國際整流器公司IR推出高度創新的600V車用IGBT平臺COOLiRIGBT，適合電動車 (EV) 和混合動力車 (HEV) 中的各種高速開關應用，包括車載直流-直流轉換器、電機驅動器、電池充電器等。
2012-05-17 10:00:20
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瑞薩電子宣布開發出了導通電阻僅為150mΩ（柵源間電壓為10V時的標稱值）的600V耐壓超結（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，將從2012年9月開始樣品供貨。超結是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:021252 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
2012-10-22 13:45:241159 近日，德州儀器 （TI） 推出了業內速度最快的半橋柵極驅動器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 的柵極驅動器的工作電壓可達到600V。
2015-10-16 16:32:111115 WD0412 是一款基于懸浮襯底和 P_EPI 工藝的600V 高壓高低邊驅動器，具有高低邊兩路輸出，可以單獨驅動兩個高壓大功率 MOSFET 或 IGBT。WD0412 的輸入信號兼容 CMOS
2022-04-28 08:22:451935 
中國上海， 2023 年 6 月 13 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產品
2023-06-13 16:38:50712 
band gap power devices, power management ICs, and modules, today announced the release of two aMOS5? 600V FRD Super Junction MO
2024-01-05 15:05:39844 SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
描述這款簡單的隔離型反激式設計可在 200mA 的條件下將 50V 至 600V 的輸入電壓轉換成 15V。LM5021-1 控制器因其脈沖跳躍模式而適用于綠色環保模式轉換器。由于脈沖跳躍模式的最大
2018-12-14 15:37:05
這些超結快速恢復硅基功率MOSFET兼具超低恢復電荷（Qrr）和超快快恢復時間（trr），以及出色的品質因數（RDS(on) x Qg），能夠為要求嚴苛的橋式拓撲和ZVS相移轉換器帶來極高的效率
2023-09-08 06:00:53
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
各位大師 請教個問題本人有臺開關電源600V/3A。整流后經四個大容，四個場效應管組成的對管，后經變壓器，再經整流。開電沒問題。只要工作就燒開關管，大功率場效應管，兩個對管。問問是怎么回事，會是哪里造成的。
2013-10-11 00:34:27
最近在做一個項目，直流輸出有600V，輸出與控制板完全隔離，現在我想通過電阻分壓的方式對其進行采樣。分別對輸出+和輸出-作分壓采樣。但是因為輸出地相對板子地是懸浮的，所以分壓電路設計上難把握。請問板上大聲有沒有有經驗的或有想法的不吝賜教。另外問一下有沒有用過隔離式直流電壓采樣器件的嗎
2015-09-29 16:25:27
海飛樂技術有限公司是一家以快速恢復二極管（FRD）、快恢復模塊、超結MOSFET等新型功率半導體芯片及器件的設計、生產和銷售為主營業務的高科技企業。公司快恢復二極管/模塊產品廣泛應用于變頻空調
2019-10-24 14:25:15
`AON7544 N溝道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS（αMOSLV）技術，具有極低的RDS（on），低柵極電壓和高電流能力，非常適合應用在DC/DC電路中
2020-05-29 08:39:05
RDS（ON）MOSFET。 AON7804非常適合用于緊湊型DC / DC轉換器應用。推薦產品：AON7804AOS其它相關產品請 點擊此處 了解特性：V[sub]DS[/sub]=30VI[sub
2019-07-22 09:31:55
的非常寬的結溫和存儲溫度范圍.特征：?溝槽型Power MV MOSFET技術-60V?低RDS(ON)?低 GATE CHARGE?針對快速切換應用程序進行優化?VDS：-60V?ID (at VGS
2019-03-13 10:54:35
=oxh_wx3、【周啟全老師】開關電源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 超結功率MOSFET技術白皮書資料來自網絡
2019-06-26 20:37:17
DC12V-AH8669內部集成600V高壓MOSFET，以滿足高電壓沖擊的需求。不同于典型的PWM控制方式。220V轉換12產品開關
2021-11-17 06:18:33
ADP2386的典型應用編程輸入電壓UVLO上升閾值為11 V，下降閾值為10 V，VIN = 12 V，VOUT = 5 V，IOUT = 6 A，fSW = 600 kHz。 ADP2386
2020-05-05 06:47:14
使用內部軟啟動的典型應用電路，VIN = 12 V，VOUT = 1.8 V，IOUT = 6 A，fSW = 600 kHz，用于ADP2386 20V，6A，同步降壓DC-DC穩壓器
2019-08-12 07:38:58
1. 特性? 雙管正激電源 600V 高壓驅動? 高端懸浮自舉電源設計? HIN、LIN 適應 0-20V 輸入電壓? 小于 1uA 靜態電流? 最高頻率支持 500KHZ? 低端 VCC 電壓范圍
2022-09-09 16:21:19
1. 特性? 高端懸浮自舉電源設計，耐壓可達 600V? 適應 5V、3.3V 輸入電壓? 最高頻率支持 500KHZ? VCC 和 VB 端電源帶欠壓保護? 低端 VCC 電壓范圍 10V-20V
2022-09-13 13:22:59
FAN7391MX是一款單片高側和低側柵極驅動 IC，可驅動工作在高達 +600 V 電壓的高速 MOSFET 和 IGBT。它具有緩沖輸出級，所有 NMOS 晶體管設計用于實現高脈沖電流驅動
2022-01-18 10:43:31
獨立高側和低側參考輸出通道。該輸出驅動器有一個高脈沖電流緩沖級，適用于最小的驅動器跨導，同時浮動通道可以用來驅動工作在高達600V高側配置的N溝道功率MOSFET或 IGBT。這些器件可為兩種通道提供
2008-11-13 20:40:15
IRS26302D：保護式600V三相柵極驅動器
2016-06-21 18:26:25
確保高壓側電源開關的正確驅動。驅動器使用2個獨立輸入。特性：高壓范圍：高達600 VdV/dt抗擾度±50 V/nsec柵極驅動電源范圍為10 V至20 V高和低驅動輸出輸出源/匯電流能力250 mA
2021-11-23 13:57:47
一、主控芯片——RM90231.產品亮點◆兩端口恒流芯片，無需取樣電阻，專利恒流技術；◆芯片內部限定恒流電流，線路極簡，無需調試；◆內部集成600V高壓MOSFET；◆內置過溫調節。2.產品概述
2019-12-24 17:13:28
具有高脈沖電流緩沖級的設計最小驅動器交叉傳導。漂浮的通道可用于驅動N通道電源高壓側配置的MOSFET或IGBT工作電壓高達600V。特性：欠壓鎖定，電壓高達600V耐負瞬態電壓，dV/dt柵極驅動電源
2021-05-11 19:40:19
lighting LED調光驅動芯片*NXP(PHILIPS)半導體系列快恢復二極管BYC8-600 : Rectifier diode ultrafast, 超快恢復19ns,8A/600V
2009-10-09 13:58:14
高壓。額定電壓每增加一倍，維持相同的RDS(on)所需的面積就增加為原來的五倍以上。對于額定電壓為600V的MOSFET，超過95%的電阻來自外延層。顯然，要想顯著減小RDS(on)的值，就需要找到一種
2017-08-09 17:45:55
低內阻超結MOS NCE08N608A 600V內阻600豪歐封裝TO-220 TO-251TO-252
2012-08-10 16:43:26
- STGIPNxH60y, STGIPQxH60y · 超結MOSFET: 3/5 A、600V 內置快速恢復二極管N溝道 MDMesh? DM2 功率MOSFET - STIPQxM60y 從這兩項技術
2018-11-20 10:52:44
本文重點介紹為電源用高壓超結MOSFET增加晶圓級可配置性的新方法?，F在有一種為高壓超結MOSFET增加晶圓級可配置性的新方法，以幫助解決電源電路問題。MOSFET 在壓擺率、閾值電壓、導通電
2023-02-27 10:02:15
某些明顯的優勢。由于它們不同的器件結構，高壓BJT的制造成本要低于高壓MOSFET。正因如此，額定電壓在1kV或者以上的BJT的價格要低于通用輸入離線反激式轉換器中常見的600V或650V MOSFET
2022-11-17 07:51:39
現在需要一反向耐壓值為600V，電流為3A的整流橋作為開關電源的整流器，但是，這個高壓整流橋的壓降大，這樣引起的功耗就大，由于對開關電源的效率有要求，請問有什么辦法可以降低整流橋的功耗嗎？或者，有低壓降的高壓整流橋推薦嗎？
2014-05-13 19:53:40
lighting LED調光驅動芯片*NXP(PHILIPS)半導體系列快恢復二極管BYC8-600 : Rectifier diode ultrafast, 超快恢復19ns,8A/600V
2009-10-09 13:40:17
lighting LED調光驅動芯片*NXP(PHILIPS)半導體系列快恢復二極管BYC8-600 : Rectifier diode ultrafast, 超快恢復19ns,8A/600V
2009-10-09 13:55:30
極大限制。不同耐壓的MOSFET的導通電阻分布。不同耐壓的MOSFET，其導通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOSFET，其外延層電阻僅為 總導通電阻的29%，耐壓600V
2020-03-31 17:08:29
各位大大，最近在做雙向逆變，想問一下用2變比的高頻變壓器，高壓側600V降壓到300v，升壓的時候可以從300V升壓超過600V嗎，有人說高頻變壓器可以升壓超過原來高壓側輸入的電壓，請問有懂這個的能說一下能實現升壓超過2變比的嗎
2018-03-17 15:26:54
你好，PCB設計指南要求使用47uF電容器，表2.4中建議陶瓷電容器具有非常奇怪的特性，包括50mOhm的最小ESR和不存在的Murata部件號。 （至少，村田制作所的網站上限搜索不了解
2020-07-15 09:08:34
＜概要＞全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都）推出600V耐壓超級結 MOSFET“PrestoMOS”系列產品，在保持極快反向恢復時間（trr※1））的同時，提高設計靈活度，非常適用于
2020-03-12 10:08:31
＜概要＞全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都）推出600V耐壓超級結 MOSFET“PrestoMOS”系列產品，在保持極快反向恢復時間（trr※1））的同時，提高設計靈活度，非常適用于
2020-03-12 10:08:47
運放正負12伏供電，運放輸出端連接mosfet的G極。mosfet的D連接500v直流高壓，mosfet的S極連接一個20歐姆電阻到地，20歐姆電阻連接運放反饋端，我想把運放個mosfet進行隔離，求方案。求器件。整個原理其實就是運放控制mosfet實現電流源。
2018-08-02 08:55:51
從本篇開始，介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率
2018-11-28 14:28:53
增加，外延層需要更厚和更輕摻雜，以阻斷高壓。額定電壓每增加一倍，維持相同的RDS(on)所需的面積就增加為原來的五倍以上。對于額定電壓為600V的MOSFET，超過95%的電阻來自外延層。顯然，要想顯著
2018-10-17 16:43:26
國際整流器公司推出一系列新一代500V及600V高壓集成電路（HVIC）。這19款新型HVIC采用半橋設計，配有高端和低端驅動器，可廣泛適用于包括馬達控制、照明、開關電源、音頻和平板顯示器等
2018-08-31 11:23:15
1.8-9V/3A 集成四顆 50mohm 功率開關的 H 橋線圈驅動器功能描述：ETA7524 是一款集成了雙半橋(一個 H 橋)驅動和四個內阻為 50mohm 的 9V/3A 功率開關的驅動器
2018-12-22 15:41:47
PN結轉化為掩埋PN結，在相同的N-摻雜濃度時，阻斷電壓還可進一步提高。 內建橫向電場MOSFET的主要特性 1、 導通電阻的降低 INFINEON的內建橫向電場的MOSFET，耐壓600V
2023-02-27 11:52:38
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業新桿標。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態電阻、低容性損耗特性與改進反向恢復過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
加深理解，最好還是參閱技術規格的標準值和特性圖表?！緲藴蔛J MOSFET：AN系列】R50xxANx（500V）R52xxANx系列（520V）R60xxANx系列（600V）R80xxANx系列
2018-12-03 14:27:05
供應600V20A高壓超結mos管SVS20N60P7D2 ，提供SVS20N60P7D2參數 ，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-05-18 15:16:15
供應士蘭微cool mos SVSP24N60FJDD2 24A 600V，提供 超晶結mos管SVSP24N60FJDD2參數 ，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-05-18 16:09:17
SVSP24NF60FJDD2 超結mos 耐壓600V,24A，適用于硬/軟開關拓撲，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微MOS管一級代理驪微電子申請。>>
2022-09-06 14:32:05
供應14A,600V新型超結MOS器件SVS14N60FJD2，適用于硬/軟開關拓撲，照明，適配器等領域，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微MOS管一級代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:31:47
供應600V20A超結MOS士蘭微SVS20N60FJD2，提供士蘭微超結MOS SVS20N60FJD2關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:51:08
本文將介紹英飛凌的第三代采用溝槽柵場終止技術的 600V IGBT，即IGBT3在UPS中的應用。在介紹最新溝槽柵場終止技術的背景后，本文探討如何充分利用IGBT靜態與動態性能改進和175℃的
2009-11-20 14:30:27
88 英飛凌欲借新一代超結MOSFET樹立硬開關應用基準
英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個產品系列的優勢，可降低設
2009-06-23 21:17:44594 Qspeed推出超高效率600V H系列整流器
益登科技（EDOM Technology）代理的Qspeed半導體今日宣布推出H系列組件，協助電源廠商以更低成本克服高性能系統的各種挑戰，同時也提
2009-11-11 10:49:22774 600V MOSFET繼續擴展Super Junction FET技術
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出4款新的600V MOSFET
2010-01-26 16:26:181090 Vishay推出4款MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V FET">MOSFET --- SiHP22N60S
2010-01-27 09:31:291279 500V和600V的高壓MOSFET
安森美半導體(ON Semiconductor)擴充公司市場領先的功率開關產品陣容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFE
2010-02-23 16:15:341664 IR推出汽車驅動應用的AUIRS2301S 600V IC
國際整流器公司(IR)推出 AUIRS2301S 600V IC，適用于汽車電機驅動、微型逆變器驅動和通用三相逆變器應用。AUIRS2301S
2010-03-25 11:36:411349 
杰出的全系列電源管理解決方案供應商─AOS
Alpha Omega Semiconductor公司(AOS)宣布發行500/600/650/700伏額定電壓的MOSFET產品。這標志
2010-10-24 11:33:54614 
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅動下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 士蘭微電子近期推出了新一代高壓MOSFET產品——F-CellTM系列高壓MOSFET。這是士蘭微電子自主研發所推出的第四代平面結構高壓MOSFET產品
2011-03-28 09:20:221537 8S2TH06I-M是Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出的600V FRED PtTM Hyperfast串級整流器。
2011-04-01 09:36:43783 全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日新推出600V車用IGBT系列，專門針對電動汽車和混合動力汽車中的變速電機控制和電源應用進行了優化
2011-10-13 09:03:46847 全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相柵極驅動器IC，適用于電動汽車和混合動力汽車中的車用高壓電機驅動應用。
2011-10-21 09:45:211669 賓夕法尼亞、MALVERN — 2012 年 5 月3 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導通
2012-05-03 17:29:421434 日前，集設計，開發和全球銷售的功率半導體供應商AOS半導體有限公司（AOS），發布了具有行業領先標準的高功率密度和高效能的功率MOSFET，它們的DFN3X3封裝厚度只有超薄的0.8毫米。
2012-05-28 11:30:242463 華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司（后簡稱“華潤上華”）宣布已開發完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管）以及600V Trench PT IGBT（溝槽穿通型絕緣
2012-05-29 08:47:481938 瑞薩電子宣布開發出了導通電阻僅為150m（柵源間電壓為10V時的標稱值）的600V耐壓超結（SJ：Super Junction）型功率MOSFETRJL60S5系列，將從2012年9月開始樣品供貨。超結是可在不犧牲耐壓的情
2012-06-26 11:03:40794 里首款MOSFET--- SiHx25N50E，該器件具有與該公司600V和650V E系列器件相同的低導通電阻和低開關損耗優點。
2014-10-09 12:59:191468 
賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:111667 高壓Gatedriver 600V工藝，替代IR2103，替代FD2503，替代SDC9301
2017-11-23 14:17:3233 高壓Gatedriver 600V工藝，替代IR2104，替代FD2504
2017-11-23 14:15:2346 MIC4609 是一款600V 三 相MOSFET/IGBT 驅 動 器。 MIC4609具有300 ns的典型輸入濾波時間，旨在避免出現意外的脈沖和獲得550 ns的傳播延時。MIC4609具有 TTL輸入閾值。
2018-07-02 09:24:0011 Vishay 推出四款采用 TO-220 FullPAK 2L 全隔離封裝的新型 FRED Pt 第五代 600V Hyperfast 恢復整流器。
2022-10-14 16:11:241100 Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導通電阻比前代器件降低 29 %，為通信、工業和計算應用提供高效、高功率密度解決方案，同時柵極電荷下降 60 %，從而使器件導通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉換應用中 600V MOSFET 的重要優值系數（FOM）創業界新低。
2022-10-14 16:16:12817 ASEMI IXTY02N50D/IXTU02N50D高壓功率MOSFET規格書免費下載。
2022-11-04 15:23:000 600V SPM? 2 系列熱性能（通過安裝扭矩）
2022-11-15 20:04:030 N 溝道 50 V、0.90 mOhm、410 A 邏輯電平 LFPAK88 中的特定應用 MOSFET-PSMNR90-50SLH
2023-02-09 21:57:060 LFPAK56E 中的 N 溝道 50 V、1.7 mOhm、200 A 連續邏輯電平專用 MOSFET-PSMN1R5-50YLH
2023-02-14 18:34:100 N 溝道 50 V、1.18 mOhm、280 A 邏輯電平 MOSFET，采用 NextPower-S3 Schottky-Plus 技術，采用 LFPAK88-PSMN1R1-50SLH
2023-02-17 18:48:010 650 V、50 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN063-650WSA
2023-02-17 19:47:245 同時實現業界超快反向恢復時間和業界超低導通電阻，可進一步降低工業設備和白色家電的損耗 ROHM的600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS 產品陣容中又新增
2023-07-12 12:10:08437 電子發燒友網站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:500 驪微電子是芯朋微一級代理商，提供ID2304D高壓半橋驅動芯片600V，可兼容代換L6388，更多驅動產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2021-12-29 14:25:499 SVS14N60FJD214A,600V超低內阻高壓mos，適用于硬/軟開關拓撲，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微MOS管一級代理驪微電子申請。>>
2022-09-05 17:13:067 供應50a 600v igbt 驅動電路SGTP50V60FD2PF，提供SGTP50V60FD2PF關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 17:15:592 供應電機常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐壓600V 50A，提供SGTP50V60FD2PU關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請。>>
2023-04-03 17:24:105 美格納半導體宣布推出微納加工增強型第六代 600V 超級結金屬氧化物半導體場效應晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) 推出了一款 100V MOSFET——AONA66916，采用了創新的雙面散熱 DFN 5 x 6 封裝。這一創新型封裝為 AOS 產品賦予了卓越的散熱性能，使其在長期惡劣的運行條件下仍能保持穩定的性能。
2024-01-26 18:25:151382 逆變器、全橋驅動逆變器等領域。 ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特點 ■ 浮動工作電壓可達600V ■ 拉灌電流典型值210mA/36
2023-03-29 09:24:35
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