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電子發燒友網>制造/封裝>新思科技與英特爾深化合作,以新思科技IP和經Intel 18A工藝認證的EDA流程加速先進芯片設計

新思科技與英特爾深化合作,以新思科技IP和經Intel 18A工藝認證的EDA流程加速先進芯片設計

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2023-08-28 10:48:17322

英特爾IDM 2.0戰略再進一步,攜手新思科技開發基于Intel 3、Intel 18A的領先IP

合作伙伴關系和加快提供IP的速度,該合作將支持英特爾代工服務生態的發展; ·?該合作建立在新思科技與英特爾長期的IPEDA戰略合作伙伴關系之上。 英特爾和新思科技(Synopsys)宣布已經達成最終協議,深化在半導體IPEDA(電子設計自動化)領域的長期戰略合作伙伴關系,共
2023-08-28 11:08:29322

英特爾和新思科深化合作,提供基于英特爾先進制程節點的領先IP

合作伙伴關系。 英特爾和新思科技(Synopsys)近日宣布已經達成最終協議,深化在半導體IPEDA(電子設計自動化)領域的長期戰略合作伙伴關系,共同為英特爾代工服務的客戶開發基于Intel 3和Intel 18A制程節點的IP產品組合。提供基于英特爾先進制程節點的關鍵
2023-09-12 16:36:24175

思科技3DIC Compiler獲得三星多裸晶芯集成工藝流程認證

Compiler是統一的多裸晶芯片封裝探索、協同設計和分析的平臺,已經獲得三星多裸晶芯集成工藝流程認證。 全面和可擴展的新思科技多裸晶芯片系統能夠實現從早期設計探索到芯片生命周期管理全流程的快速異構集成。 新思科技(Synopsys)近日宣布,與三星晶圓廠(以下簡稱為“三星”)深化合作,助
2023-09-14 09:38:28839

思科技設備在臺積電流片2nm芯片

《半導體芯科技》編譯 來源:EENEWS EUROPE 新思科技(Synopsys)表示,其客戶已在臺積電2nm工藝上流片了多款芯片,同時對模擬和數字設計流程進行了認證。 新思科技表示,臺積電2nm
2023-10-08 16:49:24285

思科技PCIe 6.0 IP英特爾PCIe 6.0測試芯片實現互操作

:SNPS)近日宣布,新思科技PCI Express(PCIe)6.0 IP在端到端64GT/s的連接下,成功實現與英特爾PCIe 6.0測試芯片的互操作性。這一全新里程碑也將保證,在未來無論是集成
2023-10-12 15:11:45129

思科技成功實現與英特爾PCIe 6.0測試芯片的互操作性

思科技PCIe 6.0 IP英特爾 PCIe 6.0測試芯片實現互操作 在64GT/s 高速連接下成功驗證互操作性,降低高性能計算SoC的集成風險 新思科技近日宣布,新思科技PCI
2023-10-16 09:22:56447

思科技攜手臺積公司加速2nm工藝創新,為先進SoC設計提供經認證的數字和模擬設計流程

多個設計流程在臺積公司N2工藝上成功完成測試流片;多款IP產品已進入開發進程,不斷加快產品上市時間 ? 摘要: 新思科技經認證的數字和模擬設計流程可提高高性能計算、移動和AI芯片的產品質量
2023-10-19 11:44:22104

思科技提供跨臺積公司先進工藝的參考流程,助力加速模擬設計遷移

設計質量的同時,節省數周的手動迭代時間。 新思科技可互操作工藝設計套件(iPDK)適用于臺積公司所有FinFET先進工藝節點,助力開發者快速上手模擬設計。 新思科技攜手Ansys 和 Keysight 共同推出全新射頻設計參考流程,能夠為現代射頻集成電路設計提供完整解決方案。 加利福
2023-10-24 11:41:37186

思科技攜手臺積公司加速N2工藝下的SoC創新

思科技近日宣布,其數字和定制/模擬設計流程已通過臺積公司N2工藝技術認證,能夠幫助采用先進工藝節點的SoC實現更快、更高質量的交付。新思科技這兩類芯片設計流程的發展勢頭強勁,其中數字設計流程已實現
2023-10-24 16:42:06475

思科技與Arm持續深化合作加速先進節點定制芯片設計

全球領先的新思科IP解決方案和AI驅動型EDA全面解決方案與“Arm全面設計”相結合,大幅加速復雜SoC設計的上市時間 摘要: 新思科技加入“Arm全面設計”(Arm Total Design
2023-11-01 10:47:37109

思科技攜手合作伙伴開發針對臺積公司N4P工藝的射頻設計參考流程

(RF)設計和接口IP五項大獎。新思科技與臺積公司長期穩固合作,持續提供經過驗證的解決方案,包括由Synopsys.ai全棧式AI驅動型EDA解決方案支持的認證設計流程,幫助共同客戶加快創新型人工智能
2023-11-14 10:31:46376

英特爾20A、18A工藝流片,臺積電面臨挑戰

英特爾Intel 20A和Intel 18A工藝已經開始流片,意味著量產階段已經不遠。而2nm工藝和1.8nm工藝先進程度無疑已經超過了三星和臺積電的3nm工藝
2023-12-20 17:28:52800

微軟將使用英特爾18A技術生產芯片

微軟將使用英特爾18A技術生產芯片 據外媒報道微軟公司計劃使用英特爾18A制造技術生產自研芯片。但是目前沒有確切的消息表明微軟將生產什么芯片,但是業界多估計是人工智能加速器。
2024-02-22 17:35:11357

英特爾拿下微軟芯片代工訂單

英特爾近日在美國圣荷西舉行的首次晶圓代工活動中公布了其雄心勃勃的制程延伸藍圖。該公司首席執行官在會上表示,通過采用Intel 18A先進制程技術,英特爾期望在2025年之前重新奪回制程技術的領先地位
2024-02-26 10:01:22206

英特爾發力18A工藝節點,力圖超越三星躍升全球第二大晶圓代工廠

該美大型芯片廠商正在積極推廣旗下Intel 18A(1.8nm級)工藝節點,并出示多種惠及客戶的策略;近期,英特爾進一步發布新的Intel 14A(1.4nm級)工藝節點,宣布采用該節點制造的芯片預計將在2027年實現大規模生產;
2024-02-26 14:40:56382

Cadence數字和定制/模擬流程通過Intel 18A工藝技術認證

Cadence近日宣布,其數字和定制/模擬流程Intel18A工藝技術上成功通過認證。這一里程碑式的成就意味著Cadence的設計IP將全面支持Intel的代工廠在這一關鍵節點上的工作,并提
2024-02-27 14:02:18160

英特爾18A工藝節點推廣激勵措施承諾

去年,英特爾CEO帕特·基辛格與多家韓國企業高層會面,詳細介紹了英特爾芯片代工商的最新發展動態。據悉,英特爾正積極向韓國芯片創業公司推銷18A制程,同時給予鼓勵支持。
2024-02-27 14:55:10223

英特爾CEO稱公司全力押注18A制程

據悉,18A制程作為英特爾推動至技術領先地位的第五個階段,盡管未采用1.8納米制造工藝,但宣稱性能及晶體管密度均可與競爭對手的1.8納米工藝相媲美。
2024-03-01 16:14:47134

思科技攜手英特爾加速Intel 18A工藝下高性能芯片設計

思科技數字和模擬 EDA 流程經過認證和優化,針對Intel 18A工藝實現功耗、性能和面積目標
2024-03-05 17:23:44238

思科技與英特爾深化合作加速先進芯片設計

近日,新思科技與英特爾宣布深化合作,共同加速先進芯片設計的步伐。據悉,新思科技的人工智能驅動的數字和模擬設計流程已經成功通過英特爾代工的Intel 18A工藝認證,這一突破性的進展標志著雙方在芯片設計領域的合作邁上了新臺階。
2024-03-06 10:33:59180

是德科技攜手Intel Foundry成功驗證支持Intel 18A工藝技術的電磁仿真軟件

是德科技與Intel Foundry的這次合作,無疑在半導體和集成電路設計領域引起了廣泛的關注。雙方成功驗證了支持Intel 18A工藝技術的電磁仿真軟件,為設計工程師們提供了更加先進和高效的設計工具。
2024-03-08 10:30:37275

Ansys多物理場簽核解決方案獲得英特爾代工認證

Ansys的多物理場簽核解決方案已經成功獲得英特爾代工(Intel Foundry)的認證,這一認證使得Ansys能夠支持對采用英特爾18A工藝技術設計的先進集成電路(IC)進行簽核驗證。18A工藝技術集成了新型RibbonFET晶體管技術和背面供電技術,代表了半導體制造領域的一項重大突破。
2024-03-11 11:25:41254

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