精準的鍍膜厚度控制。隨著邏輯制程演進，原本二維的晶體管架構已經被三維的鰭魚式晶體管（FinFET）取代，關鍵尺寸（Critical dimension， CD）也由深次微米進入到目前只有單一數字的納米大小，對于鍍膜的批覆性與厚度控制都有最嚴苛的要求，這讓原子層沉積技術成為先進
2021-02-05 15:23:17
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單晶圓系統也能進行多晶硅沉積。這種沉積方法的好處之一在于能夠臨場進行多晶硅和鎢硅化物沉積。DRAM芯片中通常使用由多晶硅-鈞硅化物形成的疊合型薄膜作為柵極、局部連線及單元連線。臨場多晶硅/硅化物沉積
2022-09-30 11:53:001235 SPARC沉積技術可滿足新興需求，為邏輯和DRAM器件提供有效隔離 作者：泛林集團公司副總裁兼電介質原子層沉積產品總經理Aaron Fellis 提升集成電路中的介電層性能可以在現在和未來的存儲器
2023-08-08 14:22:28605 
電 化 學 沉 積 技 術， 簡 稱 ECD（Electrical Chemical Deposition）技術，也是應用于半導體相關技術行業的電鍍技術，作為集成電路制造的關鍵工藝技術之一，它是實現電氣互連的基石。
2023-11-29 10:07:20609 
KLA全新的PWG5? 圖形晶圓幾何量測系統和Surfscan? SP7XP無圖案晶圓缺陷檢測系統支持先進邏輯、DRAM和3D NAND產品的開發與生產。
2020-12-14 10:44:022139 應用材料公司推出了一種全新的先進邏輯芯片布線工藝技術，可微縮到3納米及以下技術節點。
2021-06-18 10:21:42868 
PROVision 3E系統包含多種技術特征，支持當下最先進設計所需的圖形化控制能力，包括3納米晶圓代工邏輯芯片、全環繞柵極晶體管以及下一代 DRAM和3D NAND。
2021-10-19 16:08:071913 
? 電子發燒友網報道（文/周凱揚）軍事和特種工業裝備對于設備的要求往往較為獨特，尤其是在航空航天領域。在過去的航天設備電子系統中，SPARC架構的處理器因為其高可靠性獲得了青睞，以至于目前大部分航空
2022-12-21 02:26:001419 ，絕大多數廠商會選擇異構集成的方式，借助先進封裝技術實現“超越摩爾”。諸如臺積電、英特爾等廠商，也都紛紛推出了3DFabric、Foveros之類的技術，而三星也不甘落后，一并追求突破半導體技術的極限。 ? 為了進一步發揮其先進封裝技術
2023-11-21 00:13:001155 
DRAM產能再大，也難以滿足全球龐大的市場需求。因此，應該是技術層面的原因。技術才是高科技產業的核心競爭力。3D Flash目前技術在96層，但是技術路標的能見度已至512層－3D Flash做為
2018-10-12 14:46:09
理，相比之下在SRAM存儲芯片上一個bit通常需要六個晶體管。因此DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。 DRAM存儲原理 DRAM的每一位存儲單元采用一個晶體管和小電容來實現
2020-12-10 15:49:11
一種特定的類型：DRAM。DRAM（動態隨機存取存儲器）是一種基于充電電容器的存儲技術，實現起來非常快且便宜。它還允許高密度。但是DRAM并非沒有缺陷。DRAM中的一位可以存儲為電容器上是否存在電荷
2020-09-25 08:01:20
邏輯電路的糾錯技術是如何實現的？糾錯技術在邏輯電路中有什么作用？
2021-06-18 09:50:31
偏硬件：接口電路中的門組合電路；偏軟件：算法、接口控制器實現中的狀態機群或時序電路。隨著邏輯設計的深入，復雜功能設計一般基于同步時序電路方式。此時，邏輯設計基本上就是在設計狀態機群或計數器等時序電路
2021-11-10 06:39:25
集成邏輯電路、組合邏輯電路實驗目的1. 掌握與非門、或非門、與或非門及異或門的邏輯功能。2. 了解三態門的邏輯功能以及禁止狀態的判別方法。了解三態門的應用。3. 掌握組合邏輯電路的設計和實現方法
2008-12-11 23:36:32
建設推動共性、關鍵性、基礎性核心領域的整體突破，促進我國軟件集成電路產業持續快速發展，由國家集成電路封測產業鏈技術創新戰略聯盟、深圳市半導體行業協會主辦，上海樂麩教育科技有限公司、中科院深圳先進技術
2016-03-21 10:39:20
。第一個集成電路只有少數幾個器件，可能多達十個二極管，晶體管，電阻器和電容器，使得在單個器件上制造一個或多個邏輯門成為可能。至于增加每個集成電路的組件（或晶體管）數量，該技術的發展如下：小規模集成該技術
2022-03-31 10:46:06
摘 要：EDA技術是現代電子設計技術的核心，它在現代集成電路設計中占據重要地位。隨著深亞微米與超深亞微米技術的迅速發展，FPGA設計越來越多地采用基于VHDL的設計方法及先進的EDA工具。本文詳細
2019-06-18 07:33:04
摘 要：EDA技術是現代電子設計技術的核心，它在現代集成電路設計中占據重要地位。隨著深亞微米與超深亞微米技術的迅速發展，FPGA設計越來越多地采用基于VHDL的設計方法及先進的EDA工具。本文詳細
2019-06-27 08:01:28
業者猜測是DRAM技術的大革新。當然，DRAM市場上還有一個不可小覷的力量——中國DRAM廠商，他們在這幾年來的成長越來越快，對全球市場的影響也與日俱增。據估計，中國品牌約占DRAM市場的40%和閃存
2018-10-18 17:05:17
Imagination全新BXS GPU助力德州儀器汽車處理器系列產品實現先進圖形處理功能
2020-12-16 07:04:43
的時鐘周期傳輸地址數據。這樣就可以節省一半的針腳實現和SRAM的同樣功能，這種技術即多路技術（multiplexing）。可以完成同16K SRAM一樣的工作。DRAM減少地址引腳的主要原因是以下幾個
2010-07-15 11:40:15
可編程邏輯器件市場約為35億美元。固定邏輯器件市場約為120億美元。然而，近年來，PLD銷售額的增長速度已經超過基于傳統門陣列技術的固定邏輯器件的銷售增長速度。而且，高性能FPGA現在已開始從采用最先進
2009-05-29 11:36:21
電話網已有PBX的情況下，得到一個針對多種計算機電話集成技術業務的統一平臺。但是統一設計出開發計算機電話集成技術業務的平臺，以便通過集成已有產品來保證用戶的投資，實現起來卻遠非易事，其原因主要有兩個方面，一是技術， 二是業務。
2019-09-10 10:42:17
智能電路是以物理電路為基礎，集成了先進的傳感量測技術、網絡技術、通信技術、分析決策技術、自動控制技術與能源動力技術的新型現代化電路。智能電路具有堅強、自愈、兼容、經濟、集成和優化等特征，能夠實現
2020-04-22 07:36:18
電機對能耗的貢獻率在美國接近50%，因此降低電機能耗能有效地提高能源利用率，而采用先進的微控制器(MCU)技術來實現電機控制是一種有效的方法。本文介紹了最新的電機控制MCU技術發展及其
2011-07-27 09:42:29
摘要：RS 232接口是現在最常用的一種通信接口。隨著FPGA技術的高速發展，一些常見的接口電路的時序電路可以通過FPGA實現，通過這種設計可減少電路系統元件的數量，提高系統集成度和可靠性。詳細闡述
2019-06-19 07:42:37
介紹了利用現場可編程邏輯門陣列FPGA實現直接數字頻率合成（DDS）的原理、電路結構和優化方法。重點介紹了DDS技術在FPGA中的實現方法，給出了采用ALTERA公司的ACEX系列FPGA芯片EP1K30TC進行直接數字頻率合成的VHDL源程序。
2021-04-30 06:29:00
摘要：介紹怎樣在嵌入式CPU 80C186XL DRAM刷新控制單元的基礎上，利用CPLD技術和80C196XL的時序特征設計一個低價格、功能完整的DRAM控制器的方法，并采用VHDL語言編程實現
2011-02-24 09:33:15
您是否曾想在您的FPGA設計中使用先進的視頻壓縮技術，卻發現實現起來太過復雜？那么如何滿足視頻壓縮的需求？
2021-04-08 06:43:18
你好團隊。有一些工具可以通過sparc了解intel homologos處理器。特別是m6謝謝你以上來自于谷歌翻譯以下為原文Hello team.There is some tool to know
2018-11-06 11:21:05
愛特梅爾公司 (Atmel? Corporation) 發布用于太空應用的全新抗輻射SPARC? 處理器，在整個溫度和電壓范圍內，AT697之F版本在100 MHz 時達到90 MIPs性能，功耗僅為0.7W。
2019-08-28 08:02:21
機器人學代表了當今集成度高、具有代表性的高技術領域，它綜合了多門學科。其中包括機械工程學、計算機技術、控制工程學、電子學、生物學等多學科的交叉與融合，體現了當今實用科學技術的先進水平。
2020-05-12 08:24:18
`哪位了解LCVD激光氣相沉積設備，想買一臺用來做補線用。如圖，沉積出寬10um左右的金屬線。求大神指點！`
2014-01-17 10:36:02
本文介紹了怎樣在嵌入式CPU 80C186XL DRAM刷新控制單元的基礎上，利用CPLD技術和80C196XL的時序特征設計一個低價格、功能完整的DRAM控制器的方法，并采用VHDL語言編程實現。
2021-04-28 07:10:38
模式也使得DRAM的集成度高于SRAM，一個DRAM的存儲單元僅需要一個晶體管和一個小電容，而每個SRAM單元需要四道六個晶體管和其它的零件，故DRAM在大容量以及價格上會有優勢。 FlashFLASH
2019-09-18 09:05:09
。圖3 刮刀只有臺階的鋼網設計示意圖 （2）自動點錫膏 自動點錫膏（如圖4所示）成功地為通孔和異形組件沉積體積正確的錫膏，它提供了網板印刷可能無 法實現的大量錫膏沉積的靈活性和能力。現今，自動點膠
2018-11-22 11:01:02
一種基于FPGA技術的虛擬邏輯分析儀的研究與實現:邏輯分析儀的現狀" 發展趨勢及研制虛擬邏輯分析儀的必要性, 論述了基于FPGA技術的虛擬邏輯分析儀的設計方案及具體實現方法,介紹
2008-11-27 13:13:04
29 窗口寄存器作為SPARC 結構中一個重要的概念在進行基于SPARC 結構的嵌入式實時系統移植時，需要在任務切換函數中進行與其相關的處理。本文簡單介紹了SPARC 的棧結構、寄存器窗
2009-08-05 16:19:4020 集成邏輯部件:本章主要分析和討論完成數字邏輯電路各種功能的基本邏輯部件——門電路的外特性及基本結構。首先介紹目前廣泛應用的TTL集成邏輯門電路，然后討論MOS集成邏輯電
2009-09-01 09:05:120 集成邏輯門電路邏輯功能的測試
一、實驗目的
2009-03-28 09:49:4412285 
什么是SPARC處理器 1
2009-12-17 10:40:49934 SPARC是一個開放的體系結構標準，它基于80年代加州大學伯克利分校對RISC微處理器的研究成果，現在已成為國際上流行的RISC微處理器體系架構之一。本文介紹了SPARC微處理器的發展歷
2010-06-23 11:33:182399 
DRAM廠不堪虧損紛降低生產供給過剩的標準型DRAM，IC設計業也跟進，鈺創(5351)董事長暨執行長盧超群昨表示，該公司正積極降低DRAM營收比重，朝開發整合邏輯IC的特殊DRAM產品發展;他認為
2011-11-25 09:50:08570 Mouser Electronics宣布在Mouser.com上推出其最新的技術網站，專注于可編程邏輯技術。 該全新網站有助于工程師了解有關不同類型可編程邏輯技術的更多信息和識別適用于特定應用的理想元器件。
2013-06-14 10:53:57843 實現在車內集成和管理多種先進無線技術。我們非常高興發布這一平臺，在未來的汽車設計中提供最佳的先進連接解決方案和服務。”
2016-06-13 09:45:54782 基于SPARC的VxWorks異常處理研究_黃江泉
2017-03-17 08:00:001 邏輯門是數字電路的基礎。各種多姿多彩的邏輯門組合在一起，形成了數字電路的大千世界。實際上，邏輯門反映的是邏輯代數的幾種基本運算，只要你能夠實現這樣的邏輯代數規則，你就能夠用其他設備來實現邏輯門的功能。
2017-09-19 14:19:1823 的處理器具有指令系統簡單、采用硬布線控制邏輯、處理能力強、速度快、可靠性高等特點，基于這些特點，SPARC結構處理器現在被廣泛地應用于UNIX工作站、服務器等穩定性要求很高的環境中。隨著SPARC V8
2017-10-31 15:40:421 SPARC（Scalable Processor ARChitecture）可擴展處理器架構是SUN公司在1985年提出的體系結構標準，它基于1980年到1982年間加州大學伯克利分校關于
2017-11-01 16:18:333 據報道，中國存儲產業正在急速的崛起，如今紫光國芯更是一大主力軍，據悉紫光國芯的DRAM芯片設計技術已經是處于世界先進水平，但是產量很小，市場份額還有待提升。
2018-01-23 11:31:432255 合肥睿力集成電路，此前曾名合肥長鑫，這是中國的一家DRAM初創企業，稱今年年底將完成前端設備組裝，并在2018年2月實現19nm DRAM量產。
2018-06-11 16:27:0029316 出愈來愈廣泛的應用。 高k閘極介電質及金屬閘極的ALD沉積對于先進邏輯晶片已成為標準，并且該技術正用于沉積間隔定義的雙倍暨四倍光刻圖樣（SDDP、SDQP），用以推廣傳統浸潤式微影的使用以界定高密度邏輯暨記憶體設計的最小特征尺寸。
2018-02-13 03:16:0025903 本文主要圍繞DRAM、邏輯器件和NAND這三大尖端產品來進行詳細介紹。
2018-04-21 08:19:0011965 
E 系列能夠幫助存儲器芯片制造商應對當前所面臨的諸多關鍵挑戰，從而推動3D NAND 及 DRAM 器件尺寸持續縮小。這一基于泛林業界領先的存儲器制造產品組合的全新系統正逐步吸引全球市場的關注，在推出后已被全球主要3D NAND和DRAM生產商投入使用，并且被用于許多新技術和產品的研發。
2018-05-24 17:19:002398 如果微處理器狀態信號無效，這個狀態則是一個T4狀態，狀態機B從B1轉到B2.如果狀態是一個T4狀態，并且RAS有效（DRAM訪問），則RAST4狀態，并且RAS有效（DRAM訪問），則RAS邏輯
2018-08-18 09:25:03814 
DRAM在過去的幾十年里發展方向單一，以追求高密度存儲器為目標，但臺灣的鈺創科技沒有走傳統路線，而是開發全新的DRAM架構，稱為RPC (Reduced Pin Count) DRAM。
2019-02-11 09:16:114217 
繼臺積電、三星晶圓代工、英特爾等國際大廠在先進邏輯制程導入極紫外光（EUV）微影技術后，同樣面臨制程微縮難度不斷增高的DRAM廠也開始評估采用EUV技術量產。三星電子今年第四季將開始利用EUV技術生產1z納米DRAM，SK海力士及美光預期會在1α納米或1β納米評估導入EUV技術。
2019-06-18 17:20:312438 DRAM廠商在面對DRAM價格不斷下跌的困境下，已經在考慮導入EUV技術用于制造DRAM，主要目的是為了降低成本。
2019-06-21 09:10:012047 作為中國DRAM產業的領導者，長鑫存儲正在加速從DRAM的技術追趕者向技術引領者轉變，用自主研發的DRAM技術和專利，引領中國實現DRAM零的突破。
2019-09-19 10:26:00463 sparc體系架構的窗口寄存器的深入理解 1.概述 2.窗口寄存器的特性 3.程序的設計 4.sparc設計對于嵌入式編程的優劣 1.概述 sparc這種架構有著特殊的窗口寄存器，使用sparc芯片
2021-01-07 10:39:593200 /b能效接口的異質集成嵌入式LPDDR4/LPDDR4X DRAM》（A Stacked Embedded DRAM Array for LPDDR4/4Xusing Hybrid Bonding 3D
2021-01-26 16:00:145546 
說明：若有考慮不周，歡迎留言指正。 原子層沉積在半導體先進制程的應用 隨著集成電路工藝技術的不斷提高，晶體管的特征尺寸及刻蝕溝槽不斷減小，溝槽及其側壁的鍍膜技術面臨嚴峻的挑戰，物理氣相沉積（PVD
2021-04-17 09:43:2116607 
MICRON最近宣布，我們正在發貨使用全球最先進的DRAM工藝制造的存儲芯片。這個過程被神秘地稱為“1α”（1-alpha）。這是什么意思，有多神奇？
2021-09-15 17:00:521862 Fraunhofer ISIT的PowderMEMS是一項新研發的創新技術，用于在晶圓級上從多種材料中創建三維微結構。該技術基于通過原子層沉積（ALD）工藝在空腔中將微米級粉末顆粒粘合在一起。
2022-03-17 09:46:232011 評估各種清洗技術的典型方法是在晶片表面沉積氮化硅(Si，N4)顆粒，然后通過所需的清洗工藝處理晶片。國家半導體技術路線圖規定了從硅片上去除顆粒百分比的標準挑戰，該挑戰基于添加到硅片上的“>
2022-05-25 17:11:381242 
在DRAM結構中，電容存儲單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進的DRAM，晶體管的有源
2022-08-01 10:22:26709 
在一起。然而，隨著芯片特征變得更小，現有材料可能無法在所需厚度下實現相同性能，從而可能需要新的材料。 泛林集團發明了一種名為 SPARC 的全新沉積技術，用于制造具有改進電絕緣性能的新型碳化硅薄膜。重要的是，它可以沉積超薄層，
2022-10-14 17:12:59505 
有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，其采用全球最先進技術節點的1β DRAM產品已開始向部分智能手機制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進行驗證，并做好了量產準備。美光率先在低功耗LPDDR5X移動內存上采用該新一代制程技術，其最高速率可達每秒8.5Gb。該節點在性能、密度和能效方面都有
2022-11-02 11:31:27494 
2022 年?11 月?2 日；內存與存儲解決方案領先供應商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，其采用全球最先進技術節點
2022-11-02 11:50:51578 2022年11月2日——中國上海——內存與存儲解決方案領先供應商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，其采用全球最先進技術節點
2022-11-02 17:27:48724 以往，具備低漏電、高性能特性的先進制程工藝多用于邏輯芯片，特別是PC、服務器和智能手機用CPU，如今，這些工藝開始在以DRAM為代表的存儲器中應用，再加上EUV等先進設備和工藝的“互通”，邏輯芯片和存儲器的制程節點和制造工藝越來越相近。
2022-11-17 11:10:081563 電子發 燒友網報道（文/ 周凱揚 ）軍事和特種工業裝備對于設備的要求往往較為獨特，尤其是在航空航天領域。在過去的航天設備電子系統中，SPARC架構的處理器因為其高可靠性獲得了青睞，以至于目前大部分
2022-12-21 07:30:05768 內存與存儲解決方案領先供應商美光科技（Micron Technology Inc.）宣布，其采用全球最先進技術節點的1βDRAM產品已開始向部分智能手機制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進行驗證，并做好了量產準備。
2023-02-01 16:13:051914 薄膜沉積是晶圓制造的三大核心步驟之- - ，薄膜的技術參數直接影響芯片性能。
半導體器件的不斷縮小對薄膜沉積工藝提出了更高要求，而ALD技術憑借沉積薄膜厚度的高度可控性、優異的均勻性和三E維保形性,在半導體先進制程應用領域彰顯優勢。
2023-02-16 14:36:54555 ALD技術是一種將物質以單原子膜的形式逐層鍍在基底表面的方法，能夠實現納米量級超薄膜的沉積。
2023-04-25 16:01:052442 
。 PVD 沉積工藝在半導體制造中用于為各種邏輯器件和存儲器件制作超薄、超純金屬和過渡金屬氮化物薄膜。最常見的 PVD 應用是鋁板和焊盤金屬化、鈦和氮化鈦襯墊層、阻擋層沉積和用于互連金屬化的銅阻擋層種子沉積。 PVD 薄膜沉積工藝需要一個高真空的平臺，在
2023-05-26 16:36:511751 中國科學院大學集成電路學院是國家首批支持建設的示范性微電子學院。為了提高學生對先進光刻技術的理解，本學期集成電路學院開設了《集成電路先進光刻技術與版圖設計優化》研討課。在授課過程中，除教師系統地講授
2023-06-12 11:15:17279 
原子層沉積（Atomic layer deposition，ALD）是一種可以沉積單分子層薄膜的特殊的化學氣相沉積技術。
2023-06-15 16:19:212038 
芯片已經無處不在：從手機和汽車到人工智能的云服務器，所有這些的每一次更新換代都在變得更快速、更智能、更強大。
2023-07-12 11:19:31352 
薄膜沉積是指在基底上沉積特定材料形成薄膜，使之具有光學、電學等方面的特殊性能。
2023-07-13 09:10:487776 
TSV是2.5D和3D集成電路封裝技術中的關鍵實現技術。半導體行業一直在使用HBM技術將DRAM封裝在3DIC中。
2023-11-27 11:40:20211 
dram和nand的區別? DRAM和NAND是兩種不同類型的存儲器。DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一種隨機存取存儲器，而NAND（Not AND）是一種邏輯
2023-12-08 10:32:003920 共讀好書 魏紅軍 謝振民 （中國電子科技集團公司第四十五研究所） 摘要： 電化學沉積技術，作為集成電路制造的關鍵工藝技術之一，它是實現電氣互連的基石，主要應用于集成電路制造的大馬士革銅互連電鍍工藝
2023-12-20 16:58:23155 
共讀好書 魏紅軍 謝振民 （中國電子科技集團公司第四十五研究所） 摘要： 電化學沉積技術，作為集成電路制造的關鍵工藝技術之一，它是實現電氣互連的基石，主要應用于集成電路制造的大馬士革銅互連電鍍工藝
2023-12-11 17:31:18234 
先進的封裝技術可以將多個半導體芯片和組件集成到高性能的系統中。隨著摩爾定律的縮小趨勢面臨極限，先進封裝為持續改善計算性能、節能和功能提供了一條途徑。但是，與亞洲相比，美國目前在先進封裝技術方面落后
2023-12-14 10:27:14383 
在太陽能電池的薄膜沉積工藝中，具有化學氣相沉積（CVD）與物理氣相沉積（PVD）兩種薄膜沉積方法，電池廠商在沉積工藝中也需要根據太陽能電池的具體問題進行針對性選擇，并在完成薄膜沉積工藝后通過
2023-12-26 08:33:01312 
優化硅的形態與沉積方式是半導體和MEMS工藝的關鍵，LPCVD和APCVD為常見的硅沉積技術。
2024-01-22 09:32:15433 
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