據臺灣省經濟日報消息，Intel高級副總裁兼中國區董事長王瑞近日對媒體表示，Intel 20A(業界的2nm制程)和Intel 18A(相當于1.8nm制程)已經流片(流片：是指像流水線一樣通過一系列工藝步驟制造芯片，該詞在集成電路設計領域，“流片”指的是“試生產”。)。這也是Intel在四年內快速發展五個制程節點的目標之一，此次流出的信息也備受外界矚目。

Intel近幾年對于芯片制程工藝的發展令人嘆為觀止，規劃從Intel 10制程開始，逐步有序進入到Intel 7和Intel 4技術節點，然后就是 Intel 3、Intel 20A 和最新的Intel 18A制程。目前Intel已經量產的最新技術是Intel 7制程，Intel 18A制程則預計2024年下半年就位。也就是說，現在舉例2024年的下半年九月剛好18個月的時間，Intel預計在這18個月里攻克數個技術節點，進程之快頗令市場震驚。

資料來源：網絡整理(經濟日報等媒體)，制表：電子工程專輯編輯 ?

Intel 4 物理參數：密度是 Intel 7 的 2 倍

不妨來深入研究一下今年下半年就要上場的Intel 4制程，究竟是何方神圣。不難看出，Intel已經開始著手解決之前遺留下來的問題。首先要解決的密度問題，到了如此精細的工藝節點，不少業界人士均對于制程工藝鐵律 “摩爾定律”和“登納德縮放定律”開始起了動搖之心。

摩爾定律：集成電路可以容納的晶體管數目在大約每經過18個月到24個月便會增加一倍

登納德縮放定律：隨著晶體管尺寸的縮小，其功率密度保持不變，從而使芯片功率與芯片面積成正比。

追溯到Intel之前發布的數據中，Intel 4的 Fin Pitch間距下降到30nm，是Intel 7的34nm的88%，而且Contac Gate Poly Pitch 也從原來的60nm縮減到50nm，Min Metal Pitch(M0)則降低了75%之多，從40nm降到30nm;HP Library Height的高度則減少了近乎一半，從原來的408h減少到140h，僅為Intel 7 的0.59倍。因此，Intel對外宣稱，Intel 4的密度是Intel 7的2倍之多，當然業界更喜歡的說法是，在獲得相同的芯片性能下，Intel4可以比Intel 7做出來的芯片尺寸縮小一半。

由于芯片的晶體管是二維結構，所以Intel的單個單元的計算方式是：HP Libnrary Height *Contact Gate Poly Pitch;按照如此計算方式，Intel 7制程是24408nm2，Intel 4制程則是12000nm2，紙面計算是Intel 7的49%。當然芯片內部各種電路結構有很多，不是每種結構都能用上述公式計算，所以Intel 4 的制程節點據官方稱，相同單元的大小為Intel 7的77%。

決戰2025，Intel放狠話，將重回領導地位

我們再把視野放到更遠的 Intel 3、20A和18A制程節點，雖然官方還未透露出具體的性能參數，但是最新的消息是，Intel 3制程的進度也如預期良好，一掃之前市場傳出的Intel 3制程節點技術開發出現延遲的謠言。

關于Intel Granite Rapids及Sierra Forest系列處理器，計劃都將采用自家的Intel 3制程生產，并且先前的消息也支出，Intel 3制程可以進一步發揮 FinFET的優勢和EUV的使用率。對于芯片密度、面積和功耗等等性能參數都會有大幅度的提升。

根據Intel高級副總裁暨中國區董事長王銳表示，全球需求晶圓代工的大客戶中，十家有七家都在與Intel積極磋商合作業務，晶圓代工(IFS)也與43家潛在客戶進行合作和晶圓流片生產。目前從Intel的動作來看，積極擴充產能和提升制程工藝節點技術，借助著美國芯片法案的輔助，Intel有信心在2025年，重回芯片制造領導地位。

編輯：黃飛

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