近年來，半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展迅速，集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。5G 時(shí)代的到來，對射頻器件所用半導(dǎo)體材料提出了新要求。氮化鎵（GaN）由于其大禁帶寬度和高飽和電子遷移率成為該領(lǐng)域的新興材料，在大功率、射頻、高頻微波等應(yīng)用領(lǐng)域具有良好的應(yīng)用前景 。

集成電路產(chǎn)業(yè)是當(dāng)前全球高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心，是發(fā)展戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，對信息化發(fā)展與綜合國力提升具有重要的戰(zhàn)略意義。GaN 射頻功放技術(shù)對5G 通信意義重大。5G MIMO 架構(gòu)基站 GaN 功放及射頻芯片 95% 的市場，被 CREE、博通等射頻巨頭壟斷。5G 產(chǎn)品的變頻較高，GaN 器件工作時(shí)電流大、功率高，溫度可達(dá) 250 ℃，因此封裝結(jié)構(gòu)的散熱設(shè)計(jì)非常重要。此外，GaN 功率器件采用金屬或陶瓷封裝，成本較高。因此，在保證性能和可靠性的條件下，采用塑封技術(shù)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品成本降低是其商用的前提條件。本文將以一款 GaN 雙邊扁平無引腳封裝（Dual Flat No-lead，DFN）的開發(fā)為例，圍繞 GaN 器件的封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、塑封材料選擇、封裝工藝優(yōu)化、封測中常見的問題分析與解決進(jìn)行闡述。1　封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)5G 宏基站超大功率 GaN 射頻功放電路在工作狀態(tài)下的管芯溫度可達(dá) 160 ～ 230 ℃，功耗達(dá) 80 W，損失功耗可達(dá) 500 W［3］。對于塑封封裝來說，如果不能及時(shí)釋放過高的熱量，塑封體內(nèi)溫度會進(jìn)一步上升。溫度變化會影響導(dǎo)體的導(dǎo)電性，從而影響射頻信號的穩(wěn)定性。同時(shí)，熱量積聚，溫度會持續(xù)上升，導(dǎo)致封裝材料受熱膨脹。不同材料的膨脹系數(shù)會有所差異，如銅材膨脹系數(shù)為 0.167×10-4/℃，樹脂的膨脹系數(shù)為10-6/℃。膨脹系數(shù)差異會產(chǎn)生熱應(yīng)力，當(dāng)熱應(yīng)力超出芯片能承受的最大彈性模量時(shí)，會發(fā)生芯片開裂 。為了提高功率器件的熱可靠性，需要分析器件的熱源集中區(qū)域，并通過優(yōu)化設(shè)計(jì)及時(shí)散發(fā)器件產(chǎn)生的熱量，避免燒毀芯片，提升器件橫向和縱向的散熱通道和能力，快速降低器件核心發(fā)熱區(qū)域結(jié)溫。1.1　異構(gòu)封裝設(shè)計(jì)方案中的 GaN 塑封結(jié)構(gòu)如圖 1 所示，尺寸如表 1所示。采用異結(jié)構(gòu)材料進(jìn)行封裝，實(shí)現(xiàn)器件內(nèi)部發(fā)熱單元高熱導(dǎo)率散熱結(jié)構(gòu)的異構(gòu)集成，保證器件封裝過程中內(nèi)部核心發(fā)熱單元與封裝散熱單元建立良好的散熱通道。以厚銅板作為散熱片，薄銅材作為引線管腳通過鉚接技術(shù)實(shí)現(xiàn)互聯(lián)形成穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)。保證良好的散熱性，同時(shí)能進(jìn)行熱吸收。芯片與散熱片連接材料選用具有高導(dǎo)熱性的燒結(jié)銀膠。

1.2　防潮結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)在塑封封裝器件中，潮氣侵入會導(dǎo)致電路發(fā)生化學(xué)腐蝕，從而導(dǎo)致封裝失效。為了提高該封裝的潮敏等級，防止水汽的侵入，散熱片底面設(shè)置多臺階，散熱片正面設(shè)計(jì)有鎖定溝槽。這樣不僅能防止水汽侵入，而且可以加大底部散熱片與樹脂的結(jié)合力。1.3　棕化設(shè)計(jì)使用塑料封裝替代原有的金屬陶瓷封裝，成本低，可推廣性好，且能實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代。但是，由于氮化鎵器件高功率密度的特點(diǎn)，其工作溫度高，對產(chǎn)品可靠性要求高。因此，在引線框架上使用特別設(shè)計(jì)，增加棕化工藝，提高表面粗糙度，增大框架與環(huán)氧樹脂的接觸面積，達(dá)到提高產(chǎn)品可靠性的目的。2　塑封材料及工藝集成電路塑封工藝是指將高溫熔融的環(huán)氧樹脂填充到特定的模具中，對芯片進(jìn)行包覆。集成電路塑封封裝與金屬或陶瓷封裝相比，成本低，適于自動化生產(chǎn)。但是，由于塑封封裝屬于非氣密或半氣密封裝，抗潮濕性較差，且熱穩(wěn)定性不佳。隨著塑料封裝的模塑材料、引線框架和生產(chǎn)工藝已經(jīng)不斷完善和改進(jìn)，塑封封裝在集成器件中得到了廣泛采用。環(huán)氧樹脂模塑料（Epoxy Molding Compound，EMC）是一種熱固性材料，由環(huán)氧樹脂、固化劑、固化促進(jìn)劑、填料以及其他改性成分共同組成，在塑封封裝材料中應(yīng)用最廣泛，具有絕緣性良好、耐腐蝕性強(qiáng)、粘接強(qiáng)度高以及力學(xué)性能良好等優(yōu)點(diǎn)。2.1　高玻璃化溫度 Tg 低應(yīng)力的環(huán)氧樹脂的優(yōu)化GaN 射頻功放塑封器件工藝要求高，飽和功率輸出達(dá)到 200 W，器件核心溝道溫度達(dá)到 200 ℃以上，而常規(guī)塑封料 Tg 溫度只能達(dá)到 130 ℃。為了滿足GaN 器件高溫工作條件，應(yīng)對塑封料材料成分、比例、固化條件和固化應(yīng)力釋放等多種參數(shù)進(jìn)行研究和優(yōu)化設(shè)計(jì)，保證高溫條件下材料良好的散熱。材料成分穩(wěn)定，且高溫材料間應(yīng)力控制在正常水平，器件內(nèi)部不出現(xiàn)分層現(xiàn)象。同時(shí)，為了滿足背部應(yīng)力要求，選用低應(yīng)力高 Tg 的塑封樹脂，并在散熱片正面做凹槽，減少塑封應(yīng)力。使用的環(huán)氧樹脂 Tg 高達(dá) 160 ℃，通過熱分析技術(shù)對不同模塑料的聚合程度、熱膨脹系數(shù)、玻璃化溫度 Tg 以及剪切模量等進(jìn)行測量優(yōu)化。結(jié)合封裝過程參數(shù)，優(yōu)化塑封后集成芯片翹曲程度和塑封流道，以適應(yīng)高頻高功率的氮化鎵器件的使用需求。2.2　塑封工藝在注塑工藝過程中，塑封料的組分不僅決定塑封料的性能，還決定塑封器件的可靠性。此外，塑封料的注塑工藝對塑封后器件的翹曲變形和鍵合絲的偏移有直接影響。因此，需要結(jié)合塑封料和注塑工藝對塑封器件的可靠性進(jìn)行整體分析并進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，以提高塑封器件的可靠性。3　GaN 封裝工藝流程及異常處理3.1　塑封工藝流程GaN 器件 DFN 塑封工藝流程如圖 2 所示。先是晶圓通過劃片工藝后被切割為小的晶片（Die），然后將晶片安裝到引線框架上。GaN 裝片前先進(jìn)行了一次裝片和固化，待 GaN 裝片固化完成后進(jìn)行等離子清洗，接著引線鍵合，以保證芯片端子與框架引腳的電通路與信號通路，再對獨(dú)立的晶片用環(huán)氧樹脂塑封。塑封后還要進(jìn)行電鍍、打印以及切割等步驟，封裝完成后進(jìn)行測試和檢查，最后包裝出貨。

3.2 GaN 裝片膠空洞問題分析空洞會影響產(chǎn)品導(dǎo)電性能和散熱性能，特別是產(chǎn)品溫度較高點(diǎn)出現(xiàn)銀膠空洞會嚴(yán)重影響器件性能甚至損壞器件。GaN 大功率器件具有超高的能量密度，對產(chǎn)品空洞提出了極為嚴(yán)苛的要求。設(shè)計(jì)中的 GaN 產(chǎn)品裝片后發(fā)現(xiàn)裝片膠空洞，如圖 3 所示。GaN 芯片位置淺色不規(guī)則形狀為裝片膠空洞，空洞面積率超過 30%。裝片膠空洞會影響產(chǎn)品的電性能和熱性能，需要改善解決。抽取空洞產(chǎn)品，測量產(chǎn)品的膠厚（BLT）和芯片傾斜度，發(fā)現(xiàn)空洞產(chǎn)品的膠很薄，平均厚度約在8 μm，芯片傾斜度無異常。通過與裝片膠供應(yīng)商的技術(shù)人員確認(rèn)材料屬性后，判斷裝片膠厚度太薄造成產(chǎn)品出現(xiàn)空洞。選取不同裝片膠厚進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，對比空洞結(jié)果得出增加膠厚到 30 μm 以上可以明顯減少空洞的結(jié)果。考慮膠中溶劑的揮發(fā)性，參考供應(yīng)商推薦的固化溫度曲線，設(shè)定固化烘箱的溫度曲線，可將 GaN 裝片膠空洞面積率控制在 5% 以內(nèi)。GaN 芯片膠厚越大，芯片的傾斜會相應(yīng)增加，需要適當(dāng)放松對芯片的傾斜度控制。可見，在 GaN 塑封工藝中，選用燒結(jié)銀膠替代傳統(tǒng)銀膠，同時(shí)優(yōu)化裝片工藝參數(shù)，設(shè)置合適的固化曲線，可大幅降低空洞風(fēng)險(xiǎn)。3.3　分層問題分析在 GaN 塑封 DFN6.5×7-6 產(chǎn)品開發(fā)過程中，打樣后基島邊緣和切割道邊緣的外管腳有分層現(xiàn)象，如圖 4 所示。觀察分層情況，基島邊緣都是裸銅，中間鍍銀，分層都在裸銅框架那一圈，由此可推測造成分層的原因在于裸銅氧化和銅剝離。根據(jù) IQC 來料檢驗(yàn)的高溫銅剝離實(shí)驗(yàn)，可排除銅剝離問題，因此裸銅氧化應(yīng)該是基島邊緣分層的根本原因。

優(yōu)化設(shè)置烘箱程序，并將切割刀片尺寸和轉(zhuǎn)速調(diào)整到最佳，解決了烘烤后的銅氧化問題，但切割后仍然存在基島邊緣分層和切割外管腳分層現(xiàn)象。經(jīng)分析，可能是鍵合溫度太高導(dǎo)致框架氧化，且該產(chǎn)品 38 根線，焊線速度比普通的 DFN/QFN 焊線速度慢一半，因此同一單元的產(chǎn)品在加熱塊上加熱的時(shí)間會比普通的 DFN/QFN 產(chǎn)品多一倍。因此，改用單列壓板鍵合，減少產(chǎn)品在加熱塊上加熱時(shí)間 ；將鍵合溫度由 200 ℃調(diào)整到 180 ℃，盡量減少框架的氧化 ；塑封、電鍍后產(chǎn)品掃描無分層問題，切割后除了切長邊的第 1 刀有 6 粒外管腳分層外，其余部位無分層現(xiàn)象，如圖 5所示。

4　結(jié)語以一款 GaN 射頻功率器件 DFN 封裝工藝為例，給出其異構(gòu)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、塑封材料選擇、封裝制造流程、空洞和分層問題的討論和分析。然而，GaN 作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，在封裝制造領(lǐng)域仍有許多技術(shù)有待進(jìn)一步探究。今后需針對 GaN 裝片作業(yè)高精度要求進(jìn)行工藝和平行線弧的間距、精度高要求的制程工藝設(shè)計(jì)，以優(yōu)化大功率 GaN 芯片的高熱導(dǎo)和高電導(dǎo)要求的裝片工藝。

原文標(biāo)題：氮化鎵功率器件塑封工藝技術(shù)研究

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