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編輯：黃飛
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淺談SiC道變器技術特性及系統優勢
- 控制器(170263)
- 逆變器(200803)
- IGBT(242701)
- SiC(61351)
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600V碳化硅二極管SIC SBD選型
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SiC MOSFET的器件演變與技術優勢
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SiC SBD的器件結構和特征
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二極管（FRD:快速恢復二極管），能夠明顯減少恢復損耗。有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅動實現電感等無源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應用于空調、電源、光伏發電系統中的功率調節器、電動汽車
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SiC-MOSFET體二極管特性
二極管的比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的反向恢復特性比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的正向電壓比較所謂SiC-SBD－SiC-SBD的發展歷程所謂SiC-SBD－使用SiC-SBD的優勢所謂
2018-11-27 16:40:24
SiC-MOSFET功率晶體管的結構與特征比較
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SiC-MOSFET器件結構和特征
的小型化。 另外，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動，從而也可以實現無源器件的小型化。 與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優勢在于芯片
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SiC-MOSFET有什么優點
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動，從而也可以實現無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優勢在于芯片面積小（可實現小型封裝），而且體
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SiC-MOSFET的應用實例
。SiC-MOSFET應用實例2：脈沖電源脈沖電源是在短時間內瞬時供電的系統，應用例有氣體激光器、加速器、X射線、等離子電源等。作為現有的解決方案有晶閘管等真空管和Si開關，但市場需要更高耐壓更高
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SiC-SBD與Si-PND的反向恢復特性比較
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SiC-SBD大幅降低開關損耗
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SiC-SBD的發展歷程
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SiC-SBD的特征以及與Si二極管的比較
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81SiC MOSFET的特性及使用的好處
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1469探究快速開關應用中SiC MOSFET體二極管的關斷特性
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