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寬禁帶半導體概述 碳化硅壽命面臨什么挑戰

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2023-04-26 10:18:51930

什么是碳化硅半導體

硅(Si)是電子產品中常用的純半導體的一個例子。鍺(Ge)是另一種純半導體,用于一些最早的電子設備。半導體也由化合物制成,包括砷化鎵 (GaAs)、氮化鎵 (GaN)、硅鍺 (SiGe) 和碳化硅 (SiC)。我們稍后將回到最后一項。
2023-05-24 11:26:141681

碳化硅MOSFET什么意思

碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導體場效應晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151182

陸芯精密切割之半導體碳化硅應用領域

1、半導體照明領域以碳化硅為基板的LED在此期間具有更高的亮度、更低的能耗、更長的壽命、更小的單位芯片面積,在大功率LED中具有很大的優勢。2.各種電機系統在5kV以上的高壓應用中,半導體碳化硅功率
2021-12-07 10:36:02546

羅姆收購Solar Frontier碳化硅工廠 計劃到2027碳化硅功率半導體業務達139億

羅姆收購Solar Frontier碳化硅工廠 計劃到2027碳化硅功率半導體業務達139億 羅姆一直看好碳化硅功率半導體的發展,一直在積極布局碳化硅業務。羅姆計劃到2025年拿下碳化硅市場30
2023-07-19 19:37:01724

碳化硅晶圓對半導體的作用

 如今砷化鎵、磷化銦等作為第二代化半導體因其高頻性能效好主要是用于射頻領域,碳化硅、和氮化鎵等作為第三代半導體因禁帶寬度和擊穿電壓高的特性。
2023-07-25 10:52:23405

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優勢和應用

碳化硅,也稱為SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導體基礎材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體,或將其與鈹,硼,鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅存在許多品種和純度,但半導體級質量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451094

半導體下行 碳化硅熱度卻愈演愈烈

半導體行業的下行周期中,也并非一片低迷之聲,碳化硅就是萎靡之勢中的一個反例。
2023-08-17 14:27:151085

碳化硅的性能和應用場景

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優良電氣特性,突破硅基半導體材料物理限制,是第三代半導體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領域的發展,碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:221041

igbt和碳化硅區別是什么?

igbt和碳化硅區別是什么?? IGBT和碳化硅都是半導體器件,它們之間的區別主要體現在以下幾個方面。 一、材料: IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣
2023-08-25 14:50:049049

第三代寬禁帶半導體碳化硅功率器件的應用

SiC器件是一種新型的硅基MOSFET,特別是SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結組成。 在眾多的半導體器件中,碳化硅材料具有低熱導率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342

三安光電8英寸碳化硅量產加速!

業內人士預測,今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國際功率半導體巨頭Wolfspeed和意法半導體等公司正在加速推進8英寸碳化硅技術。在國內市場方面,碳化硅設備、襯底和外延領域也有突破性進展,多家行業龍頭選擇與國際功率半導體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:21969

汽車缺“芯”,這是碳化硅功率半導體“上車”的關鍵

目前汽車業仍結構性缺芯,比如,電源類、控制類、通信類、計算類、功率類的芯片均緊缺。像碳化硅芯片項目投資建設期需18-24個月,去年有許多碳化硅項目的投資,要2025年才會釋放產能,預計2025年碳化硅功率半導體的緊缺狀況才會得到緩解。
2023-11-17 17:12:18664

基本半導體:功率半導體碳化硅時代

目前,全球碳化硅產業處于快速發展階段。據市場研究機構預測,未來幾年碳化硅市場將保持高速增長態勢。根據公開信息統計,2022年全球碳化硅市場份額約為18億美元,該數據包括多家上市公司,如意法半導體、英飛凌、Wolfspeed和安森美羅姆等。
2023-12-06 17:17:37603

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優點和應用

碳化硅,又稱SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體,或將其與鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅的品種和純度很多,但半導體級質量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23438

氮化鎵半導體碳化硅半導體的區別

氮化鎵半導體碳化硅半導體是兩種主要的寬禁帶半導體材料,在諸多方面都有明顯的區別。本文將詳盡、詳實、細致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學性能以及應用領域等方面的差異。 一、物理特性: 氮化
2023-12-27 14:54:18331

碳化硅相對傳統硅半導體有什么有缺點

碳化硅(SiC)和傳統硅半導體(Si)是兩種常見的半導體材料,它們在電子器件制造中具有廣泛的應用。然而,碳化硅相對于傳統硅半導體具有一定的優缺點。 優點: 更高的熱導率:碳化硅的熱導率是傳統硅半導體
2024-01-10 14:26:52231

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