應(yīng)用領(lǐng)域，富昌電子結(jié)合自身的技術(shù)積累和項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)，落筆于SiC相關(guān)設(shè)計(jì)的系列文章。希望以此給到大家一定的設(shè)計(jì)參考，并期待與您進(jìn)一步的交流。 ? 上一篇我們先就SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓做了一定的分析及探討（SiC設(shè)計(jì)分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討）。本
2022-06-16 07:00:00
108699 
于SiC相關(guān)設(shè)計(jì)的系列文章。希望以此給到大家一定的設(shè)計(jì)參考，并期待與您進(jìn)一步的交流。 ? 前兩篇文章我們分別探討了 SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓 ，以及 SiC器件驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中的寄生導(dǎo)通問(wèn)題 。本文作為系列文章的第三篇，會(huì)從SiC MOS寄生電容損耗與傳統(tǒng)Si MOS作比較，給
2022-07-07 09:55:002357 
在很寬的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)對(duì)器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認(rèn)為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對(duì)于功率器件，4H-SiC被認(rèn)為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產(chǎn)。
2022-11-22 09:59:261373 富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個(gè)性化的解決方案，進(jìn)而縮短產(chǎn)品的設(shè)計(jì)周期、加快行業(yè)發(fā)展的步伐。在第三代半導(dǎo)體的實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域，富昌電子結(jié)合自身
2022-08-30 09:31:001210 
半導(dǎo)體器件具有導(dǎo)通電阻小、阻斷電壓高、耐高溫耐高壓等優(yōu)點(diǎn)。隨著SiC基半導(dǎo)體工藝的成熟，SiC成為工作于較高環(huán)境溫度和較大功率場(chǎng)合下的--寬禁帶半導(dǎo)體材料。近年來(lái)隨著電力電子技術(shù)在電動(dòng)汽車、風(fēng)力發(fā)電
2019-10-24 14:25:15
有使用過(guò)SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
SIC438BEVB-B
2023-04-06 23:31:02
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽(yáng)能光伏逆變器、能源存儲(chǔ)、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
的穩(wěn)健性、可靠性、高頻應(yīng)用中的瞬時(shí)振蕩以及故障處理等問(wèn)題。這就需要工程師深入了解SiC MOSFET的工作特征及其對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的影響。如圖1所示，與同類型的Si MOSFET相比，900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
。例如，自六年前Digi-Key首次發(fā)布以來(lái)，即使SiC MOSFET價(jià)格仍然高出2-3倍，TO-247中1200 V，80mΩ器件的價(jià)格也下降了80％以上。比類似的硅IGBT。在今天的價(jià)格水平上，設(shè)計(jì)人
2023-02-27 13:48:12
產(chǎn)品系列包括以下SiC MOSFET：1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ，均采用TO247-3L封裝。其他器件很快將在同一封裝中投入生產(chǎn)，加上類似器件將采用TO247-4L
2019-07-30 15:15:17
SiC SBD 晶圓級(jí)測(cè)試 求助：需要測(cè)試的參數(shù)和測(cè)試方法謝謝
2020-08-24 13:03:34
二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管），能夠明顯減少恢復(fù)損耗。有利于電源的高效率化，并且通過(guò)高頻驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)電感等無(wú)源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動(dòng)汽車
2019-03-14 06:20:14
二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管），能夠明顯減少恢復(fù)損耗。有利于電源的高效率化，并且通過(guò)高頻驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)電感等無(wú)源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動(dòng)汽車
2019-04-22 06:20:22
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）?！ GBT
2023-02-07 16:40:49
與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動(dòng)與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。與Si-MOSFET的區(qū)別：驅(qū)動(dòng)電壓SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比，由于漂移層
2018-11-30 11:34:24
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過(guò)
2019-04-09 04:58:00
離子有時(shí)會(huì)引發(fā)半導(dǎo)體器件的單粒子效應(yīng)，這已成為需要解決的問(wèn)題。在對(duì)SiC-MOSFET（n=15）進(jìn)行的白色中子照射試驗(yàn)（能量：1～400MeV，由大阪大學(xué)核物理研究中心RCNP實(shí)施）中，在Vds
2018-11-30 11:30:41
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容，總之希望通過(guò)這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。另外，除了
2018-11-27 16:38:39
進(jìn)行半導(dǎo)體元器件的評(píng)估時(shí)，電氣/機(jī)械方面的規(guī)格和性能當(dāng)然是首先要考慮的，而可靠性也是非常重要的因素。尤其是功率元器件是以處理較大功率為前提的，更需要具備充分的可靠性。SiC-SBD的可靠性SiC作為
2018-11-30 11:50:49
-SBD的發(fā)展，整理一下當(dāng)前實(shí)際上供應(yīng)的SiC-SBD。電源IC等通過(guò)不同的架構(gòu)和配置功能比較容易打造出品牌特色，而二極管和晶體管等分立元器件，功能本身是一樣的，因此是直接比較幾乎共通的特性項(xiàng)目來(lái)選型的。此時(shí)
2018-11-30 11:51:17
繼SiC功率元器件的概述之后，將針對(duì)具體的元器件進(jìn)行介紹。首先從SiC肖特基勢(shì)壘二極管開始。SiC肖特基勢(shì)壘二極管和Si肖特基勢(shì)壘二極管下面從SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開始
2018-11-29 14:35:50
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
SiC46x是什么？SiC46x有哪些優(yōu)異的設(shè)計(jì)？SiC46x的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？
2021-07-09 07:11:50
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢(shì)？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點(diǎn)有哪些？
2021-07-12 08:07:35
推動(dòng)電網(wǎng)柔性半導(dǎo)體化進(jìn)程，SiC器件在新型電力系統(tǒng)中應(yīng)用前景廣闊。在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)，電力電子器件將向高頻、高效、高功率密度方向快速發(fā)展。 在電力系統(tǒng)領(lǐng)域，隨著對(duì)高電壓、大電流SiC器件需求的不斷增長(zhǎng)
2023-02-27 14:22:06
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過(guò)
2019-05-07 06:21:55
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與Si相比，它在應(yīng)用中具有諸多優(yōu)勢(shì)。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達(dá)600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
/電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)包括消減待機(jī)功耗在內(nèi)的節(jié)能目標(biāo)。在這種背景下，削減功率轉(zhuǎn)換時(shí)產(chǎn)生的能耗是當(dāng)務(wù)之急。不用說(shuō)，必須將超過(guò)Si極限的物質(zhì)應(yīng)用于功率元器件。例如，利用SiC功率元器件可以比IGBT的開關(guān)損耗降低85
2018-11-29 14:35:23
的不是全SiC功率模塊特有的評(píng)估事項(xiàng)，而是單個(gè)SiC-MOSFET的構(gòu)成中也同樣需要探討的現(xiàn)象。在分立結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中，該信息也非常有用。“柵極誤導(dǎo)通”是指在高邊SiC-MOSFET＋低邊
2018-11-30 11:31:17
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-03-25 06:20:09
設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)有待優(yōu)化，價(jià)格較高，但肯定是未來(lái)的方向。 SiC投資陸續(xù)開花結(jié)果功率器件是電動(dòng)汽車電力電子系統(tǒng)的“心臟”，承擔(dān)著對(duì)電能進(jìn)行轉(zhuǎn)換和控制的作用，電動(dòng)汽車對(duì)其需求巨大。電動(dòng)汽車飛速發(fā)展，也給了
2022-12-27 15:05:47
眾多電子信息系統(tǒng)的性能。已有文獻(xiàn)報(bào)道采用SiC 功率器件制作了寬帶脈沖功率放大器， 并進(jìn)行了性能測(cè)試和環(huán)境試驗(yàn)， 證實(shí)了SiC 功率器件可靠性較高、環(huán)境適應(yīng)能力較強(qiáng)等特點(diǎn)。
2019-08-12 06:59:10
在未來(lái)幾年投入使用SiC技術(shù)來(lái)應(yīng)對(duì)汽車電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU 的WInSiC4AP項(xiàng)目所要達(dá)到的目標(biāo)之一。ECSEL JU和ESI協(xié)同為該項(xiàng)目提供資金支持，實(shí)現(xiàn)具有重大經(jīng)濟(jì)和社會(huì)影響的優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)的研發(fā)活動(dòng)。
2019-07-30 06:18:11
通損耗低、效率更高且熱管理系統(tǒng)更簡(jiǎn)單。與硅基轉(zhuǎn)換器相比，由于 SiC 功率系統(tǒng)具有這些優(yōu)勢(shì)，因此能夠在要求高功率密度的應(yīng)用（如太陽(yáng)能逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)、不間斷電源 (UPS) 和電動(dòng)汽車）中
2022-03-24 18:03:24
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品，并與具有高技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和高品質(zhì)要求的供應(yīng)商合作。在這過(guò)程中，ROHM作為ApexMicrotechnology的SiC功率元器件供應(yīng)商脫穎而出。ROHM的服務(wù)和技術(shù)支持都非常出色，使得我們能夠
2023-03-29 15:06:13
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 編輯
親愛(ài)的電子發(fā)燒友小伙伴們！羅姆作為 SiC 功率元器件的領(lǐng)先企業(yè)，自上世紀(jì) 90 年代起便著手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31
項(xiàng)目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗(yàn)，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
項(xiàng)目名稱：特種電源開發(fā)試用計(jì)劃：在I項(xiàng)目開發(fā)中，有一個(gè)關(guān)鍵電源，需要在有限空間，實(shí)現(xiàn)高壓、大電流脈沖輸出。對(duì)開關(guān)器件的開關(guān)特性和導(dǎo)通電阻都有嚴(yán)格要求。隨著SIC產(chǎn)品的技術(shù)成熟度越來(lái)越高，計(jì)劃把IGBT開關(guān)器件換成SIC器件。
2020-04-24 17:57:09
項(xiàng)目名稱：風(fēng)電伺服驅(qū)動(dòng)控制器SiC器件試用試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在工業(yè)控制領(lǐng)域有十余年的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，目前正在從事風(fēng)電機(jī)組變槳控制系統(tǒng)伺服驅(qū)動(dòng)器的開發(fā)，是一個(gè)國(guó)產(chǎn)化項(xiàng)目，也是SiC器件應(yīng)用的領(lǐng)域
2020-04-24 18:03:59
`項(xiàng)目名稱：光伏儲(chǔ)能逆變器開發(fā)試用計(jì)劃：采用SiC器件替代Si器件，開發(fā)逆變器產(chǎn)品`
2020-04-24 18:13:51
項(xiàng)目名稱：全SiC MMC實(shí)驗(yàn)平臺(tái)設(shè)計(jì)——功率子模塊驅(qū)動(dòng)選型試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在電力電子領(lǐng)域有三年多的學(xué)習(xí)和開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，曾設(shè)計(jì)過(guò)基于半橋級(jí)聯(lián)型拓?fù)涞?b class="flag-6" style="color: red">儲(chǔ)能系統(tǒng)，通過(guò)電力電子裝置實(shí)現(xiàn)電池單元的間接
2020-04-21 16:02:34
的APS系統(tǒng)損耗中，功率器件的損耗大約占50%，而ACL濾波電抗器的損耗大約占30%。圖1APS系統(tǒng)原理圖通過(guò)將APS中的傳統(tǒng)功率模塊換成最新的SiC功率模塊，憑借全SiC功率模塊低損耗的特點(diǎn)，可以提高
2017-05-10 11:32:57
器件的溫升
綜上，SiC SBD無(wú)反向恢復(fù)、能并聯(lián)使用等特性使其在替換Si FRD時(shí)具有明顯的優(yōu)勢(shì)。沒(méi)有反向恢復(fù)，減小反向恢復(fù)帶來(lái)的開關(guān)損耗從而提高系統(tǒng)效率，同時(shí)避免反向恢復(fù)引起的振蕩，改善系統(tǒng)
2023-10-07 10:12:26
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應(yīng)用領(lǐng)域，如電動(dòng)汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲(chǔ)系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
要充分認(rèn)識(shí) SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進(jìn)行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
引言：前段時(shí)間，Tesla Model3的拆解分析在行業(yè)內(nèi)確實(shí)很火，現(xiàn)在我們結(jié)合最新的市場(chǎng)進(jìn)展，針對(duì)其中使用的碳化硅SiC器件，來(lái)了解一下SiC器件的未來(lái)需求。我們從前一段時(shí)間的報(bào)道了解到：目前
2021-09-15 07:42:00
對(duì)市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)因素的分析表明，加速WBG設(shè)備實(shí)現(xiàn)的更有效方法的商業(yè)采用需要降低組件的成本。這導(dǎo)致了圍繞用于控制高效系統(tǒng)的廉價(jià)WBG晶體管策略的大量研究。提高轉(zhuǎn)換器工作頻率可以減小儲(chǔ)能元件的尺寸，這
2023-02-21 16:01:16
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
比硅提供實(shí)在的優(yōu)勢(shì)，其強(qiáng)固的結(jié)構(gòu)為嚴(yán)苛環(huán)境中的應(yīng)用提供可靠的方案。我們的客戶將受益于這些簡(jiǎn)化的、性能更佳、尺寸設(shè)計(jì)更小的新器件。SiC為系統(tǒng)提供顯著好處。SiC更高的開關(guān)頻率可以使用更小的磁性元件
2018-10-29 08:51:19
肖特基勢(shì)壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢(shì)壘二極管基本相同，僅電子移動(dòng)、電流流動(dòng)。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合結(jié)構(gòu)，電流通過(guò)電子與空穴（孔）流動(dòng)。SiC
2018-11-29 14:33:47
從本文開始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
SiC-MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管的相關(guān)內(nèi)容，有許多與Si同等產(chǎn)品比較的文章可以查閱并參考。采用第三代SiC溝槽MOSFET，開關(guān)損耗進(jìn)一步降低ROHM在行業(yè)中率先實(shí)現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)
2018-11-27 16:37:30
SiC-SBD的特征，下面將介紹一些其典型應(yīng)用。主要是在電源系統(tǒng)應(yīng)用中，將成為代替以往的Si二極管，解決當(dāng)今的重要課題——系統(tǒng)效率提高與小型化的關(guān)鍵元器件之一。＜應(yīng)用例＞PFC（功率因數(shù)改善）電路電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路
2018-12-04 10:26:52
在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中,如何充分利用SiC器件的性能優(yōu)勢(shì)？
2021-02-22 07:16:36
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子
2017-07-11 14:06:55
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-03-12 03:43:18
雖然電動(dòng)和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車（EV]從作為功率控制器件的標(biāo)準(zhǔn)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術(shù)的FET的轉(zhuǎn)變代表了提高EV的效率和整體系統(tǒng)級(jí)特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45
半導(dǎo)體的低阻值，可以高速工作，高溫工作，能夠大幅度削減從電力傳輸?shù)綄?shí)際設(shè)備的各種功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中的能量損耗。SiC功率元器件在節(jié)能和小型化方面功效卓著，其產(chǎn)品已經(jīng)開始實(shí)際應(yīng)用，并且還應(yīng)用在對(duì)品質(zhì)可靠性
2017-07-22 14:12:43
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國(guó)的Cree公司和日本的ROHM公司。在國(guó)內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國(guó)內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管），能夠明顯減少恢復(fù)損耗。有利于電源的高效率化，并且通過(guò)高頻驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)電感等無(wú)源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動(dòng)汽車
2019-05-07 06:21:51
深愛(ài)全系列支持SIC9531DSIC9532DSIC9533DSIC9534DSIC9535DSIC9536DSIC9537DSIC9538DSIC9539DSIC9942B/DSIC9943B
2021-11-13 14:58:25
低功率因素方案SIC953XD系列：TYPESPFMOSFETPackage **范圍SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
成本方面，采用新技術(shù)可以為汽車制造商節(jié)省很多金錢?！薄 ∷睦碛墒牵寒?dāng)采用SiC時(shí)，開關(guān)頻率可以設(shè)計(jì)得更高，這將提高器件的能效，降低無(wú)源元件的尺寸和成本，因?yàn)闊o(wú)源器件在應(yīng)用系統(tǒng)總成本中占比很高。此外，當(dāng)
2023-02-27 14:28:47
。這就使得MOSFET在SiC功率電子器件中具有重要的意義。2000年研制了國(guó)內(nèi)第一個(gè)SiCMOSFETt31。器件最大跨導(dǎo)為0.36mS/mm，溝道電子遷移率僅為14cm2/(V·s)。反型層遷移率低
2017-06-16 10:37:22
功率器件提高了應(yīng)用能效，同時(shí)也提高了工作溫度。從項(xiàng)目的角度看，熱動(dòng)力汽車向混動(dòng)汽車和最終的電動(dòng)汽車發(fā)展，需要使用高效的先進(jìn)的電子產(chǎn)品，我們預(yù)計(jì)碳化矽技術(shù)在新車中的應(yīng)用將會(huì)對(duì)經(jīng)濟(jì)產(chǎn)生積極的影響。
2019-06-27 04:20:26
100 kW的1500 VDC電站級(jí)串式逆變器將占有90%以上的市場(chǎng)份額。它們代表了采用創(chuàng)新多電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的新型高密度SiC/GaN功率開關(guān)的測(cè)試基準(zhǔn)。電動(dòng)汽車 (EV) 和儲(chǔ)能系統(tǒng) (ESS) 等顛覆性
2018-10-22 17:01:41
SiC功率器件的封裝技術(shù)要點(diǎn)
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與S
2009-11-19 08:48:432355 SiC,SiC是什么意思
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料，具有多種同素異構(gòu)類型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類：一類是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型，稱為3C
2010-03-04 13:25:266539 分析了SiC半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)類型和基本特性， 介紹了SiC 單晶材料的生長(zhǎng)技術(shù)及器件工藝技術(shù)， 簡(jiǎn)要討論了SiC 器件的主要應(yīng)用領(lǐng)域和優(yōu)勢(shì)
2011-11-01 17:23:20
81 據(jù)權(quán)威媒體分析，SiC和GaN器件將大舉進(jìn)入電力電子市場(chǎng)，預(yù)計(jì)到2020年，SiC和GaN功率器件將分別獲得14%和8%市場(chǎng)份額。未來(lái)電力電子元器件市場(chǎng)發(fā)展將更多地集中到SiC和GaN的技術(shù)創(chuàng)新上。
2013-09-18 10:13:112464 使用SiC的新功率元器件技術(shù)
2018-06-26 17:56:005775 SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導(dǎo)率是Si的3倍，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 
安森美半導(dǎo)體是功率電子領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者之一，在SiC功率器件領(lǐng)域的地位正在迅速攀升。
2019-07-25 08:50:504206 富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個(gè)性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期。在第三代半導(dǎo)體的實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域，富昌電子結(jié)合自身的技術(shù)積累和項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)，落筆于SiC相關(guān)設(shè)計(jì)的系列文章。希望以此給到大家一定的設(shè)計(jì)參考，并期待與您進(jìn)一步的交流。
2022-09-28 09:29:09782 寬帶隙半導(dǎo)體是高效功率轉(zhuǎn)換的助力。有多種器件可供人們選用，包括混合了硅和SiC技術(shù)的SiC FET。本文探討了這種器件的特征，并將它與其他方法進(jìn)行了對(duì)比。
2022-10-31 09:03:23666 碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動(dòng)態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢(shì)電子和電氣系統(tǒng)?；仡櫫?b class="flag-6" style="color: red">SiC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景
2022-11-11 11:06:141503 近年來(lái)，SiC功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造工藝日趨完善，已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續(xù)完善來(lái)提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場(chǎng)前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問(wèn)題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2022-11-24 10:05:102020 碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術(shù)，具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應(yīng)用。此外，SiC還具有比Si更低的熱阻，這意味著它可以更有效地散熱，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469 基于SiC器件的電力電子變流器研究
2023-06-20 09:36:23410 
一、什么是SiC半導(dǎo)體？1.SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時(shí)可以在較寬
2023-08-21 17:14:581145 
了解SiC器件的命名規(guī)則
2023-11-27 17:14:49357 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論