總的來說，場效應晶體管可區分為耗盡型和增強型兩種。耗盡型場效應晶體管(D-FET)就是在0柵偏壓時存在溝道、能夠導電的FET;增強型場效應晶體管(E-FET)就是在0柵偏壓時不存在溝道、不能
2012-02-02 11:55:20
20788 業內唯一可同時提供級聯型（cascade）和增強型（e-mode）氮化鎵器件的供應商 奈梅亨 ， 2023 年 5 月 10 日 ： 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出
2023-05-10 09:24:51420 
）。另一方面，功率GaN的技術路線從不同的層面看還有非常豐富的種類。 ? 器件模式 ? 功率GaN FET目前有兩種主流方向，包括增強型E-Mode和耗盡型D-Mode。其中增強型GaN FET是單芯片常關器件，而耗盡型GaN FET是雙芯片常關器件（共源共柵Cascode結構）。 ? E-
2024-02-28 00:13:001844 2.5A功率增強型電機驅動模塊的特性是什么？2.5A功率增強型電機驅動模塊有哪些功能？
2021-10-15 09:13:09
2.5A功率增強型電機驅動模塊的優點有哪些？2.5A功率增強型電機驅動模塊的產品參數有哪些？2.5A功率增強型電機驅動模塊的注意事項有哪些？
2021-06-29 09:05:41
`《白皮書》由北京未來芯片技術高精尖創新中心邀請斯坦福大學、清華大學、香港科技大學、***新竹清華大學及北京半導體行業協會，新思科技等在內的領域頂尖研究者和產業界資深專家，包括10余位IEEE
2018-12-13 16:40:38
5G射頻測試技術白皮書詳解
2021-01-13 06:33:58
適配器解決方案能夠以更低的成本實現更多功能。與e-mode等其他氮化鎵解決方案相比，我們的常閉型SuperGaN?場效應晶體管(FET)設計簡便并具有類似標準硅的驅動性能，同時能以極小的空間占用提供更高
2021-08-12 10:55:49
請問各位大神，能不能列舉出增強型51有3個定時器以上，PDIP40封裝的，另外能附帶技術手冊嗎
2012-10-23 21:11:49
增強型NFC技術如何讓移動設備可靠地仿真非接觸式卡片？
2021-05-21 06:56:39
中BSP315P的接法確可以導通（不符合預期），而BSP317P不能導通（符合預期）。這是為什么呢？？2、圖中增強型PMOS管 中的Tc ，Tj是什么意思呢？3、像圖中的這兩種PMOS管的D,S極能對調用嗎？？？以上請各位大俠幫忙指導。謝謝！
2017-11-22 10:01:58
文中，將回顧這三種方法，并分享直列式電機電流感應使用增強型脈沖寬度調制（PWM）抑制的五大優勢。 如圖1所示，基本上有三種不同的方法來測量三相電動機驅動系統中的電流：低側、直流鏈路和直列測量。圖1所示
2016-12-09 17:22:03
能否介紹增強型Howland電流源、EHCS 實現過程、復合放大器技術應用？
2019-01-25 18:13:07
，以及基于硅的 “偏轉晶體管 “屏幕產品的消亡。
因此，氮化鎵是我們在電視、手機、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術。在光子學方面，氮化鎵還被用于藍光激光技術（最明顯
2023-06-15 15:50:54
數據中心），或任何可以處理高達數百伏高電壓的設備，均可受益于氮化鎵等技術，從而提高電源管理系統的效率和規模。（白皮書下載：GaN將能效提高到一個新的水平。）
?
尋找理想開關
任何電源管理系統的核心
2019-03-14 06:45:11
和功率密度，這超出了硅MOSFET技術的能力。開發工程師需要能夠滿足這些要求的新型開關設備。因此，開始了氮化鎵晶體管（GaN）的概念。 HD-GIT的概述和優勢 松下混合漏極柵極注入晶體管（HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
的節能。這些電力足以為30多萬個家庭提供一年的電量。 任何可以直接從電網獲得電力的設備（從智能手機充電器到數據中心），或任何可以處理高達數百伏高電壓的設備，均可受益于氮化鎵等技術，從而提高電源管理系統的效率和規模。（白皮書下載：GaN將能效提高到一個新的水平。）
2020-11-03 08:59:19
本文討論了商用氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關LLC諧振轉換器方面的優勢。介紹隨著更高功率、更小尺寸和更高效率的明顯趨勢，高頻 LLC 諧振轉換器是業內隔離式
2023-02-27 09:37:29
本文展示氮化鎵場效應晶體管并配合LM5113半橋驅動器可容易地實現的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
在一段時間內不會在所有應用中取代硅。 原因如下：
第一個需要克服的障礙是 GaN 晶體管的耗盡特性。 有源功率和邏輯電路需要常開和常關類型的晶體管。 雖然可以生產常關型 GaN 晶體管，但它們要么依賴于典型
2023-08-21 17:06:18
白皮書
第二代ClearClock?三次泛音晶體振蕩器
在這份全新的白皮書中，我們討論了最新一代超低抖動三次泛音晶體振蕩器的特點、優勢、性能和特性，這些振蕩器旨在為各種高速應用提供穩定準確的時鐘信號
2023-09-13 09:51:52
通道的電導率會降低。最終可以通過在柵極端施加+ve電壓來控制漏極電流。要激活這種耗盡型 MOSFET，柵極電壓必須為0V，并且漏極電流值要大，以便晶體管處于有源區。因此，再次打開這個MOSFET，+ve
2022-09-13 08:00:00
本帖最后由 zya538 于 2012-12-21 18:46 編輯
Altera文檔資料：白皮書
2012-12-21 18:10:06
BFD技術白皮書 華為BFD(雙向轉發檢測)是一套用來實現快速檢測的國際標準協議，提供一種輕負荷、持續時間短的檢測。與以往的其他“HELLO”檢測機制相比，具有許多獨到的優勢。華為公司已經在高端網絡產品上實現了BFD技術，并將提供整套解決方案。 [hide][/hide]
2009-12-12 10:12:22
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
是碳化硅（SiC）襯底上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。這種GaN內匹配（IM）場效應晶體管與其他技術相比，提供了優異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
關鍵詞： FTTH FTTB FTTx EPON 技術 白皮書摘 要：本文獻是關于EPON技術的介紹說明型文檔，目的在于說明EPON是一個什么技術、解決了什么問題。對EPON中的技術細節進行簡單描述，可以幫助你了解EPON這種接入技術的特點。
2013-07-13 23:08:50
11月4-6日，華為開發者大會2022（HDC）在東莞松山湖舉辦，會上重磅首發《鴻蒙生態應用開發白皮書》！（以下簡稱《白皮書》）
該書全面闡釋了鴻蒙生態下應用開發核心理念、關鍵能力以及創新體驗，為
2022-11-11 11:59:43
IPTV服務質量白皮書
2019-10-14 14:11:22
`作為一家具有60多年歷史的公司，MACOM在射頻微波領域經驗豐富，該公司的首款產品就是用于微波雷達的磁控管，后來從真空管、晶體管發展到特殊工藝的射頻及功率器件（例如砷化鎵GaAs）。進入2000年
2017-09-04 15:02:41
分為增強型和耗盡型，這兩種電子元器件工作原理略有不同，增強型管在柵極（G）加上正向電壓時漏極（D）和源極（S）才能導通，而耗盡型即使柵極（G）沒加正電壓，漏極（D）和源極（S）也是導通的。其實到這場效應晶體管
2019-04-15 12:04:44
MiniGUI技術白皮書 Tech WhitePaper1 MiniGUI 簡介
2009-03-28 12:23:32
Multisim10.0元件庫沒P溝道耗盡型MOSFET管，為什么，我其他幾種都找到了結型FET增強型FET，耗盡型沒P的啊
2012-11-03 10:45:54
。晶體管NPN型和PNP型結晶體管工作狀態晶體管的工作原理類似于電子開關。它可以打開和關閉電流。晶體管背后的基本思想是，它允許您通過改變流經第二個通道的較小電流的強度來控制通過一個通道的電流。1）截止
2023-02-15 18:13:01
一般說明PW2202是硅N溝增強型vdmosfet，采用自對準平面技術，降低了傳導損耗，改善了開關性能，提高了雪崩能量。該晶體管可用于系統的各種功率開關電路中特征 VDS=200V，ID=2A RDS（開）
2020-12-11 16:37:57
QPD1004氮化鎵晶體管產品介紹QPD1004報價QPD1004代理QPD1004咨詢熱線QPD1004現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司QPD1004是25W（p3db），50歐姆輸入匹配
2018-07-30 15:25:55
QPD1018氮化鎵晶體管產品介紹QPD1018報價QPD1018代理QPD1018咨詢熱線QPD1018現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司QPD1018內部匹配離散GaN-on-SiC
2018-07-27 09:06:34
RF WCDMA基準比較測試白皮書，不看肯定后悔
2021-05-08 09:08:07
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
TGF2977-SM氮化鎵晶體管產品介紹TGF2977-SM報價TGF2977-SM代理TGF2977-SM咨詢熱線TGF2977-SM現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司TGF2977-SM是5
2018-07-25 10:06:15
ZigBee白皮書
2012-08-20 09:50:41
本帖最后由 laterain 于 2012-6-11 10:43 編輯
‘社區化’發的在線教程不太好閱讀，于是乎我便把這本書的pdf文檔找來了。Download:[PDF]地面數字電視傳輸技術白皮書[PDF]數字電視傳輸技術
2012-06-11 10:40:42
Q1為N溝道增強型場效應管 該電路實際動作：當接通220V交流電，開關S為斷開時，Q1導通，燈亮；當開關S閉合時，Q1截止，燈滅。問題：即然Q1為N溝道增強型
2010-11-16 12:28:04
i.MX 7ULP白皮書
2022-12-13 06:00:14
jAVA語言環境白皮書The Java Language Environment (A White Paper)1. Introduction to Java
2008-10-14 17:35:36
測、可穿戴電子產品等，都必須采用效能較好的MCU來達成。 為了幫助工程師朋友們更好地設計產品，電子發燒友在此特地制作了《超經典的MCU開發指南與電路圖集》白皮書，以供大家進行參考設計。
2018-10-08 16:17:09
【PPT】ASIC安全管理技術白皮書 附件下載：
2011-02-24 11:32:04
【經典】智能電網白皮書資料匯編 工作、電路設計、方案設計等實戰中很多時候遇到的問題在網上找不到好的解決辦法，主要是因為工作中接觸的各個產品、電子元器件都是各大公司的產品，而這些公司產品、適合技術
2010-12-23 20:15:33
中國移動互聯網白皮書
2014-02-21 14:00:59
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強度，耗盡區窄短，從而可以開發出載流子濃度非常高的器件結構。例如，一個典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優勢，氮化鎵充電器的充電器件運行速度，比傳統硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統的硅，可以在更小的器件空間內處理更大的電場，同時提供更快的開關速度。此外，氮化鎵比硅基半導體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
）。因此，硅注入毫無疑問對ITO和GaN材料之間形成歐姆接觸非常有利。 工作晶體管 為了測試這種方法，我們將透明的源極和漏極歐姆接觸技術應用到了真正的氮化鎵晶體管上，其設計如圖1所示。在這些器件中
2020-11-27 16:30:52
明佳達電子優勢供應氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268，只做原裝，價格優勢，實單歡迎洽談。產品信息型號1：NV6127絲印：NV6127屬性：氮化鎵功率芯片封裝：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
ESD增強型器件的特點是什么？如何對ESD增強型器件進行仿真分析？
2021-05-12 06:45:03
精選白皮書——《PCB設計秘籍》分類解答PCB設計過程中的設計技巧及常見問題，包含：1、高度ADC PCB布局布線規則及技巧2、電路散熱技巧3、開關穩壓器的接地處理4、高溫環境下的封裝考慮因素5、最大程度提高PCB對電源變化抗擾度……
2021-12-24 16:31:04
導電，故稱為單極型晶體管。 單極型晶體管的工作原理 以N溝道增強型MOS場效應管為例說明其工作原理。N溝道增強型MOS管的結構模型如圖1所示，它由兩個背靠背的PN結組成。 圖2是實際結構
2020-06-24 16:00:16
型與增強型，結型場效應管均為耗盡型，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的，也有增強型的。場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管，而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型
2019-05-08 09:26:37
材料的不同，結型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導電方式來劃分，場效應管又可分成耗盡型與增強型。結型場效應管均為耗盡型，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的，也有增強型的。 場效應晶體管可分為結
2009-04-25 15:38:10
基于互聯網IPv6協議白皮書
2014-02-20 17:30:34
；最大瞬態隔離電壓，VOITM；及最大重復峰值隔離電壓，VIORM（參見白皮書“高壓增強型隔離：定義與測試方法”中的解釋）。
2019-08-01 07:38:09
。場效應晶體管是防護電壓的一種，可以被制造為增強型或者耗盡型，P溝道或N溝道共四種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道場效應晶體管和增強型的P溝道場效應晶體管。實際應用中，N場效應晶體管居多。N溝道
2019-03-29 12:02:16
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
數字上/下變頻器：VersaCOMM?白皮書
2019-07-08 09:33:14
，因而遇到的這些問題并非那些打從資料、技術方案所能解決的，所以自己就養成了搜集各大公司智能電網的白皮書的習慣。 下面各大公司2010年最新的智能電網的白皮書資料，在這里分享出來，有需要的童鞋可以去看
2010-12-23 21:08:58
功率/高頻射頻晶體管和發光二極管。2010年，第一款增強型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅動電路和電路保護集成為單個器件
2023-06-25 14:17:47
白皮書的總體情況該白皮書總結了歐盟5GPPP的16個項目在過去一年中的研發成果（涉及從5G物理層架構到總體架構、5G邏輯與功能架構、5G網絡管理、5G軟件網絡與技術等各個領域）及共同點、趨勢，并提出為
2019-07-11 06:24:04
最近研究了一些物聯網相關的白皮書，分享給各位電友
2021-03-30 14:48:23
。在這次活動中，劍橋 GaN 器件公司宣布了其集成電路增強氮化鎵(ICeGaN)技術，以修改 GaN 基功率晶體管的柵極行為。這種新技術基于增強型 GaN 高電子遷移率晶體管，具有超低比導通電阻和非常低
2022-06-15 11:43:25
，將回顧這三種方法，并分享直列式電機電流感應使用增強型脈沖寬度調制（PWM）抑制的五大優勢。如圖1所示，基本上有三種不同的方法來測量三相電動機驅動系統中的電流：低側、直流鏈路和直列測量。圖1所示的是傳統
2018-10-15 09:52:41
本帖最后由 niezidong 于 2017-8-23 20:43 編輯
簡儀科技最近搞的開源平臺跟NI是針鋒相對啊。近期的宣傳都帶火藥味，還出了一本白皮書。見附件。這白皮書就差直接說搞LabVIEW沒前途了。各位對此有何高見？
2017-08-11 15:55:46
評估高可用性機制（白皮書）
2019-10-10 09:09:26
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-13 15:41 編輯
請用一句話通俗易懂的話解釋下增強型捕獲 eCAP的功能，謝謝
2018-06-13 02:08:55
=oxh_wx3、【周啟全老師】開關電源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 超結功率MOSFET技術白皮書資料來自網絡
2019-06-26 20:37:17
，因此我們能夠借用各種各樣的既有商業光刻和加工技術。借助這些方法，精確定義幾十納米的晶體管尺寸和產生各種各樣的器件拓撲結構變得相對簡單。其他寬帶隙的半導體材料不具備這種難以置信的有用特性，甚至氮化鎵也不
2023-02-27 15:46:36
本帖最后由 dewfn 于 2013-3-27 20:07 編輯
高手進來看看這個電路圖是不是畫錯了MOS管 圖上畫的是耗盡型，可是我查到的是增強型圖上型號是SI4435可是我查到
2013-03-27 13:48:45
VPLS技術白皮書
VPLS技術白皮書摘 要：VPLS技術是在現有的廣域網上提供虛擬以太網服務的技術，通過成員關系發現，PW建立與維護，
2010-03-15 14:49:16
23 增強型MOS晶體管,增強型MOS晶體管是什么意思
根據導電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指：當VGS=0時管子是呈截止狀態，加上
2010-03-05 15:34:432338 什么是耗盡型MOS晶體管
據導電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。耗盡型是指，當VGS=0時即形成溝道，加上正確的VGS時，能使多數載流子流出溝
2010-03-05 15:35:3118687 EPON技術白皮書
2017-01-14 14:34:4038 EIPS技術白皮書(20100531)
2016-12-29 19:32:210 CPP技術白皮書V1.0
2017-09-05 14:36:1312 N溝道增強型網絡場效晶體管
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
2017-09-09 07:55:340 MiniGUI 技術白皮書
2017-10-27 15:11:0932 GaN場效應晶體管包括耗盡型（d-mode）、增強型（e-mode）、共源共柵型（cascode）等三種類型，并且每種都具有各自的柵極驅動和系統要求。
2022-03-31 09:32:131281 
新品首發丨芯導科技推出直驅型的E-Mode 氮化鎵功率IC — PDG7115
2022-12-30 14:52:03225 
PRISEMI芯導科技推出直驅型的E-Mode 氮化鎵功率IC — PDG7115
2023-01-06 10:56:46324 
業內唯一可同時提供級聯型（cascade）和增強型（e-mode）氮化鎵器件的供應商。
2023-05-10 11:23:31820 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的E-mode（增強型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯型氮化
2023-05-30 09:03:15385 基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出首批支持低電壓（100/150 V）和高電壓（650 V）應用的 E-mode（增強型）功率 GaN FET
2023-08-10 13:55:54500 高通SnapdragonSound技術白皮書
2022-05-18 14:48:1410
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