臺(tái)積電必須在最先進(jìn)制程研發(fā)上孤注一擲。

　　市場(chǎng)傳出消息，臺(tái)積電因部分制程設(shè)備可共享，加上部分遞延預(yù)算將在今年動(dòng)用，2024年資本支出恐降至280億~300億美元，較今年減少約6.3%~12.5%。外界預(yù)期，一旦滑落至300億美元大關(guān)，將是近4年來(lái)低點(diǎn)。

　　臺(tái)積電昨天回應(yīng)，有關(guān)該公司2024年度資本支出相關(guān)信息，將以明年1月法說(shuō)會(huì)公布的內(nèi)容為準(zhǔn)。外界預(yù)期，盡管臺(tái)積電明年資本支出不再急速?zèng)_高，但研發(fā)投資仍持續(xù)增長(zhǎng)，沖刺先進(jìn)制程技術(shù)。

　　法人認(rèn)為，臺(tái)積電明年資本支出若低于今年，將使二線協(xié)力設(shè)備廠勒緊褲帶，至于一線關(guān)鍵合作伙伴也勢(shì)必面對(duì)產(chǎn)業(yè)周期調(diào)整。

　　臺(tái)積電在今年10月法說(shuō)會(huì)上定調(diào)，因應(yīng)市場(chǎng)短期不確定性，該公司投資保持謹(jǐn)慎，今年資本支出維持近320億美元水準(zhǔn)，已適當(dāng)緊縮。

　　事實(shí)上，全球芯片光刻技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)廠商ASML日前發(fā)布財(cái)報(bào)已預(yù)告，2024將是過(guò)渡的一年，預(yù)期明年?duì)I收將與今年相近，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷周期底部因而保守看待。

　　臺(tái)積電統(tǒng)計(jì)，今年第三季度美元資本支出約71億美元，較第二季度的81.7億美元、首季99.4億美元逐季下滑，累計(jì)前三季度資本支出252.1億美元，若今年資本支出320億美元低標(biāo)達(dá)陣，換算今年第四季度資本支出將降至67.9億美元。

　　臺(tái)積電最初預(yù)期今年資本支出320億~360億美元，隨后調(diào)整為接近320億美元的低標(biāo)，今年10月法說(shuō)會(huì)前，業(yè)界傳出臺(tái)積電今年資本支出約40億美元投資恐遞延至明年，因而可能再度下修資本支出計(jì)劃。不過(guò)，臺(tái)積電在法說(shuō)會(huì)定調(diào)，維持既有資本支出目標(biāo)。外界解讀，相關(guān)投資會(huì)在今年動(dòng)用，代表明年資本支出不會(huì)有遞延效應(yīng)而拉升。

　　業(yè)界表示，臺(tái)積電明年先進(jìn)制程研發(fā)投資將持續(xù)增長(zhǎng)，不過(guò)，預(yù)期部分3nm先進(jìn)制程設(shè)備約八成可與5nm、7nm共享，隨著7nm產(chǎn)能利用率在季節(jié)過(guò)渡階段，預(yù)期明年資本支出重點(diǎn)在3nm與2nm以下先進(jìn)制程與光罩的投資，成熟制程持續(xù)拉升特殊制程比重與先進(jìn)封裝的部分設(shè)備改機(jī)等。

　　臺(tái)積電營(yíng)收增量減少

　　從2023年第三季度的財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)來(lái)看，臺(tái)積電3nm、5nm產(chǎn)線營(yíng)收上漲非常明顯，特別是3nm，與2022年同期相比，今年對(duì)該公司整體營(yíng)收提供了6%的貢獻(xiàn)，而去年幾乎為零。總體來(lái)看，臺(tái)積電先進(jìn)制程（5nm、4nm、3nm）填補(bǔ)了其它制程節(jié)點(diǎn)營(yíng)收下滑所形成的空缺。

　　通過(guò)分析各個(gè)制程節(jié)點(diǎn)的營(yíng)收數(shù)據(jù)。可以看出，臺(tái)積電的每一個(gè)新制程工藝在出現(xiàn)3年后，其營(yíng)收增長(zhǎng)就停滯了，增量營(yíng)收主要靠更先進(jìn)的工藝來(lái)支撐。所以，該公司的營(yíng)收增長(zhǎng)幾乎完全依賴(lài)于最先進(jìn)制程工藝的迭代。而從10nm開(kāi)始，臺(tái)積電新制程工藝營(yíng)收的迭代速度明顯放慢了。

　　從7nm開(kāi)始，先進(jìn)制程工藝的研發(fā)難度大幅提升，主要體現(xiàn)在成本方面，5nm的研發(fā)成本達(dá)到90多億美元，3nm的高成本已經(jīng)嚇退了臺(tái)積電的傳統(tǒng)大客戶，要等到明年的新版本N3E將成本降下來(lái)后才能下單。未來(lái)，2nm、1nm等新工藝發(fā)展的難度更大，投入更高。

　　制程工藝迭代的速度明顯放慢，未來(lái)發(fā)展的難度越來(lái)越大，這就給競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手提供了追趕的空間和時(shí)間。

　　據(jù)TrendForce統(tǒng)計(jì)，三星晶圓代工市場(chǎng)份額從2023年第一季度的9.9%上升至第二季度的11.7%，營(yíng)收從27.57億美元增加到32.34億美元。臺(tái)積電依然是該領(lǐng)域的霸主，但其市場(chǎng)份額下降至56.4%。

　　大摩：臺(tái)積電明年Q1毛利率將掉至50%以下

　　摩根士丹利（大摩）證券最新報(bào)告指出，由于部分成本未納入計(jì)算、定價(jià)太保守、折舊加快等因素，臺(tái)積電明年首季毛利率將掉至50%以下。大摩仍給予臺(tái)積電“優(yōu)于大盤(pán)”評(píng)級(jí)，但將目標(biāo)價(jià)從718元新臺(tái)幣調(diào)降4%至688元，開(kāi)出法人圈調(diào)降臺(tái)積電目標(biāo)價(jià)第一槍?zhuān)繕?biāo)價(jià)也是歐美外資圈最低。

　　大摩預(yù)期，臺(tái)積電明年首季毛利率恐降至49.5%，比市場(chǎng)預(yù)期的52.2%低約3個(gè)百分點(diǎn)，也不如今年第四季度的53%。不過(guò)，大摩仍肯定臺(tái)積電將受惠于AI趨勢(shì)、產(chǎn)業(yè)周期復(fù)蘇及技術(shù)領(lǐng)先等三大利多。

　　大摩半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析師詹家鴻指出，由于今年下半年3nm毛利率稀釋趨勢(shì)，臺(tái)積電可能沒(méi)有考慮部分成本，如化學(xué)品及電力成本上漲，或?qū)?nm晶圓定價(jià)過(guò)于保守。大摩的模型最初假設(shè)每片晶圓2.3萬(wàn)美元，但像對(duì)蘋(píng)果這樣的大客戶，實(shí)際定價(jià)可能降至2萬(wàn)美元。

　　詹家鴻指出，英特爾的3nm外包不會(huì)如外界報(bào)道快速增長(zhǎng)，且蘋(píng)果iPhone采用2nm制程可能落在2026年，而不是2025年。詹家鴻認(rèn)為，臺(tái)積電在2024年元月的法說(shuō)會(huì)將發(fā)布毛利率展望，將使股價(jià)短期面臨壓力。聯(lián)發(fā)科從今年11月下旬取代臺(tái)積電，成為大摩在大中華半導(dǎo)體股的首選。

　　審核編輯：黃飛