半導體先進制程工藝逐步趨于極限,?繼續沿摩爾定律發展的腳步放緩,?而扇出型晶圓級封裝(?Fan-out Wafer Level Packaging,?FOWLP)通過晶圓重構的方式突破了傳統扇入封裝的?I/ O?引出端的數量限制,?并利用多層再 布線(Redistribution Layer,?RDL)等技術,?縮小引腳間距,?減薄封裝厚度,?降低高頻信號傳輸損耗,?從而進一步提升 芯片集成度。近年來已在消費電子、?高性能計算等領域逐漸發展成為具有代表性的先進封裝技術,?是接續摩爾定律 的關鍵技術。但?FOWLP?的可靠性問題隨著其結構精密和生產流程復雜而日益突出。結合?FOWLP?近期技術發展和 應用的現狀,?總結了發展趨勢;?從?FOWLP?結構的工藝缺陷和失效模式出發,?闡述了?FOWLP?的工藝流程和重點工 藝環節;?根據不同失效類型,?系統歸納了引發失效的物理效應和物理模型;?最后,?介紹了提升?FOWLP?結構可靠性 的工藝調整和優化設計方法。

隨著先進納米制程已逼近物理極限,?在日益增長 的性能需求與摩爾定律逐漸失效的矛盾影響下,?Intel、?NVIDIA、?臺積電、?AMD?等老牌半導體企業紛紛加大 了疊層封裝(PoP)、?FOWLP、?硅通孔(TSV)等先進封 裝領域的投入,?要借助先進的封裝技術實現更高性能、?更低耗電量、?更小體積、?信號傳輸速度更快的產品。?

作為先進性封裝研究的重要成果之一,?FOWLP?在 移動及可穿戴設備中大獲成功,?在高性能及云計算、?自動駕駛和物聯網(?IoT)中也得到了應用。FOWLP?具 有異質集成、 3D?堆疊的潛力,?可以與多種先進封裝技 術相互組合,?是未來先進封裝技術演進的基石?。FOWLP?已在商用產品中有了扎實的使用基礎,?助力可 編程邏輯陣列?FPGA、?中央管理器?CPU、?數字信號處 理模塊?DSP?等關鍵元器件向高密度、?高性能和高可靠 性發展,?隨著軍事、?航空、?航天等領域逐漸向小體積、?輕質量、?高可靠性的方向發展,?FOWLP?將在軍用及航 空航天用器件的封裝變革中起到關鍵作用?。?

目前先進制程工藝的進步速度逐漸放緩,?且在當 前國際背景下,?受美、?日、?荷等國半導體相關行業的 出口限制,?國內先進制程工藝難以短時間內實現有效 突破。加強對以?FOWLP?為代表的先進封裝技術的發 展和應用,?可以有效促進集成電路在一定行業應用范 圍內向著更高集成度的方向繼續發展,?滿足相關應用需求。??

在?FOWLP?中存在兩個重要概念,?即扇出型封裝 和晶圓級封裝。如圖?1?所示,?扇出型封裝(Fan-out)是 與扇入型封裝(Fan-in)對立的概念,?傳統扇入型封裝 的?I/ O?接口均位于晶粒(Die)的下方,?I/ O?接口的數量 受限于芯片尺寸的大小,?隨著芯片技術的發展,?I/ O?接口的數量已經成為制約芯片性能發展的短板之一,?而扇出型封裝則可以利用重布線(RDL)技術和模塑化 合物提供的額外芯片面積,?將?I/ O?接口分布在晶粒之 外,?大大增加了芯片?I/ O?接口數量,?從而滿足芯片日 益增長的吞吐需求?。傳統封裝往往是將晶粒從晶圓?(Wafer)上切割下來,?再分別對晶粒進行封裝,?而晶 圓級封裝則另辟蹊徑,?先將晶圓進行整體封裝,?再進 行切割,?更適合集成電路的大規模批量生產。

縱觀集成電路封裝技術的發展歷程,?伴隨著封裝 結構的布線密度和?I/ O?接口數量的不斷上升,?封裝結 構和工藝流程日趨復雜,?引發的可靠性問題也逐漸增多?。本文第一章介紹了近幾年國內外?FOWLP?技術發 展和應用的現狀,?介紹了國內半導體廠商特色封裝技 術和先進封裝技術發展水平。第二章列舉了?FOWLP?的關鍵工藝和常用的可靠性測試方法。第三章介紹了 學術界對晶圓翹曲、?芯片偏移兩種工藝缺陷和重布線 層分層、?焊球開裂兩類失效模式的失效分析成果。第 四章介 紹 了 基 于 失 效 分 析 形 成 的 失 效 物 理 模 型 對?FOWLP?的工藝和設計進行可靠性優化的部分典型案 例。最后展望了進一步提升?FOWLP?產品可靠性的研究方向。

1.?行業發展及應用現狀

2016?年,?臺積電(TSMC)經過在先進封裝技術上 近十年的布局和技術沉淀,?在?FOWLP?領域開發了集 成扇出型(Integrated Fan-out,?InFO)封裝技術[?,?并 成功應用于蘋果?iPhone7?系列手機的?A10?應用處理器?,?之后蘋果每一代手機應用處理器都采用臺積電 的集成扇出型封裝技術,?幫助臺積電拿下蘋果處理器 芯片制造和封裝訂單。?

在先進封裝領域,?AMD?公司將多項先進封裝技術 投入商用。Chiplet,?中文譯名芯粒或晶粒,?是近期集 成電路業界的熱點話題,?Chiplet?是指預先制造好、?具 有特定功能、?可組合集成的晶片,?該技術可以縮小單 顆芯片面積,?提高良品率,?有助于企業控制生產成本 和提高迭代速度。如何實現多芯粒之間的高速互聯是 實現?Chiplet?的技術難點,?而?FOWLP?技術的高密度重 布線工藝滿足多芯粒之間高速互聯的需求。FOWLP?技 術的發展是?Chiplet?技術走向商用的先決條件。AMD?公司在扇出型封裝技術上投入巨資,?并且在商業競爭 中率先使用先進的?FOWLP?技術,?該技術路線幫助?AMD?公司在?CPU?和?GPU?領域追趕行業先驅?Intel?和?NVIDIA。在?2019?年發布的?7?nm Zen2?架構銳龍處理器 中,?AMD?公司將?CPU?芯片拆分成?CCD?和?cIOD?兩部分,?其中僅有負責邏輯運算的?CCD?使用臺積電?7?nm?工藝,?對性能要求較低的?cIOD?部分使用了?12?nm?工 藝。Zen2?架構意義重大,?實現了對同期?Intel?產品的性 能追趕,?為提升?AMD?在德國等多國?CPU?市場占有率 奠定了基礎。?

在?CPU?領域通過先進封裝技術取得優勢的?AMD?公司也試圖將?FOWLP?技術引入到?GPU?領域,?AMD?公司于?2022?年?12?月?13?日向市場推出了使用?RDNA?3?架構的?Radeon?7900XTX?顯卡,?AMD?將顯卡核心?Big Navi?3x?拆分為一個?GCD?和六個?MCD,?與?AMD?在?Zen?架構的做法相同,?負責邏輯計算的?GCD?使用了臺 積電?5?nm?工藝,?面積為?300?mm?2?,?MCD?使用了臺積 電?6?nm?工藝,?單顆面積為?37?mm2?。得益于更小的芯 片帶來更高的良率,?以及?MCD?芯片成熟工藝,?使得?AMD?的?Big Navi?3x?核心在性能對標競爭廠家?NVIDIA?的?AD102?核心的同時實現了較好的成本控制。?

Intel?公 司 結 合 自 身 在 基 板 領 域 的 積 累,?推 出?EMIB(Embedded Multi-Die Interconnect Bridge),?中文 譯名為嵌入式多核心互聯橋接。EMIB?工藝建立在標 準封裝構造流程的基礎上,?附加了創建?EMIB?腔的步 驟。連接橋位于空腔中,?并用粘合劑固定在適當的位 置。添加介電層和金屬堆積層,?然后進行通孔鉆孔和 電鍍。作為?CPU?行業的巨頭,?Intel?公司正試圖參與?GPU?市場競爭。在?2022?年?8?月的半導體行業會議?Hot Chips?34?上,?Intel?公司公開了一套名為?Ponte Vecchio?的服務器?GPU?架構。Intel?公司作為?GPU?行業的后來 者,?在最新推出的?GPU?產品中使用了比?AMD?公司更 先進的封裝技術。Intel?公司稱?Ponte Vecchio?內部同時 混用?Intel?7?和臺積電?N7?/ N5?等多個工藝節點,?并使用 了多達?11?處的?EMIB?結構以實現內部高速互聯。?

在超算領域,?特斯拉于?2021?年公布了?Dojo?芯片 的概念圖,?Dojo?是神經網絡訓練優化超級計算機芯 片,?該芯片將首次使用臺積電?InFO_?SoW?(System-on?-Wafer)技術?,?Dojo?使用?6?層?RDL,?將整塊?12?英寸 重構晶圓安裝在散熱盤上,?散熱盤可以為芯片提供剛 度并將散熱能力從?7000?W?提升至?15000?W。2022 年,?FOWLP?技術在?GPU?領域得到了快速的 推廣應用, 2021?年底到?2022?年初,?馬斯克在推特上 發布多篇推文公布特斯拉自研超算?GPU?芯片,?以取代 特斯拉采購的?NVIDIA?芯片。?

2022?年?8?月?Intel?公布全 新服 務 器?GPU?架 構, 12?月?AMD?發 售 消 費 級?GPU7900XTX,?這三家公司為了追趕行業先進水平,?使用的先 進 封 裝 技 術 越 發 激 進,?但 市 占 率 最 高 的?NVIDIA?公司仍采用了較保守的封裝方案。無論是?CPU、?GPU?還是其他集成電路產業,?均呈現出越是行 業后發者,?使用的封裝技術越先進的趨勢。如圖?2?所 示,?這一趨勢在市場規模最大、?競爭最激烈的?GPU?市 場表現尤為明顯。并且,?各公司發展先進封裝技術的 戰略也取得了不錯的效果,?NVIDIA?公司各類?GPU?產 品線均受到巨大挑戰。觀察這種趨勢對國內半導體行 業的發展很有參考價值,?促進?FOWLP?等先進封裝技 術的發展和應用對于試圖參與?GPU?市場競爭的集成電 路企業是很有意義的。

在宇航領域,?NASA?在?2015?年公布的封裝技術路 線圖 中 將?2. 5D/?3D?-?TSV?技 術 納 入 封 裝 技 術 路 線, 2018?年啟動對?2. 5D?封裝產品的考核方案和路線圖。在美國國家航空航天局電子零件和包裝計劃(National Aeronautics and Space Administration Electronic Parts and Packaging,?NEPP)的贊助下,?美國加州理工學院噴氣 動 力 實 驗 室?(?California Institute of Technology Jet Propulsion Laboratory,?JPL)?的?Ghaffarian?通過一系列 的可靠性實驗系統論證了?2. 5D?封裝產品的可靠性,?他認為?FOWLP?產品擁有更小的體積重量、?更大的邏 輯運算和存儲能力,?而且其可靠性鑒定結果足以滿足?NASA?對空間飛行器電子元器件的可靠性要求,?并希 望他的研究成果可以促進?NASA?對?FOWLP?等先進封 裝技術的使用。?

我國半導體封裝企業也在?FOWLP?領域取得了一 系列創新成果。硅基扇出型晶圓級封裝?(?Embedded Silicon Fan-out,?eSiFO)?是?2015?年由華天科技于大全 教授提出。硅基扇出型封裝這一技術路線相比于樹脂 扇出型封裝,?具有成本低、?翹曲小、?布線密度高、?散 熱良好和制程簡單等優勢,?更容易實現大芯片系統集 成。該工藝被使用于電源管理芯片、?射頻收發器芯片、基帶處理器和高端網絡系統等多種應用領域,?

廈門云天半導體開發了?eGFO?嵌入式玻璃封裝技 術。玻璃絕緣性好,?高溫下不易膨脹,?透光性強,?適 合高頻的射頻應用和光電應用。玻璃上可以直接做光 路,?滿足光電共封裝的需求,?光電射頻領域也是云天?eGFO?技術的主要應用領域。但是玻璃具有易開裂的 特性,?在玻璃上開孔和挖出嵌埋區域工藝難度高、?效 率低。產品良率是目前制約廈門云天使用玻璃作為載 體的最大因素。?

中電五十八所的晶圓級封裝工藝平臺是目前國內先進、?自主可控的高可靠?12?英寸(兼容?8?英寸)?晶圓級制造加工線,?同時也是國防科技工業認可的信息處 理微系統加工制造平臺。自?2017?年通線以來,?平臺已 經具備高可靠?12?英寸的晶圓級再布線制備、?晶圓級凸 點制備、?圓片重構等多項晶圓級扇出型集成技術。部 分工藝技術能力(晶圓級封裝尺寸、?凸點直徑等)達到國際領先水平。同時具備有鉛低輻射凸點(Bump)?制 備、?單芯片批量化凸點生長以及可重構三維封裝等特 色服務,?可滿足軍用及宇航長壽命使用要求,?已先后 為國內多家用戶單位提供了?GNC?飛行控制、?AD/ DA?集成、?信號截取處理模塊等數字信息處理微系統產品 的加工服務,?滿足了相關微系統產品小型化、?高性能、?高可靠的應用需求。?

航天?772?所通過近幾年技術攻關和自主研發,?已 初步具備 小 尺 寸 多 芯 粒 硅 基 集 成 技 術 能 力。針 對?Chiplet?芯粒集成多級互連要求,?面向?40 μm?以下超微 凸點鍵合,?突破面陣列固態互連等關鍵技術,?實現了 低溫焊接、?高溫服役的全流程穩定工藝;?并采用耐濕?“內防護”?結構以及改性耐高溫材料,?實現了節距小 于?100 μm,?凸點數大于?10000?個的均勻沉積和致密防 滲集成工藝。?

通富微電?2021?年披露其在高性能計算領域建成了 國內頂級?2. 5D/?3D?封裝平臺?(?VISions)?及超大尺寸?FCBGA?研發平臺,?且完成了高層數再布線技術的開 發,?具備大規模生產?Chiplet?封裝能力,?目前在?CPU、?GPU、?服務器領域?5?nm?即將量產。其?Fan-out?技術已 經達到世界先進水平,?高密度扇出型封裝平臺完成?6?層?RDL?開發。?

XDFOI?是長電科技?2021?年推出全系列極高密度 扇出型封裝解決方案,?并于?2022?年下半年量產。該封 裝解決方案是新型無硅通孔晶圓級極高密度封裝技術,?相較于?2. 5D?硅通孔(TSV)?封裝技術,?具備更高性能、?更高可靠性以及更低成本等特性。該解決方案在線寬 或線距達到?2 μm?的同時,?可實現多層布線層,?另外,?采用了極窄節距凸塊互聯技術,?封裝尺寸大可集成多 顆芯片、?高帶寬內存和無源器件。XDFOI?主要集中于 對集成度和算力有較高要求的?FPGA、?CPU、?GPU、?AI?和?5G?網絡芯片等應用產品提供小芯片?(Chiplet)?和異 質封裝?(HiP)?的系統封裝解決方案。?2022?年?7?月?22?日,?長電科技發文稱,?公司在先進封測技術領域取得 新的突破,?實現?4?nm?工藝制程手機芯片的封裝以及?CPU、?GPU?和射頻芯片的集成封裝。?

我國?FOWLP?技術與國外先進水平相比差距較小,?且各企業均有自身的特色技術,?但在高密度重布線和 超大面積扇出型封裝技術等領域尚有差距。

2?關鍵工藝和可靠性評價

FOWLP?的工藝流程復雜,?包括晶圓重構、?塑封、?重布線等,?每一步關鍵工藝都會對封裝可靠性造成嚴 重影響。?

晶圓重構是指將從晶圓上分割下來的晶粒重新貼 裝在臨時載體上形成重構晶圓,?如圖?3?所示。晶圓重 構技術要求較好的定位精度,?既需要良好的粘貼強度,?也需要易于剝離,?否則會導致芯片偏移?。

塑封工藝可以保護芯片并擴展芯片面積,?環氧塑 封料會在受熱后液化,?包裹住晶粒,?并在冷卻后固化。環氧塑封料的熱膨脹系數與其他材料之間存在較大的 不匹配,?注塑時產生的液體流動也可能會改變晶粒位 置,?造成晶圓翹曲和芯片偏移。?

重布線技術是實現扇出效果的關鍵技術,?如圖?4?所示,?該技術首先在晶粒表面覆上鈍化層和?PI?層,?再 通過金屬濺射、?掩膜曝光的方法制造金屬層圖案,?并 使用電鍍法填充金屬層,?反復多次,?在晶粒和塑封料 表面交替制作金屬層和聚酰亞胺層,?最終形成多層重 布線層,?實現對?I/ O?接口的重新排布。由于金屬和聚酰亞胺熱膨脹系數不同,?在溫度變化時若重布線層 強度不足會引發重布線層開裂。

FOWLP?在應用過程中常見的失效模式包括重布 線層分層和焊球開裂。菊花鏈測試鏈路可以實時監測 和定位?FOWLP?失效[9] ,?便于后續對失效封裝結構失 效分析。溫度循環試驗和沖擊試驗可以充分暴露潛在 失效。?

菊花鏈(Daisy Chain)測試鏈路是表征先進封裝結 構可靠性的常用方法,?它可以高效率地實時監測封裝 結構是否在環境測試中發生失效,?并鎖定發生失效的 大概位置。菊花鏈測試鏈路可以在?I/ O?接口中建立多 條鏈路,?一旦封裝結構在某處發生失效,?就會改變該 處的橫截面積、?長度和電氣參數,?失效位置所在鏈路 的電流也會因為電阻值的改變而變化,?從而實現對封 裝結構失效狀態的監控和失效位置的估計。?

在發現失效現象后可以使用超聲波掃描電子顯微 鏡?(SAM)、?掃描電子顯微鏡?(?SEM) 、?能量色散?X?射線光譜儀(EDX)、?X?射線能譜儀?(EDS)等工具和手 段對失效點位進行定位和失效分析。超聲波掃描電子 顯微鏡和能量色散?X?射線光譜儀可以精準定位失效位 置。掃描電子顯微鏡可以得到失效點位的清晰圖像,?有助于了解斷裂、?分層、?錯位等現象的具體原因。通 過能譜分析對失效點位附近材料的成分進行分析,?可 以追溯因工藝流程中原材料純度不足、?對上一工藝環 節殘余物清洗和剝離不夠充分或生產環境不夠純凈等 原因導致的失效。?

溫度循環試驗和沖擊試驗可以使潛在的布線層分 層和焊球開裂失效充分暴露。重布線層中的金屬層和 聚酰亞胺層在溫度循環測試時反復膨脹收縮,?二者熱 膨脹系數不同,?若重布線層強度不足則會開裂。沖擊 和溫度循環導致焊球處發生熱應力和機械應力集中,?若產品設計不合理或封裝工藝不達標,?則會導致焊球開裂。根據聯合電子器件工程委員會(?Joint Electron Device Engineering Council,?JEDEC)?發布的有關標準?JESD22-A104,?封裝可靠性測試中溫度循環試驗的 熱范圍為-40~ 125?℃,?循環測試的次數均為?1000?次,?沖擊測試的強度為?1500?g / ms。在實際工作中,?可靠 性環境試驗會根據集成電路產片生命周期中所經歷的 環境進行調整,?比如航空航天電子產品會對沖擊強度 測試進行加嚴,?汽車電子產品可能會擴大溫度循環范 圍或增加高溫存儲實驗(HTS)等項目。有些集成電路 產品在生產流程中會使用一些特殊工藝,?產品可能會 經歷極端環境變化,?這也需要調整測試環境。有針對 性的可靠性測試有助于精準的評價封裝結構的可靠性,?從而合理地對結構和工藝或劃定適應的產品貯存、?運 輸和工作環境范圍。?

3?主要工藝缺陷和失效模式

分析晶圓翹曲、?芯片偏移兩種工藝缺陷和重布線 層分層、?焊球開裂兩類失效模式的作用機理并建構物 理模型是進行工藝改進和可靠性優化改進的基礎。?

3. 1?晶圓翹曲?

晶圓翹曲是指重構晶圓在加工過程因熱機械應力 的累積而在宏觀上產生翹曲。晶圓翹曲會降低后續掩 膜光刻的工藝精度,?限制再布線層密度的提升。翹 曲產生的應力易在中介層或焊點處集中,?造成焊球開 裂脫落和中介層分層。晶圓尺寸越大,?晶圓所受的熱 和機械應力越強,?局部曲率越高,?翹曲現象越嚴重。隨著大尺寸晶圓在晶圓級封裝的應用,?晶圓翹曲問題 已經成為制約?FOWLP?發展的突出問題。?

由于晶圓表面易被劃傷,?業界通常采用光學手段 對晶圓翹曲進行測量,?依據原理可以大致劃分為光學 干涉測量 和 激 光 掃 描 測 量,?前 者 包 括 影 子 云 紋 法?(Shadow Moire)、?投影云紋法(?Projection Moire)?和泰 曼-格林干涉法(Twyman-Green)等,?通過光柵干涉 圖像表征晶圓曲率,?后者則是通過激光對晶圓整體進 行掃描定位,?最后通過計算機擬合出晶圓翹曲的情況。?

采用合適的方法對重構晶圓所含材料進行測量和 表征是分析引發晶圓翹曲多種應力的前提。Cheng?等使 用 差 示 掃 描 量 熱 法?(?Differential Scanning Calorimetry,?DSC?)?和 動 態 力 學 分 析?(?Dynamic Mechanical Analysis,?DMA)評估固化狀態,?使用熱機 械分析儀(?Thermomechanical Analyzer,?TMA)?表征了 環氧塑封料的楊氏模量和熱膨脹系數,?為分析各類應 力的強度和不同翹曲形態的成因提供了有力支持。

環氧塑封料固化引發的體積收縮和不同材料的熱 膨脹系數不匹配被公認為是造成晶圓翹曲的最主要原因,?但隨著研究的深入,?尤其是通過分析傳統理論 模型和實際結果之間的偏差,?近年來發現了更多影響 晶圓翹曲的因素。Dijk?等和?Chiu?等發現硅的各 向異性和環氧塑封料的粘彈性松弛效應對翹曲也有一 定影響,?固化工藝之后的工藝環節,?尤其是再布線和 植球等存在劇烈溫度變化的工藝會對晶圓翹曲產生影 響。Chiu?還通過實驗和建模分析認為環氧塑封料的化 學收縮對翹曲的影響微不足道。Cheng?等通過分 析環氧塑封料的固化過程發現重力會對晶圓翹曲產生 影響。?

張振越等基于雙層圓形板彎曲理論與復合材料 等效方法,?提出?FOWLP?圓片翹曲理論解析表達式。實現對翹曲的快速預測。Chen?等使用頻域動態力 學分析表征了?EMC?和?PI?的線性粘彈性,?將粘彈性模 型用于對固化結構的有限元分析,?實現了對晶圓翹曲 的精準預測。Li?等結合材料微觀力學模型,?針對異 構集成結構建立物理模型,?通過建模調整參數使得?8?英寸晶圓翹曲控制在?2?mm?以內。

近幾年來,?業界深入分析了晶圓翹曲的成因,?表 征了翹曲程度和引發翹曲的應力,?支撐了業界工藝流 程參數優化 。

3. 2?芯片偏移?

芯片偏移是指晶粒偏離應有位置。芯片偏移現象 可以通過高倍顯微鏡觀察發現,?這既可能是晶圓重構 精度不足造成的,?也有可能是后續工藝環節產生的應 力導致的。引發芯片偏移的應力主要包含兩種。主要 的一種是由固化成型期間環氧塑封料的流動誘導阻力 引起的流體流動(Fluid Flow,?FF)。另一個是由封裝的 熱膨脹/?收縮、?環氧塑封料的固化收縮和晶圓翹曲引起 的熱機械(Thermo-Mechanical,?TM)應力?。與晶圓 翹曲類似,?芯片偏移也會降低再布線工藝中光刻的工 藝精度,?并導致芯片鏈路產生開路。?

為了分析兩種應力對芯片偏移的影響,?業界通過 建模和試驗對兩種應力的強度和作用機制進行了分析。Cheng?等基于某種環氧塑封料建立了流體動力學 模型用以研究液體流動對芯片偏移的影響,?發現重構 晶圓邊緣處的晶粒芯片偏移最為嚴重,?分析認為熱機 械效應和誘導阻力造成的應力具有相似的作用機制,?都是越靠近邊緣應力越大。Wu?等通過建模比較了 熱機械應力和流體流動的強度,?認為熱機械效應對芯 片偏移產生更多影響。Ouyang?等根據目前已經發 現的影響芯片偏移的應力,?針對聚二甲基硅氧烷這一 特殊的塑封料建立流體動力學模型,?實現對塑封過程 中翹曲變化的預測。Shao?等[26]通過比對不同種類粘合 劑的粘附強度和使用不同粘合劑對芯片偏移產生的影 響,?發現晶圓重構工藝中臨時載體的黏附力不足是造 成芯片偏移問題最直接的原因。?

相較于晶圓翹曲,?引發芯片偏移的應力種類較少,?芯片偏移的失效機制較為清晰。?

3. 3?焊點開裂?

由于?FOWLP?的?I/ O?接口數量越來越多,?FOWLP?的尺寸和焊點密度均有所提升。在焊點的體積變小的 同時單個焊點所受應力越來越高,?所以焊點的可靠性 問題日益突出。?

對焊點進行建模有助于對焊點可靠性進行預計,?便于工藝改進和設計優化,?Lau?等建立了非線性、?時間和溫度相關的三維有限元模型,?采用線性加速因 子將測試條件下的焊點可靠性映射到操作條件下的焊 接點可靠性,?得到了置信度為?90%的封裝特征壽命。Wang?等基于能量法描述和預測焊點形狀,?當液體 達到靜態平衡時,?其總能量趨于最低,?表面積趨于最 小。液體的能量主要包括表面張力能、?重力能和外能。根據總能量,?可以計算重力方向上的恢復力,?進而估 算焊球的形狀和高度,?并基于?Coffin-Manson?應變的 經驗模型估計焊點的疲勞壽命。Lee?等建立了一種 非線性模擬方法,?用于研究制造過程和熱循環實驗的 耦合效應。在有限元建模中分析了焊料凸臺的塑性和 蠕變行為,?研究了?SnAg?焊料凸臺中累積的非彈性應 變。還對相關幾何尺寸和底部填充材料進行了參數化分析。?

在不同環境壓力下,?焊球的失效模式表現不同。Cho?等[通過可靠性試驗發現在跌落試驗中,?焊球界 面斷裂和?PCB?焊盤出現凹坑是主要失效模式,?而在溫 度循環試驗中,?焊球界面斷裂和重布線層出現裂紋是 主要失效模式。?

除此之外,?在對焊球質量的批量化監測方面,?Lu?等用掃描聲學顯微鏡對樣本進行測試,?并使用聚類 模糊?C?均值(FCM)算法對焊點進行識別。訓練所得學 習模型可應用于高密度焊點可靠性的快速檢測。業界對焊點可靠性的研究相對成熟,?對引發焊點 應力集中的作用機制已有充足的探索,?建立了可信度 較高的焊點物理模型。?

3. 4?重布線層分層?

重布線 層 中 最 常 用 的 有 機 材 料 包 括 聚 酰 亞 胺(Polyimide,?PI)、?聚苯并惡唑(Polybenzoxazole,?PBO)?和苯并環丁烯(Benzocyclobutene,?BCB),?除此之外還 有酚醛樹脂等材料,?其中?PBO?機械強度最高但是熱膨 脹系數過高,?BCB?勝在優良的電學性能,?但是機械強 度最差。Gao?等[32]將酚醛樹脂等三種材料與?PI?進行比 較,?認為?PI?具有超過?30%的優異伸長率和?52×10 -6?/ K?的熱膨脹系數,?是目前性能最均衡的?RDL?有機材料。PI?是目前重布線層中最常用的有機材料。但是?PI?固化 溫度過高,?普通的?PI?固化溫度超過?300?℃,?經過改良 的低溫固化?PI?的固化溫度也在?200?℃以上,?對工藝設 計的優化要求較高。Okada?等[33]?通過試驗比較了兩種?PI、?PBO?和酚醛樹脂在銅表面的臨界能量釋放率,?并 根據實驗曲線建立了可以模擬任意溫度下分層可能性 的仿真模型。?

重布線層分層常發生在溫度循環測試之后,?重布 線層不同材料層經歷反復的熱脹冷縮,?材料間界面的 疲勞應力導致開裂。沖擊測試中也會發現重布線層分 層現象,?Lau?等通過試驗估算了重布線層的特征壽 命,?并發現封裝最大應力出現在受到沖擊后的?0. 0023?s,?位置在封裝四角,?最下層的重布線層所受應力最 大,?易發生開裂現象。?

重布線層分層是扇出型封裝中常見的失效模式,?但是重布線層結構和重布線工藝流程復雜,?結構和材 料個性化強,?重布線層仿真難度高,?需要針對不同的 封裝結構單獨進行分析。?

4?工藝改進和可靠性優化設計?

通過實驗和仿真可以快速對工藝進行迭代,?優化 工藝參數,?從而提升產品良率。依靠成熟的失效物理 模型對封裝結構進行優化是改善產品可靠性的有效方法。

4. 1?工藝改進?

晶圓翹曲的曲率、?形狀和方向在制造工藝中經歷 了劇烈的變化,?其中最大翹曲并沒有發生在其工藝流 程結束時,?而是發生在去載流子環節,?所以對于高產 率工藝操作,?應連續監測和有效控制每個工藝步驟的 翹曲,?而不是僅進行末端監控。Wu?等使用可調溫 度熱室模擬重構晶圓在后續工藝環節中經歷的溫度變 化,?并改進了一種干涉測量工具,?實現對晶圓翹曲的 全局熱變形分析,?從而改進工藝參數。Cheng?等通過實驗發現晶圓厚度與翹曲程度并非簡單的線性關 系,?當晶圓厚度低于?0. 6?mm?時,?晶圓越厚,?材料熱 失配導致的晶圓翹曲程度越高,?但是由于晶圓本身的 彎曲剛度與晶圓厚度的平方成正比,?所以當晶圓厚度 超過?0. 6?mm?時,?晶圓的彎曲剛度會隨厚度快速上升,?從而抑制晶圓翹曲。通過對生產工藝的觀察,?Cheng?等還注意到重構晶圓上晶粒間距越大,?晶粒邊長越長,?翹曲越小。?

引發芯片偏移的兩大要素分別是液體流動和熱機 械效應。通過降低塑封工藝速度和模具固化溫度、?縮 小晶粒間距和晶粒厚度以及增加環氧塑封料的厚度,?可以減少液體流動帶來的阻力,?從而減少芯片偏移。通過縮小環氧塑封料厚度,?使用低熱膨脹系數的臨時 載體,?增加晶粒的間距和厚度,?可以減少熱機械效應 引起的芯片偏移。可以看到減少液體流動阻力的措施 與減少熱機械效應的措施之間存在沖突,?所以需要對 工藝參數進行權衡。針對不同的封裝結構反復建模和 試驗,?才能使芯片偏移最小化?。?

Zhang?等通過大量的材料學試驗尋找植球工藝 的最佳參數,?在低焊接溫度和短焊接時間下,?焊點和 焊盤之間的冶金反應不足,?剪切力低。隨著焊接溫度 和時間的增加,?焊料球和焊盤之間的反應更完全,?機 械性能逐漸提高。然而,?隨著峰值溫度和持續時間的 增加,?焊料球的氧化程度增加,?導致焊點出現孔洞,?焊球下金屬間化合物厚度增加,?導致脆性增加,?剪切 力降低。經過權衡,?在?260?℃下, (Cu,?Ni)6Sn5?晶體 呈現規則的分布,?金屬間化合物達到一定的密度,?同 時也較少產生孔洞,?所以?260?℃?持續?10?s?是一個比較 優秀的焊接參數。?

重布線工藝中生產環境潔凈度不足或對前一工藝 環節殘余物清洗不徹底,?導致重布線層內部出現沾污 是導致重布線層分層的原因之一。在工藝環節中應嚴 格監控生產環境,?及時使用能譜分析技術分析重布線 層分層的封裝器件,?找出引發分層的有機化合物并追 溯來源,?并及時整改是十分有必要的。在重布線工藝 中選擇熱膨脹系數與金屬層匹配度較高、?分界層粘性 大的有機材料是減少分層的關鍵。減材制造是制備重 布線層的傳統方法,?Roshanghias?等[38]嘗試使用打印技 術實現重布線層的增材制造,?認為新的工藝方法在抵 抗重布線層分層問題上具有潛力,?并討論了增材制造 技術面臨的工藝難點。?

4. 2?可靠性優化設計?

除了進行工藝參數的改進,?通過對封裝結構進行 可靠性優化設計也能有效提升?FOWLP?的可靠性。?

Tsai?等發現,?在?FOWLP?上粘貼一個金屬框架 可以降低封裝翹曲和底部焊點所受應力。但是金屬框架的熱膨脹系數和金屬框架粘結劑的彈性模量會對效 果產生影響,?所以應根據情況謹慎選擇金屬框架材料,?粘合劑彈性模量應控制在?50?MPa?以下。?

晶圓翹曲和芯片偏移均與模塑化合物的性能相關,?C an?等分析了使用液體模塑化合物?(Liquid Molding ompound,?LMC)取代?EMC?的可能性,?LMC?流動性 強有助于抑制晶圓翹曲且成本更低,?但是對模塑工藝 的工藝控制要求更高。Andriani?等[通過在?EMC?中添 加六方氮化硼來改善?EMC?的熱力學性能,?并分析了 不同濃度的六方氮化硼對?EMC?熱力學性能的影響。?

Jung?等通過在環氧塑封料中嵌入不同形狀的銀 片有效降低翹曲,?改善芯片散熱。環氧塑封料導熱性 差,?在高溫固化時固化速度不均勻,?加入銀片可以使 固化速度更加均勻,?從而減輕翹曲。位于晶粒正上方 扇入區域的銀片還可以顯著改善散熱,?但在扇入區域 嵌入銀片也會增加封裝整體厚度。?

通常認為使用散熱器可以降低芯片的實際工作溫 度,?有助于緩解因熱機械效應導致的封裝失效。但是?Nayini?等將使用散熱器和不使用散熱器的封裝結構 進行了對照,?發現加裝散熱器可能會導致焊點壽命下 降,?因為散熱器會限制芯片變形,?將芯片內部因熱失 配產生的應力傳遞給焊點。雖然高溫會減少焊點壽命,?但是不合適的散熱方法可能會進一步加劇可靠性問題。?

Lee?等發現上、?下焊盤直徑和緩沖層厚度顯著 影響扇出型封裝焊點的可靠性壽命。當上焊盤大于下 焊盤時,?焊點的可靠性更高,?推薦的上下焊盤大小比 例為?1 ∶ 0. 72,?較厚的緩沖層分擔了焊點的應力集中,?從而對焊點的可靠性壽命產生了積極影響。較薄的芯 片厚度可以釋放焊點的應變芯片,?減小焊料凸塊的非 彈性應變增量,?低楊氏模量底部填充材料也可以起到 應力緩沖的作用。?

Lee?等提出了三種無直角轉彎的重布線層設計 方案,?并與含有直角轉彎布線的原始方案進行對比,?發現合理的重布線層設計方案可以避免局部積熱,?改 善重布線層的力學性能,?提升了在溫度循環測試中的可靠性。

5?總結與展望?

FOWLP?已在消費級和工業級半導體制造領域大 規模應用,?也在高可靠領域得到了初步應用,?是未來 商業競爭的重點方向。學術界和工業界已經針對不同 失效 現 象 建 立 了?FOWLP?的 可 靠 性 物 理 模 型,?對?FOWLP?的失效機理有了較為清晰的認識,?針對性地進 行了工藝改進和可靠性設計優化。但是由于封裝結構 復雜度的提升以及多種應力耦合關系過于復雜,?僅靠 失效機理的相關研究已經難以指導工藝和設計的深化 改進。通過機器學習和深度學習將工藝過程、?設計參 數與產品良率、?可靠性參數之間建立數學關系和數學 模型,?可能是指導工藝和設計改進、?進一步提升產品 可靠性的可行之路。

編輯：黃飛

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