雖然看過很多半導體制造工藝類的文章，但是對于非科班出身的技術小白來講，純文字的術語概念理解起來還是十分模糊，簡單科普一下分享給大家！ ? ▼詳細圖文版▼

首先將多晶硅和摻雜劑放入單晶爐內的石英坩堝中，將溫度升高至1000多度，得到熔融狀態的多晶硅。

? 硅錠生長是一個將多晶硅制成單晶硅的工序，將多晶硅加熱成液體后，精密控制熱環境，成長為高品質的單晶。

相關概念： ? 單晶生長：待多晶硅溶液溫度穩定之后，將籽晶緩慢下降放入硅熔體中（籽晶在硅融體中也會被熔化），然后將籽晶以一定速度向上提升進行引晶過程。隨后通過縮頸操作，將引晶過程中產生的位錯消除掉。當縮頸至足夠長度后，通過調整拉速和溫度使單晶硅直徑變大至目標值，然后保持等徑生長至目標長度。最后為了防止位錯反延，對單晶錠進行收尾操作，得到單晶錠成品，待溫度冷卻后取出。 ? 制備單晶硅的方法：有直拉法（CZ法）、區熔法（FZ法）。直拉法簡稱CZ法，CZ法的特點是在一個直筒型的熱系統匯總，用石墨電阻加熱，將裝在高純度石英坩堝中的多晶硅熔化，然后將籽晶插入熔體表面進行熔接，同時轉動籽晶，再反轉坩堝，籽晶緩慢向上提升，經過引晶、放大、轉肩、等徑生長、收尾等過程，得到單晶硅。 ? 區熔法是利用多晶錠分區熔化和結晶半導體晶體生長的一種方法，利用熱能在半導體棒料的一端產生一熔區，再熔接單晶籽晶。調節溫度使熔區緩慢地向棒的另一端移動，通過整根棒料，生長成一根單晶，晶向與籽晶的相同。區熔法又分為兩種：水平區熔法和立式懸浮區熔法。前者主要用于鍺、GaAs等材料的提純和單晶生長。后者是在氣氛或真空的爐室中，利用高頻線圈在單晶籽晶和其上方懸掛的多晶硅棒的接觸處產生熔區，然后使熔區向上移動進行單晶生長。 ? 約85%的硅片由直拉法生產，15%的硅片由區熔法生產。按應用分，直拉法生長出的單晶硅，主要用于生產集成電路元件，而區熔法生長出的單晶硅主要用于功率半導體。直拉法工藝成熟，更容易生長出大直徑單晶硅；區熔法熔體不與容器接觸，不易污染，純度較高，適用于大功率電子器件生產，但較難生長出大直徑單晶硅，一般僅用于8寸或以下直徑。視頻中為直拉法 。???? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?

? 由于在拉單晶的過程中，對于單晶硅棒的直徑控制較難，所以為了得到標準直徑的硅棒，比如6寸，8寸，12寸等等。在拉單晶后會將硅錠直徑滾磨，滾磨后的硅棒表面光滑，并且在尺寸誤差上更小。 ?

? 采用先進的線切割工藝，將單晶晶棒通過切片設備切成合適厚度的硅片。

? 由于硅片的厚度較小，所以切割后的硅片邊緣非常鋒利,?磨邊的目的就是形成光滑的邊緣，并且在以后的芯片制造中不容易碎片。

? LAPPING是在沉重的選定盤和下晶盤之間加入晶片后，與研磨劑一起施加壓力旋轉，使晶片變得平坦。 ?

? 蝕刻是去除晶片表面加工損傷的工序，通過化學溶液溶解因物理加工而受損的表層。

? 雙面研磨是一種使晶片更平坦的工藝，去除表面的小突起。 ?

? RTP是一種在幾秒鐘內快速加熱晶片的過程，使得晶片內部得點缺陷均勻，抑制金屬雜質，防止半導體異常運轉。

? 拋光是通過表面精密加工最終確保表面工整度的工藝，使用拋光漿與拋光布，搭配適當的溫度，壓力與旋轉速度，可消除前制程所留下的機械傷害層，并且得到表面平坦度極佳的硅片。 ?

? 洗凈的目的在于去除硅片經過拋光后表面殘留的有機物、顆粒、金屬等，以確保硅片表面的潔凈度，使之達到后道工序的品質要求。 ?

? 平坦度&電阻率測試儀對拋光洗凈后的硅片進行檢測，確保拋光后硅片厚度、平坦度、局部平坦度、彎曲度、翹曲度、電阻率等符合客戶需求。 ?

? PARTICLE COUNTING是精密檢查晶片表面的工序，通過激光散射方式測定表面缺陷和數量。 ?

? EPI GROWING是在經過研磨的硅晶片上用氣相化學沉積法生長高品質硅單晶膜的工序。

相關概念： 外延生長：是指在單晶襯底(基片)上生長一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶層，猶如原來的晶體向外延伸了一段。外延生長技術發展于50年代末60年代初。當時，為了制造高頻大功率器件，需要減小集電極串聯電阻，又要求材料能耐高壓和大電流，因此需要在低阻值襯底上生長一層薄的高阻外延層。外延生長的新單晶層可在導電類型、電阻率等方面與襯底不同，還可以生長不同厚度和不同要求的多層單晶，從而大大提高器件設計的靈活性和器件的性能。 ?

? 包裝是對最終合格的產品進行包裝。 ?

編輯：黃飛

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