碳化硅（SiC），通常被稱為金剛砂，是唯一由硅和碳構(gòu)成的合成物。雖然在自然界中以碳硅石礦物的形式存在，但其出現(xiàn)相對罕見。然而，自從1893年以來，粉狀碳化硅就已大規(guī)模生產(chǎn)，用作研磨劑。碳化硅在研磨領(lǐng)域有著超過一百年的歷史，主要用于磨輪和多種其他研磨應(yīng)用。
2023-09-08 15:24:02
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本推文主要介碳化硅器件，想要入門碳化硅器件的同學(xué)可以學(xué)習(xí)了解。
2023-11-27 17:48:06642 
電壓或高溫條件的器件非常有利。在高頻、高溫、高功率及惡劣環(huán)境下，仍具有更優(yōu)越的開關(guān)性能以及更小的結(jié)溫和結(jié)溫波動?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅二極管廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、功率因素校正（PFC）電路、不間斷電源（UPS）、光伏
2020-09-24 16:22:14
碳化硅（SiC）等寬帶隙技術(shù)為功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計人員開辟了一系列新的可能性。與現(xiàn)有的IGBT器件相比，SiC顯著降低了導(dǎo)通和關(guān)斷損耗，并改善了導(dǎo)通和二極管損耗。對其開關(guān)特性的仔細分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
PN結(jié)器件優(yōu)越的指標是正向?qū)妷旱?，具有低的?dǎo)通損耗。 但硅肖特基二極管也有兩個缺點，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。 二、碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
討論一下SiC器件?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅，不那么新的材料 第一次記錄在案的SiC材料實驗是在1849年左右，這種材料已經(jīng)廣泛用于防彈背心或磨料。IGBT的發(fā)明者之一早在1993年就討論了與硅（Si）器件相比
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
更新?lián)Q代，SiC并不例外 新一代半導(dǎo)體開關(guān)技術(shù)出現(xiàn)得越來越快。下一代寬帶隙技術(shù)仍處于初級階段，有望進一步改善許多應(yīng)用領(lǐng)域的效率、尺寸和成本。雖然，隨著碳化硅技術(shù)的進步，未來還將面臨挑戰(zhàn)，例如，晶圓
2023-02-27 14:28:47
應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術(shù)碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
作用下的界面完整性；此項目標準對碳化硅功率模塊而言很苛刻，尤其是應(yīng)用于汽車的模塊。AC/PCT（高溫蒸煮測試） 高溫蒸煮測試是把被測對象放進高溫高濕高氣壓的環(huán)境中，考驗晶片鈍化層的優(yōu)良程度及樹脂材料
2023-02-28 16:59:26
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
。碳化硅壓敏電阻的主要特點自我修復(fù)。用于空氣/油/SF6 環(huán)境?？膳渲脼閱蝹€或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級。100% 活性材料?？芍貜?fù)的非線性特性。耐高壓?；旧鲜菬o感的。碳化硅圓盤壓敏電阻每個
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
電子設(shè)備的能耗，因此碳化硅器件也被譽為帶動“新能源革命”的“綠色能源器件”。各類電機系統(tǒng)在高壓應(yīng)用領(lǐng)域，使用碳化硅陶瓷基板的半導(dǎo)體碳化硅功率器件，功耗降低效果明顯，設(shè)備的發(fā)熱量大幅減少，同時可減少最高
2021-01-12 11:48:45
精細化，集成化方向發(fā)展。 在新技術(shù)驅(qū)動下，汽車電子行業(yè)迎來新一輪技術(shù)革命，行業(yè)整體升級。在汽車大量電子化的帶動之下，車用電路板也會向上成長。車用電路板穩(wěn)定訂單和高毛利率的特點吸引諸多碳化硅基板從業(yè)者
2020-12-16 11:31:13
。 碳化硅近幾年的快速發(fā)展 近幾年來，低碳生活也是隨之而來，隨著太陽能產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，作為光伏產(chǎn)業(yè)用的材料，碳化硅的銷售市場也是十分火爆，許多磨料磨具業(yè)內(nèi)人開始關(guān)注起碳化硅這個行業(yè)了。目前碳化硅制備技術(shù)非常
2019-07-04 04:20:22
的化學(xué)惰性? 高導(dǎo)熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應(yīng)用，如汽車制動器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導(dǎo)體電子設(shè)備，如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
材料施加熱應(yīng)力，評估器件內(nèi)部各種不同材質(zhì)在熱脹冷縮作用下的界面完整性；此項目標準對碳化硅功率模塊而言很苛刻，尤其是應(yīng)用于汽車的模塊。HTRB（高溫反偏測試）HTRB是分立器件可靠性最重要的一個試驗項目
2023-02-20 15:27:19
01 碳化硅材料特點及優(yōu)勢 碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
的小電流，因此碳化硅肖特基二極管的開關(guān)損耗比硅快速恢復(fù)二極管更低。使用碳化硅肖特基二極管可以減少損耗，能快速穩(wěn)定實現(xiàn)器件的正反切換，提高產(chǎn)品的效率和降低產(chǎn)品噪音，同時易于改善EMI?！ ∫韵?b class="flag-6" style="color: red">測試結(jié)果
2023-02-28 16:34:16
二十世紀五十年代后半期，才被納入到固體器件的研究中來。二十世紀九十年代，碳化硅技術(shù)才真正意義上得到了迅速發(fā)展。SiC材料與目前應(yīng)該廣泛的Si材料相比，較高的熱導(dǎo)率決定了其高電流密度的特性，較高的禁帶寬
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
產(chǎn)品尺寸，從而提升系統(tǒng)效率。而在實際應(yīng)用中，我們發(fā)現(xiàn)：帶輔助源極管腳的TO-247-4封裝更適合于碳化硅MOSFET這種新型的高頻器件，它可以進一步降低器件的開關(guān)損耗，也更有利于分立器件的驅(qū)動
2023-02-27 16:14:19
項目名稱：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅(qū)動技術(shù)研究試用計劃：申請理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04
目前，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，寬禁帶，以下簡稱為：WBG）”以及基于新型材料的電力半導(dǎo)體，其研究開發(fā)技術(shù)備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
碳化硅 (SiC) 是一種下一代材料，可以顯著降低功率損耗并實現(xiàn)更高的功率密度、電壓、溫度和頻率，同時減少散熱。高溫可操作性降低了冷卻系統(tǒng)的復(fù)雜性，從而降低了電源系統(tǒng)的整體架構(gòu)。與過去幾十年相比
2022-06-13 11:27:24
的整體系統(tǒng)尺寸，更小的整體成本，高溫下更高的可靠性，同時降低功率損耗。創(chuàng)能動力可提供碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模組和集成功率模組，用于太陽能逆變器、功率因數(shù)校正、電動車充電樁和高效率
2023-02-22 15:27:51
復(fù)雜的設(shè)計，功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開關(guān)碳化硅器件？ 當傳統(tǒng)硅器件在功率損耗和開關(guān)頻率方面達到極限時，碳化硅可能是合適的半導(dǎo)體選擇。高達 30 至 40kHz，最新一代
2023-02-20 16:29:54
附件：嘉和半導(dǎo)體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
國產(chǎn)碳化硅MOS基于車載OBC與充電樁新技術(shù)：1 車載電源OBC與最新發(fā)展2 雙向OBC關(guān)鍵技術(shù)3 11kW全SiC雙向OBC電路4 OBC與車載DC/DC集成二合一5 車載DC/DC轉(zhuǎn)換電源電路比較6 充電樁電源電路
2022-06-20 16:31:07
75A的混合碳化硅分立器件，并同時推出了TO-247-3和TO-247-4封裝（如上圖），使得客戶在不需要更改電源電路和PCB的基礎(chǔ)上，直接進行Pin To Pin替換驗證測試及使用，在同樣的設(shè)計系統(tǒng)中
2023-02-28 16:48:24
技術(shù)需求的雙重作用，導(dǎo)致了對于可用于構(gòu)建更高效和更緊湊電源解決方案的半導(dǎo)體產(chǎn)品擁有巨大的需求。這個需求寬帶隙（WBG）技術(shù)器件應(yīng)運而生，如碳化硅場效應(yīng)管（SiC MOSFET） 。它們能夠提供設(shè)計人
2023-03-14 14:05:02
器件包括主開關(guān)MOSFET：C3M0065100K； 輸出碳化硅二極管：C5D50065D;單端反激Flyback輔助電源的MOSFET：C2M1000170D方案能廣泛應(yīng)用于新能源電動汽車充電、通信
2016-08-05 14:32:43
對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設(shè)計高性能門極驅(qū)動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET設(shè)計一個雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40
采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
電子系統(tǒng)的效率和功率密度朝著更高的方向前進。碳化硅器件的這些優(yōu)良特性，需要通過封裝與電路系統(tǒng)實現(xiàn)功率和信號的高效、高可靠連接，才能得到完美展現(xiàn)，而現(xiàn)有的傳統(tǒng)封裝技術(shù)應(yīng)用于碳化硅器件時面臨著一些關(guān)鍵挑戰(zhàn)
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導(dǎo)熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
小于5ns； · 選用低傳輸延時，上升下降時間短的推挽芯片?！ 】傊?，相比于硅IGBT，碳化硅MOSFET在提升系統(tǒng)效率、功率密度和工作溫度的同時，對于驅(qū)動器也提出了更高要求，為了讓碳化硅
2023-02-27 16:03:36
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢壘肖特基（JBS）二極管
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 （MOSFET） 能夠以比 IGBT 更高的頻率進行開關(guān)，通過降低電阻和開關(guān)損耗來提高效率
2022-11-02 12:02:05
黑碳化硅基礎(chǔ)知識
黑碳化硅是以石英砂,石油焦為主要原料,通過電阻爐高溫冶煉而成
黑碳化硅是以石英砂，石油焦為主要原料，通過電阻
2009-11-17 09:37:27757 碳化硅(SiC)基地知識
碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:491240 硅與碳的唯一合成物就是碳化硅 （SiC），俗稱金剛砂。 SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。 不過，自 1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。 碳化硅用作研磨劑已有一百多年的歷史，主要用于磨輪和眾多其他研磨應(yīng)用
2017-05-06 11:32:45
54 代C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中，碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。 目前中國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。 人類1905年 第一次在隕
2018-01-03 09:48:4819904 碳化硅概念股有哪些？碳化硅國內(nèi)企業(yè)有哪些？國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)盤點分析：英飛凌以1.39億美元收購初創(chuàng)企業(yè)Siltectra，獲得后者創(chuàng)新技術(shù)ColdSpilt以用于碳化硅晶圓的切割上，進一步加碼
2018-12-06 16:08:00138136 碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對最終器件的性能有著舉足輕重的意義，基本半導(dǎo)體從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產(chǎn)生的原因，與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件
2021-08-16 10:46:405266 寬禁帶半導(dǎo)體材料，與硅（Si）相比，碳化硅的介電擊穿強度更大、飽和電子漂移速度更快且熱導(dǎo)率更高。因此，當其用于半導(dǎo)體器件中時，碳化硅器件擁有高耐壓、高速開關(guān)、低導(dǎo)通電壓、高效率等特性，有助于降低能耗和縮小系統(tǒng)尺寸。從這些優(yōu)勢看來
2021-08-20 09:23:534142 
基本半導(dǎo)體是國內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè)，率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件，為業(yè)界熟知，并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動
2021-11-29 14:54:087839 
億美元的新工廠。隨著新能源汽車的加速滲透，碳化硅技術(shù)的重要性愈發(fā)凸顯。安森美、Wolfspeed、意法半導(dǎo)體等碳化硅領(lǐng)域主導(dǎo)企業(yè)，均發(fā)表了對行業(yè)發(fā)展的積極展望，并計劃投資擴大產(chǎn)能。碳化硅大廠間的新一輪卡位之戰(zhàn)正在展開。 激進的擴產(chǎn)步伐 作為碳化
2022-10-08 17:02:25872 驗證該碳化硅三合一電驅(qū)動總成系統(tǒng)的性能,對電驅(qū)動總成系統(tǒng)制作樣機并搭建臺架進行測試驗證,測試結(jié)果表明,該碳化硅三合一電驅(qū)動總成系統(tǒng)的整體性能優(yōu)越,且碳化硅控制器效率明顯優(yōu)于采用 IGBT 模塊的控制器
2022-12-21 14:02:33836 。為了進一步驗證該碳化硅三合一電驅(qū)動總成系統(tǒng)的性能,對電驅(qū)動總成系統(tǒng)制作樣機并搭建臺架進行測試驗證,測試結(jié)果表明,該碳化硅三合一電驅(qū)動總成系統(tǒng)的整體性能優(yōu)越,且碳化硅控制器效率明顯優(yōu)于采用 IGBT 模塊的控制器,采用碳化硅模塊設(shè)計
2022-12-21 14:05:031414 碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對最終器件的性能有著舉足輕重的意義，從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產(chǎn)生的原因，與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。
2023-01-05 11:23:191191 ，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中，碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。 中國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm。 碳化硅也可以通過使
2023-02-02 14:50:021981 （SiC）技術(shù) Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅（SiC）技術(shù)的需求繼續(xù)增長，這種技術(shù)可以最大限度地提高當今電力系統(tǒng)的效率，同時降低其尺寸、重量和成本。但碳化硅溶液并不是硅的替代品，它們也并非都是一樣的。為了實現(xiàn)碳化硅技
2023-02-02 15:10:00467 特斯拉碳化硅技術(shù)怎么樣？特斯拉碳化硅技術(shù)成熟嗎？ 大家都知道碳化硅具有高功率、耐高壓、耐高溫等優(yōu)點，碳化硅技術(shù)能夠幫助電動汽車實現(xiàn)快速充電，增加續(xù)航；這個特性使得眾多的車企把目光投注過來。 我們
2023-02-02 17:39:092602 碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料之一，具備大功率、低損耗、高可靠、低散熱等特點，可應(yīng)用于 1200 伏特以上的高壓、嚴苛環(huán)境，可廣泛應(yīng)用于風(fēng)電、鐵路等大型交通工具，及太陽能逆變器、不斷電系統(tǒng)、智慧電網(wǎng)
2023-02-03 14:49:52367 碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風(fēng)口，也是一個很大的挑戰(zhàn)，那么我們來碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么？碳化硅技術(shù)
2023-02-03 15:25:163637 
高技術(shù)耐火原料中，碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。中國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25。
2023-02-03 16:11:352997 高技術(shù)耐火原料中，碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。 碳化硅基于SiC的肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性，可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限，成為新能源及電力電子的首選器件。 碳
2023-02-05 16:34:591313 遷移率和體積小等特點，因此碳化硅能夠應(yīng)用于許多領(lǐng)域。 在儲能領(lǐng)域，碳化硅的應(yīng)用已經(jīng)非常非常多了。 在經(jīng)典的儲能系統(tǒng)中包含了電源、DC/DC轉(zhuǎn)換器、電池充電機以及把能量輸送到家庭端或輸送回電網(wǎng)的逆變器，碳化硅技術(shù)在這種配置
2023-02-12 15:12:32933 功率半導(dǎo)體碳化硅（SiC）技術(shù) Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅（SiC）技術(shù)的需求繼續(xù)增長，這種技術(shù)可以最大限度地提高當今電力系統(tǒng)的效率
2023-02-15 16:03:448 碳化硅MOSFET技術(shù)是一種半導(dǎo)體技術(shù)，它可以用于控制電流和電壓，以及檢測電阻、電容、電壓和電流等參數(shù)，以確定電子設(shè)備是否正常工作。碳化硅MOSFET技術(shù)的關(guān)鍵技術(shù)包括結(jié)構(gòu)設(shè)計、材料選擇、工藝制程、測試技術(shù)等。
2023-02-15 16:19:007598 電機碳化硅技術(shù)是一種利用碳化硅材料制作電機的技術(shù)，它是利用碳化硅材料的特性，如高熱導(dǎo)率、高電阻率、低摩擦系數(shù)等，來提高電機的效率、耐久性和可靠性，從而降低電機的成本。
2023-02-16 17:54:004556 碳化硅模塊上車高濕測試 ? 2021年碳化硅很“熱”。比亞迪 半導(dǎo)體 、派恩杰、中車時代電氣、基本半導(dǎo)體等國內(nèi)碳化硅功率器件供應(yīng)商的產(chǎn)品批量應(yīng)用在汽車上，浙江金華、安徽合肥等地碳化硅項目開始
2023-02-21 09:26:452 晶圓（前端工藝）。碳化硅晶圓再經(jīng)過劃片封裝測試（后段工藝）就變成了我們現(xiàn)在使用的半導(dǎo)體-碳化硅二極管和碳化硅MOS。
2023-02-21 10:04:111693 
首先，讓我們簡要介紹一下碳化硅到底是什么，以及它與傳統(tǒng)硅的一些不同之處。關(guān)于SiC的一個有趣的事實是，碳化硅的碳化物成分不是天然存在的物質(zhì)。事實上，碳化物最初是從隕石的碎片中發(fā)現(xiàn)的。其獨特的性能非常有前途，以至于今天，我們合成了用于碳化硅功率產(chǎn)品的硬質(zhì)合金。
2023-05-20 17:00:09614 碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業(yè)讀者喜愛，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場，以及未來的發(fā)展趨勢，感謝各位
2023-05-31 09:43:20390 碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導(dǎo)體器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性，因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應(yīng)速度快等特點，廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領(lǐng)域，如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:32747 MOSFET相比傳統(tǒng)的硅MOSFET具有更高的電子遷移率、更高的耐壓、更低的導(dǎo)通電阻、更高的開關(guān)頻率和更高的工作溫度等優(yōu)點。因此，碳化硅MOSFET可以被廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、交流/直流電源轉(zhuǎn)換、汽車和航空航天等領(lǐng)域。
2023-06-02 15:33:151182 6.3.2氧化硅的介電性能6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.1氧化速率∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件
2022-01-04 14:11:56775 
碳化硅是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一，其能使系統(tǒng)效率更高，質(zhì)量更輕，結(jié)構(gòu)更緊湊。如今，碳化硅技術(shù)已經(jīng)進入以空調(diào)為代表的家電應(yīng)用場景來助力產(chǎn)品升級。那么，碳化硅是如何成就家電產(chǎn)品的?其應(yīng)用于家電行業(yè)的前景如何呢?
2023-09-18 10:20:12270 碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
2023-12-12 09:47:33456 
碳化硅在溫度傳感器中的應(yīng)用? 碳化硅 (SiC) 是一種廣泛應(yīng)用于溫度傳感器中的材料。由于其出色的耐高溫和抗腐蝕能力，碳化硅成為了各種工業(yè)和高溫環(huán)境下的溫度測量領(lǐng)域中的首選材料。在本文中，我們將討論
2023-12-19 11:48:30207 電子元件，用于功率放大和開關(guān)應(yīng)用。阻值測試是對此類元件進行電性能評估和質(zhì)量控制的重要測試之一。本文將詳細介紹碳化硅三極管阻值測試的方法和注意事項。 一、阻值測試的原理 碳化硅三極管的阻值是指在特定電流和電壓條
2023-12-21 11:27:20318 碳化硅二極管和碳化硅晶體管。由于其出色的性能，碳化硅功率器件在電動汽車、可再生能源系統(tǒng)、智能電網(wǎng)、軌道交通等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
2024-01-09 09:26:49379 SiC是碳化硅的縮寫。它是一種由硅原子和碳原子組成的化合物。碳化硅以其優(yōu)異的性能著稱，是一種用途廣泛的材料。
2024-01-09 09:41:31196
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