(SiC) 場效應晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構，這種架構常見于電動汽車
2022-05-17 11:55:24
2172 
車載充電器、工業電池充電器、工業電源、DC-DC太陽能逆變器等應用。 ? 貿澤電子分銷的UF4C/SC?SiC FET為設計人員提供了多種導通電阻和封裝
2022-06-09 16:44:431659 
SiC FET由UnitedSiC率先制造，現已推出第四代產品。第四代產品改進了單元密度以降低單位面積的導通電阻（RDS.A），運用銀燒結粘接和晶圓減薄技術改進了熱設計，從而盡量減小了到基片的熱阻。
2021-05-19 07:06:003205 
UnitedSiC布將推出四種新型SiC FET，其RDS（ON）值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，適用于電動汽車（EV）逆變器、高功率DC/DC轉換器、大電流電池充電器和固態斷路器等高功率應用。
2019-12-10 13:45:241799 UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共柵”拓撲結構，其內部集成了一個SiC JFET并將之與一個硅MOSFET封裝在一起。
2021-09-14 14:47:19612 
D2PAK-7L 封裝中實現業界卓越的 9mΩ 導通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產品，導通電阻值最高可達 60m
2024-01-31 15:19:34487 
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設備對功率密度
2018-10-23 16:21:49
產品系列包括以下SiC MOSFET：1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ，均采用TO247-3L封裝。其他器件很快將在同一封裝中投入生產，加上類似器件將采用TO247-4L
2019-07-30 15:15:17
和1200VSiC二極管系列涵蓋2A至40A的額定電流，包括工業專用以及汽車認證的AEC-Q101器件，它們采用表面貼裝的DPAKHV（高壓）和D2PAK或通孔TO-220AC和TO-247LL（長引線）封裝
2020-06-30 16:26:30
系列傳感器為設計工程師提供了適用于工業機器視覺應用的2D和3D解決方案，如移動面部識別、智能家居和家電、QR掃描器、AR/VR、無人機、智能可穿戴設備、結構化光視覺等。貿澤電子備貨的Mira220
2023-02-28 09:31:06
相位噪聲超低的Analog Devices ADF5610寬帶頻率合成器正式開售
2020-12-18 07:15:16
`描述此設計采用帶 SiC-FET 的低成本初級側調整 (PSR) IC UCC28700，適用于 300VDC-800VDC 的輸入范圍。產生分別接地的四路輸出：25V/19W、25V/17W
2015-04-28 17:08:04
描述 此設計采用帶 SiC-FET 的低成本初級側調整 (PSR) IC UCC28700，適用于 300VDC-800VDC 的輸入范圍。產生分別接地的四路輸出：25V/19W、25V/17W
2022-09-27 06:03:07
。與此同時，SiC模塊也已開發出采用第3代SiC-MOSFET的版本。“BSM180D12P3C007”就是通過采用第3代SiC-MOSFET而促進實現更低導通電阻和更大電流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
我用的是貿澤上的AD library loaderAD 是18版本的，但是用它加載從貿澤上下的封裝時，時好時壞，壞占大多數根本沒辦法正常加載庫文件...3 這是在線search時出現的問題1.2是用open ECAD時出的問題求救！！！
2019-07-27 22:55:44
TMS320C32的IOSTRB空間中的0x810100h，即SC16C750B的內部寄存器的基地址。 2 TMS320C32的RS232串口軟件功能設計 串口工作模式控制和數據收發都是通過TMS320C
2018-12-20 10:53:25
、六軸動作傳感器、環境光傳感器IC和用于音頻輸入的PDM 麥克風。 Pioneer板基于即將在貿澤電子開售的微控制器。該器件具有物聯網應用所需的超低功耗以及重要安全功能，集成了Arm? Cortex
2018-09-21 11:51:15
業內先進的 AC/DC轉換器IC ，采用 一體化封裝 ，已將1700V耐壓的SiC MOSFET*和針對其驅動而優化的控制電路內置于 小型表貼封裝 （TO263-7L）中。主要適用于需要處理大功率
2022-07-27 11:00:52
充電電路用于輸出電壓經整流后在10ms左右給20uF的儲能大電容充電到750V。充電電路設計為典型UC2843構成的反激充電，pwm波為50kHZ左右，占空比0.45左右，輸入電壓為DC12V，對于
2017-09-29 17:35:51
英飛凌科技股份公司于近日推出了一款車規級基于EDT2技術及EasyPACK? 2B半橋封裝的功率模塊，這款模塊具有更高的靈活性及可擴展性。根據逆變器的具體條件，這款750V的模塊最大可以支撐50kW
2021-11-29 07:42:30
]Nch1700V3.7A35W1.15Ω(Typ.)14nC(Typ.)4A44W57W0.75Ω(Typ.)17nC(Typ.)☆：開發中SCT2H12NZ:1700V高耐壓SiC-MOSFET 重點必看與SiC用AC/DC轉換器控制IC組合，效率顯著提高＜ 相關產品信息 ＞SiC-MOSFETSi-MOSFET
2018-12-05 10:01:25
有誰知道貿澤電子賣的運放里面有假貨嗎？
2020-06-06 15:40:23
CRD-060DD17P-2，采用市售1700V碳化硅（SiC）MOSFET的單端反激式轉換器設計演示板。該設計采用1700V SiC MOSFET，采用新型7LD2PAK表面貼裝封裝，占板面
2019-04-29 09:25:59
了。 固有優勢加上最新進展 碳化硅的固有優勢有很多，如高臨界擊穿電壓、高溫操作、具有優良的導通電阻/片芯面積和開關損耗、快速開關等。最近，UnitedSiC采用常關型共源共柵的第三代SiC-FET器件已經
2023-02-27 14:28:47
在L7812c2t d^2pak封裝上，經常能看到三行標識，分別是l7812c2tgkodj v6chn 327請問第二行第三行那些是什么意思？
2019-06-25 04:36:10
（IPS-RA）4. 航空級智能功率開關（IPS-AA）納/ 微電網與航空電子5.用于奈米／微電網V2G／V2H的高效雙向SiC功率轉換器6.航空電子逆變器。航空電子7. LiPo介面8.引擎控制器- 逆變器該
2019-06-27 04:20:26
柵極驅動特性允許真正“直接替代” Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件。該器件采用 D2PAK-7L 封裝，具有超低柵極電荷和出
2023-05-11 15:28:08
柵極驅動特性允許真正“直接替代” Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件。該器件采用 D2PAK-7L 封裝，具有超低柵極電荷和出
2023-05-11 15:41:16
市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 D2PAK-3L 封裝，具有超低柵極電荷，而且具有同類額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合開關電感
2023-05-11 16:55:02
市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該系列不僅具有超低柵極電荷，而且具有同類額定值器件中最好的反向恢復特性。這些器件采用 D2PAK-3L 封裝，非常適合開關
2023-05-11 17:09:34
Qorvo 的 UJ4C075018K3S 是一款 750 V、18 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-11 17:34:17
Qorvo 的 UJ4C075018K4S 是一款 750 V、18 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-11 17:37:32
Qorvo 的 UJ4C075023B7S 是一款 750 V、23 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-11 17:39:53
Qorvo 的 UJ4C075023K3S 是一款 750 V、23 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-11 17:44:32
Qorvo 的 UJ4C075023K4S 是一款 750 V、23 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-11 17:47:24
Qorvo 的 UJ4C075033B7S 是一款 750 V、33 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-11 17:50:43
Qorvo 的 UJ4C075033K3S 是一款 750 V、33 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-11 17:55:43
封裝，以生產當今市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該系列不僅具有超低柵極電荷，而且具有同類額定值器件中最好的反向恢復特性。這些器件采用 D2PAK-3L 封
2023-05-11 18:01:04
Qorvo 的 UJ4C075033K4S 是一款 750 V、33 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-12 09:20:45
Qorvo 的 UJ4C075044B7S 是一款 750 V、44 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-12 09:23:36
Qorvo 的 UJ4C075044K3S 是一款 750 V、44 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-12 09:26:11
Qorvo 的 UJ4C075044K4S 是一款 750 V、44 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-12 09:28:29
Qorvo 的 UJ4C075060B7S 是一款 750 V、58 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-12 09:35:54
Qorvo 的 UJ4C075060K3S 是一款 750 V、58 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si
2023-05-12 09:38:53
Qorvo 的 UJ4C075060K4S 是一款 750 V、58 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si
2023-05-12 09:41:31
Qorvo 的 UJ4SC075005L8S 是一款 750 V、5.4 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同
2023-05-12 09:58:02
Qorvo 的 UJ4SC075006K4S 是一款 750 V、5.9 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si
2023-05-12 10:14:25
Qorvo 的 UJ4SC075008L8S 是一款 750 V、8.6 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同
2023-05-12 10:22:05
Qorvo 的 UJ4SC075009B7S 是一款 750 V、9 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si
2023-05-12 10:27:07
Qorvo 的 UJ4SC075009K4S 是一款 750 V、9 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-12 10:31:25
Qorvo 的 UJ4SC075011B7S 是一款 750 V、11 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同
2023-05-12 10:39:28
Qorvo 的 UJ4SC075011K4S 是一款 750 V、11 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同
2023-05-12 10:47:32
Qorvo 的 UJ4SC075018B7S 是一款 750 V、18 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同
2023-05-12 10:55:29
Qorvo 的 UJ4SC075018L8S 是一款 750 V、18 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同
2023-05-12 10:58:10
UF3C120080B7S產品簡介Qorvo 的 UF3C120080B7S 1200 V、85 mohm SiC FET 器件基于獨特的級聯電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si
2023-05-12 11:54:23
UF3SC065007K4S產品簡介Qorvo 的 UF3SC065007K4S 650 V、6.7 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于獨特的級聯電路配置，其中常開 SiC JFET
2023-05-12 14:29:40
UF3SC065030B7S產品簡介Qorvo 的 UF3SC065030B7S 650 V、27 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于獨特的級聯電路配置，其中常開 SiC JFET
2023-05-12 14:35:49
UF3SC065040B7S產品簡介Qorvo 的 UF3SC065040B7S 650 V、42 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于獨特的級聯電路配置，其中常開 SiC JFET
2023-05-12 14:41:53
UF3SC120009K4S產品簡介Qorvo 的 UF3SC120009K4S 1200 V、8.6 mohm SiC FET 器件基于獨特的級聯電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si
2023-05-12 14:47:58
UF3SC120016K4S產品簡介Qorvo 的 UF3SC120016K4S 1200 V、16 mohm SiC FET 器件基于獨特的級聯電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si
2023-05-12 14:59:16
UF3SC120040B7S產品簡介Qorvo 的 UF3SC120040B7S 是一款 1200 V、35 mohm RDS(on) SiC FET 器件，基于獨特的級聯電路配置，其中常開 SiC
2023-05-12 15:05:36
UF4SC120023K4S 產品簡介Qorvo 的 UF4SC120023K4S 是一款 1200 V、23 mohm RDS(on) Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵
2023-05-12 15:40:44
UF4SC120030K4S產品簡介Qorvo 的 UF4SC120030K4S 是一款 1200 V、30 mohm RDS(on) Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中
2023-05-12 15:46:12
MOSFET 共同封裝，以生產當今市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 D2PAK-3L 封裝，具有超低柵極電荷，而且具有同類額定值器件中最佳的反向恢
2023-05-12 15:54:18
UJ3C065030T3S產品簡介Qorvo 的 UJ3C065030T3S 是一款 650 V、27 mohm RDS(on) SiC FET 產品，將其高性能第 3 代 SiC JFET
2023-05-12 16:02:53
UJ4SC075018B7S 產品簡介Qorvo 的 UJ4SC075018B7S 是一款 750 V、18 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中
2023-05-12 16:16:38
Qorvo 的 UJ4SC075011B7S 是一款 750 V、11 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同
2023-12-17 10:50:35
Qorvo UF4SC120023B7S G4碳化硅（SiC）FETQorvo UF4SC120023B7S G4碳化硅（SiC）FET是基于獨特的“共源共柵”電路配置的1200V、23mΩ器件
2024-02-26 14:19:32
Qorvo / UnitedSiC UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETUnitedSiC/Qorvo UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC是一款高性能系列產品，提供業界最佳
2024-02-26 19:40:31
UnitedSiC / Qorvo D2-PAK封裝中的UF3C SiC FET采用D2-PAK-3L和D2-PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC / Qorvo UF3C SiC FET
2024-02-26 19:57:09
功率因數校正（PFC）、主動前端整流器、LLC轉換器和相移全橋轉換器的設計人員現在可以通過使用來自UnitedSiC的新型UJ3C1200系列碳化硅（SiC ）結型場效應晶體管（JFET
2018-05-25 16:42:001416 碳化硅（SiC）功率半導體制造商UnitedSiC宣布擴展UF3C FAST產品系列，并推出采用TO-247-4L 4引腳Kelvin Sense封裝的全新系列650 V和1200 V高性能碳化硅
2019-01-01 10:33:003613 碳化硅（SiC）功率半導體制造商UnitedSiC/美商聯合碳化硅股份有限公司 宣布，已經為UJ3C（通用型）和UF3C（硬開關型）系列650V SiC FET新增加了7種新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封裝組合產品。
2019-05-08 09:04:021767 英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET，導通電阻從30m?到350m?，可助力不同功率的工業電源、充電器及伺服驅動器（不同的電流額定值）實現最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:492695 為電源設計選擇初始半導體開關可能是一件繁雜的工作。UnitedSiC的新FET-Jet CalculatorTM可以簡化這項工作并準確預測系統性能。
2021-03-19 09:42:401891 UnitedSiC SiC FET用戶手冊
2021-09-07 18:00:13
17 2020年 750V第四代SiC FET 誕生時，它與650V第三代器件的比較結果令人吃驚，以 6毫歐 器件為例，品質因數RDS?A降了近一半，由于體二極管反向恢復能量，動態損耗也降了近一半。關閉
2022-05-23 17:31:29947 UnitedSiC（現名Qorvo）擴充了其1200V產品系列，將其突破性的第四代SiC FET技術推廣到電壓更高的應用中。
2022-06-06 09:33:573458 
第一款 UJ4SC075006K4S 器件功能非常強大，導通電阻 (R DS(on) ) 僅為 6 mΩ 和 750 V，是 UnitedSiC 九件套 SiC FET MOSFET 系列的一部分
2022-07-29 09:14:20465 
UnitedSiC（現為Qorvo）擴展了其突破性的第4代 SiC FET產品組合, 通過采用TO-247-4引腳封裝的750V/6mOhm SiC FET和采用D2PAK-7L表面貼裝封裝
2022-08-01 12:14:081068 許多人選擇“七”這個數字是因為它的“幸運”屬性，而UnitedSiC選擇它則當然是因為七個引腳非常適合D2PAK半導體封裝。
2022-08-01 14:42:36744 為了滿足設計人員對更高性能、更高效系統的需求，UnitedSiC 宣布了新的 SiC FET，可實現更高水平的設計靈活性，最顯著的是 750 V、6 mΩ 的解決方案，其穩健的短路耐受時間額定值為 5微秒。
2022-08-03 08:04:48908 
UnitedSiC FET-Jet計算器讓為功率設計選擇SiC FET和SiC肖特基二極管變得輕而易舉。設計工程師只需：
2022-10-11 09:03:28556 UnitedSiC（現已被Qorvo收購）750V UJ4C/SC SiC FET，采用D2PAK-7L封裝。UJ4C/SC系列器件是750V碳化硅場效應晶體管（SiC FET），借助D2PAK-7L封裝選項提供低開關損耗、在更高速度下提升效率，同時提高系統功率密度。
2022-10-27 16:33:29739 CleanWave200采用UnitedSiC共源共柵FET，能夠在100kHz的頻率下實現99.3%的系統能效，且每個開關位置并聯三個器件。
2022-12-12 09:25:09446 在電源轉換這一語境下，性能主要歸結為兩個互為相關的值：效率和成本。仿真結果和應用實例表明，SiC FET 可以顯著提升電源轉換器的性能。了解更多。 這篇博客文章最初由 United Silicon
2023-02-08 11:20:01403 比較SiC開關的數據手冊可能很困難。SiC MOSFET在導通電阻溫度系數較低的情況下似乎具有優勢，但與UnitedSiC FET相比，這表明潛在的損耗更高，整體效率低下。
2023-02-21 09:24:56592 
來源：Qorvo 近日，全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo? 宣布，將展示一種全新的無引線表面貼裝 (TOLL) 封裝技術，其高性能具體表現在：750V SiC FET 擁有全球最低
2023-03-22 16:13:20581 全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo 將展示一種全新的表面貼裝 TO- 無引線（TOLL）封裝技術，用于其高性能 5.4（mΩ）750V SiC FETs。這是 TOLL 封裝中發
2023-04-11 15:55:09493 是一家領先的碳化硅 (SiC) 功率半導體制造商，它的加入促使 Qorvo 將業務擴展到電動汽車 (EV)、工業電源、電路保護、
2023-05-17 12:05:02259 
英飛凌推出采用TO-247PLUS SMD封裝的EDT2工業級分立IGBT，采用750V EDT2 IGBT技術，具有最低的導通損耗和開關損耗，這可以使電動商用車的電池電壓達到450Vdc
2023-05-19 12:42:27453 新品120-200A750VEDT2工業級分立IGBT120-200A750VEDT2工業級分立IGBT，采用可回流焊，電阻焊的TO-247PLUSSMD封裝產品型號
2023-05-18 09:41:31856 
圖騰柱功率系數校正電路一直是個構想，許多工程師都在尋找能夠有效實現這一構想的技術。如今，人們發現 SiC FET 是能讓該拓撲結構發揮最大優勢的理想開關。了解應對方式。 這篇博客文章最初
2023-06-21 09:10:02212 
Qorvo （UnitedSiC） 近宣布推出采用新型表面貼裝 TOLL 封裝的 750V/5.4mΩ SiC FET，擴大了公司的性能地位，并擴大了其突破性的第 4 代 SiC FET 產品組合
2023-08-07 14:47:17369 
鎵（GaN）等寬帶隙材料的器件技術無疑已經做到了這一點。 與傳統硅基產品相比，這些寬帶隙技術材料在提升功率轉換效率和縮減尺寸方面都有了質的飛躍。 憑借S iC在縮減尺寸方面的全新能力，Qorvo的SiC FET技術用于采用TO-Leadless（TOLL）封裝的750V器件開發，并擴大了其領先優勢。
2023-08-29 18:10:01225 
UnitedSiC SiC FET用戶指南
2023-12-06 15:32:24172 
深圳市至信微電子有限公司（簡稱：至信微）在深圳威尼斯英迪格酒店成功舉辦了2024新品發布暨代理商大會。此次大會上，至信微發布了一系列行業領先的SiC芯片，其中包括1200V/7mΩ和750V/5mΩ兩款產品。
2024-01-16 15:45:17286 Qorvo，全球領先的綜合連接和電源解決方案供應商，近日發布了其全新車規級碳化硅（SiC）場效應晶體管（FET）產品。這款產品擁有緊湊的 D2PAK-7L 封裝，實現了業界領先的9mΩ導通電阻RDS
2024-02-01 10:18:06202 在產品研發方面，2023年，Qorvo宣布采用具備業界最低RDS(on)（5.4mΩ）的TOLL封裝750V FET，這是任何其它功率半導體技術（如硅基MOSFET、SiC MOSFET、GaN FET）均無法超越的。
2024-02-21 14:40:5266
電子發燒友App
工商網監
評論