全球領先的EEPROM存儲器供應商意法半導體率先發布針對密集型數據寫應用的2-Mbit串口EEPROM芯片.
2011-06-21 09:00:35
1310 富士通半導體（上海）有限公司今日宣布，推出兩款新型FRAM產品－MB85RS1MT 和 MB85RS2MT，兩款產品分別帶有1 Mbit 和 2 Mbit的存儲器，是富士通半導體提供的最大容量的串口FRAM。這兩款產品將于2013年3月起開始提供新品樣片。
2013-03-25 16:09:371037 目前主流的基于浮柵閃存技術的非易失性存儲器（NVM）技術有望成為未來幾年的參考技術。但是，閃存本身固有的技術和物理局限性使其很難再縮小技術節點。在這種環境下，業界試圖利用新材料和新概念發明一種更好
2017-12-18 10:02:214925 
16Mbit 和 8Mbit 產品。 ? 這個創新架構讓設計人員能夠在同一存儲器上管理固件和靈活存儲數據，這種組合在以前是沒有的
2022-07-01 11:17:26697 ，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進一步擴展其EXCELON? F-RAM存儲器產品，推出兩款分別具有1Mbit和4Mbit存儲密度的新型F-RAM存儲器。全新
2023-08-09 14:32:40399 
嗨，
我有 8Mbit 的 esp-03 的 corect 固件問題
當我將新的 lua 固件下載到 4Mb 時，一切都是 corect，
當我嘗試對 8Mb 做同樣的事情時，我也必須
2023-04-26 08:48:33
F-RAM存儲技術是怎樣進入汽車核心應用領域的？
2021-05-13 06:29:08
你好！關于FRAM存儲器的可靠性和需要考慮什么樣的軟件，我有一些問題。在寫操作期間電源故障的影響是什么？這會影響被更新的字節，使其處于未知和潛在的易失狀態嗎？這會影響整排嗎？讀/寫干擾F RAM
2018-11-02 14:27:34
Access Memory：鐵電隨機存取存儲器，簡稱鐵電存儲器)。把FRAM歸類為非易失性存儲器是可以，但是FRAM的高速讀寫性質又與SRAM、DRAM更為接近，它也是一種RAM。于是，存儲器的分類令人
2012-01-06 22:58:43
存儲器ram的特點
2021-01-05 06:57:06
失是指存儲器斷電后，里面存儲的內容是否會丟失，另一邊的速度而言呢，易失性存儲器的速度要快于非易失性存儲器。1.1 易失性存儲器 按照RAM的物理存儲機制，可以...
2021-07-16 07:55:26
： 這種存儲器的特點是：從原理上看，它們屬于ROM型存儲器，從功能上看，它們又可以隨時改寫信息，作用又相當于RAM。所以，ROM、RAM的定義和劃分已逐漸的失去意義。 1、快擦寫存儲器（FLASH
2017-10-24 14:31:49
： 這種存儲器的特點是：從原理上看，它們屬于ROM型存儲器，從功能上看，它們又可以隨時改寫信息，作用又相當于RAM。所以，ROM、RAM的定義和劃分已逐漸的失去意義。 1、快擦寫存儲器（FLASH
2017-12-21 17:10:53
所謂的寄存器、內存等用于存儲信息的復雜結構。存儲器的分類存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器；所謂易失性存儲器是指設備掉電，存儲的信息自動清除，而非易失性存儲器具有存儲時間長的功能。易失性存儲器主要指
2021-12-10 06:54:11
本篇文章介紹的是非易失性存儲器EEPROM與內存Flash消耗能量計算。
2020-12-31 06:11:04
存儲設備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著該設備能夠保存數據且無需持續供電，即使關閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
非易失性存儲器平衡方法
2021-01-07 07:26:13
非易失性存儲器的特點及應用介紹
2012-08-20 12:54:28
~64Mbit.5,Die(祼片)1Mbit~64Mbit.6.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存儲器)256Kbit~1Gbit7.MCP 512Mbit+256Mbit
2013-08-22 09:30:32
一塊DDR2的說明寫的是512Mbit (32Mbit * 16) ，這個是什么意思？
2015-02-10 15:15:26
EVERSPIN非易失性存儲器嵌入式技術
2020-12-21 07:04:49
~64Mbit.5,Die(祼片)1Mbit~64Mbit.6.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存儲器)256Kbit~1Gbit7.MCP 512Mbit+256Mbit
2013-08-02 09:43:10
~64Mbit.5,Die(祼片)1Mbit~64Mbit.6.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存儲器)256Kbit~1Gbit7.MCP 512Mbit+256Mbit
2013-08-16 09:22:13
該板上檢測到NLP。我嘗試在重置線上電后重置PHY，但這沒有用。顯然，我的PHY配置有問題，但由于Ido沒有PHY的數據表，我不知道如何重新配置??它甚至測試其當前配置。 PHY是否將配置數據存儲在非易失性存儲器中？寄存器中有一點需要改變嗎？部件是否完全壞了？
2019-08-27 07:45:17
Ramtron推出高速和低電壓的F-RAM存儲器Ramtron International Corporation宣布推出新型F-RAM系列中的首款產品，具有高速
2008-10-08 09:23:16
SRAM接口。所有這些實現都以某種形式的8引腳封裝提供。 SRAM和FRAM技術的常用功能 在最高級別上，SRAM和FRAM的基本功能是相同的-從Kilobits到即時存儲在內存中的少量兆位的隨機存取存儲器的容量。該存儲器沒有特殊配置或頁面邊界，并且支持標準SPI物理引腳排列。
2020-12-17 16:18:54
/stm32f427vg.pdf)，STM32F429有一個“具有高達 32 位數據總線的靈活外部存儲器控制器：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、Compact Flash/NOR
2023-01-04 06:10:10
世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM產品之第二款并口器件FM28V020。
2019-09-16 10:31:20
)64Kbit-512Kbit.3.PSRAM[Pseudo SRAM,UtRAM(虛擬靜態隨機存儲器)4Mbit-64Mbit.4.Cellular RAM(偽靜態隨機存儲器)4Mbit-64Mbit.6.NvSRAM,F-RAM
2013-08-27 09:34:11
)4Mbit-64Mbit.7.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存儲器)256Kbit-16Mbit8.Mobile SDRAM/DDR(低功耗SDRAM/DDR
2013-08-29 10:11:56
MIKROE-2768，FRAM 2 CLICK Board帶有CY15B104Q 4 Mbit（512K x 8）串行F-RAM。鐵電隨機存取存儲器或F-RAM是非易失性的，并且執行類似于SRAM
2020-07-22 10:30:31
我們在PSoC? Creator 中有一個 PSoC6 項目，并希望將 QSPI F-RAM?存儲器添加到TDA5235_868_5_BOARD中。我很難找到如何在F-RAM? PSoC
2024-03-01 12:14:13
常用存儲器存儲器的種類RAM存儲器非易失性存儲器存儲器的種類易失性存儲器： 掉電數據會丟失讀寫速度較快內存非易失性存儲器：掉電數據不會丟失讀寫速度較慢機械硬盤RAM存儲器RAM是“Random
2021-12-10 07:09:20
)4Mbit-64Mbit.4.Cellular RAM(偽靜態隨機存儲器)4Mbit-64Mbit.6.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存儲器)256Kbit-16Mbit8.Mobile SDRAM
2013-08-23 11:00:03
1.芯片簡介鐵電存儲器F-RAM，2Mbit（256K * 8） SPI（Upto 40MHz）項目有用到，做個mark，有錯誤請指正。2.接線引腳較少，具體可參考datasheet中引腳定義和接線
2022-03-02 06:55:36
數據存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數據存儲器 片內RAM數據存儲器16M字節外部數據存儲器各有什么區別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數據存儲器包含三部分，片內640字節的FLASH數據存儲器、256字節的RAM以及片外可擴展到16M字節的數據存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
汽車系統的設計變得越來越復雜，因為要不斷的加入新的功能，如高級駕駛輔助，圖形儀表，車身控制和車輛信息娛樂系統。為了確保可靠、安全的操作，每個子系統均需要使用特定的非易失性存儲器，以便在復位操作和電源
2019-07-23 06:15:10
題目：某計算機字長16位，主存容量128KW，請用16K 8 的靜態RAM存儲芯片和32K 16的ROM芯片，為該機設計一個主存儲器。要求18000H1FFFFH為ROM區，其余為RAM區。畫出存儲器結構及其與CPU連接的框圖。答案：...
2021-07-28 06:33:04
大俠幫忙簡述一下英飛凌XC878的存儲器擴展機制{:10:}
2018-12-18 09:43:54
stm32f103zet6搭配256Mbit SDRAM有意義么，看原子戰艦也才8M，是不是有點浪費，F1性能能消耗這么大內存么？
2019-05-07 02:35:35
查看了Microchip 的EEPROM資料，好像都是只有到1Mbit， 這樣折算下來，也才有128KByte的數據量可以存儲。請問各位見多識廣的大神，有沒有1MByte的數據量存儲的EEPROM推薦，有的話型號是什么？
2019-01-21 08:12:36
.7.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存儲器)256Kbit-16Mbit8.Mobile SDRAM/DDR(低功耗SDRAM/DDR)128Mbit-512Mbit9.DDR2/DDR3 SDRAM (動態隨機
2013-08-30 10:31:33
~64Mbit.5,Die(祼片)1Mbit~64Mbit.6.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存儲器)256Kbit~1Gbit7.MCP 512Mbit+256Mbit
2013-07-17 09:52:33
論述2,4-Mbit
2009-05-23 15:17:40
16 FM22LD16 datasheet pdf,4Mbit F-RAM Memory
The FM22LD16 is a 256Kx16 nonvolatile memorythat reads
2010-03-03 15:05:3111 FM28V100 datasheet pdf ,1Mbit Bytewide F-RAM Memory
The FM28V100 is a 128K x 8 nonvolatile
2010-03-03 15:07:3928 FM28V020 推出V系列并口256Kb F-RAM器件
世界頂尖的非易失性鐵電存儲器(F-RAM) 和集成半導
2009-08-18 11:58:321555 旺宏電子推出全球首顆256Mbit序列快閃存儲器
全球最大的序列式快閃存儲器(Serial Flash)生產制造公司宣布，領先業界推出全球第一顆256Mbit序列快閃存儲器產品─MX25L25635E
2009-11-02 15:30:01677 面向納電子時代的非易失性存儲器
摘要
目前主流的基于浮柵閃存技術的非易失性存儲器（NVM）技術有望成為未來幾年的參考技術。但是，閃存本身固有的
2009-12-25 09:37:28636 32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM器件在如此高的密度上，擁有非常快的響應時間和最小化的封裝尺寸。目標應用領域包括存儲服務器、交換機和路由器、測試設備、高端安全系統和軍事
2010-06-22 10:15:46883 本文對目前幾種比較有競爭力和發展潛力的新型非易失性存儲器做了一個簡單的介紹。
鐵電存儲器(FeRAM)
鐵電存儲器是一種在斷電時不會丟失內容的非易
2010-08-31 10:50:591942 
世界領先的低功耗鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron) 宣布，
2010-12-20 09:02:481087 賽普拉斯半導體公司日前宣布推出新型36-Mbit 和 18-Mbit 容量的四倍速 (QDR) 和雙倍速 (DDR) SRAM，這些新產品是其65-nm SRAM
2011-01-10 09:48:43532 Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)發布W系列 F-RAM存儲器，W系列器件帶有串口I2C、SPI接口和并行接口，能夠提供從2.7V 到 5.5V的更寬電壓范圍
2011-03-12 10:47:551740 賽普拉斯半導體公司日前宣布推出一款容量高達 72 Mbit 的先進先出 (FIFO) 存儲器。該款全新的高容量 (HD) FIFO 是視頻及成像應用的理想選擇，可滿足高效緩沖所需的高容量和高頻率要求
2011-06-17 09:42:022396 Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)宣布，現已在IBM的新生產線上廣泛制造其最新鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 產品的樣片FM24C64C具有低功率運作特性，有效電流為100 μA (在100 kHz下)，典型
2011-07-22 09:38:011523 Ramtron宣布提供全新4至64Kb串口非易失性鐵電 RAM (F-RAM)存儲器的預認證樣片，新產品采用Ramtron全新美國晶圓供應商的鐵電存儲器工藝制造，具有1萬次 (1e12)的讀/寫循環、低功耗和無延遲
2011-10-27 09:34:131244 Ramtron宣布推出世界上最低功耗的非易失性存儲器。該16 kb器件的型號為FM25P16，是業界功耗最低的非易失性存儲器，為對功耗敏感的系統設計開創了全新的機遇.
2012-02-07 09:00:551190 賽普拉斯半導體公司日前推出了16-Mbit 非易失性靜態隨機訪問存儲器 （nvSRAM） 系列，其中包括具備同步 NAND 閃存接口的器件、16-Mbit 并行、nvSRAM和同步NAND 接口，全新系列包含了支持用于
2012-09-13 12:04:25654 世界領先隨機存取存儲器（F-RAM）和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron宣布，現已提供可與飛思卡爾半導體公司廣受歡迎的Tower System開發平臺共用的全新F-RAM存儲器模塊。
2012-10-08 14:31:23930 電子發燒友網核心提示 ：什么是F-RAM？F-RAM：鐵電隨機存儲器。 相對于其它類型的半導體技術而言，鐵電隨機存儲器（F-RAM）具有一些獨一無二的特性。已經確定的半導體存儲器可以分
2012-10-19 11:25:353151 
什么是F-RAM？ F-RAM：鐵電隨機存儲器。相對于其它類型的半導體技術而言，鐵電隨機存儲器（F-RAM）具有一些獨一無二的特性。已經確定的半導體存儲器可以分為兩類：易失性和非易失性
2012-10-19 17:16:334704 A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile and performs reads and writes similar to a RAM.
2017-09-11 14:09:563 A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile and performs reads and writes similar to a RAM.
2017-09-12 15:33:1110 A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile and performs reads and writes similar to a RAM.
2017-09-14 11:26:2518 The FM28V202A is a 128 K × 16 nonvolatile memory that reads and writes similar to a standard SRAM. A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile
2017-09-14 11:29:227 The FM28V102A is a 64 K × 16 nonvolatile memory that reads and writes similar to a standard SRAM. A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile,
2017-09-14 11:32:150 The FM16W08 is a 8 K × 8 nonvolatile memory that reads and writes similar to a standard SRAM. A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile
2017-09-14 11:43:0513 The IS66WVC2M16ALL is an integrated memory device containing 32Mbit Pseudo Static Random Access
2017-09-20 11:37:326 提供卓越性能和高可靠性。Excelon鐵電隨機存取存儲器（F-RAM）系列具有高速非易失性數據記錄功能，即使在惡劣的汽車和工業環境中，以及處于極端溫度的情況下均可防止數據的丟失。
2018-03-17 09:40:004456 先進嵌入式解決方案的領導者賽普拉斯半導體公司（納斯達克股票代碼：CY）近日宣布推出新型串行非易失性存儲器系列，為關鍵任務數據采集提供卓越性能和高可靠性。Excelon?鐵電隨機存取存儲器（F-RAM
2018-03-19 10:12:586838 關鍵詞：賽普拉斯 , 16-Mbit , 存儲器 , nvSRAM 賽普拉斯半導體公司（納斯達克股票代碼：CY）日前推出了 16-Mbit 非易失性靜態隨機訪問存儲器 (nvSRAM) 系列，其中
2018-09-30 00:22:02539 非易失性存儲器是指當電流關掉后，所存儲的數據不會消失者的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內的數據是否能在使用電腦時隨時改寫為標準，可分為二大類產品，即ROM和Flash memory。
2018-12-23 13:31:0010224 ramtron international corporation宣布推出新型f-ram系列中的首款產品，具有高速讀/寫性能、低電壓工作和可選器件的特性。
2019-01-01 15:48:002405 非易失性存儲器技術是在關閉計算機或者突然性、意外性關閉計算機的時候數據不會丟失的技術。非易失性存儲器技術得到了快速發展，非易失性存儲器主要分為塊尋址和字節尋址兩類。
2019-01-23 11:33:4117003 非易失性存儲器技術是在關閉計算機或者突然性、意外性關閉計算機的時候數據不會丟失的技術。非易失性存儲器技術得到了快速發展，非易失性存儲器主要分為塊尋址和字節尋址兩類。
2019-04-07 14:33:008357 RS組件公司正在發布一個易于使用且價格低廉的開發工具包，使工程師能夠估計賽普拉斯半導體公司（Cypress Semiconductor）的高性能Excelon Ultra QSPI F-RAM內存技術。
2019-11-11 11:21:09910 良好的設計是成功制造非易失性存儲器產品的重要關鍵，包括測試和驗證設備性能以及在制造后一次在晶圓和設備級別進行質量控制測試。新興的非易失性存儲器技術的制造和測試，這些技術將支持物聯網，人工智能以及先進
2020-06-09 13:46:16847 
Ramtron International公司近日宣布推出采用精簡的FBGA封裝的4M F-RAM存儲器FM22LD16。FM22LD16是一個容量為4M，3V工作電壓，并行非易失性RAM，48
2020-08-30 10:09:01677 世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產品開發商及供應商 Ramtron International Corporation宣布已與 IBM 達成
2021-03-29 18:13:201569 賽普拉斯型號CY15B104Q-LHXI主要采用先進鐵電工藝的4Mbit非易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器或FRAM是非易失性的，并且執行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數據保留，同時消除了由串行閃存，EEPROM和其他非易失性存儲器引起的復雜性，開銷和系統級可靠性問題。
2021-05-16 16:59:521643 
FM25V10-GTR是采用先進鐵電工藝的1Mbit非易失性存儲器。鐵電存儲器或FRAM是非易失性的，并且執行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數據保留，同時消除了由串行閃存
2021-06-08 16:39:521134 FRAM是一種非易失性存儲器產品，具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優點，富士通推出了具有并行接口型號MB85R8M2TA的8Mbit?FRAM存儲芯片，這是富士通FRAM產品系列中第一款保證
2021-12-11 14:46:17579 FRAM 是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統的非易失性存儲器 （如EEPROM、閃存）相比，FRAM不需要備用電池來保留數據，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度操作和更低的功耗
2022-01-10 15:50:314123 富士通半導體存儲器解決方案有限公司推出12Mbit ReRAM(電阻式隨機存取存儲器)MB85AS12MT，這是富士通ReRAM產品系列中密度最大的產品。
2022-04-24 16:06:021133 VDSR8M16XS54XX2C12是一款高速、高度集成的產品。靜態隨機存取存儲器8.388.608位。它由兩個4Mbit的銀行組成。
2022-06-08 11:48:581 加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導體正在批量生產具有快速數據傳輸功能的 4Mbit FeRAM MB85RQ4ML。這種非易失性存儲器可以在最大 108MHz 的工作頻率下實現每秒 54MByte 的數據傳輸率，并具有四個 I/O 引腳的 Quad SPI 接口(圖1)。
2022-08-26 15:35:44445 Everspin型號MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲芯片，組織為16位的65536個字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時序，續航時間無限制。數據在20年以上的時間內始終是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403 ROM中存儲的數據在斷電后依然存在，不會丟失，因此也被稱為非易失性存儲器。而RAM是易失性存儲器，當斷電時，其中的數據將會丟失。
2023-06-20 16:38:442024 汽車事件數據記錄系統（EDR）市場的不斷發展正在推動專用數據記錄存儲設備的需求，這些設備能夠即時捕獲關鍵數據并可靠地存儲數據長達數十年。
2023-10-13 16:34:32451 是Volatile RAM（易失性存儲器），又稱為SRAM（Static Random Access Memory，靜態隨機訪問存儲器）；另一種是Non-volatile RAM（非易失性存儲器），又稱
2024-01-12 17:27:15522
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