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編輯：黃飛
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寬帶隙和超寬帶隙半導體技術介紹
- 光電子(17161)
- 寬帶隙器件(2428)
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電子內窺鏡中超寬帶的應用
超寬帶(UWB)是一項高帶寬(480-1320Mb/秒)和短距離(10-50米)的無線傳輸技術。本文介紹如何將超寬帶技術應用于電子內窺鏡。
2011-11-18 15:29:52
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使用寬帶隙推動提高效率的下一代電源設計擴大了性能差距
功率轉換器中使用的半導體開關技術是改進的關鍵，而使用碳化硅 （SiC） 和氮化鎵 （GaN） 的新型寬帶隙（WBG） 類型有望取得重大進展。讓我們詳細研究一下這些優勢。
2022-07-29 08:07:58281
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氮化鎵（GaN）寬帶隙技術的電源應用設計
隨著世界希望電氣化有助于有效利用能源并轉向可再生能源，氮化鎵（GaN）等寬帶隙半導體技術的時機已經成熟。傳統硅MOSFET和IGBT的性能現在接近材料的理論極限，進一步發展只是以緩慢和高成本實現微小
2023-10-25 16:24:43949
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使用寬帶隙技術最大限度地提高高壓轉換器的功率密度
提高功率密度和縮小電源并不是什么新鮮事。預計這一趨勢將持續下去，從而實現新的市場、應用和產品。這篇博客向設計工程師介紹了意法半導體（ST）的電源解決方案如何采用寬帶隙（WBG）技術，幫助
2023-11-16 13:28:338788
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寬帶隙材料在電力電子產品中具備的優勢
帶隙高于硅半導體的新型材料可縮減芯片尺寸，同時保持相同的隔離電壓。 較小的芯片產生較低的寄生電容，并降低了晶體管柵極電荷 (Qg) 及輸出電容 (Coss)。相比于標準的硅 MOSFET，在給定的頻率
2022-11-16 06:48:11
超寬帶技術有哪些特點？
超寬帶（UWB，Ultra Wide
Band）技術是現下一種新型的無線載波通信技術，超寬帶技術不使用正弦載波，而是通過對具有很陡上升和下降時間的沖擊脈沖傳輸數據，然后使其所占的頻譜范圍很寬
2023-05-08 17:09:04
超寬帶RF測量
超寬帶RF測量DS-UWB 超寬帶方法根據UWB 論壇3，直序超寬帶(DS-UWB)結合使用單載波擴頻設計和寬相干帶寬，實現了高達1.32 Gb/s的數據速率。根據現有的CMOS 技術布局
2008-11-26 11:41:32
超寬帶人員定位系統
容易將定位與通信結合。快速發展的短距離超寬帶通信無疑將帶動UWB在定位技術的發展。隨著市場需求的不斷增加，相信不久超寬帶（UWB）人員定位系統會被應用到更廣泛的領域，促進社會的發展，并得到行業的認可。
2018-11-20 15:07:56
超寬帶認知無線電的關鍵技術是什么？
本文從超寬帶認知無線電適配信號的產生、功率傳輸控制和分布式節點間的合作三個方面，對當前該技術領域的關鍵技術進行了詳細的介紹和分析。
2021-05-26 06:51:23
超寬帶通信有什么特點？
超寬帶是利用納秒級窄脈沖發射無線信號的技術, 適用于高速、 近距離的無線個人通信。按照FCC 的規定, 從 3 . 1GHz 到 10 . 6GHz 之間的 7 . 5GHz 的帶寬頻率為UWB 所使用的頻率范圍。
2019-10-24 09:02:11
UBW超寬帶天線的設計
UWB系統的設計和應用是無線通信領域激烈競爭的焦點，特別是2002年漂亮國聯邦通信委員會FCC將3.1～10.6GHz頻段列為超寬帶（UWB）民用頻段后 . 超寬帶天線用作超寬帶。 該系統的重要
2022-11-08 18:05:50
UWB超寬帶技術又是什么黑科技？
空間感知能力是什么意思？U1芯片到底能做什么？UWB超寬帶技術又是什么黑科技？UWB技術和我們現在常用的定位技術，又有什么不同呢？
2021-06-16 06:25:13
UWB超寬帶傳輸技術特點
的非正弦波窄脈沖傳輸數據，因此，其所占的頻譜范圍很寬，適用于高速、近距離的無線個人通信。FCC規定，UWB的工作頻段范圍從3.1 GHz到10.6 GHz，最小工作頻寬為500MHz。超寬帶傳輸技術
2019-06-14 07:19:32
UWB超寬帶定位技術概念
`UWB超寬帶定位技術概念：超寬帶無線通信技術（UWB）是一種無載波通信技術，UWB不使用載波，而是使用短的能量脈沖序列，并通過正交頻分調制或直接排序將脈沖擴展到一個頻率范圍內。UWB的主要特點
2018-10-19 15:18:17
uwb超寬帶定位原理全面解析
`UWB超寬帶定位是一種新型的無線通信技術。UWB信號的發生可通過發射時間極短（如2ns）的窄脈沖（如二次高斯脈沖）通過微分或混頻等上變頻方式調制到UWB工作頻段實現。UWB超寬帶定位的主要優勢有
2018-10-16 09:55:08
為什么說寬帶隙半導體的表現已經超越了硅？
滿足市場需求，使用硅的新器件年復一年地實現更大的功率密度和能效，已經越來越成為一個巨大的挑戰。從本質上講，芯片的演進已經接近其基礎物理極限。但是，為什么說寬帶隙半導體的表現已經超越了硅呢？
2019-07-30 07:27:44
使用寬帶隙器件做電路設計時的注意事項
說到功率轉換電子器件，每位設計師都希望用到損耗最小的完美半導體開關，而寬帶隙碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）器件通常被認為是接近完美的器件。不過，想要達到“完美”，只靠低損耗是遠遠不夠的。開關必須
2023-02-05 15:14:52
基于全光矢量調制技術的超寬帶光載無線系統及其關鍵技術分析介紹
的最高速率。隨之光載無線(RoF)概念被提出來，用來在光纖無線接入網絡中提供固定和移動雙重寬帶業務接入。RoF技術不僅僅局限于現有微波波段，更高頻率的毫米波段(30～300 GHz)以及超寬帶無線信號
2019-06-17 06:52:14
如何利用TH-UWB02超寬帶發射芯片實現超寬帶窄脈沖發射機電路？
本文利用單片機和自主設計的TH-UWB02超寬帶發射芯片實現了一個超寬帶窄脈沖發射機電路，能夠發送高速率的窄脈沖超寬帶脈沖序列，由接收機解調后可以實現高速數據的無線傳輸，可用于無線數據傳輸、射頻標簽等領域。
2021-03-18 07:22:52
怎么設計基于枝節加載的超寬帶濾波器？
自2002年美國聯邦通訊委員會(FCC)批準把3.1GHz到10.6GHz之間的頻段分配給超寬帶通信系統使用以來，小型化，高性能已經成為了超寬帶無線通信系統的必然趨勢。
2019-08-21 07:39:35
新型寬帶隙材料的優勢
帶隙高于硅半導體的新型材料可縮減芯片尺寸，同時保持相同的隔離電壓。 較小的芯片產生較低的寄生電容，并降低了晶體管柵極電荷 (Qg) 及輸出電容 (Coss)。相比于標準的硅 MOSFET，在給定的頻率
2018-08-30 14:43:17
結構緊湊型超寬帶單極子天線結構及設計介紹
1引言超寬帶（UWB）無線通信技術以其極大的容量和極小的功率特性等優勢，成為這個時代最具潛力的技術之一。近年來，隨著超寬帶技術的不斷發展，超寬帶天線已在衛星通信、雷達、電子對抗系統等方面得到了廣泛
2019-06-13 07:54:58
針對電機控制應用如何選擇寬帶隙器件？
在功率轉換應用中，使用碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）材料的寬帶隙（WBG）半導體器件作為開關，能讓開關性能更接近理想狀態。相比硅MOSFET或IGBT，寬帶隙器件的靜態和動態損耗都更低。此外還有
2023-02-05 15:16:14
空時編碼技術在超寬帶通信系統中的應用
空時編碼技術在超寬帶通信系統中的應用
空時編碼技術和超寬帶技術是當前無線通信領域的熱點技術。為了提高短距離速率無線通信的性能，討論了空時編碼技術在超寬帶
2009-12-30 10:11:43
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6UWB超寬帶無線通信技術及其發展前景
本文首先介紹了超寬帶技術的定義,描述了超寬帶技術的特點和信道模型,闡述用于超寬帶系統常用的多址方式和調制方式,給出了超寬帶通信收發機結構,最后分析了國內外超寬
2010-08-12 17:21:3638
38超寬帶無線通信技術和應用領域
超寬帶無線通信技術和應用領域
摘要：首先簡要介紹了超寬帶（UWB）的系統框架，而后介紹了其主要技術特征和標準化情況，最后對UWB技術的應
2010-03-13 10:58:141447
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什么是超寬帶無線通信技術
什么是超寬帶無線通信技術
摘要：超寬帶(UWB)具有傳輸速率高、通信距離短、平均發射功率低等特點，非常適合于短距離高速無線通信。文
2010-03-13 11:15:421356
1356超寬帶系統的脈位調制技術研究
超寬帶是一種與傳統無線通信技術有所區別的通信，針對影響 超寬帶 脈位調制技術的因素進行了研究，簡要介紹了超寬帶的技術特征、調制解調原理和技術優點，重點分析了無載波的
2011-08-05 14:58:2428
28超寬帶的發展之路與趨勢
超寬帶( UWB )一詞最先由美國國防部于1989年提出。由于超寬帶可以與其他通信系統共存使得超寬帶得到快速的發展，市場應用更加廣闊。 UWB技術是一種新型的無線通信技術。它通過對具
2011-10-10 17:44:541220
1220新型寬帶隙材料在電力電子產品的設計優勢——第一部分
隨著在晶體管制造中引入諸如氮化鎵 (GaN) 等新型寬帶隙材料，品質因數的顯著改善轉化為電源的潛在改良。在這篇包括兩個部分的博客系列中，我將討論這些新型寬帶隙材料是怎樣能讓新設計從中受益的。 采用帶隙高于硅半導體的新型材料可縮減芯片尺寸，同時保持相同的隔離電壓。
2017-04-18 08:41:11766
766關于寬帶隙半導體與硅的對比分析
正是由于帶隙，使得半導體具備開關電流的能力，以實現給定的電子功能;畢竟，晶體管僅僅是嵌入在硅基襯底上的微型開關。更高的能量帶隙賦予了WBG材料優于硅的半導體特性。 相較于硅器件，WBG器件可以在較小
2019-08-28 12:31:068783
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超寬帶技術詳解
超寬帶（UWB）是一種無線技術，可以在短時間內以極低功率實現數據的高速傳播。超寬帶有很多獨特的技術特性，是具有極強競爭優勢的短距無線傳輸技術。但該技術在2002年之后才正式被大家關注，主要是該技術
2020-03-13 15:45:004535
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IEEE發布半導體技術路線圖，助力碳化硅和氮化鎵材料發展
近日，為了促進寬帶隙（WBG）半導體技術的發展，IEEE電力電子學會（PELS）發布了寬帶隙功率半導體（ITRW）的國際技術路線圖。
2020-04-13 16:01:314783
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寬帶隙半導體是一項關注度很高的替代技術
摘要：傳統硅基MOSFET技術日趨成熟，正在接近性能的理論極限。寬帶隙半導體的電、熱和機械特性更好，能夠提高MOSFET的性能，是一項關注度很高的替代技術。 商用硅基功率MOSFET已有近40年
2020-09-18 17:08:332192
2192GaN和SiC基功率半導體的寬帶隙技術
尋找硅替代物的研究始于上個世紀的最后二十年，當時研究人員和大學已經對幾種寬帶隙材料進行了試驗，這些材料顯示出替代射頻，發光，傳感器和功率半導體的現有硅材料技術的巨大潛力。應用程序。在新世紀即將來臨
2021-04-01 14:10:192216
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超寬帶UWB為什么那么重要
（UWB） 以及它為什么重要產生了很多困惑。我們當中有幸從事超寬帶技術和產品相關工作的人永遠不會把它和 5G 數據計劃混為一談。現在就讓我們來揭開一些有關超寬帶的迷思。 超寬帶不是指： 得克薩斯農工大學 （Texas AM） 的 Fightin’ Texas Aggie 樂隊擁有 400 多名成員，他們站在一起時
2021-10-28 16:01:592239
2239寬帶隙器件的應用有哪些
寬帶隙 （WBG） 半導體器件的集成在多種技術應用中作為硅技術的替代品是一個不斷增長的市場，它可以提供效率和功率密度的改進，這對能源和成本節約有很大的影響 。WBG 具有顯著優勢，例如更高的開關頻率、更低的功率損耗和更高的功率密度。
2022-04-22 17:01:511906
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寬帶隙技術對電源轉換器的好處
眾所周知，與硅相比，碳化硅 （SiC） 和氮化鎵 （GaN） 等寬帶隙 （WBG） 半導體可提供卓越的性能。這些包括更高的效率、更高的開關頻率、更高的工作溫度和更高的工作電壓。
2022-04-22 17:07:541815
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寬帶隙半導體GaN、ZnO和SiC的濕法化學腐蝕
以及在非酸性乙酰丙酮中容易被蝕刻，但是III族氮化物和SiC非常難以濕法蝕刻，并且通常使用干法蝕刻。已經研究了用于GaN和SiC的各種蝕刻劑，包括含水無機酸和堿溶液，以及熔融鹽。濕法蝕刻對寬帶隙半導體技術具有多種應用，包括缺陷裝飾、通過產生特征凹坑或小丘來識
2022-07-06 16:00:211968
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寬帶隙半導體終結了硅的主導地位
寬帶隙 (WBG) 半導體，例如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)，已經終結了硅在電力電子領域的主導地位。自硅問世以來，WBG 半導體被證明是電力電子行業最有前途的材料。與傳統的硅基技術相比
2022-07-27 15:11:441427
1427分析寬帶隙半導體的計算模型
了解半導體價帶和導帶的形成機制對于新材料生產的潛在技術影響至關重要。這項工作提出了一種寬帶隙計算模型，突出了理解能帶結構的理論困難，然后將其與實驗數據進行了比較。
2022-07-29 11:18:02917
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碳化硅和氮化鎵等寬帶隙半導體推動汽車電氣化
用電動汽車市場的爆炸式增長。 在先進汽車技術論壇的電動汽車寬帶隙半導體小組會議上，三位行業專家討論了解決 GaN 和 SiC 當前挑戰和未來機遇的努力。 把握電氣化勢頭 在清潔能源領域，電動汽車市場是迄今為止最具活力的。 2012 年，全球售出約 130,000 輛電動汽車
2022-07-29 12:06:00515
515分析用于電力電子的寬帶隙半導體
使用寬帶隙半導體的技術可以滿足當今行業所需的所有需求。顧名思義，它們具有更大的帶隙，因此各種電子設備可以在高電壓、高溫和高頻率下工作。碳化硅 （SiC） 和氮化鎵 （GaN） 是最近推出的寬帶隙
2022-07-29 08:06:461597
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碳化硅寬帶隙半導體有什么好處
寬帶隙 (WBG) 半導體極大地影響了使用它們的設備的可能性。材料的帶隙是指電子從半導體價帶的最高占據態移動到導帶的最低未占據態所需的能量。
2022-07-29 15:10:451803
1803變速驅動器和基于寬帶隙的逆變器技術的影響
考慮到SiC MOSFET在高壓應用中 與IGBT相比的技術優勢，人們顯然會為新設計選擇寬帶隙組件，尤其是在應用中驅動高功率密度和低損耗的情況下。
2022-07-29 08:07:12508
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寬帶隙半導體：GaN 和 SiC 的下一波浪潮
AspenCore 的?2021 年 PowerUP 博覽會?用一整天的時間介紹寬帶隙 (WBG) 半導體，特別是氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)。WBG 小組討論的重點是“下一波 GaN
2022-07-29 18:06:26458
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寬帶隙半導體：到電動汽車及以后
改進，從而增強熱管理并減少寄生效應。憑借這種對改進的不懈追求，我們正在達到一個平臺，在這個平臺上，進一步的技術迭代只能是漸進式的。 碳化硅 (SiC)和氮化鎵 (GaN ) 等寬帶隙材料 (WBG) 是硅的絕佳替代品，它們的商業化和采用被證
2022-08-05 10:28:31774
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GaN和SiC等寬帶隙技術的挑戰
對硅替代品的探索始于上個世紀的最后二十年，當時研究人員和大學對幾種寬帶隙材料進行了試驗，這些材料顯示出在射頻、發光、傳感器和功率半導體等領域替代現有硅材料技術的巨大潛力應用程序。在新世紀之初，氮化鎵
2022-08-05 11:58:28710
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汽車應用中的寬帶隙材料
寬帶隙半導體 (WBG)，例如碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，與硅相比具有更出色的性能：更高的效率和開關頻率、更高的工作溫度和工作電壓。EV 和 HEV 包括幾個功率轉換階段，累積功率損耗
2022-08-08 10:21:49768
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寬帶隙半導體為通向太空鋪平道路
自硅問世以來，寬帶隙半導體，如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)，已被證明是電力電子領域最有前途的材料。與傳統的硅基技術相比，這些材料具有多個優勢，例如能夠管理高功率水平、對輻射不敏感、能夠在
2022-08-08 10:57:391244
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寬帶隙設備優化電動汽車和機器人的移動性和自主性
汽車和工業電子產品需要高性能的解決方案，在降低設備尺寸的同時提供能源效率和可靠性。近年來，隨著成本的下降，氮化鎵 （GaN） 和碳化硅 （SiC） 器件等寬帶隙半導體已成為這些應用中越來越受歡迎的硅開關替代品。
2022-08-09 08:02:01578
578寬帶隙器件對于下一代空間系統的發展具有重要意義
長期以來，硅基器件一直是半導體領域的基準標準。從 2007 年開始，由于摩爾定律的失敗，復合材料被開發出來，特別關注寬帶隙半導體，因為它們利用了重要的特性，與傳統的硅對應物（如電力電子）相比，它們可以實現具有卓越性能的器件。
2022-09-11 09:29:00453
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寬帶隙半導體封裝用于高壓來突出陶瓷基板
? ? ? ?寬帶隙半導體可實現高壓（10kv及以上）開關。因此，需要新的封裝解決方案來為此類設備奠定的基礎。金屬化陶瓷基板是一種眾所周知且成熟的技術，適用于高達3.3kv的電壓，但它在較高電壓
2022-09-19 16:29:54543
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開工大吉！可支持寬帶隙開關器件的電流傳感器提供更高精度、更高效率
兔 年 大 吉 玉兔迎春，家和業興，Allegro祝您開工大吉！ ACS37002 今天Allegro為大家介紹一款可支持寬帶隙半導體開關器件的電流傳感器。從事電動汽車和其它新能源行業設計的朋友都會
2023-02-01 21:30:011081
1081寬帶隙(WBG)半導體器件主要應用于哪？
集成寬帶隙(WBG)半導體器件作為硅技術在多種技術應用中的替代品，是一個不斷增長的市場，可以提供效率和功率密度的改善，在能源和成本節約方面有很大的反響。WBG具有更高的開關頻率、更低的功率損耗和更高的功率密度。繼續閱讀，了解更多關于基于WBG的半導體器件的廣泛應用。
2023-02-02 16:36:161587
1587寬帶隙半導體技術應用和發展
寬帶隙半導體是一種具有寬帶隙的半導體材料，其特性是具有較寬的能帶隙，可以吸收和發射更多的光子，從而提高半導體器件的效率。它廣泛應用于太陽能電池、激光器件、光電子器件等領域。
2023-02-16 15:07:081136
1136碳化硅寬帶隙的重要性
寬帶隙半導體材料（如SiC）與更傳統的半導體材料（如Si）相比具有許多優勢。考慮帶隙隨著溫度升高而縮小的事實：如果我們從寬帶隙開始，那么溫度升高對功能的影響要小得多。由于SiC具有寬帶隙，因此它可以在更高的溫度下繼續工作，通常高達400°C。
2023-05-24 11:13:481640
1640【干貨分享】針對電機控制應用如何選擇寬帶隙器件？
在功率轉換應用中，使用碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）材料的寬帶隙（WBG）半導體器件作為開關，能讓開關性能更接近理想狀態。相比硅MOSFET或IGBT，寬帶隙器件的靜態和動態損耗都更低。此外還有
2023-07-11 09:20:02309
309為什么叫帶隙電壓？電壓型的帶隙與電流型的帶隙的區別？
之間的關系，對于半導體材料的電學和光學性質都有著非常大的影響。同時，帶隙也是半導體材料被廣泛應用于電子器件和光電子器件中的原因之一。 在介紹電壓型的帶隙和電流型的帶隙的區別之前，我們需要先了解一下半導體材料的基本概
2023-09-20 17:41:212200
2200直接帶隙和間接帶隙的區別與特點
直接帶隙和間接帶隙的區別與特點? 半導體材料是廣泛應用于電子器件制造和光電子技術中的重要材料之一。在研究半導體材料性質時，經常要關注材料的電子能帶結構，其中直接帶隙和間接帶隙是兩種常見的帶隙類型
2023-09-20 17:41:2413635
13635寬帶隙半導體器件用作電子開關的優勢
本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導體器件用作電子開關的優勢，以及如何權衡利弊。主要權衡因素之一是開關損耗，開關損耗會被高 di/dt 和 dv/dt 放大，造成電路
2023-09-21 17:09:32471
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功率逆變器應用采用寬帶隙半導體器件時，柵極電阻選型注意事項
本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導體器件用作電子開關的優勢，以及如何權衡利弊。主要權衡因素之一是開關損耗，開關損耗會被高 di/dt 和 dv/dt 放大，造成電路
2023-11-27 09:16:27300
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寬帶隙半導體重塑交通運輸行業
解決方案（火車、飛機和輪船）。為了控制溫室氣體 (GHG) 排放并減緩全球變暖，我們需要既能最大限度提高效率，又能減少環境影響的解決方案。 寬帶隙 (WBG) 半導體具備多種特性，使得其對交通運輸應用具有很大吸引力。使用這些半導體可以打造更高效、更快速、更輕巧的汽車，
2024-02-13 16:38:00805
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寬帶隙(WBG)半導體助力可持續電動汽車電源轉換，頂部冷卻(TSC)技術提升熱性能
制造商努力降低電動汽車成本，高效和可持續的電源轉換系統對于滿足日益增長的需求和電力要求至關重要。為此，采用寬帶隙(WBG)半導體，如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN
2024-06-27 11:45:15229
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Nexperia斥資2億美元加速漢堡工廠寬帶隙（WBG）半導體研發與生產
全球領先的半導體制造商Nexperia今日宣布將投入高達2億美元(折合約1.84億歐元)的資金，以顯著擴大其位于德國漢堡工廠的寬帶隙(WBG)半導體研究、開發及生產能力。此次投資的核心聚焦于下一代
2024-07-15 17:02:3791
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