引言 ? 光刻膠又稱“光致抗蝕劑”或“光阻劑”，被廣泛應(yīng)用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細(xì)圖形線路的加工制作，是微納制造技術(shù)的關(guān)鍵性材料。 光刻膠是光刻工藝最重要的耗材，其性能決定了加工成品的精密程度和良品率
2022-04-25 17:35:22
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推動科技進(jìn)步的半導(dǎo)體技術(shù)真的會停滯不前嗎？這也不太可能，7nm工藝節(jié)點(diǎn)將開始應(yīng)用EUV光刻工藝，研發(fā)EUV光刻機(jī)的ASML表示EUV工藝將會支持未來15年，部分客戶已經(jīng)在討論2030年的1.5nm工藝路線圖了。
2017-01-22 11:45:423424 盡管存在從流變學(xué)角度描述旋涂工藝的理論，但實(shí)際上光刻膠厚度和均勻性隨工藝參數(shù)的變化必須通過實(shí)驗(yàn)來確定。光刻膠旋轉(zhuǎn)速度曲線（圖 1-3）是設(shè)置旋轉(zhuǎn)速度以獲得所需抗蝕劑厚度的重要工具。最終抗蝕劑厚度在旋轉(zhuǎn)速度的平方根上變化，大致與液體光致抗蝕劑的粘度成正比。
2022-08-25 17:12:541021 
傳統(tǒng)的光刻工藝是相對目前已經(jīng)或尚未應(yīng)用于集成電路產(chǎn)業(yè)的先進(jìn)光刻工藝而言的，普遍認(rèn)為 193nm 波長的 ArF 深紫外光刻工藝是分水嶺（見下表）。這是因?yàn)?193nm 的光刻依靠浸沒式和多重曝光技術(shù)的支撐，可以滿足從 0.13um至7nm 共9個技術(shù)節(jié)點(diǎn)的光刻需要。
2022-10-18 11:20:2913995 在之前的文章里，我們介紹了晶圓制造、氧化過程和集成電路的部分發(fā)展史。現(xiàn)在，讓我們繼續(xù)了解光刻工藝，通過該過程將電子電路圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上。光刻過程與使用膠片相機(jī)拍照非常相似。但是具體是怎么實(shí)現(xiàn)的呢？
2023-06-28 10:07:472427 
光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-12-04 09:17:241338 
有人知道 為什么光刻完事 剝離那么容易脫落呢 怎么避免呢
2012-06-26 12:40:30
本帖最后由 iweimo 于 2014-10-20 15:07 編輯
先分享光刻的參考資料。============================2014-10-17========光刻分類
2014-09-26 10:35:02
介質(zhì)層上的光致抗蝕劑薄層上。 ②刻蝕工藝：利用化學(xué)或物理方法，將抗蝕劑薄層未掩蔽的晶片表面或介質(zhì)層除去，從而在晶片表面或介質(zhì)層上獲得與抗蝕劑薄層圖形完全一致的圖形。集成電路各功能層是立體重疊的，因而光刻工藝
2012-01-12 10:51:59
芯片制造流程其實(shí)是多道工序?qū)⒏鞣N特性的材料打磨成形，經(jīng)循環(huán)往復(fù)百次后，在晶圓上“刻”出各種電子特性的區(qū)域，最后形成數(shù)十億個晶體管并被組合成電子元件。那光刻，整個流程中的一個重要步驟，其實(shí)并沒有
2020-09-02 17:38:07
用去離子水清洗并用氮?dú)獯蹈伞３酥膺€可以利用反應(yīng)離子刻蝕或等離子表面清洗儀清洗。SU-8光刻膠的光刻工藝將 SU- 8光刻膠組分旋涂在基材上，旋涂厚度幾至幾百微米。涂覆晶片經(jīng)過前烘并冷卻至室溫。在烘干
2018-07-12 11:57:08
的耐蝕刻薄膜材料，經(jīng)曝光和顯影而使溶解度增加的是正性光刻膠，反之為負(fù)性光刻膠。光刻膠的分類及其特點(diǎn)見表1。 隨著IC特征尺寸亞微米、深亞微米方向快速發(fā)展，現(xiàn)有的光刻機(jī)和光刻膠已無法適應(yīng)新的光刻工藝要求
2018-08-23 11:56:31
光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，它受到光照后特性會發(fā)生改變。光刻膠主要用來將光刻掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓片上。光刻膠有正膠和負(fù)膠之分。正膠經(jīng)過曝光后，受到光照的部分變得容易溶解，經(jīng)過顯影后被
2019-11-07 09:00:18
這是我的版圖一部分，然后生成了圖案是這樣的： 感覺間距小的地方全都有殘留，間距大的地方?jīng)]有殘留；工藝參數(shù)：s9920光刻膠， evg 620‘未進(jìn)行蒸汽底漆層涂覆，前烘：100攝氏度，90s
2016-11-29 14:59:18
一、光刻膠的選擇光刻膠包括兩種基本的類型：正性光刻和負(fù)性光刻，區(qū)別如下
2021-01-12 10:17:47
關(guān)于光刻工藝的原理，大家可以想象一下膠片照片的沖洗，掩膜版就相當(dāng)于膠片，而光刻機(jī)就是沖洗臺，它把掩膜版上的芯片電路一個個的復(fù)制到光刻膠薄膜上，然后通過刻蝕技術(shù)把電路“畫”在晶圓上。 當(dāng)然
2020-07-07 14:22:55
半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的標(biāo)志：NR9-PY 系列負(fù)性光刻膠，適用于lift-off工藝；具有高效粘附性，高反應(yīng)速度并耐高溫性能好。 NR71-PY 系列 負(fù)性光刻膠，適用于lift-off工藝，耐高溫性能好
2010-04-21 10:57:46
對基材進(jìn)行清洗。常用的清洗方法是利用濃硫酸及雙氧水的混合溶液浸泡，隨后用去離子水清洗并用氮?dú)獯蹈伞３酥膺€可以利用反應(yīng)離子刻蝕或等離子表面清洗儀清洗。SU 8光刻膠光刻工藝：將 SU- 8 光刻膠組分
2018-07-04 14:42:34
的歷史蝕刻工藝進(jìn)行了兩個主要的工藝更改，這使得這項(xiàng)工作成為必要。首先，我們從 Clariant AZ4330 光刻膠切換到 Shipley SPR220-3。我們發(fā)現(xiàn)后者的光刻膠具有更好的自旋均勻性
2021-07-06 09:39:22
版與硅片之間的距離較遠(yuǎn),可以完全避免對掩膜版的損傷.為了提高分辨率,在投影式暴光中,每次只暴光硅片的一小部分,然后利用掃描和分步重復(fù)的方法完成整個硅片的暴光.在現(xiàn)代集成電路工藝中,使用最多的光刻系統(tǒng)
2012-01-12 10:56:23
，小米9pro，oppo Reno3以及vivo X30）分別采用了什么芯片？ 3協(xié)同通信的方式有哪些？ 4大數(shù)據(jù)及認(rèn)知無線電（名詞解釋） 4半導(dǎo)體工藝的4個主要步驟： 4簡敘半導(dǎo)體光刻技術(shù)基本原理 4給出4個全球著名的半導(dǎo)體設(shè)備制造商并指出其生產(chǎn)的設(shè)備核心技術(shù)： 5衛(wèi)
2021-07-26 08:31:09
半導(dǎo)體光刻蝕工藝
2021-02-05 09:41:23
中國科學(xué)院大學(xué)（以下簡稱國科大）微電子學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院，國科大微電子學(xué)院開設(shè)的《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)計(jì)優(yōu)化》課程是國內(nèi)少有的研究討論光刻技術(shù)的研究生課程，而開設(shè)課程
2021-10-14 09:58:07
本人是菜鳥 需要在玻璃上光刻普通的差值電極 以前一直在硅片上面光刻 用的光刻膠是AZ5214E 正膠 同樣的工藝和參數(shù)在玻璃上附著力差了很多 懇請哪位高人指點(diǎn)一下PS 插值電極的距離為25微米 小女子這廂謝過了
2010-12-02 20:40:41
電感的基本原理電感的工藝結(jié)構(gòu)電感的應(yīng)用及選型
2021-03-16 11:28:08
EUV主要用于7nm及以下制程的芯片制造，光刻機(jī)作為集成電路制造中最關(guān)鍵的設(shè)備，對芯片制作工藝有著決定性的影響，被譽(yù)為“超精密制造技術(shù)皇冠上的明珠”，根據(jù)之前中芯國際的公報(bào)，目...
2021-07-29 09:36:46
Intel 22nm光刻工藝背后的故事
去年九月底的舊金山秋季IDF 2009論壇上，Intel第一次向世人展示了22nm工藝晶圓，并宣布將在2011年下半年發(fā)布相關(guān)產(chǎn)品。
2010-03-24 08:52:581085 光刻膠與光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來完成的,也就是說,首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
0 本文提到MEMS技術(shù)中所應(yīng)有的光刻技術(shù)，幫助讀者了解光刻技術(shù)的原理，應(yīng)用。
2016-04-28 11:35:320 光刻的本質(zhì)是把制作在掩膜版上的圖形復(fù)制到以 后要進(jìn)行刻蝕和離子注入的晶圓上。其原理與照相 相似，不同的是半導(dǎo)體晶圓與光刻膠代替了照相底 片與感光涂層。
2016-06-08 14:55:420 本文以光刻機(jī)為中心，主要介紹了光刻機(jī)的分類、光刻機(jī)的結(jié)構(gòu)組成、光刻機(jī)的性能指標(biāo)、光刻機(jī)的工藝流程及工作原理。
2017-12-19 13:33:01161176 
刻的基本原理是利用光致抗蝕劑（或稱光刻膠）感光后因光化學(xué)反應(yīng)而形成耐蝕性的特點(diǎn)，將掩模板上的圖形刻制到被加工表面上。
2018-01-09 13:37:2316784 
光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)流程中最復(fù)雜、最關(guān)鍵的工藝步驟，耗時長、成本高。半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點(diǎn)和關(guān)鍵點(diǎn)在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上，這一過程通過光刻來實(shí)現(xiàn)， 光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能
2018-04-08 16:10:52162273 
光刻機(jī)（Mask Aligner） 又名：掩模對準(zhǔn)曝光機(jī)，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)等。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。
2018-04-10 09:49:17131483 
一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗、烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。最初的工序是用光來制作一個掩模版，然后在硅片表面均勻涂抹光刻膠，將掩模版上的圖形或者電路結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移復(fù)制到硅片上，然后通過光學(xué)刻蝕的方法在硅片上刻蝕出已經(jīng)“復(fù)制”到硅片上的內(nèi)容。
2018-05-03 15:06:1319445 
今年臺積電、三星及Globalfoundries等公司都會量產(chǎn)7nm工藝，第一代7nm工藝將使用傳統(tǒng)的DUV光刻工藝，二代7nm才會上EUV光刻工藝，預(yù)計(jì)明年量產(chǎn)。那么存儲芯片行業(yè)何時會用上EUV
2018-06-07 14:49:006059 隨著技術(shù)的發(fā)展，今年臺積電、三星及Globalfoundries等公司都會量產(chǎn)7nm工藝，下一代將在2020年進(jìn)入5nm工藝，2022年進(jìn)入3nm工藝。目前第一代7nm工藝將使用傳統(tǒng)的DUV光刻工藝，預(yù)計(jì)到5nm工藝將會上EUV光刻工藝。
2018-08-20 17:41:491149 隨著三星宣布7nm EUV工藝的量產(chǎn)，2018年EUV光刻工藝終于商業(yè)化了，這是EUV工藝研發(fā)三十年來的一個里程碑。不過EUV工藝要想大規(guī)模量產(chǎn)還有很多技術(shù)挑戰(zhàn)，目前的光源功率以及晶圓產(chǎn)能輸出還沒有
2018-10-30 16:28:403376 光刻技術(shù)是包含光刻機(jī)、掩模、光刻材料等一系列技術(shù)，涉及光、機(jī)、電、物理、化學(xué)、材料等多個研究方向。目前科學(xué)家正在探索更短波長的F2激光（波長為157納米）光刻技術(shù)。由于大量的光吸收，獲得用于光刻系統(tǒng)
2019-01-02 16:32:2323711 光刻機(jī)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中最關(guān)鍵設(shè)備，也被譽(yù)為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)皇冠上的明珠。集成電路里的晶體管是通過光刻工藝在晶圓上做出來的，光刻工藝決定了半導(dǎo)體線路的線寬，同時也決定了芯片的性能和功耗。
2019-01-23 09:18:0222456 光刻是集成電路最重要的加工工藝，他的作用，如同金工車間中車床的作用。在整個芯片制造工藝中，幾乎每個工藝的實(shí)施，都離不開光刻的技術(shù)。
2019-03-02 09:41:2911136 作為制造芯片的核心裝備，光刻機(jī)一直是中國的技術(shù)弱項(xiàng),其技術(shù)水平嚴(yán)重制約著中國芯片技術(shù)的發(fā)展。荷蘭ASML公司的光刻機(jī)設(shè)備處于世界先進(jìn)水平，日本光刻設(shè)備大廠都逐漸被邊緣化，國內(nèi)更是還有很大的差距。那么中國光刻工藝與國外頂尖公司究竟相差多少代技術(shù)呢？
2019-06-16 11:18:408244 在半導(dǎo)體制造過程中，最重要的一個過程就是光刻工藝，需要用到光刻機(jī)，7nm及以下節(jié)點(diǎn)工藝則需要EUV光刻機(jī)，目前只有荷蘭ASML公司能生產(chǎn)，每臺售價(jià)超過1億歐元，可以說是半導(dǎo)體行業(yè)的明珠了，是門檻非常高的先進(jìn)技術(shù)。
2019-07-12 10:38:434279 制造PCB時，會發(fā)生類似的光學(xué)對準(zhǔn)。它們是光刻工藝的一部分，用于在PCB構(gòu)建時鋪設(shè)圖案化層。不要因?yàn)槌霈F(xiàn)彎曲的滑塊而受到影響，當(dāng)然也不要讓PCB設(shè)計(jì)中的元件錯位。了解如何正確規(guī)劃光刻工藝，以及了解可能影響光刻工藝的因素并導(dǎo)致缺陷。
2019-07-26 08:35:012579 KLA-Tencor光刻工藝控制解決方案將產(chǎn)量優(yōu)化至0.13微米 SAN JOSE - KLA-Tencor公司推出了一款工藝模塊控制（PMC）解決方案芯片制造商實(shí)施和控制0.13微米及更小
2020-02-14 11:05:231114 光刻是集成電路最重要的加工工藝，他的作用，如同金工車間中車床的作用。光刻是制造芯片的最關(guān)鍵技術(shù)，在整個芯片制造工藝中，幾乎每個工藝的實(shí)施，都離不開光刻的技術(shù)。
2019-11-23 10:45:54158604 三星宣布，位于韓國京畿道華城市的V1工廠已經(jīng)開始量產(chǎn)7nm 7LPP、6nm 6LPP工藝，這也是全球第一座專門為EUV極紫外光刻工藝打造的代工廠。
2020-02-21 16:19:052214 光刻機(jī)是集成電路制造中最精密復(fù)雜、難度最高、價(jià)格最昂貴的設(shè)備，用于在芯片制造過程中的掩膜圖形到硅襯底圖形之間的轉(zhuǎn)移。集成電路在制作過程中經(jīng)歷材料制備、掩膜、光刻、刻蝕、清洗、摻雜、機(jī)械研磨等多個工序，其中以光刻工序最為關(guān)鍵，因?yàn)樗钦麄€集成電路產(chǎn)業(yè)制造工藝先進(jìn)程度的重要指標(biāo)。
2020-03-18 11:00:4172452 作為芯片制造的核心設(shè)備之一，光刻機(jī)對芯片生產(chǎn)的工藝有著決定性影響。 據(jù)悉，光刻機(jī)按照用途可分為生產(chǎn)芯片的光刻機(jī)、封裝芯片的光刻機(jī)以及用于LED制造領(lǐng)域的投影光刻機(jī)。其中，生產(chǎn)芯片的High End
2020-06-15 08:05:54999 作為光刻工藝中最重要設(shè)備之一，光刻機(jī)一次次革命性的突破，使大模集成電路制造技術(shù)飛速向前發(fā)展。了解提高光刻機(jī)性能的關(guān)鍵技術(shù)以及了解下一代光刻技術(shù)的發(fā)展情況是十分重要的。 光刻機(jī) 光刻機(jī)（Mask
2020-08-28 14:39:0411746 
重要要點(diǎn) l 什么是光刻？ l 光刻工藝的類型。 l 光刻處理如何用于電路板成像。 l 工業(yè)平版印刷處理設(shè)計(jì)指南。 可以說，有史以來研究最多的文物是都靈裹尸布。進(jìn)行廣泛檢查的原因，從來源的宗教建議
2020-09-16 21:01:161361 光刻機(jī)又名：掩模對準(zhǔn)曝光機(jī)，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)等，是制造芯片的核心裝備。它采用類似照片沖印的技術(shù)，把掩膜版上的精細(xì)圖形通過光線的曝光印制到硅片上。光刻機(jī)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中最關(guān)鍵設(shè)備，光刻工藝決定了半導(dǎo)體線路的線寬，同時也決定了芯片的性能和功耗。
2020-09-30 16:17:135162 
在制造芯片的過程中，光刻工藝無疑最關(guān)鍵、最復(fù)雜和占用時間比最大的步驟。光刻定義了晶體管的尺寸，是芯片生產(chǎn)中最核心的工藝，占晶圓制造耗時的40％到50％。光刻機(jī)在晶圓制造設(shè)備投資額中約占23
2020-10-09 15:40:112189 臺積電是第一家將EUV（極紫外）光刻工藝商用到晶圓代工的企業(yè)，目前投產(chǎn)的工藝包括N7+、N6和N5三代。
2020-10-22 14:48:561425 幾何圖形結(jié)構(gòu)，然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。這里所說的襯底不僅包含硅晶圓，還可以是其他金屬層、介質(zhì)層，例如玻璃、SOS中的藍(lán)寶石。 光刻技術(shù)的基本原理 光刻的基本原理是利用光致抗蝕劑（或稱光刻膠）感
2020-11-11 10:14:2022384 在一顆芯片誕生的過程中，光刻是最關(guān)鍵又最復(fù)雜的一步。 說最關(guān)鍵，是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">光刻的實(shí)質(zhì)將掩膜版上的芯片電路圖轉(zhuǎn)移至硅片，化虛為實(shí)。說最復(fù)雜，是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">光刻工藝需要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻
2020-11-26 16:19:192472 更多訣竅，領(lǐng)先對手1到2年。 據(jù)悉，三星的1z nm DRAM第三代內(nèi)存已經(jīng)用上了一層EUV，第四代1a nm將增加到4層。EUV光刻機(jī)的參與可以減少多重曝光工藝，提供工藝精度，從而可以減少生產(chǎn)時間、降低成本，并提高性能。 盡管SK海力士、美光等也在嘗試EUV，但層數(shù)過少對
2020-12-04 18:26:542201 光刻機(jī)（Mask Aligner） 又名：掩模對準(zhǔn)曝光機(jī)，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)等。常用的光刻機(jī)是掩膜對準(zhǔn)光刻，所以叫 Mask Alignment System。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干
2020-12-28 14:17:152440 光刻機(jī)（Mask Aligner) 又名：掩模對準(zhǔn)曝光機(jī)，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)等。常用的光刻機(jī)是掩膜對準(zhǔn)光刻，所以叫 Mask Alignment System。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干
2020-12-29 09:14:542095 光刻是集成電路工藝中的關(guān)鍵性技術(shù)。在硅片表面涂上光刻膠薄層，經(jīng)過光照、顯影，在光刻膠上留下掩模版的圖形。
2021-04-09 14:27:1963 多層PCB內(nèi)層的光刻工藝包括幾個階段，接下來詳細(xì)為大家介紹多層PCB內(nèi)層的光刻工藝每個階段都需要做什么。 PART.1 在第一階段，內(nèi)層穿過化學(xué)制劑生產(chǎn)線。銅表面會出現(xiàn)粗糙度，這對于光致抗蝕劑的最佳
2021-09-05 10:00:162160 的、顆粒的、會影響光刻膠的厚度。 涂膠：根據(jù)工藝要求，目前常用的兩種涂膠工藝，一個就是旋轉(zhuǎn)涂覆、一個就是噴涂。根據(jù)工藝要求和光刻膠的性能、可以有不同厚度的光刻膠。 前烘：就比較講究了，因?yàn)檫@東西肉眼看不見變化。只有最后
2021-10-13 10:59:423893 
光刻膠是光刻機(jī)研發(fā)的重要材料，換句話說光刻機(jī)就是利用特殊光線將集成電路映射到硅片的表面，如果想要硅片的表面不留下痕跡，就需要網(wǎng)硅片上涂一層光刻膠。
2022-02-05 16:11:0011281 光刻機(jī)又被稱為掩膜對準(zhǔn)曝光機(jī)，在芯片生產(chǎn)中用于光刻工藝，而光刻工藝又是生產(chǎn)流程中最關(guān)鍵的一步，所以光刻機(jī)又是芯片生產(chǎn)中不可缺少的設(shè)備，總得來說光刻機(jī)是用來制造芯片的。
2022-02-06 07:25:0029436 。后一種工藝是集成電路微制造技術(shù)的基礎(chǔ)。微電子工業(yè)不斷增長的需求需要光刻材料（光刻劑)，具有亞微米分辨率、高靈敏度、對微電子中常用的基質(zhì)的良好粘附，以及對廣泛的等離子體和濕化學(xué)蝕刻劑的高抗性。 非晶態(tài)半導(dǎo)體材料
2022-01-19 16:08:46375 
待加工基片上。其被廣泛應(yīng)用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細(xì)圖形線路的加工制作，是微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵性材料。 一言以蔽之，光刻膠是光刻工藝最重要的耗材，其性能決定了加工成品的精密程度和良品率，而光刻工藝又是精密電子元器件制造
2022-01-20 21:02:461208 
平版印刷術(shù)被定義為“一種從已經(jīng)準(zhǔn)備好的平坦表面(如光滑的石頭或金屬板)印刷的方法，以便油墨僅粘附在將要印刷的設(shè)計(jì)上”。在半導(dǎo)體器件制造中，石頭是硅片，而墨水是沉積、光刻和蝕刻工藝的綜合效果，從而產(chǎn)生
2022-03-14 15:20:531940 
什么是光刻？光刻是將掩模上的幾何形狀轉(zhuǎn)移到硅片表面的過程。光刻工藝中涉及的步驟是晶圓清洗；阻擋層的形成；光刻膠應(yīng)用；軟烤；掩模對準(zhǔn)；曝光和顯影；和硬烤。
2022-03-15 11:38:02850 
光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一，是電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹脂三種主要成分組成，是一種具有光化學(xué)敏感性的混合液體。其利用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等光刻工藝，將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上，是用于微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵性電子化學(xué)品。
2022-06-21 09:30:0916641 新的方法，通過光刻和刻蝕工藝順序來提高跨晶片柵極CD的均勻性。我們?nèi)A林科納所提出的方法是通過優(yōu)化整個晶片曝光后烘烤(PEB)溫度曲線來補(bǔ)償光刻工藝順序中的上游和下游系統(tǒng)CD變化成分。更準(zhǔn)確地說，我們首先構(gòu)建了一個溫度-偏移模型，該模型將
2022-06-22 14:58:341301 
眾所周知，光刻機(jī)一直處于壟斷地位，在光刻機(jī)領(lǐng)域，最有名的就是ASML公司了。
2022-07-04 11:21:15288331 光刻機(jī)是芯片制造的核心設(shè)備之一。目前世界上最先進(jìn)的光刻機(jī)是荷蘭ASML的EUV光刻機(jī)。
2022-07-06 11:03:077000 目前，光刻機(jī)主要分為EUV光刻機(jī)和DUV光刻機(jī)。DUV是深紫外線，EUV是非常深的紫外線。DUV使用的是極紫外光刻技術(shù)，EUV使用的是深紫外光刻技術(shù)。EUV為先進(jìn)工藝芯片光刻的發(fā)展方向。那么duv
2022-07-10 14:53:1078127 根據(jù)所使用的輻射，有不同類型的光刻方法用于曝光的:光刻(光刻)、電子束光刻、x射線光刻、光刻和離子束光刻。在光學(xué)光刻技術(shù)中，有部分不透明和部分不透明的圖案掩模(光片)半透明區(qū)域被使用。紫外線輻射或氣體激光的照射以1:1的比例完成或者以4:1或10:1的比例減少。
2022-07-27 16:54:533169 
摩爾定律
Intel創(chuàng)始人之一摩爾1964年提出，大約每隔12個月：
1）。芯片能力增加一倍、芯片價(jià)格降低- -倍;
2）。廣大用戶的福音、行業(yè)人員的噩夢。
芯片集成密度不斷提升、光刻分辨率的不斷提升！
2022-08-29 14:20:2710022 光刻是半導(dǎo)體工藝中最關(guān)鍵的步驟之一。EUV是當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)最熱門的關(guān)鍵詞，也是光刻技術(shù)。為了更好地理解 EUV 是什么，讓我們仔細(xì)看看光刻技術(shù)。
2022-10-18 12:54:053180 計(jì)算光刻 (Computational Lithography)技術(shù)是指利用計(jì)算機(jī)輔助技術(shù)來增強(qiáng)光刻工藝中圖形轉(zhuǎn)移保真度的一種方法，它是分辦率增強(qiáng)技術(shù)(ResolutionEnhancement
2022-10-26 15:46:222274 光刻機(jī)譽(yù)為“現(xiàn)代半導(dǎo)體行業(yè)皇冠上的明珠”，是一種高度復(fù)雜的設(shè)備。光刻機(jī)是通過紫外光作為“畫筆”，把預(yù)先設(shè)計(jì)好的芯片電路路線書寫在硅晶圓旋涂的光刻膠上，光刻工藝直接決定了芯片中晶體管的尺寸和性能，是芯片生產(chǎn)中最為關(guān)鍵的過程。
2022-10-27 09:39:024118 來源：云天半導(dǎo)體 廈門云天半導(dǎo)體繼九月初812吋 “晶圓級封裝與無源器件生產(chǎn)線”正式通線后，經(jīng)過團(tuán)隊(duì)的不懈努力， 8英寸晶圓Fine Pitch光刻工藝開發(fā)終破2/2um L/S大關(guān)； 以下為部分工藝
2022-11-30 17:07:07854 光刻膠經(jīng)曝光后，其化學(xué)性質(zhì)會發(fā)生改變。更準(zhǔn)確地說，經(jīng)曝光后，光刻膠在顯影液中的溶解度發(fā)生了變化：曝光后溶解度上升的物質(zhì)稱作正性（Positive）光刻膠，反之則為負(fù)性（Negative）光刻膠。
2023-01-31 15:59:491222 光掩模可以被認(rèn)為是芯片的模板。光掩模用電子束圖案化并放置在光刻工具內(nèi)。然后，光掩模可以吸收或散射光子，或允許它們穿過晶圓。這就是在晶圓上創(chuàng)建圖案的原因。
2023-03-03 10:10:321129 日本最寄望于納米壓印光刻技術(shù)，并試圖靠它再次逆襲，日經(jīng)新聞網(wǎng)也稱，對比EUV光刻工藝，使用納米壓印光刻工藝制造芯片，能夠降低將近四成制造成本和九成電量，鎧俠 (KIOXIA）、佳能和大日本印刷等公司則規(guī)劃在2025年將該技術(shù)實(shí)用化。
2023-03-22 10:20:391837 新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開發(fā)，必須通過精心設(shè)計(jì)的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進(jìn)行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰(zhàn)，imec 最近開發(fā)了一個新的工具箱來匹配光刻膠和底層的屬性。
2023-04-13 11:52:121165 光刻膠可以通過光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等光刻工序?qū)⑺枰奈⒓?xì)圖形從光罩（掩模版）轉(zhuǎn)移到待加工基片上。依據(jù)使用場景，這里的待加工基片可以是集成電路材料，顯示面板材料或者印刷電路板。
2023-05-11 16:10:492775 
通常，光刻是作為特性良好的模塊的一部分執(zhí)行的，其中包括晶圓表面制備、光刻膠沉積、掩模和晶圓的對準(zhǔn)、曝光、顯影和適當(dāng)?shù)目刮g劑調(diào)節(jié)。光刻工藝步驟需要按順序進(jìn)行表征，以確保模塊末端剩余的抗蝕劑是掩模的最佳圖像，并具有所需的側(cè)壁輪廓。
2023-06-02 16:30:25421 
光刻機(jī)可分為前道光刻機(jī)和后道光刻機(jī)。光刻機(jī)既可以用在前道工藝，也可以用在后道工藝，前道光刻機(jī)用于芯片的制造，曝光工藝極其復(fù)雜，后道光刻機(jī)主要用于封裝測試，實(shí)現(xiàn)高性能的先進(jìn)封裝，技術(shù)難度相對較小。
2023-06-09 10:49:205860 
外，學(xué)生還就感興趣的課題做深入調(diào)研。師生共同討論調(diào)研報(bào)告，實(shí)現(xiàn)教學(xué)互動。調(diào)研的內(nèi)容涉及光刻工藝、光刻成像理論、SMO、OPC和DTCO技術(shù)。
2023-06-14 10:16:38226 
光刻機(jī)是集成電路生產(chǎn)的關(guān)鍵設(shè)備之一，在整個生產(chǎn)過程中占據(jù)重要的地位。高精度的工作臺作為光刻機(jī)核心部件之一，其運(yùn)動性能和定位精度決定了光刻工藝所能實(shí)現(xiàn)的線寬和產(chǎn)率。光刻機(jī)的工作臺是一個六自由度的運(yùn)動
2022-03-08 09:07:46859 
外，學(xué)生還就感興趣的課題做深入調(diào)研。師生共同討論調(diào)研報(bào)告，實(shí)現(xiàn)教學(xué)互動。調(diào)研的內(nèi)容涉及光刻工藝、光刻成像理論、SMO、OPC和DTCO技術(shù)。
2023-06-26 17:00:19766 
外，學(xué)生還就感興趣的課題做深入調(diào)研。師生共同討論調(diào)研報(bào)告，實(shí)現(xiàn)教學(xué)互動。調(diào)研的內(nèi)容涉及光刻工藝、光刻成像理論、SMO、OPC和DTCO技術(shù)。
2023-06-29 10:02:17329 
半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:541223 
光刻蝕（Photolithography）是一種在微電子和光電子制造中常用的加工技術(shù)，用于制造微細(xì)結(jié)構(gòu)和芯片元件。它的基本原理是利用光的化學(xué)和物理作用，通過光罩的設(shè)計(jì)和控制，將光影投射到光敏材料上，形成所需的圖案。
2023-08-24 15:57:422273 光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一，是電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹脂三種主要成分組成，是一種具有光化學(xué)敏感性的混合液體。其利用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等光刻工藝，將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上，是用于微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵性電子化學(xué)品。
2023-10-09 14:34:491674 
三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
2023-11-23 18:13:02579 
光照條件的設(shè)置、掩模版設(shè)計(jì)以及光刻膠工藝等因素對分辨率的影響都反映在k?因子中，k?因子也常被用于評估光刻工藝的難度，ASML認(rèn)為其物理極限在0.25，k?體現(xiàn)了各家晶圓廠運(yùn)用光刻技術(shù)的水平。
2023-12-18 10:53:05326 
利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用。
2024-03-06 14:28:5062 
制造集成電路的大多數(shù)工藝區(qū)域要求100級（空氣中每立方米內(nèi)直徑大于等于0.5μm的塵埃粒子總數(shù)不超過約3500）潔凈室，在光刻區(qū)域，潔凈室要求10級或更高。
2024-03-20 12:36:0061 
光刻機(jī)經(jīng)歷了5代產(chǎn)品發(fā)展，每次改進(jìn)和創(chuàng)新都顯著提升了光刻機(jī)所能實(shí)現(xiàn)的最小工藝節(jié)點(diǎn)。按照使用光源依次從g-line、i-line發(fā)展到KrF、ArF和EUV；按照工作原理依次從接觸接近式光刻機(jī)發(fā)展到浸沒步進(jìn)式投影光刻機(jī)和極紫外式光刻機(jī)。
2024-03-21 11:31:4143 
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