 13:49:20
的最小電導率≥ 50 US/cm: 飲料, 如，果汁、啤酒、葡萄酒 乳制品，果汁混合物 鹽溶液 酸，堿等。在競爭激烈的流量計市場，E H衛生型電磁流量計更是以其獨特的優勢在在這混亂的市場中爭得一席之地。1
2016-08-16 16:19:41
為什么多晶硅柵上還要再摞一層鎢？不用不行嗎？ 求大蝦指點
2012-01-12 17:22:54
。 器件的柵電極是具有一定電阻率的多晶硅材料，這也是硅柵MOS器件的命名根據。在多晶硅柵與襯底之間是一層很薄的優質二氧化硅，它是絕緣介質，用于絕緣兩個導電層：多晶硅柵和硅襯底，從結構上看，多晶硅
2012-12-10 21:37:15
，一層擴散層布線。硅柵工藝由于有兩層半布線，既可使芯片面積比鋁柵縮小50%又可增加布線靈活性。 當然，硅柵工藝較之鋁柵工藝復雜得多，需增加多晶硅淀積、等離子刻蝕工序，而且由于表面層次多，臺階比較高，表面
2012-01-06 22:55:02
低溫多晶硅制程是利用準分子雷射作為熱源，雷射光經過投射系統後，會產生能量均勻分布的雷射光束，投射于非晶矽結構的玻璃基板上，當非晶矽結構玻璃基板吸收準分子雷射的能量后，會轉變成為多晶硅結構，因整個處理過程都是在600℃以下完成，所以一般玻璃基板皆可適用。
2019-09-18 09:11:05
SiO2，因為SiO2可以與硅襯底形成非常理想的Si-SiO2界面。如圖1.13(a)所示，是最初鋁柵的MOS管結構圖。 2、多晶硅柵MOS管 隨著MOS器件的特征尺寸不斷縮小，鋁柵與源漏擴散區的套刻
2018-11-06 13:41:30
18914951168求購廢硅片、碎硅片、廢晶圓、IC藍膜片、頭尾料 大量收購單晶硅~多晶硅各種廢硅片，頭尾料，邊皮料，IC碎硅片，...
2010-10-31 14:00:00
+ 4HNO3 + 6 HF? 3H2SiF6 +4 NO + 8H2O 拋光：機械研磨、化學作用使表面平坦，移除晶圓表面的缺陷八、晶圓測試主要分三類：功能測試、性能測試、抗老化測試。具體有如:接觸測試
2019-09-17 09:05:06
FRF MODE 中的H1 H2 H3
2016-10-12 17:54:53
)等，故其應用范圍極廣。熱CVD法也可分成常壓和低壓。低壓CVD適用于同時進行多片基片的處理，壓力一般控制在0.25-2.0Torr之間。作為柵電極的多晶硅通常利用HCVD法將SiH4或Si2H。氣體
2019-08-16 11:09:49
獲得高的選擇比，刻蝕表面的損傷大，有污染，難以形成更精細的圖形。作為替代技術是能量低，高真空狀態下也具有高密度的電子回旋共振等離子設備的開發。對于柵電極材料的多晶硅(polysilicon)來說，它
2019-08-16 11:11:34
為 ：CuSO4·5H2O：48％HF：H2O ＝ 5g：2ml：50ml由于 Si 比 Cu 的電化學勢高，故能將 Cu 從染色液中置換出來，并在硅片表面淀積薄的銅層。因此，硫酸銅染色液的染色時間不能
2019-08-16 14:52:59
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
，數值小于1 × 10 －3 /℃，電阻溫度系數可小于2 × 10 －4 /℃。因此，在犧牲層結構壓力傳感器上，采用多晶硅納米薄膜作應變電阻，可以提高靈敏度，擴大工作溫度范圍，降低溫度漂移。然而，犧牲層
2018-11-05 15:27:14
隨著集成電路制造與太陽能電池等產品對多晶硅需求的增長，我國多晶硅的自主供貨一直存在著嚴重的缺口，特別是近 近年來多晶硅市場售價的暴漲，已經危及到我國多晶硅下游
2009-04-10 09:02:34
40 用微波光電導衰減儀(μ2PCD) 研究了不同溫度和時間的恒溫和變溫磷吸雜處理對鑄造多晶硅片電學性能的影響。實驗發現: 變溫吸雜明顯優于恒溫吸雜,特別是對原生高質量多晶硅; 其優
2009-07-02 14:16:0841 世界多晶硅生產及市場發展1．1 太陽能電池對多晶硅材料需求量迅速增長近年來，受到硅太陽能電池發展所驅動，多晶硅市場得以迅猛增長；未來的世界多晶硅生產與技術
2009-12-14 09:56:3421 D12V0H2U3SO 產品簡介DIODES 的 D12V0H2U3SO 是一款雙電壓抑制器，旨在保護連接到數據和傳輸線路的組件免受靜電放電 (ESD) 的影響。該器件將正
2023-09-27 09:02:47
D24V0H2U3SO 產品簡介DIODES 的 D24V0H2U3SO 是一款雙電壓抑制器，旨在保護連接到數據和傳輸線路的組件免受靜電放電 (ESD) 的影響。該器件將正瞬態電壓鉗位至
2023-10-10 11:22:23
本文首先對多晶硅硅芯進行了多次縮比試驗，掌握了多晶硅硅芯在不同環境條件下的電氣特性，然后分析國內外多晶硅的生長控制技術優缺點，結合多晶硅的生產原理和自身電
2010-08-26 15:41:3970 就建設1 000 t 電子級多晶硅廠的技術進行了探討。對三氯氫硅法、四氯化硅法、二氯二氫硅法和硅烷法生產的多晶硅質量、安全性、運輸和存貯的可行性、有用沉積比、沉積速
2010-09-26 17:06:590 國內某著名的多晶硅生產線的主控網絡采用PROFIBUS現場總線。多晶硅是電子信息產業和太陽能光伏發電行業的最重要功能
2010-11-29 16:08:4921 單晶硅與多晶硅的區別
單晶硅和多晶硅的區別是，當熔融的單質硅凝固時,硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些
2009-03-04 15:13:584212 什么是多晶硅
多晶硅的英文全稱;polycrystalline silicon
多晶硅是單質硅的一種形態。熔融的單質硅在過冷條件下
2009-04-08 17:16:521741 什么是多晶硅太陽電池？
多晶硅太陽電池的性能基本與單晶硅太陽電池相同，目前國
2009-10-23 14:34:42658 多晶硅光電池
p-Si（多晶硅，包括微晶）光電池沒有光致衰退效應，材料質量有所下降時也不會導致光電
2009-10-23 14:48:25563 多晶硅中國模式輪回
在2009年之前，多晶硅產銷市場有兩個顯著特征：第一，是以小單位的公斤計量;第二，有著超額的暴利。并且，受到國家產業政策和地方政府的支
2009-11-02 16:04:50411
多晶硅光電池
P－Si（多晶硅，包括微品）光電池沒有光致衰退效應，材
2009-11-09 09:19:47481 太陽能部分多晶硅材料小知識及技術要求
A、太陽能級多晶硅料
技術要求：
總體
2009-11-14 10:30:59634 多晶硅生產污染物回收處理流程圖
高純多晶硅生產，工業上廣泛采用三氯
2009-11-20 15:04:42937 多晶硅提純技術
包括西門子法（包括改良西門子法）、流化床法和冶金法（包括物理法）。國際上生產高純多晶硅的生產工藝仍以"改
2009-11-20 15:07:301318 我國光伏多晶硅生產工藝有了革命性進步
11月18日，河北英利集團對外宣布，旗下六九硅業有限公司多晶硅一期項目首次采用新硅烷法生產多晶硅，使我國多晶硅
2009-11-25 10:48:02761 中國多晶硅產業出現“產能虛擬過剩”
2006年下半年以來，中國各地對多晶硅的投資逐步升溫，截至目前已建成產能接近5萬噸。然而，多晶硅建成產能與合格產量
2009-12-28 10:37:48663 工信部將提高多晶硅產業準入條件
工信部25日發布消息稱，為了抑制低端產能重復建設，保證多晶硅產業的健康發展，《多晶硅行業準入標準》正在制定中。
2010-01-27 09:27:56733 2010年大陸多晶硅將短缺約3萬噸
大陸媒體報導，盡管2009年下半以來，大陸多晶硅產業過熱，產能過剩等預警不斷，然據大陸多晶硅業者說法，2009年大陸多晶
2010-02-08 09:12:02674 樂山電力多晶硅項目投產
2月8日，樂山電力控股子公司樂電天威硅業舉行3000噸/年多晶硅項目投料試生產成功剪彩儀式。公司表示，今年爭取生產1000噸以上多晶硅，20
2010-02-10 09:38:00770 多晶硅發射極晶體管,多晶硅發射極晶體管是什么意思
多晶硅是單質硅的一種形態。熔融的單質硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金剛
2010-03-05 11:08:271560 多晶硅準入新門檻即將出臺
在2009年11月起醞釀的“多晶硅產業發展指導意見”中關于多晶硅行業準入門檻等條款出現較
2010-03-24 09:26:31547 低溫多晶硅,低溫多晶硅是什么意思
低溫多晶硅的全稱是“Low Temperature Poly-Silicon（LTPS，多晶硅又簡稱為p-Si，下同）”
2010-03-27 11:42:32794 多晶硅難免產業整合
2009年我國多晶硅市場有一半依賴進口，預料2010年同樣的情況依然會持續。2009年我國多晶硅的產量1.5萬噸左右，而市場實際需求近4萬噸，一半以
2010-04-12 10:35:42509 大陸多晶硅廠要與7大廠抗衡
2010年上半國際多晶硅價格由于終端需求強勁影響，穩定維持在每公斤50~55美元，而大陸市場自制多晶硅價格第1季每公斤約人民幣395元、第2
2010-04-17 16:26:50598 瓦克總裁預估：多晶硅價格下滑趨勢不可避免
作為世界第二大多晶硅生產商，德國瓦克化學集團（WACKER）在全球多晶硅行業的地位舉足輕重。該集團中國區總裁周博世昨天
2010-04-19 09:42:29543 如何破解多晶硅企業的四氯化硅問題
多晶硅因用于新能源光伏產業而名聲大噪。它曾經創造的財富神話更是吸引了大量企業紛紛上馬多晶硅項目。然而面
2010-04-21 11:26:241639 多晶硅制備詳細流程及
2011-01-10 16:18:1866 《多晶硅行業準入條件》近日終于正式發布在國家工信部的官方網站上。根據工信部公告，準入條件于發布之日起實施，意味著這份對多晶硅及光伏行業影響深遠的準入標準已正式生效。
2011-03-04 09:12:32805 中國海關發布2011年6月多晶硅進出口數字顯示：其中，當月進口多晶硅4692噸，出口多晶硅84噸。上半年累計進口多晶硅達到30389噸，累計出口多晶硅680噸。從進出口狀況看，中國多晶硅仍
2011-07-28 08:51:52654 硅業分會了解到，本周有國外多晶硅企業表示，由于目前全球多晶硅價格已降至低點。部分處于觀望情緒的下游光伏企業已準備和該公司重新簽訂新的長單合同
2011-11-18 09:32:29791 多晶硅，是單質硅的一種形態。本文主要介紹了多晶硅的概念、多晶硅的應用價值以及國內多晶硅上市公司排名概要。
2017-12-18 10:47:4065822 本文已多晶硅為中心，主要介紹了多晶硅的技術特征、單晶硅與多晶硅的區別、多晶硅應用價值以及多晶硅行業走勢概況及預測進行分析。
2017-12-18 11:28:1358359 多晶硅片，是單質硅的一種形態。熔融的單質硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金剛石晶格形態排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結合起來，就結晶成多晶硅。利用價值：從目前國際太陽電池的發展過程可以看出其發展趨勢為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料。
2018-01-29 19:25:1142191 目前多晶硅在工業領域已經普遍存在，因此多晶硅也越來越受人們的重視，那么多晶硅概念股龍頭股有哪些呢？
2018-01-30 11:55:2251009 本文開始介紹了太陽能電池的分類詳情與多晶硅太陽能電池優點，其次介紹了多晶硅太陽能電池組件與多晶硅太陽能電池板組成，最后介紹了多晶硅太陽能電池板發電原理以及它的應用領域。
2018-01-30 14:54:3024277 本文開始介紹了什么是多晶硅太陽能板與多晶硅太陽能板的組件結構，其次介紹了多晶硅太陽能板五大品牌，最后介紹了四款多晶硅太陽能板的價格。
2018-01-30 16:54:257178 相對于太陽能級多晶硅99.9999％純度，電子級多晶硅的純度要求達到99.999999999％。5000噸的電子級多晶硅中總的雜質含量相當于一枚1元硬幣的重量。
2018-07-12 14:40:0024547 單晶硅光伏組件是以高純的單晶硅棒為原料的太陽能電池板，目前廣泛的應用于光伏市場中。單晶硅光伏組件光電轉換率較高，在弱光條件下表現比同類產品更好。多晶硅光伏組件是由多晶太陽能電池片按照不同的串、并陣列排列而構成的。多晶硅光伏組件性價比較高，交大光谷的多晶硅光伏組件的發電效率通常在17%左右。
2019-04-11 13:55:5063233 改良西門子法生產多晶硅屬于高能耗的產業，其中電力成本約占總成本的70%左右。SiHCl3還原時一般不生產硅粉，有利于連續操作。該法制備的多晶硅還具有價格比較低、可同時滿足直拉和區熔要求的優點。因此是
2019-04-11 13:57:3978268 多晶硅是單質硅的一種形態。熔融的單質硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金剛石晶格形態排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結合起來，就結晶成多晶硅。
2019-04-11 14:02:2019210 多晶硅生產的原料是三氯氫硅和氫氣，按照一定的比例計入還原爐內進行熱分解和還原反應產生多晶硅棒。
2019-04-11 14:07:3535208 目前，國內市場多晶硅供應充裕，廠家裝置部分停工，國內整體開工率保持在80-90%，截止4月17日，國內多晶硅廠家只有1-2家裝置檢修或降負荷生產，國內生產保持較高開工率。
2020-04-21 17:01:211699 多晶硅，是單質硅的一種形態。熔融的單質硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金剛石晶格形態排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結合起來，就結晶成多晶硅。
2021-02-24 16:00:0415742 最近做火爆的話題就是多晶硅漲價，不管是行業內還是投資界都在熱議多晶硅漲價，多晶硅漲價也造成了很多奇葩的現像，大家又開始坐不住了，對多晶硅冷嘲熱諷以致死心并強行帶著“三高”帽子的人們，發現風向不對
2021-06-17 14:43:322576 在含HF/HNO 3的溶液中進行酸性蝕刻來實現。酸性溶液各向同性地蝕刻多晶硅晶片，即在所有晶體取向上產生圓形紋理。然而，酸性蝕刻工藝難以控制，并且化學廢物的處理昂貴。 為了克服這種對環境有害的酸性蝕刻工藝，同時保持mc-Si晶片
2022-01-13 14:47:19624 
介紹 本文通過詳細的動力學研究，闡明了在富含HF的高頻/HNO3混合物中對硅的濕式化學蝕刻的機理。蝕刻實驗后，我們進行進行了化學分析并研究了蝕刻速率與溫度、蝕刻劑的硅含量利用率和攪拌速度的函數關系
2022-01-24 15:41:131340 
本文首次提出了由標準SC1/SC2腐蝕周期引起的Si (100)表面改性的證據。SC1/SC2蝕刻(也稱為RCA清洗)通過NH3:H2O2:H2O混合物使硅片氧化，在稀釋的HF中去除氧化物，通過
2022-02-23 14:15:227113 
引言 拋光液中的污染物和表面劃痕、挖掘和亞表面損傷(固態硬盤)等缺陷是激光損傷的主要前兆。我們提出了在拋光后使用HF/HNO3或KOH溶液進行深度濕法蝕刻，以提高熔融石英光學器件在351 nm波長
2022-02-24 16:26:032429 
本文研究了HF、HNO3和H2O體系中硅的蝕刻動力學作為蝕刻劑組成的函數。蝕刻速率與蝕刻劑組成的三軸圖顯示了兩種極端的行為模式。在高硝酸組成的區域，蝕刻速率僅是氫氟酸濃度的函數。在高氫氟酸組成的區域
2022-03-07 15:27:362269 
工藝常用的HF/HNO3混合溶液中加入CH3COOH進行了實驗，通過濕法蝕刻工藝得到的多晶硅晶片的反射率和太陽能電池的光轉換效率變化，試圖為濕法蝕刻找到合適的條件。
2022-03-25 16:33:49516 
我們已經使用“種子層概念”在薄膜太陽能電池的玻璃上形成大晶粒多晶硅(多晶硅)膜，該概念基于薄的大晶粒多晶硅模板(種子層)的外延增厚。由于玻璃襯底，所有工藝步驟都被限制在大約600℃的溫度
2022-04-13 15:24:371392 
濕法刻蝕也稱腐蝕。硅的濕法刻蝕是 MEMS 加工中常用的技術。其中，各向同性 （Isotropic）濕法刻蝕常用的腐蝕劑是由氫氟酸（HF）、硝酸（ HNO3）和乙酸（CH3COOH）組成的混合物
2022-10-08 09:16:323581 DRAM柵工藝中，在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層，然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。
2023-04-07 09:48:162200 硅的堿性刻蝕液：氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺（TMAH）溶液，晶片加工中，會用到強堿作表面腐蝕或減薄，器件生產中，則傾向于弱堿，如SC1清洗晶片或多晶硅表面顆粒，一部分機理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011598 什么是單晶硅，什么是多晶硅，二者究竟是怎么形成的，單晶硅和多晶硅有什么區別，多晶矽與單晶硅的主要差異體現在物理性質方面，主要包括力學性質、電學性質等方面，下面具體來了解下。
2023-06-12 16:44:423984 成太陽能電池板。多晶硅可以將太陽光轉化為電能，并應用于太陽能發電系統，使之成為可再生能源的重要組成部分。 半導體芯片制造：多晶硅是制造集成電路芯片的主要材料之一。通過將多晶硅用于硅晶片制造過程，可以在表面沉
2024-01-23 16:01:47666 香蕉派 BPI-P2 Zero 四核開源物聯網開發板，采用全志H3芯片設計，也可以直接用在H2+,H5芯片方案。Banana Pi BPI-P2 Zero 是一種小巧的物聯網開發板，板子尺寸只有65
2022-09-01 12:18:57
電子發燒友App
工商網監
評論