引言 ? 光刻膠又稱“光致抗蝕劑”或“光阻劑”，被廣泛應用于光電信息產業的微細圖形線路的加工制作，是微納制造技術的關鍵性材料。 光刻膠是光刻工藝最重要的耗材，其性能決定了加工成品的精密程度和良品率
2022-04-25 17:35:22
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關鍵詞：氧氣、微氣泡、光刻膠、高劑量離子注入、氣水界面 介紹? ??? 微氣泡是一種很有前途的環保光刻膠去除方法的候選方法。已經證明，臭氧微氣泡可以去除硅片上的光刻劑，即使被高劑量的離子注入破壞
2022-01-10 11:37:131396 
關鍵詞:超臨界清洗，離子注入光刻膠，光刻膠剝離 摘要 本文提出了一種有效的、環保的干剝離方法，使用超臨界二氧化碳(SCCO2)系統，在40℃到100℃和壓力從90巴到340巴時去除離子植入的光刻
2022-01-27 14:07:432203 
硫酸(H2SO4)和過氧化氫(H2O2)混合物(SPM)用于各種濕法清洗工藝步驟。表2.1顯示了SPM的一些常見清潔和表面處理順序:
2022-07-11 17:26:015100 
盡管存在從流變學角度描述旋涂工藝的理論，但實際上光刻膠厚度和均勻性隨工藝參數的變化必須通過實驗來確定。光刻膠旋轉速度曲線（圖 1-3）是設置旋轉速度以獲得所需抗蝕劑厚度的重要工具。最終抗蝕劑厚度在旋轉速度的平方根上變化，大致與液體光致抗蝕劑的粘度成正比。
2022-08-25 17:12:541021 
光刻膠為何要謀求國產替代？中國國產光刻膠企業的市場發展機會和挑戰如何？光刻膠企業發展要具備哪些核心競爭力？在南京半導體大會期間，徐州博康公司董事長傅志偉和研發總監潘新剛給我們帶來前沿觀點和獨家分析。
2022-08-29 15:02:235918 
，增幅11.11%。 ? 截圖自企查查 ? 光刻膠是芯片制造中光刻環節的重要材料，目前主要被日美把控，國內在光刻膠方面投入研制的廠商主要晶瑞股份、南大光電、上海新陽、徐州博康、北京科華等，那么華為投資的徐州博康在光刻膠方面有何優勢，國內廠商在光
2021-08-12 07:49:005380 電子發燒友原創 章鷹 ? 近日，全球半導體市場規模增長帶動了上游半導體材料旺盛需求，“光刻膠”的突破也成為國內關注焦點。正當日本光刻膠企業JSR、東京應化和美國Lam Research在EUV光刻膠
2022-08-31 07:45:002718 的圖案。在"刻蝕"過程中，晶圓被烘烤和顯影，一些光刻膠被洗掉，從而顯示出一個開放通道的3D圖案。刻蝕工藝必須在不影響芯片結構的整體完整性和穩定性的情況下，精準且一致地形成導電特征
2022-04-08 15:12:41
有人知道 為什么光刻完事 剝離那么容易脫落呢 怎么避免呢
2012-06-26 12:40:30
介質層上的光致抗蝕劑薄層上。 ②刻蝕工藝：利用化學或物理方法，將抗蝕劑薄層未掩蔽的晶片表面或介質層除去，從而在晶片表面或介質層上獲得與抗蝕劑薄層圖形完全一致的圖形。集成電路各功能層是立體重疊的，因而光刻工藝
2012-01-12 10:51:59
一、光刻膠的選擇光刻膠包括兩種基本的類型：正性光刻和負性光刻，區別如下
2021-01-12 10:17:47
關于光刻工藝的原理，大家可以想象一下膠片照片的沖洗，掩膜版就相當于膠片，而光刻機就是沖洗臺，它把掩膜版上的芯片電路一個個的復制到光刻膠薄膜上，然后通過刻蝕技術把電路“畫”在晶圓上。 當然
2020-07-07 14:22:55
SU-8光刻膠 SU-8光刻膠克服了普通光刻膠采用UV光刻深寬比不足的問題，在近紫外光（365nm-400nm）范圍內光吸收度很低，且整個光刻膠層所獲得的曝光量均勻一致，可得到具有垂直側壁和高深寬比
2018-07-12 11:57:08
，該分布范圍越窄，光刻膠的性能越好。 ③ 抗刻蝕性能。光刻膠在集成電路制造工藝中的抗刻蝕性能主要有兩個 [6]：一是耐化學腐蝕性。 光刻膠在印制各層電路圖形于Si片及其他薄膜層上時，需把圖形保留
2018-08-23 11:56:31
光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，它受到光照后特性會發生改變。光刻膠主要用來將光刻掩膜版上的圖形轉移到晶圓片上。光刻膠有正膠和負膠之分。正膠經過曝光后，受到光照的部分變得容易溶解，經過顯影后被
2019-11-07 09:00:18
這是我的版圖一部分，然后生成了圖案是這樣的： 感覺間距小的地方全都有殘留，間距大的地方沒有殘留；工藝參數：s9920光刻膠， evg 620‘未進行蒸汽底漆層涂覆，前烘：100攝氏度，90s
2016-11-29 14:59:18
AL-CU互連導線側壁孔洞形成機理及改進方法側壁孔洞缺陷是當前Ａｌ?Ｃｕ 金屬互連導線工藝中的主要缺陷之一。此種缺陷會導致電遷移，從而降低器件的可靠性。缺陷的產生是由于在干法等離子光刻膠去除工藝
2009-10-06 09:50:58
半導體制造領域的標志：NR9-PY 系列負性光刻膠，適用于lift-off工藝；具有高效粘附性，高反應速度并耐高溫性能好。 NR71-PY 系列 負性光刻膠，適用于lift-off工藝，耐高溫性能好
2010-04-21 10:57:46
高壓氣）l主要原物料、輔料擴散片、顯影液、定影液、剝離液、二甲苯、結合粉、結合劑、光刻膠、鹽酸、硝酸、發煙硝酸、冰醋酸、鎳組、（鍍金水）、IPA、丙酮、玻璃粉 歡迎討論交流，QQ：490815421
2011-05-13 22:01:41
`浮膠是顯影或腐蝕過程中常出現的一種不良現像，也是影響較為嚴重的一種光刻弊病。顯影時產生的浮膠 在顯影時，玻璃表面的膠膜皺起呈桔皮狀或膠膜大片剝離。產生這一現像，說明膠膜與玻璃表面ITO層粘附不好
2018-11-22 16:04:49
的雜質和油污洗凈，然后把水除去并干燥，保證下道工藝的加工質量。C. 涂光刻膠：在ITO玻璃的導電層面上均勻涂上一層光刻膠，涂過光刻膠的玻璃要在一定的溫度下作預處理。D. 前烘：在一定的溫度下將涂有
2019-07-16 17:46:15
、芯片封裝和微加工等領域。目前，直接采用 SU- 8 光刻膠來制備深寬比高的微結構與微零件已經成為微加工領域的一項新技術。SU 8光刻膠光刻前清洗工藝：為了獲得更好的光刻效果，在進行光刻膠旋涂之前，需要
2018-07-04 14:42:34
lithography是一種平板印刷技術，在平面光波回路的制作中一直發揮著重要的作用。具體過程如下：首先在二氧化硅為主要成分的芯層材料上面，淀積一層光刻膠；使用掩模版對光刻膠曝光固化，并在
2018-08-24 16:39:21
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學蝕刻過程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓[/td][td]編號：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網址：http
2021-07-06 09:39:22
步驟：光刻：通過在晶片表面涂上均勻的薄薄一層粘性液體（光刻膠）來定義圖案的過程。光刻膠通過烘烤硬化，然后通過光穿過包含掩模信息的掩模版進行投射而選擇性地去除。蝕刻：從晶片表面選擇性地去除不需要的材料
2021-07-08 13:13:06
版與硅片之間的距離較遠,可以完全避免對掩膜版的損傷.為了提高分辨率,在投影式暴光中,每次只暴光硅片的一小部分,然后利用掃描和分步重復的方法完成整個硅片的暴光.在現代集成電路工藝中,使用最多的光刻系統
2012-01-12 10:56:23
噴膠機是現代光電子產業中光刻膠涂布的重要設備。可對不同尺寸和形狀的基片進行涂膠，最大涂膠尺寸達8寸，得到厚度均勻的光刻膠層，同時可對大深寬比結構的側壁進行均勻涂膠；通過計算機系統控制器進行工藝參數的編輯和操作。
2020-03-23 09:00:57
圖形反轉工藝用于金屬層剝離的研究研究了ＡＺ?５２１４ 膠的正、負轉型和形成適用于剝離技術的倒臺面圖形的工藝技術。用掃描電鏡和臺階儀測試制作出的光刻膠斷面呈倒臺面，傾角約為６０°，膠厚１?４μｍ。得到
2009-10-06 10:05:30
本人是菜鳥 需要在玻璃上光刻普通的差值電極 以前一直在硅片上面光刻 用的光刻膠是AZ5214E 正膠 同樣的工藝和參數在玻璃上附著力差了很多 懇請哪位高人指點一下PS 插值電極的距離為25微米 小女子這廂謝過了
2010-12-02 20:40:41
一．工藝流程簡述： 前段工位： ITO 玻璃的投入（grading）—— 玻璃清洗與干燥（CLEANING）——涂光刻膠（PR COAT）——前烘烤（PREBREAK）——曝光（DEVELOP
2016-06-30 09:03:48
的脫落以及防止濕法腐蝕時產生側面腐蝕(side etching)。光刻膠的涂敷是用轉速和旋轉時間可自由設定的甩膠機來進行的。首先、用真空吸引法將基片吸在甩膠機的吸盤上，將具有一定粘度的光刻膠滴在基片的表面
2019-08-16 11:11:34
是使用化學或者物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過程。通常的晶圓加工流程中，刻蝕工藝位于光刻工藝之后，有圖形的光刻膠層在刻蝕中不會受到腐蝕源的顯著侵蝕，從而完成圖形轉移的工藝步驟。刻蝕環節是復制
2020-07-07 11:36:10
求大神告知，為什么在我光刻鍍膜完之后用丙酮剝離金屬老掉呢？
2018-08-19 19:08:42
有一種可剝離防焊膠主要應用于什么工藝生產環節上？產品介紹說主要應用在PCB波峰焊/回流焊，但許多生產車間里不知道或者根本不用這樣的產品；請技術大神可以回答，謝謝！
2021-06-08 16:37:08
151n光刻膠曝光顯影后開口底部都會有一撮殘留，找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52
PMT-2離線光刻膠微粒子計數器是一款新型液體顆粒監測儀器。采用激光光散或光阻原理的顆粒檢測傳感器，可以對超純水、自來水、飲用水、去離子水、礦泉水、蒸餾水、無機化學品、有機化學品、有機溶劑、清洗劑
2022-12-14 10:44:24
PMT-2在線光刻膠液體粒子計數器，采用英國普洛帝核心技術創新型的第八代雙激光窄光顆粒檢測傳感器，雙精準流量控制-精密計量柱塞泵和超精密流量電磁控制系統，可以對清洗劑、半導體、超純水
2023-01-03 15:54:49
光刻膠（光敏膠）進行光刻，將圖形信息轉移到基片上，從而實現微細結構的制造。光刻機的工作原理是利用光學系統將光線聚焦到光刻膠上，通過掩膜版（也稱為光刻掩膜）上的圖形
2023-07-07 11:46:07
光刻膠與光刻工藝技術 微電路的制造需要把在數量上精確控制的雜質引入到硅襯底上的微小 區域內,然后把這些區域連起來以形成器件和VLSI電路.確定這些區域圖形 的工藝是由光刻來完成的,也就是說,首先在硅片上旋轉涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
0 這是一種老式的旋轉涂膠機，將芯片上涂上光刻膠然后將芯片放到上邊，可以通過機器的旋轉的力度將光刻膠均勻分布到芯片表面，光刻膠只有均勻涂抹在芯片表面，才能保證光刻的成功。
2018-05-17 14:39:3718498 干膜光刻膠是由預先配制好的液態光刻膠（Photoresist）在精密的涂布機上和高清潔度的條件下均勻涂布在載體聚酯薄膜（PET膜）上，經烘干、冷卻后，再覆上聚乙烯薄膜（PE膜），收卷而成卷狀的薄膜型光刻膠。
2019-01-30 16:49:1410706 
Mattson Technology Inc.表示，它正與歐洲IMEC合作位于比利時魯汶的微電子研發中心共同開發新的光刻膠和殘留物去除工藝。
2019-08-13 10:15:107843 隨著電子信息產業發展的突飛猛進，光刻膠市場總需求不斷提升。2019年全球光刻膠市場規模預計接近90億美元，自2010年至今CAGR約5.4%，預計未來3年仍以年均5%的速度增長，預計至2022年全球光刻膠市場規模將超過100億美元。
2020-03-01 19:02:484098 光刻膠按應用領域分類，大致分為LCD光刻膠、PCB光刻膠（感光油墨）與半導體光刻膠等。按照下游應用來看，目前LCD光刻膠占比26．6%，刻膠占比24．5%，半導體光刻膠占比24．1%，PCB光其他類光刻膠占比24．8%。
2020-06-12 17:13:395380 來源：浙商證券研究院 光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對光敏感的混合液體。其組成部分包括：光引發劑（包括光增感劑、光致產酸劑）、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑。光刻膠可以通過光化學反應，經曝光、顯影
2020-09-15 14:00:1416535 全球光刻膠市場規模從2016 年的15 億美元增長至2019年的18億美元，年復合增長率達6.3%；應用方面，光刻膠主要應用在PCB、半導體及LCD顯示等領域，各占約25%市場份額。
2020-09-21 11:28:043290 
光刻膠是由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成份組成的、對光敏感的混合液體。利用光化學反應，經曝光、顯影、刻蝕等工藝將所需要的微細圖形從掩模版轉移到待加工基片上的圖形轉移介質，其中曝光是通過紫外光
2022-12-06 14:53:541238 此外，由于光刻加工分辨率直接關系到芯片特征尺寸大小，而光刻膠的性能關系到光刻分辨率的大小。限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效應。光刻分辨率與曝光波長、數值孔徑和工藝系數相關。
2020-10-15 15:09:186447 的可靠性、生產率和靈活性。 光刻膠剝離過去一直被認為是技術含量較低的工藝。然而，隨著3D架構、雙重圖形化技術、多層罩式掩膜和高劑量植入剝離（HDIS）等新技術的出現，光刻膠剝離工藝的復雜度也在不斷提升。目前來看，在300mm晶圓領域的高級存儲和邏輯節點上，很
2020-11-26 15:48:251813 光刻膠是微納加工過程中非常關鍵的材料。有專家表示，中國要制造芯片，光有光刻機還不夠，還得打破國外對“光刻膠”的壟斷。
2020-12-08 10:53:564168 ? 導 讀 日前，南大光電公告稱，由旗下控股子公司寧波南大光電材料自主研發的 ArF 光刻膠產品成功通過客戶使用認證，線制程工藝可以滿足 45nm-90nm光刻需求。 圖：南大光電公告 ? 公告
2020-12-25 18:24:096227 光刻是集成電路工藝中的關鍵性技術。在硅片表面涂上光刻膠薄層，經過光照、顯影，在光刻膠上留下掩模版的圖形。
2021-04-09 14:27:1963 由于KrF光刻膠產能受限以及全球晶圓廠積極擴產等，占據全球光刻膠市場份額超兩成的日本供應商信越化學已經向中國大陸多家一線晶圓廠限制供貨KrF光刻膠，且已通知更小規模晶圓廠停止供貨KrF光刻膠
2021-06-25 16:12:28784 5月27日，半導體光刻膠概念股開盤即走強，截至收盤，A股光刻膠板塊漲幅達6.48%。其中晶瑞股份、廣信材料直線拉升大漲20%封漲停，容大感光大漲13.28%，揚帆新材大漲11.37%，南大光電
2021-05-28 10:34:152623 的、顆粒的、會影響光刻膠的厚度。 涂膠：根據工藝要求，目前常用的兩種涂膠工藝，一個就是旋轉涂覆、一個就是噴涂。根據工藝要求和光刻膠的性能、可以有不同厚度的光刻膠。 前烘：就比較講究了，因為這東西肉眼看不見變化。只有最后
2021-10-13 10:59:423893 
光刻膠是光刻機研發的重要材料，換句話說光刻機就是利用特殊光線將集成電路映射到硅片的表面，如果想要硅片的表面不留下痕跡，就需要網硅片上涂一層光刻膠。
2022-02-05 16:11:0011281 待加工基片上。其被廣泛應用于光電信息產業的微細圖形線路的加工制作，是微細加工技術的關鍵性材料。 一言以蔽之，光刻膠是光刻工藝最重要的耗材，其性能決定了加工成品的精密程度和良品率，而光刻工藝又是精密電子元器件制造
2022-01-20 21:02:461208 
摘要 我們華林科納提出了一種新型的雙層光阻劑方法來減少負光阻劑浮渣。選擇正光刻膠作為底層抗蝕劑，選擇負光刻膠作為頂層抗蝕膠。研究了底層抗蝕劑的粘度和厚度對浮渣平均數量的影響。實驗表明，低粘度正光刻膠
2022-01-26 11:43:22687 
摘要 新的全濕剝離工藝在去除高度注入的光刻膠時不需要干等離子體灰化工藝，同時保持低缺陷水平和至少相當于記錄工藝的高產量性能。灰化步驟的消除減少了不希望的基板損壞和材料損失，改善了周期時間，釋放
2022-03-01 14:39:431351 
類型和智能流體?配方發生反應，將最有希望的組合進行到第二階段進行深入研究。后續實驗結果證明了通過改變工藝溫度設置和添加兆聲能來優化工藝參數。通過目視檢查和接觸角測量來量化光刻膠剝離結果。 介紹 光刻膠材料的去
2022-03-03 14:20:05452 
什么是光刻？光刻是將掩模上的幾何形狀轉移到硅片表面的過程。光刻工藝中涉及的步驟是晶圓清洗；阻擋層的形成；光刻膠應用；軟烤；掩模對準；曝光和顯影；和硬烤。
2022-03-15 11:38:02850 
本文提出了一種新型的雙層光阻劑方法來減少負光阻劑浮渣。選擇正光刻膠作為底層抗蝕劑，選擇負光刻膠作為頂層抗蝕膠。研究了底層抗蝕劑的粘度和厚度對浮渣平均數量的影響。實驗表明，低粘度正光刻膠AZ703
2022-03-24 16:04:23756 
，用于抗蝕劑剝離和有機物去除，以消除化學霧的形成。然而，已經表明基于 DIO3 的剝離和清潔工藝會導致光掩模材料的氧化降解。這種材料損壞會影響功能掩模層的光學特性，導致 CD 線寬、相位、透射和反射變化，對光刻過程中的圖像傳輸產生不利影響。
2022-03-30 14:32:31564 
本文一般涉及處理光掩模的領域，具體涉及用于從光掩模上剝離光致抗蝕劑和/或清洗集成電路制造中使用的光掩模的設備和方法。
2022-04-01 14:26:37610 
本發明涉及一種去除光刻膠的方法，更詳細地說，是一種半導體制造用光刻膠去除方法，該方法適合于在半導體裝置的制造過程中進行吹掃以去除光刻膠。在半導體裝置的制造工藝中，將殘留在晶片上的光刻膠，在H2O
2022-04-13 13:56:42872 
雖然通過蝕刻的結構化是通過(例如抗蝕劑)掩模對襯底的全表面涂層進行部分腐蝕來完成的，但是在剝離過程中，材料僅沉積在不受抗蝕劑掩模保護的位置。本文章描述了獲得合適的抗蝕劑掩模的要求、涂層方面的問題，以及最終去除其沉積材料的抗蝕劑掩模。
2022-05-12 15:42:441986 
本文章介紹了我們華林科納一種光刻膠剝離用組合物，該組合物不僅對離子注入工藝后或離子注入工藝和高溫加熱工藝后硬化或變質為聚合物的光刻膠具有良好的去除力，而且使膜質腐蝕性最小化。半導體工藝中離子注入工藝
2022-07-01 15:16:081442 
灰化，簡單的理解就是用氧氣把光刻膠燃燒掉，光刻膠的基本成分是碳氫有機物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發生化學反應，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通過泵被真空抽走，完成光刻膠的去除。
2022-07-21 11:20:174871 光刻膠產品說明英文版資料分享。
2022-08-12 16:17:252 南大光電最新消息顯示，國產193nm（ArF）光刻膠研發成功，這家公司成為通過國家“02專項”驗收的ArF光刻膠項目實施主體；徐州博康宣布，該公司已開發出數十種高端光刻膠產品系列，包括
2022-08-31 09:47:141285 光刻膠的組成：樹脂（resin/polymer），光刻膠中不同材料的粘合劑，給與光刻膠的機械與化學性質（如粘附性、膠膜厚度、熱穩定性等）；感光劑，感光劑對光能發生光化學反應；溶劑（Solvent
2022-10-21 16:40:0415831 光刻膠經曝光后，其化學性質會發生改變。更準確地說，經曝光后，光刻膠在顯影液中的溶解度發生了變化：曝光后溶解度上升的物質稱作正性（Positive）光刻膠，反之則為負性（Negative）光刻膠。
2023-01-31 15:59:491222 此前該公司指出，公司已建成年產5噸ArF干式光刻膠生產線、年產20噸ArF浸沒式光刻膠生產線及年產45噸的光刻膠配套高純試劑生產線，具備ArF光刻膠及配套關鍵組分材料的生產能力，目前公司送樣驗證的產品均由該自建產線產出。
2023-04-11 09:25:32920 新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環境中開發，必須通過精心設計的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進行優化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰，imec 最近開發了一個新的工具箱來匹配光刻膠和底層的屬性。
2023-04-13 11:52:121165 光刻膠可以通過光化學反應，經曝光、顯影等光刻工序將所需要的微細圖形從光罩（掩模版）轉移到待加工基片上。依據使用場景，這里的待加工基片可以是集成電路材料，顯示面板材料或者印刷電路板。
2023-05-11 16:10:492775 
半導體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:541223 
金屬圖案的剝離方法已廣泛應用于各種電子器件的制造過程中，如半導體封裝、MEMS和LED的制造。與傳統的金屬刻蝕方法不同的是，采用剝離法的優點是節省成本和工藝簡化。在剝離過程中，經過涂層、曝光和開發過程后，光刻膠會在晶片上形成圖案。
2023-10-25 10:40:05189 
光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體，不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項重要指標。那么光刻膠的黏度為什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻膠算高黏度，哪些算低黏度呢？
2023-11-13 18:14:11571 
20日，西隴科學（株）發布公告稱，該公司沒有生產銷售礦產品。公司生產及銷售用于清洗劑、顯影液、剝離液等的光刻膠，占公司營業收入的比例，是目前用于上述用途的光刻膠配套。
2023-11-21 14:54:57315 KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進行光刻的光刻膠。248nmKrF光刻技術已廣 泛應用于0.13μm工藝的生產中,主要應用于150 , 200和300mm的硅晶圓生產中。
2023-11-29 10:28:50284 
勻膠是光刻中比較重要的一步，而旋涂速度是勻膠中至關重要的參數，那么我們在勻膠時，是如何確定勻膠速度呢？它影響光刻膠的哪些性質？
2023-12-15 09:35:56442 
所謂的“光刻膠”，即是在紫外線、電子束等輻射下，其溶解度會產生變化的耐腐蝕薄膜材料。作為光刻工藝中的關鍵要素，廣泛應用于晶圓和分立器件的精細圖案制作中。其品種繁多，此次漲價涉及的KrF 光刻膠則屬高級別光刻膠，將成為各廠商關注的焦點。
2023-12-28 11:14:34381 光刻膠主要下游應用包括：顯示屏制造、印刷電路板生產、半導體制造等，其中顯示屏是光刻膠最大的下游應用，占比30%。光刻膠在半導體制造應用占比24%，是第三達應用場景。
2024-01-03 18:12:21346 
光刻膠是一種涂覆在半導體器件表面的特殊液體材料，可以通過光刻機上的模板或掩模來進行曝光。
2024-03-04 17:19:18402 與正光刻膠相比，電子束負光刻膠會形成相反的圖案。基于聚合物的負型光刻膠會在聚合物鏈之間產生鍵或交聯。未曝光的光刻膠在顯影過程中溶解，而曝光的光刻膠則保留下來，從而形成負像。
2024-03-20 11:36:50200 
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