玻璃誘導(dǎo)刻蝕法如下：

1）?使用皮秒激光在玻璃上產(chǎn)生變性區(qū)域；2）將激光處理過(guò)的玻璃放在氫氟酸溶液中進(jìn)行刻蝕。

1.2玻璃穿孔填孔技術(shù)

類似硅通孔的金屬填充方案也可以應(yīng)用在TGV上。

另外一個(gè)將TGV填實(shí)的方案是將金屬導(dǎo)電膠進(jìn)行TGV填實(shí)。利用金屬導(dǎo)電膠的優(yōu)點(diǎn)是固化后導(dǎo)電通孔的熱膨脹系數(shù)可以調(diào)節(jié)，使其接近基材，避免了因CTE不匹配造成的失效。

???????除了TGV電鍍填實(shí)外，TGV也可以采用通孔內(nèi)電鍍薄層方案實(shí)現(xiàn)電學(xué)連接。

? ?1.3玻璃通孔高密度布線

? ? ? ?線路轉(zhuǎn)移（CTT）和光敏介質(zhì)嵌入法，是比較常用的方式。CTT主要包括兩個(gè)過(guò)程。一是精細(xì)RDL線預(yù)制，每一RDL層可以在可移動(dòng)載體上單獨(dú)制造一層薄導(dǎo)電層，并在轉(zhuǎn)移到基板上之前測(cè)試或檢查細(xì)線成品率。精細(xì)線路的形成采用細(xì)線光刻和電解鍍銅的方法，并且以薄銅箔作為鍍層的種子層。工藝流程如下:

第二步就是將RDL層集成到基板上。RDL層被制造出來(lái)后，他們?cè)偈褂脽釅汉系耐瑫r(shí)被轉(zhuǎn)移到核心層的兩邊。步驟如下：

? ? ?PTE工藝可分為兩個(gè)不同的步驟，一是在光敏介質(zhì)層總形成精細(xì)的溝槽；二是金屬化，包括種子層沉積、電鍍和表面除銅。工藝流程如下：

2、?國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀

2011年，瑞士的微納系統(tǒng)研究部提出了如下圖所示的基于TSV技術(shù)圓片級(jí)真空封裝方案。該方案由TSV封帽與器件層兩部分構(gòu)成，TSV封帽垂直導(dǎo)通柱是填充在硅通孔中的銅柱。器件層上制作有金錫電極與銅柱相連，從而把電信號(hào)從空腔內(nèi)部的引到空腔外部，最后通過(guò)硅-硅直接鍵合實(shí)現(xiàn)密封。該方案氣密性很好，但是TSV封帽制作工藝復(fù)雜，熱應(yīng)力大（銅柱與硅熱失配大），且硅硅鍵合對(duì)鍵合表面要求質(zhì)量很高，一般加工過(guò)的硅片很難達(dá)到此要求。

? ? ? ?2013年，新加坡微電子學(xué)院提出如下圖所示基于TSV技術(shù)的圓片級(jí)真空封裝方案。該方案由TSV封帽、硅器件層組成，TSV封帽也是由硅通孔里的銅柱做垂直導(dǎo)通柱，硅器件層上制作有射頻結(jié)構(gòu)及金屬電極，最后使用AuSn焊料鍵合實(shí)現(xiàn)氣密封裝。此方案雖然也存在TSV封帽制作工藝復(fù)雜，熱應(yīng)力大的問(wèn)題，但采用焊料鍵合方式封裝，盡管犧牲一定的密封性，但大大降低對(duì)TSV鍵合表面質(zhì)量的要求，其工業(yè)應(yīng)用范圍更廣。

? ? ? ?從以上兩個(gè)TSV例子可以看出，TSV存在工藝復(fù)雜，熱應(yīng)力過(guò)大的缺點(diǎn)。為解決這些問(wèn)題，更好實(shí)現(xiàn)真空封裝，又提出了TGV技術(shù)。2008年，美國(guó)Michigan大學(xué)提出了的一種基于常規(guī)工藝TGV技術(shù)的圓片級(jí)真空封裝方案，如下圖所示。該方案由封帽，器件層以及基于常規(guī)工藝TGV技術(shù)襯底三部分構(gòu)成。封帽可以為硅或玻璃，制作有空腔；器件層是硅結(jié)構(gòu)層。

基于常規(guī)工藝TGV技術(shù)襯底是在玻璃片上制作電極和通孔，通孔表面沉積有金屬層，有的通孔填充焊錫球，用以形成垂直導(dǎo)通柱，把電信號(hào)由密封腔中引出。最后通過(guò)陽(yáng)極鍵合把器件層與TGV襯底鍵合在一起，形成密封。該方案優(yōu)點(diǎn)是通過(guò)陽(yáng)極鍵合形成密封，陽(yáng)極鍵合密封性好、熱失配小、污染小且一般硅片能達(dá)到陽(yáng)極鍵合對(duì)表面質(zhì)量的要求。

2010年，挪威的Sensonor Technologies AS提出了結(jié)構(gòu)如下圖所示的一種基于玻璃回流TGV技術(shù)圓片級(jí)真空封裝方案封裝蝶翼式硅微陀螺。為減少結(jié)構(gòu)應(yīng)力，提高陀螺儀靈敏度，采用三層對(duì)稱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，上下兩層均為T(mén)GV襯底，中間夾硅結(jié)構(gòu)層。基于玻璃回流TGV襯底，是通過(guò)高溫玻璃回流，然后雙面CMP加工制成的。

TGV襯底垂直導(dǎo)通柱即為由回流玻璃隔離出來(lái)的硅柱，襯底上不制作金屬電極，直接用硅做電極。硅結(jié)構(gòu)層采用Silicon-on-Insulator (SOI)材料和干法刻蝕制作而成，空腔制作在硅可動(dòng)結(jié)構(gòu)層上，通過(guò)硅-玻璃將三者陽(yáng)極鍵合在一起，分別有兩次，形成密封環(huán)境。該封裝方案優(yōu)勢(shì)凸出，不僅封裝應(yīng)力低，而且TGV襯底工藝簡(jiǎn)單，密封性好，熱適配小，寄生電容小。

2013年，韓國(guó)Dankook大學(xué)開(kāi)發(fā)出結(jié)構(gòu)如圖所示的TGV技術(shù)圓片級(jí)真空封裝方案。該方案包括玻璃封帽、CPW器件層以及TGV襯底，腔體制作在玻璃封帽上。其TGV襯底與眾不同，先后采用玻璃回流工藝與電鍍銅工藝制作。簡(jiǎn)而言之，為先利用玻璃回流工藝制作硅導(dǎo)通柱，然后去除硅導(dǎo)通柱，用電鍍銅作導(dǎo)通柱。CPW器件層制作在襯底密封環(huán)范圍內(nèi)，最后封帽與襯底通過(guò)硅-玻璃陽(yáng)極鍵合形成密封腔，并制作外部的金屬焊盤(pán)完成引線及封裝。該方案電學(xué)性能優(yōu)良，但工藝復(fù)雜。

2009年，上海微系統(tǒng)所提出了一種結(jié)構(gòu)如圖所示基于TSV技術(shù)的圓片級(jí)真空封裝方案。該方案由TSV封帽與硅襯底兩部分組成：TSV封帽采用濕法和干法刻蝕出通孔，通孔中填充銅作為導(dǎo)通柱，導(dǎo)通柱與硅通過(guò)隔離層隔離，腔體制作在TSV封帽上。硅襯底上制作有結(jié)構(gòu)，通過(guò)Cu-Sn焊料鍵合與TSV封帽實(shí)現(xiàn)密封封裝。該方案簡(jiǎn)單易行，但焊料鍵合用在圓片級(jí)真空封裝上會(huì)顯得鍵合密封性不夠，污染過(guò)大。

2012年，北京大學(xué)提出了結(jié)構(gòu)如圖所示一種基于常規(guī)工藝TGV技術(shù)的圓片級(jí)真空封裝方案。該方案是典型的三明治式架構(gòu)，由玻璃封帽、硅可動(dòng)結(jié)構(gòu)層、TGV襯底三層組成。硅可動(dòng)結(jié)構(gòu)采用干法刻蝕出可動(dòng)結(jié)構(gòu)；基于常規(guī)工藝TGV襯底采用濕法腐蝕出通孔與金屬沉積導(dǎo)通柱等工藝制作而成；空腔制作在封帽上，空腔頂部沉積有吸氣劑，保持腔體真空度。最后玻璃封帽、硅可動(dòng)結(jié)構(gòu)層、TGV襯底通過(guò)兩次硅-玻璃陽(yáng)極鍵合封裝在一起。

3、?TGV技術(shù)的應(yīng)用

? 3.1玻璃基板的三維集成無(wú)源元件

玻璃基板具有優(yōu)異的高頻電學(xué)性能，因此被廣泛的應(yīng)用于集成無(wú)源器件（IPD）之中。2010年，喬治亞理工的封裝中心率先完成了基于TGV的濾波器設(shè)計(jì)與制造，并與相同的硅基電感對(duì)比，展現(xiàn)了更好的電學(xué)特性。2017年，日月光集團(tuán)在玻璃基板上實(shí)現(xiàn)了面板級(jí)的IPD制作工藝。該方案板材翹曲可控制在1mm以內(nèi)，并且無(wú)明顯結(jié)構(gòu)剝落分層現(xiàn)象。

? 3.2嵌入式玻璃扇出與集成天線封裝

? ? ?玻璃通孔還可以在玻璃上制作空腔，進(jìn)而為芯片的封裝提供一種嵌入式玻璃扇出（eGFO）的新方案。2017年喬治亞理工率先實(shí)現(xiàn)了用于高I/O密度和高頻多芯片集成的玻璃面板扇出封裝。該技術(shù)在70um厚、大小為300mm*300mm的玻璃面板上完成了26個(gè)芯片的扇出封裝，并有效的控制芯片的偏移和翹曲。2020年云天半導(dǎo)體采用嵌入式玻璃扇出技術(shù)開(kāi)了77GHz汽車(chē)?yán)走_(dá)芯片的封裝，并在此基礎(chǔ)上提出了一種高性能的天線封裝（AiP）方案。工藝流程如圖所示：

在厚度為180um的玻璃晶片中，先采用激光誘導(dǎo)玻璃變性和化學(xué)腐蝕工藝形成玻璃空腔，然后將175um高的芯片放入玻璃空腔總。通過(guò)復(fù)合材料將芯片和玻璃之間的縫隙填壓而不產(chǎn)生空隙，同時(shí)保護(hù)芯片的背面。對(duì)晶圓的頂面進(jìn)行剝離，形成銅RDL，最后進(jìn)行后續(xù)線路制作、球柵陣列（BGA）制作以及晶圓切片。

? 3.3基于玻璃通孔的MEMS封裝

???? 2013年，LEE等利用玻璃穿孔技術(shù)實(shí)現(xiàn)射頻MEMS器件的晶圓級(jí)封裝，采用電鍍方案實(shí)現(xiàn)通孔的完全填充，通過(guò)該方案制作的射頻MEMS器件在20GHz時(shí)具有0.197dB的低插入損耗和20.032dB的高返回?fù)p耗。2018年，LAAKSO等創(chuàng)造性地使用磁輔助組裝的方式來(lái)填充玻璃通孔，并用于MEMS器件的封裝中。

? ? ??3.4基于TGV的集成天線

? ? ? 廈門(mén)大學(xué)的張淼創(chuàng)造性的引入TGV加工波導(dǎo)縫隙天線。首先采用激光誘導(dǎo)刻蝕制備波導(dǎo)縫隙陣列天線玻璃襯底，通過(guò)激光在玻璃上誘導(dǎo)產(chǎn)生連續(xù)性的變性區(qū)，后將變性后的玻璃在稀釋氫氟酸總進(jìn)行刻蝕，由于激光作用處的玻璃氫氟酸中刻蝕速率較快，所以玻璃會(huì)成塊脫落從而形成目標(biāo)通孔結(jié)構(gòu)。最終刻蝕后的玻璃穿孔精度為±5μm，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)機(jī)加工的精度。其次，采用物理氣相沉積對(duì)每層波導(dǎo)縫隙陣列天線玻璃襯底濺射銅層，經(jīng)過(guò)氧等離子體清洗以徹底清除焊盤(pán)表面的有機(jī)物等顆粒，并使晶圓表面產(chǎn)生一定的粗糙度，為種子層的良好附著創(chuàng)造條件。清洗后的晶圓在烤箱150℃下烘烤60min徹底去除水汽。然后在磁控濺射設(shè)備中，晶圓表面濺射一層厚度約為5μm的銅層。最后，采用技術(shù)焊料鍵合技術(shù)將5片晶圓鍵合。用刮刀以及絲網(wǎng)將10μm厚度的錫焊料印刷到晶圓表面，然后在鍵合機(jī)的真空腔室中以240℃的溫度加熱，以40N的壓力壓合5min使焊料融化或相互擴(kuò)散以達(dá)到鍵合的目的。工藝流程度如圖：

? ?3.5多層玻璃基板

? ? ? 2018年IWAI等使用導(dǎo)電膠填充玻璃通孔，從而實(shí)現(xiàn)多層玻璃基板堆疊，在回流過(guò)程中，通過(guò)該方案制作的多層玻璃基板的翹曲比傳統(tǒng)有機(jī)基板要小，通過(guò)該技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)高密度布線，同時(shí)具有較高的可靠性。2019年，IWAI等在多層玻璃基板的技術(shù)基礎(chǔ)上，完成了一個(gè)多芯片封裝的結(jié)構(gòu)。其工藝流程如圖：

五、目前主要廠商的先進(jìn)封裝進(jìn)展

目前，國(guó)內(nèi)外主要的代工廠和封測(cè)廠都有布局相應(yīng)的先進(jìn)封裝產(chǎn)能，國(guó)外的代工廠和封測(cè)廠在技術(shù)實(shí)力上處于領(lǐng)先地位，在2.5D/3D先進(jìn)封裝的細(xì)分領(lǐng)域，在TSV工藝上，臺(tái)積電和英特爾處于領(lǐng)先地位，在TGV工藝上，領(lǐng)先的是康寧和德國(guó)LPTK。國(guó)內(nèi)的封測(cè)廠商如長(zhǎng)電、華天、通富微都有相關(guān)技術(shù)的研究?jī)?chǔ)備。半導(dǎo)體各細(xì)分子行業(yè)中，國(guó)內(nèi)企業(yè)在封測(cè)領(lǐng)域與國(guó)際巨頭的差距相對(duì)較小，同時(shí)，國(guó)內(nèi)新建的晶圓廠逐漸進(jìn)入量產(chǎn)階段，產(chǎn)能較大幅度地提升將成為國(guó)內(nèi)封測(cè)企業(yè)步入快速發(fā)展通道的有效驅(qū)動(dòng)力，從國(guó)內(nèi)幾家領(lǐng)先封測(cè)企業(yè)的擴(kuò)產(chǎn)來(lái)看，預(yù)計(jì)國(guó)內(nèi)先進(jìn)封測(cè)企業(yè)的高端先進(jìn)封裝將進(jìn)一步擴(kuò)大量產(chǎn)規(guī)模。同時(shí)，經(jīng)過(guò)多年的技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)積累，封測(cè)行業(yè)進(jìn)入門(mén)檻逐漸提升，領(lǐng)先企業(yè)迎發(fā)展黃金期。

1、?臺(tái)積電

2012 年，TSMC 與 Xilinx 一起推出了當(dāng)時(shí)最大的 FPGA，它由四個(gè)相同的 28 nm FPGA 芯片并排安裝在中間層上。他們還開(kāi)發(fā)了硅通孔（TSV），微凸點(diǎn)和再分布層（re-distribution-layer：RDL），以將這些組件連接在一起。臺(tái)電基于其構(gòu)造，封裝這種封裝解決方案，稱為CooS（Chip-on-Wafer-Substrate）。支持的封裝技術(shù)已成為高和高功率設(shè)計(jì)的實(shí)際行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

臺(tái)積電于2017年推出了InFO（Integrated FanOut technology）技術(shù)。它使用聚酰胺薄膜代替了CoWoS中的中間層，從而降低了單體成本和高度，這也是臺(tái)積電成功應(yīng)用的重要標(biāo)準(zhǔn)。貨了海量用于智能手機(jī)的InFO設(shè)計(jì)。

臺(tái)積電于2019年又推出了集成芯片系統(tǒng)（SoIC）技術(shù)。?借助前端（國(guó)外工廠）設(shè)備，臺(tái)積電可以非常合理的壓地，然后使用大量的吸塑的銅吸附進(jìn)行焊（壓焊）設(shè)計(jì)，以更小的形狀因數(shù)，裝扮和能力。這兩種技術(shù)就逐漸演成了今天的 3D Fabric。

臺(tái)積電將他們的 2.5D 和 3D 封裝產(chǎn)品合并為一個(gè)單一的、全面的品牌3DFabric。

其中，2.5D封裝技術(shù)CoWoS可分為 CoWoS 和 InFO 系列。首先看CoWoS技術(shù)，可以分為以下幾種：

1）、CoWoS-S

用于die到die再分布層 (redistribution layer：RDL) 連接的帶有硅中介層的“傳統(tǒng)”基板上晶圓上芯片（chip-on-wafer-on-substrate with silicon interposer ）正在慶祝其大批量制造的第 10 年。

2）、CoWoS-R

CoWoS-R 選項(xiàng)用有機(jī)基板中介層取代了跨越 2.5D die放置區(qū)域范圍的（昂貴的）硅中介層。CoWoS-R 的折衷是 RDL 互連的線間距較小——例如，與 CoWoS-S 的亞微米間距相比，有機(jī)上的間距為 4 微米。

3）、CoWoS-L

在硅 –S 和有機(jī) –R 中介層選項(xiàng)之間，TSMC CoWoS 系列包括一個(gè)更新的產(chǎn)品，具有用于相鄰die邊緣之間（超短距離）互連的“本地”硅橋。這些硅片嵌入有機(jī)基板中，提供高密度 USR 連接（具有緊密的 L/S 間距）以及有機(jī)基板上（厚）導(dǎo)線和平面的互連和功率分配功能。

再看2.5D封裝技術(shù)InFO。

據(jù)介紹，InFO 在載體上使用（單個(gè)或多個(gè)）裸片，隨后將這些裸片嵌入molding compound的重構(gòu)晶圓中。隨后在晶圓上制造 RDL 互連和介電層，這是“chip first”的工藝流程。單die InFO 提供了高凸點(diǎn)數(shù)選項(xiàng)，RDL 線從芯片區(qū)域向外延伸——即“扇出”拓?fù)洹Ｈ缦聢D所示，多die InFO 技術(shù)選項(xiàng)包括：

InFO-PoP：“package-on-package”

InFO-oS：“InFO assembly-on-substrate”

? ? ? 臺(tái)積電的3D封裝技術(shù)則是SoIC。據(jù)臺(tái)積電介紹，公司的3D 封裝與 SoIC 平臺(tái)相關(guān)聯(lián)，該平臺(tái)使用堆疊芯片和直接焊盤(pán)鍵合，面對(duì)面或面對(duì)背方向 -表示為 SoIC 晶圓上芯片（chip on wafer）。硅通孔 (TSV) 通過(guò) 3D 堆棧中的die提供連接。SoIC 開(kāi)發(fā)路線圖如下所示——例如，N7-on-N7 芯片配置將在 21 年第四季度獲得認(rèn)證。

2、英特爾

? ? ?在2D的平面多芯片封裝，英特爾獨(dú)有的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)是嵌入式多芯片互連橋接（EMIB）技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)更好的導(dǎo)線密度。在硅中介層硅通孔上放不同的裸片連接到整個(gè)基板，只需在局部進(jìn)行高密度布線，而不必在全部的芯片上進(jìn)行高密度布線，使成本大幅降低同時(shí)性能也得到優(yōu)化。

而在3D高密度微縮方面，英特爾的Foveros技術(shù)將多個(gè)單片連接到基礎(chǔ)裸片，然后進(jìn)行底層填充實(shí)現(xiàn)中間互連并進(jìn)行注塑來(lái)保護(hù)整個(gè)芯片，使用焊接的技術(shù)已經(jīng)可以做到20-30微米，而通過(guò)無(wú)焊料銅與銅的接口互連可突破20微米的瓶頸。

而在未來(lái)，封測(cè)技術(shù)相比較于現(xiàn)有的Foveros技術(shù)會(huì)更進(jìn)一步。相比較于現(xiàn)有的技術(shù)，未來(lái)的凸塊間距將會(huì)由50um縮小至10um，電路將更小更簡(jiǎn)潔，能耗也會(huì)更低。

Foveros技術(shù)與EMIB集成產(chǎn)生了Co-EMIB（通過(guò)EMIB和Foveros兩個(gè)技術(shù)之間的集成把2D和3D芯片進(jìn)行融合）。Co-EMIB可以把超過(guò)兩個(gè)不同的裸片進(jìn)行水平和垂直方向疊加，以實(shí)現(xiàn)更好的靈活度。
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? ? ? ?全方位互連（ODI）改變了常規(guī)疊加方式下基礎(chǔ)裸片尺寸必須大于上面疊加所有小芯片總和的限制。ODI的架構(gòu)通過(guò)傳統(tǒng)的硅通孔技術(shù)，使頂層小芯片可以與下方的芯片互連，這樣就可以通過(guò)底層封裝直接對(duì)上方小芯片進(jìn)行供電，并保持上、下方裸片間直接互連。Adel Elsherbini介紹，通過(guò)這種并排互連形式延遲可下降2.5倍，功耗可以降低15%，帶寬可以提高3倍。根據(jù)英特爾對(duì)先進(jìn)封裝的路線預(yù)測(cè)，在未來(lái)凸塊間距將縮小至10um級(jí)別，密度將達(dá)到10000每平方毫米，能耗也會(huì)降低至0.05pj/bit。而ODI和CO-EMIB技術(shù)的應(yīng)用，也會(huì)使先進(jìn)封測(cè)進(jìn)一步擴(kuò)展應(yīng)用范圍。

先進(jìn)封裝的制程演進(jìn)同先進(jìn)制造工藝的制程呈現(xiàn)出同步趨勢(shì)。在臺(tái)積電等半導(dǎo)體制造廠制程逐漸進(jìn)入5nm以下之際，先進(jìn)封裝的凸塊間距也會(huì)逐漸進(jìn)入10-20um區(qū)間。

3、?康寧

康寧公司是全球頂尖材料科學(xué)創(chuàng)新公司之一，在逾160年間提出多項(xiàng)玻璃解決方案，包括用于電子應(yīng)用方面的液晶顯示器(LCD)基板，以及用于電視機(jī)、智慧型手機(jī)和平板電腦等消費(fèi)性電子裝置，極為耐用的保護(hù)玻璃。

熔融制程為康寧的專利創(chuàng)新技術(shù)核心。這項(xiàng)高度精準(zhǔn)且自動(dòng)化的熔融下拉制程，生產(chǎn)出表面極為純凈光滑又平坦，且尺寸穩(wěn)定的玻璃基板——這剛好是3DIC基板所要求的特性。

能夠利用現(xiàn)有晶圓和面板設(shè)備制程是非常重要的一件事，盲孔填滿金屬化是最適用于現(xiàn)行以晶圓為基礎(chǔ)的設(shè)備，而通孔金屬化則最適合用于許多以面板為基礎(chǔ)的制程。康寧已開(kāi)發(fā)出制作高品質(zhì)孔洞的先進(jìn)制程，能在薄型(像是100μm)和厚型(例如700μm)玻璃上制作通孔和盲孔(請(qǐng)上圖)。

　　再者，康寧已與產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商進(jìn)行密切合作，運(yùn)用以晶圓與面板為基礎(chǔ)的金屬化方式來(lái)填充玻璃孔洞。TGV基板的填充方式與終端應(yīng)用息息相關(guān)，成本、生產(chǎn)能力、導(dǎo)電性、密閉度等要求會(huì)影響到金屬化的方式。因此康寧與產(chǎn)業(yè)多個(gè)單位合作，像是RTI、Atotech、i3Electronics、工研院(ITRI)、GeorgiaTech的封裝研究中心等，證明出完整的金屬化技術(shù)的適用性和可用性。此用來(lái)驗(yàn)證的玻璃基板晶片測(cè)試結(jié)果顯示出，相對(duì)于矽基板，使用玻璃孔洞能達(dá)到更好的電性、熱和可靠性表現(xiàn)(請(qǐng)見(jiàn)上圖)。

　　利用面板相關(guān)制程來(lái)達(dá)到經(jīng)濟(jì)規(guī)模制造的能力，是另一項(xiàng)落實(shí)成本效益的重要因素。目前業(yè)界已有許多設(shè)備能被應(yīng)用來(lái)制造面板形式的穿孔玻璃載板和其對(duì)應(yīng)的電子元件，包括填孔步驟和微影制程。

　　日前康寧已與RudolphTechnologies、i3Electronics與Atotech完成合作，證明出運(yùn)用現(xiàn)有機(jī)臺(tái)設(shè)備來(lái)制造面板形式的穿孔玻璃載板和其電子元件，包括填孔步驟和微影制程。RDL(RedistributionLayers)的結(jié)果顯示出，能準(zhǔn)確將金屬鍍?cè)诓Ａ?請(qǐng)見(jiàn)上圖)。

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，Corning Incorporated（康寧）和Menlo Micro（以下簡(jiǎn)稱Menlo）近日聯(lián)合宣布，Menlo革命性數(shù)字微開(kāi)關(guān)（DMS）技術(shù)平臺(tái)的開(kāi)發(fā)實(shí)現(xiàn)了重要的里程碑，Menlo將重塑電子系統(tǒng)最基本的構(gòu)建模塊——電子開(kāi)關(guān)。兩家公司共同發(fā)布展示了成功整合的玻璃通孔（TGV）封裝技術(shù)，使Menlo的高性能RF和功率產(chǎn)品擴(kuò)展至超小型晶圓級(jí)封裝。

TGV相比傳統(tǒng)的鍵合封裝技術(shù)，使Menlo的產(chǎn)品尺寸縮小了60%以上，使其更理想地適用于那些信道密度增長(zhǎng)，同時(shí)尺寸、重量、功率和成本降低的非常重要應(yīng)用。Menlo將在本周于美國(guó)費(fèi)城舉辦的IEEE MTT國(guó)際微波會(huì)議上展示這項(xiàng)技術(shù)。

此外，除了顯著的尺寸減小，TGV還為Menlo的DMS產(chǎn)品帶來(lái)的重要的性能優(yōu)勢(shì)。通過(guò)更短且良好控制的金屬化通孔替代鍵合，現(xiàn)在Menlo得以降低75%以上的封裝寄生效應(yīng)。這將幫助Menlo的產(chǎn)品支持更高的頻率，這對(duì)于先進(jìn)的無(wú)線通訊系統(tǒng)、測(cè)試儀器以及眾多的航空和國(guó)防應(yīng)用，正變得越來(lái)越重要。與此同時(shí)，玻璃相比硅等傳統(tǒng)的基板材料具有獨(dú)特的性能，可實(shí)現(xiàn)更低的RF損耗和更高的線性度，意味著系統(tǒng)將獲得更低的功耗和更高的整體效率。

通過(guò)利用TGV封裝技術(shù)，Menlo正在開(kāi)發(fā)覆蓋DC~18 GHz帶寬的RF產(chǎn)品，并有能力逐步擴(kuò)展至50 GHz以上。其DMS平臺(tái)可為RF和AC/DC產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)數(shù)十種高價(jià)值應(yīng)用，包括電池管理、家居自動(dòng)化、電氣化汽車(chē)、軍事和專業(yè)無(wú)線電、無(wú)線基站以及物聯(lián)網(wǎng)等廣泛市場(chǎng)。

4、?德國(guó)LPKF

LPKF深耕激光領(lǐng)域多年，對(duì)于如何將激光作為工具集成為功能強(qiáng)大的設(shè)備有著豐富的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)。LPKF激光系統(tǒng)立足于助力高科技領(lǐng)域的進(jìn)步。無(wú)論是移動(dòng)系統(tǒng)、通信系統(tǒng)、電力以及數(shù)字娛樂(lè)等，最終目標(biāo)都是加工產(chǎn)品的速度更快、尺寸更小、更節(jié)能。德國(guó)LPKF始終保持著在激光技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。我們的激光系統(tǒng)在印刷電路板、微芯片、汽車(chē)零部件、太陽(yáng)能電池板以及許多其他零部件的工藝制造中都起著至關(guān)重要的作用。

憑借幾十年的激光加工經(jīng)驗(yàn)，LPKF提供了前沿的技術(shù)解決方案，具有更高的精度、成品率和成本效率等系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)，引領(lǐng)不斷走向小型化的趨勢(shì)。該產(chǎn)品包含許多優(yōu)勢(shì):一種新型玻璃通孔（TGV）加工工藝全面開(kāi)啟了薄片玻璃作為封裝基板的潛力。厚度介于50微米至500微米之間的薄片玻璃是一種非常適用于高密度高頻應(yīng)用的封裝基板材料。LPKF運(yùn)用激光這種非接觸精密加工工具開(kāi)發(fā)的創(chuàng)新LIDE 工藝能夠以無(wú)以倫比的效率和質(zhì)量微加工玻璃通孔。



LPKF的最小通孔直徑為10 μm。通常，一個(gè)基板上的所有微孔都顯示相同的直徑。通過(guò)應(yīng)用多次蝕刻運(yùn)行，不同的直徑是可能的。縱橫比在 1:10 的范圍內(nèi)，但根據(jù)玻璃類型，它也可以高達(dá) 1:50。LIDE 生成的微孔側(cè)壁光滑、無(wú)裂紋、無(wú)碎屑和無(wú)應(yīng)力，可實(shí)現(xiàn)可靠的金屬化。錐角在0.1°-30°之間。LIDE 制造的微孔通常呈沙漏形狀。通過(guò)將蝕刻限制為僅從先前修改過(guò)的玻璃的一側(cè)進(jìn)行，V 形微孔是可能的。加工的尺寸選擇如圖：

5、?中芯長(zhǎng)電

? ? ?長(zhǎng)電科技是全球領(lǐng)先的封測(cè)廠商，聚焦關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域，在5G通信類、高性能計(jì)算、消費(fèi)類、汽車(chē)和工業(yè)等重要領(lǐng)域，業(yè)務(wù)覆蓋高/中/低端全品類，已成為中國(guó)第一大和全球第三大封測(cè)企業(yè)。公司封測(cè)產(chǎn)能多地布局，互為補(bǔ)充，各具技術(shù)特色和競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)；公司在主要封裝領(lǐng)域內(nèi)掌握多項(xiàng)核心技術(shù)，在先進(jìn)封裝技術(shù)覆蓋度上與全球第一的日月光集團(tuán)旗鼓相當(dāng)，具備行業(yè)領(lǐng)先的SiP、WL-CSP、FC、eWLB、PiP、PoP及2.5/3D等高端封裝技術(shù)，并定增50億元加碼SiP、QFN、BGA等高端封裝產(chǎn)能。公司與中芯國(guó)際戰(zhàn)略互通，可實(shí)現(xiàn)代工+封測(cè)一體化協(xié)同發(fā)展。

6、 華天科技

?公司在產(chǎn)業(yè)布局方面，積極推進(jìn)先進(jìn)封裝基地建設(shè)，近年來(lái)先后投資擴(kuò)建了昆山、寶雞、南京等基地，打通了CIS芯片、存儲(chǔ)器、射頻等多種高端產(chǎn)品的生產(chǎn)線。2020年7月18日華天科技南京基地舉行了一期項(xiàng)目投產(chǎn)儀式，一期項(xiàng)目已竣工面積16.3萬(wàn)平方米，實(shí)現(xiàn)FC和BGA系列產(chǎn)品年封測(cè)量可達(dá)40億只，今年可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)值2億元以上。

?研發(fā)方面公司重視新產(chǎn)品、新技術(shù)、新工藝的研發(fā)，研發(fā)支出金額逐年增加，已自主研發(fā)出了SiP、FC、TSV、MEMS、Bumping、Fan-Out、WLP等高端封裝技術(shù)和產(chǎn)品。自2019下半年來(lái)，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體封測(cè)行業(yè)逐步回暖，未來(lái)有望隨著新型應(yīng)用領(lǐng)域和先進(jìn)封測(cè)技術(shù)的發(fā)展進(jìn)入新一輪增長(zhǎng)。華天科技作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的集成電路封測(cè)企業(yè)，產(chǎn)品線布局豐富，技術(shù)水平行業(yè)領(lǐng)先，有望持續(xù)受益行業(yè)景氣度及國(guó)產(chǎn)替代加速影響，未來(lái)發(fā)展前景廣闊。

7、通富微電

通富微電為半導(dǎo)體封測(cè)龍頭，與AMD、MTK等大客戶共同成長(zhǎng)。公司為全球第五大、國(guó)內(nèi)第二大封測(cè)廠商，在封測(cè)技術(shù)上布局全面。早期公司以傳統(tǒng)封裝技術(shù)為主，2016年收購(gòu)AMD蘇州、檳城兩大封測(cè)廠，得以深度綁定AMD供應(yīng)鏈并占據(jù)AMD封測(cè)訂單的大部分份額。同時(shí)公司憑借在高端封裝領(lǐng)域的實(shí)力，成為MTK在中國(guó)大陸的重要封測(cè)合作方。展望未來(lái)，公司有望伴隨大客戶份額的提升和市場(chǎng)整體規(guī)模的擴(kuò)大而迎來(lái)加速成長(zhǎng)。

先進(jìn)封裝因5G、AI的應(yīng)用迎來(lái)快速成長(zhǎng)，公司技術(shù)領(lǐng)先有望充分受益。傳統(tǒng)封測(cè)市場(chǎng)近年增速較為平穩(wěn)，2011-2018年市場(chǎng)年復(fù)合增速在3%，至2018年空間達(dá)560億美元。然而，隨著摩爾定律的放緩，半導(dǎo)體性能的提升越來(lái)越多依賴于封裝技術(shù)的進(jìn)步，從而對(duì)封裝技術(shù)提出更高要求。具體來(lái)看，隨著5G、AI芯片的大規(guī)模應(yīng)用，以及終端設(shè)備小型化趨勢(shì)的演繹，全球先進(jìn)封裝市場(chǎng)有望快速成長(zhǎng)：據(jù)Yole預(yù)計(jì)，先進(jìn)封裝市場(chǎng)至2024年有望達(dá)440億美元，2018-2024年CAGR達(dá)8%。公司通過(guò)對(duì)AMD蘇州、檳城廠的收購(gòu)，增強(qiáng)了先進(jìn)封裝的技術(shù)實(shí)力，未來(lái)有望充分受益于先進(jìn)封裝市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)。

審核編輯：劉清