2022年到2028年先進(jìn)封裝市場(chǎng)年復(fù)合增長(zhǎng)率將達(dá)10.6%。

盡管整體經(jīng)濟(jì)不景氣，但先進(jìn)封裝市場(chǎng)繼續(xù)保持彈性。Yole Group 最新的Advanced Packaging Market Monitor（先進(jìn)封裝市場(chǎng)監(jiān)測(cè)）記錄了與上一年相比，2022 年的先進(jìn)封裝的收入增長(zhǎng)了約 10%。2022年價(jià)值443億美元，預(yù)計(jì)2022—2028年復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）為10.6%，到2028年達(dá)到786億美元。

相比之下，傳統(tǒng)封裝市場(chǎng)預(yù)計(jì)從 2022 年到 2028 年的復(fù)合年增長(zhǎng)率將放緩至 3.2%，達(dá)到 575 億美元。總體而言，封裝市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以 6.9% 的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)，達(dá)到 1360 億美元。?

2022年先進(jìn)封裝市場(chǎng)約占集成電路封裝市場(chǎng)總量的48%。由于各種大趨勢(shì)，其份額正在穩(wěn)步增長(zhǎng)。在先進(jìn)封裝市場(chǎng)中，包括FCBGA和FCCSP在內(nèi)的倒裝芯片平臺(tái)在2022年占據(jù)51%的市場(chǎng)份額。從2022年到2028年，預(yù)計(jì)收入復(fù)合年增長(zhǎng)率最高的細(xì)分市場(chǎng)是ED、2.5D/3D和倒裝芯片，增長(zhǎng)率分別為30%、19%和8.5%。

到 2022 年，移動(dòng)和消費(fèi)者占整個(gè)先進(jìn)封裝市場(chǎng)的 70%，預(yù)計(jì) 2022 年至 2028 年的復(fù)合年增長(zhǎng)率為 7%，到 2028 年占先進(jìn)封裝收入的 61%。電信和基礎(chǔ)設(shè)施部分增長(zhǎng)最快，具有估計(jì)收入增長(zhǎng)率約為 17%，預(yù)計(jì)到 2028 年將占先進(jìn)封裝市場(chǎng)的 27%。汽車(chē)和運(yùn)輸將占市場(chǎng)的 9%，而醫(yī)療、工業(yè)和航空航天/國(guó)防等其他領(lǐng)域?qū)⒄?%?。

盡管傳統(tǒng)封裝目前主導(dǎo)晶圓生產(chǎn)，到 2022 年將占總產(chǎn)量的近 73%，但先進(jìn)封裝市場(chǎng)的份額正在逐漸增加。先進(jìn)封裝晶圓的市場(chǎng)份額預(yù)計(jì)將從 2022年的約27%增長(zhǎng)到2028年的32%。以單位計(jì)算，傳統(tǒng)封裝占據(jù)超過(guò)94%的市場(chǎng)份額，但從2022年到2028年，先進(jìn)封裝的出貨量預(yù)計(jì)將以6%左右的復(fù)合年增長(zhǎng)率（按銷(xiāo)量計(jì)算）增長(zhǎng)，2028年達(dá)到1010億臺(tái)。

小芯片和混合鍵合開(kāi)辟新領(lǐng)域

先進(jìn)封裝已成為半導(dǎo)體創(chuàng)新、增強(qiáng)功能、性能和成本效益的關(guān)鍵。臺(tái)積電、英特爾和三星等大公司正在采用小芯片和異構(gòu)集成策略，利用先進(jìn)封裝技術(shù)以及前端擴(kuò)展工作。

Chiplet 方法將 SoC 芯片劃分為多個(gè)芯片，僅縮放具有先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的芯片，并使用 2.5D 或 3D 封裝將它們集成。這提高了產(chǎn)量并降低了成本?；旌湘I合 (HB) 是另一個(gè)重要趨勢(shì)，可實(shí)現(xiàn)金屬－金屬和氧化物－氧化物面對(duì)面堆疊，且凸點(diǎn)間距小于 10 μm。它用于 CIS 和 3D NAND 堆疊等應(yīng)用的晶圓到晶圓混合鍵合，以及用于PC、HPC和數(shù)據(jù)中心的邏輯上內(nèi)存堆疊以及3D IC 中的 3D SoC 的持續(xù)開(kāi)發(fā)。

臺(tái)積電憑借其CoWoS生產(chǎn)和多樣化產(chǎn)品組合（包括 3D ?SoIC 、? InFO_SoW和 CoWoS變體）在高端先進(jìn)封裝領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位?。英特爾在2022年大力投資先進(jìn)封裝，但宏觀經(jīng)濟(jì)因素影響了其2023年的核心業(yè)務(wù)。因此，我們預(yù)計(jì)臺(tái)積電今年在先進(jìn)封裝方面的投資將超過(guò)英特爾?。三星為 HBM 和 3DS 產(chǎn)品、扇出面板級(jí)封裝和硅中介層提供先進(jìn)封裝解決方案，從而實(shí)現(xiàn)高端性能產(chǎn)品。

與傳統(tǒng)封裝相比，先進(jìn)封裝需要不同的設(shè)備、材料和工藝，例如新的基板材料、光刻工藝、激光鉆孔、CMP 和 KGD 測(cè)試。先進(jìn)封裝參與者進(jìn)行了大量投資來(lái)開(kāi)發(fā)和引入這些進(jìn)步。與先進(jìn)封裝的異構(gòu)集成推動(dòng)了半導(dǎo)體創(chuàng)新，提高了整體系統(tǒng)性能，同時(shí)降低了成本。?

半導(dǎo)體供應(yīng)鏈：新的地緣政治戰(zhàn)場(chǎng)

由于芯片短缺和地緣政治緊張局勢(shì)，包括先進(jìn)封裝在內(nèi)的半導(dǎo)體價(jià)值鏈?zhǔn)艿疥P(guān)注。各國(guó)政府正在投資了解和加強(qiáng)國(guó)內(nèi)生態(tài)系統(tǒng)。地緣政治擾亂了供應(yīng)鏈，影響了半導(dǎo)體公司獲得芯片和設(shè)備。先進(jìn)封裝被視為后摩爾定律時(shí)代的關(guān)鍵，預(yù)計(jì)到 2028 年先進(jìn)封裝市場(chǎng)將達(dá)到780億美元。

OSAT 擴(kuò)展了測(cè)試專業(yè)知識(shí)，而傳統(tǒng)測(cè)試參與者則投資于封裝。隨著來(lái)自不同模型的參與者進(jìn)入封裝，蠶食 OSAT，業(yè)界看到了范式轉(zhuǎn)變?；骞?yīng)一直緊張，影響材料可用性并導(dǎo)致交貨時(shí)間延長(zhǎng)和價(jià)格上漲。需求減少和?產(chǎn)能擴(kuò)張可能有助于緩解短缺?；骞?yīng)商投資于產(chǎn)能擴(kuò)張但面臨時(shí)間限制，導(dǎo)致未來(lái) 2 至 3 年持續(xù)存在供應(yīng)問(wèn)題。

隨著摩爾定律的放緩以及前沿節(jié)點(diǎn)復(fù)雜性和成本的增加，先進(jìn)封裝正在成為將多個(gè)裸片集成到單個(gè)封裝中的關(guān)鍵解決方案，并有可能結(jié)合成熟和先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)。異構(gòu)集成和基于小芯片的方法在人工智能、網(wǎng)絡(luò)、自動(dòng)駕駛、高端?PC 和高端游戲等細(xì)分市場(chǎng)中變得必不可少。通過(guò)先進(jìn)封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)的異構(gòu)集成可在緊湊的平面圖中實(shí)現(xiàn)具有成本效益的多芯片集成，與傳統(tǒng)封裝相比可實(shí)現(xiàn)卓越的性能。

編輯：黃飛

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