外延工藝是指在襯底上生長完全排列有序的單晶體層的工藝。一般來講，外延工藝是在單晶襯底上生長一層與原襯底相同晶格取向的晶體層。外延工藝廣泛用于半導(dǎo)體制造，如集成電路工業(yè)的外延硅片。MOS 晶體管
2023-02-13 14:35:47
10448 4月21日，上海證券交易所網(wǎng)站顯示，廣東中圖半導(dǎo)體科技股份有限公司（簡稱“中圖科技”）科創(chuàng)板IPO進入已問詢狀態(tài)。 ? 中圖科技是一家面向藍寶石上氮化鎵（GaN on Sapphire）半導(dǎo)體技術(shù)
2021-04-22 18:26:045676 請問，$88和$0088有什么區(qū)別，為什么一個是直接尋址一個是擴展尋址呢
2011-10-12 22:45:45
0603、0805和1206的電容有什么區(qū)別？0603、0805和1206的電感有什么區(qū)別？
2017-04-19 22:17:57
很多做半導(dǎo)體、藍寶石襯底的企業(yè)都需要對產(chǎn)品進行真空包裝，但是市面上的真空包裝機五花八門的機子給要選擇符合自己公司的設(shè)備非常的困難。你買設(shè)備肯定是想買到質(zhì)量好，性價比比較高的設(shè)備生產(chǎn)供應(yīng)商。下面來為
2014-05-29 15:26:26
!!1、半導(dǎo)體元件與芯片的區(qū)別按照國際標(biāo)準(zhǔn)分類方式，在國際半導(dǎo)體的統(tǒng)計中，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)只分成四種類型：集成電路，分立器件，傳感器和光電子。所有的國際半導(dǎo)體貿(mào)易中都是分成這四類。上面說的...
2021-11-01 09:11:54
1、半導(dǎo)體元件與芯片的區(qū)別按照國際標(biāo)準(zhǔn)分類方式，在國際半導(dǎo)體的統(tǒng)計中，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)只分成四種類型：集成電路，分立器件，傳感器和光電子。所有的國際半導(dǎo)體貿(mào)易中都是分成這四類。上面說的這四類可以統(tǒng)稱
2021-11-01 07:21:24
半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件，當(dāng)直流電通過兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù)，其特點是無運動部件，可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么？半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點？
2021-02-24 09:24:02
半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體的功能分類集成電路的四大類
2021-02-24 07:52:52
請教下以前的[半導(dǎo)體技術(shù)天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過點接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開始受到重視。1947年鍺點接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
半導(dǎo)體溫差致冷是建立在法國物理學(xué)家Peltien帕爾帖效應(yīng)（即溫差效應(yīng)）基礎(chǔ)上的具體應(yīng)用。當(dāng)電流流經(jīng)兩種不同性質(zhì)的導(dǎo)體形成接點時，其接點會產(chǎn)生放熱和吸熱現(xiàn)象，即其兩端形成溫差而實現(xiàn)制冷和制熱。
2020-04-03 09:02:41
國際半導(dǎo)體芯片巨頭壟斷加劇半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)三大趨勢
2021-02-04 07:26:49
半導(dǎo)體是什么？芯片又是什么？半導(dǎo)體芯片是什么？半導(dǎo)體芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)是由哪些部分組成的？
2021-07-29 09:18:55
半導(dǎo)體芯片行業(yè)的運作模式
2020-12-29 07:46:38
` 誰來闡述一下半導(dǎo)體集成電路是什么？`
2020-03-24 17:12:08
蘇州晶淼有限公司專業(yè)制作半導(dǎo)體設(shè)備、LED清洗腐蝕設(shè)備、硅片清洗、酸洗設(shè)備等王經(jīng)理***/13771786452
2016-07-20 11:58:26
CCM和DCM之間有什么區(qū)別
2021-03-11 06:22:02
NMOS管生產(chǎn)工藝基本上都是以一塊P型半導(dǎo)體材料（P型硅片）為襯墊（基片），然后在P型半導(dǎo)體材料上面再外延一層N型半導(dǎo)體，N型半導(dǎo)體與P型半導(dǎo)體之間在垂直方向，相當(dāng)于一個PN結(jié)，如用電極把兩塊半導(dǎo)體
2012-05-21 17:38:20
我想選一款16位、4通道DAC芯片，在選定的一些芯片中，發(fā)現(xiàn)Architecture有區(qū)別，分別是R-2R和Sting，請問它們有什么區(qū)別，謝謝
2019-06-18 10:16:40
IDF AT Bin 和 Qcloud IoT AT 有什么區(qū)別？ESP8266 RTOS SDK和NONOS SDK有什么區(qū)別？
如果我安裝例如 RTOS SDK，它是否也會升級 AT 固件？
2023-05-12 06:50:33
Jlink base和plus有什么區(qū)別
2023-10-20 08:12:41
N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體通過工藝做成PN結(jié)就是二級管。二極管只有一個PN結(jié)，為什么二極管型號要分N型二極管和P型二極管？二者有什么區(qū)別?謝謝！[此貼子已經(jīng)被作者于2009-3-10 17:19:59編輯過]
2009-03-08 17:01:37
RISC-V與arm有什么區(qū)別？
2023-03-09 10:06:26
RISC vs CISC有什么區(qū)別？
2021-04-02 06:27:49
SPI和QSPI有什么區(qū)別？
2024-02-06 06:12:07
STM32的FSMC和FMC有什么區(qū)別呢？
有的系列，比如F103是FSMC，有的系列，M4就是FMC了。這兩者有什么區(qū)別呢？
2023-09-26 06:17:01
Self和CPU有什么區(qū)別和聯(lián)系是什么？
2022-02-16 06:13:53
TC397多核之間數(shù)據(jù)訪問效率有什么區(qū)別，本地和全局的效率有什么區(qū)別，可不可以將電機同步ADC采集放到主核0，算法在1核執(zhí)行
2024-02-06 07:42:40
UARTlite和UART（16550風(fēng)格）有什么區(qū)別？......以上來自于谷歌翻譯以下為原文what is the difference between UARTlite and UART(16550 style)?...
2019-01-22 10:56:33
eOS適合場景有哪些？eOS和其他RTOS有什么區(qū)別？eOS優(yōu)勢是什么？
2021-09-28 08:55:55
modbus TCP和modbus RTU有什么區(qū)別
2023-10-09 06:20:15
mspG2553中 TimerA和TimerB有什么區(qū)別？TA1和TA0有什么區(qū)別？
2016-05-15 22:39:47
兩個有什么區(qū)別，我們常用的視覺庫是哪個
2023-10-11 07:02:25
本帖最后由 陽光燦爛2019 于 2019-9-30 16:01 編輯
pcb全插件版本和洞洞版本有什么區(qū)別？？？？ pcb全插件版本和洞洞版本有什么區(qū)別？？？？pcb全插件版本和洞洞版本有什么區(qū)別？？？？
2019-09-30 15:42:48
proteus和protle有什么區(qū)別嗎
2012-06-21 09:55:45
在電腦上拆到2條rdram內(nèi)存條，這個和sdram內(nèi)存條有什么區(qū)別，可以兼容嗎
2023-10-08 09:01:45
部變量能否和全局變量重名？ 如何引用一個已經(jīng)定義過的全局變量？ 全局變量可不可以定義在可被多個.C文件包含的頭文件中？為什么？static函數(shù)與普通函數(shù)有什么區(qū)別？ 隊列和棧有什么區(qū)別？
2021-12-03 06:15:27
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 基板的表面處理編號：JFSJ-21-077作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html關(guān)鍵詞： GaN 襯底
2021-07-07 10:26:01
認(rèn)為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個應(yīng)用都表現(xiàn)出色！帥呆了！至少現(xiàn)在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風(fēng)格的GaN之間有什么區(qū)別？
2019-07-31 07:54:41
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
什么是EEPROM？和FLASH有什么區(qū)別？
2022-01-24 06:48:02
什么是PON？EPON和GPON有什么區(qū)別？
2021-05-20 07:18:17
工具。這種類型的評估有助于設(shè)計人員研究不同工作條件下的各種半導(dǎo)體器件，以便找到最適合所需優(yōu)化目標(biāo)的技術(shù)?！ ?b class="flag-6" style="color: red">有不同的方法可以獲得被評估器件的特征模型。第一個也可能是最準(zhǔn)確的模型是通過混合模式仿真模型獲得的，該
2023-02-21 16:01:16
想問一下，半導(dǎo)體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備，比如探針臺有沒有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
哈希與加密有什么區(qū)別
2023-10-09 06:29:39
nRF24l01點對點通信 接收的板子復(fù)位后不能正常接收，必須對開發(fā)板斷電后才能恢復(fù)正常。復(fù)位和斷電有什么區(qū)別？
2020-06-01 04:35:21
大家都知道內(nèi)存儲器分為兩大類：RAM和ROM，今天宏旺半導(dǎo)體就主要跟大家科普一下ROM類別下的EEPROM是指什么，它跟FLASH又有什么區(qū)別？它們各自的優(yōu)缺點又是什么？ROM，即只讀存儲器
2019-12-05 14:02:53
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅）技術(shù)是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。通過在絕緣體上形成半導(dǎo)體薄膜，SOI材料具有了體硅所無法比擬的優(yōu)點：可以實現(xiàn)集成電路
2012-01-12 10:47:00
能力強；善于與人進行溝通、交流。 5、有相關(guān)半導(dǎo)體封裝工作經(jīng)驗的優(yōu)先。海特光電有限責(zé)任公司專著于半導(dǎo)體激光器器件和應(yīng)用產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，作為國內(nèi)半導(dǎo)體激光器市場最早的開拓者，擁有從器件結(jié)構(gòu)設(shè)計－外延
2015-02-10 13:33:33
電力半導(dǎo)體器件的分類
2019-09-19 09:01:01
碳化硅做襯底的成本遠(yuǎn)高于藍寶石襯底，但碳化硅襯底的光效和外延成長品質(zhì)要好一些。碳化硅材料分不透光和透光的兩類，如用透光的碳化硅材料做襯底成本就更高，而不透光的碳化硅跟硅材料一樣，外延后也必須做基板的轉(zhuǎn)換
2012-03-15 10:20:43
。它是經(jīng)過氧化、光刻、擴散、外延、蒸鋁等半導(dǎo)體制造工藝，把構(gòu)成具有一定功能的電路所需的半導(dǎo)體、電阻、電容等元件及它們之間的連接導(dǎo)線全部集成在一小塊硅片上，然后焊接封裝在一個管殼內(nèi)的電子器件。其封裝外殼有圓
2020-04-22 11:55:14
有著極為密切的關(guān)連。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。物質(zhì)存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、等離子體等。我們通常把導(dǎo)電性差的材料，如煤
2020-02-18 13:23:44
`供應(yīng)藍寶石襯底！深圳永創(chuàng)達科技有限公司 聯(lián)系電話***齊先生 網(wǎng)址www.yochda.com適用于外延片生產(chǎn)商與PSS加工`
2012-03-10 10:44:06
請問BLDC和PMSM電機有什么區(qū)別？
2021-09-24 13:17:47
DTU與RTU有什么區(qū)別？
2023-06-27 06:38:46
設(shè)置中的preinclude和#include有什么區(qū)別？
2018-11-28 15:33:26
怎樣通過ASV技術(shù)去生成準(zhǔn)確的3D深度圖？采用艾邁斯半導(dǎo)體的ASV技術(shù)有什么特點？
2021-07-09 06:25:46
LED 外延片--襯底材料襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的外延生長技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件封裝技術(shù)，襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技
2010-12-21 16:39:29
0 本內(nèi)容介紹了具有帶有阻擋層的半導(dǎo)體襯底的集成電路
2011-11-22 17:46:2121 本內(nèi)容介紹了LED外延片基礎(chǔ)知識，LED外延片--襯底材料，評價襯底材料必須綜合考慮的因素
2012-01-06 15:29:542743 晶圓制備包括襯底制備和外延工藝兩大環(huán)節(jié)。襯底（substrate）是由半導(dǎo)體單晶材料制造而成的晶圓片，襯底可以直接進入晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，也可以進行外延工藝加工生產(chǎn)外延片。外延
2018-08-28 14:44:5916194 
半導(dǎo)體激光器是半導(dǎo)體光電轉(zhuǎn)換器件。如圖1所示，半導(dǎo)體激光器由多層材料構(gòu)成。自下而上包括背電極，襯底，下光限制層，下波導(dǎo)層，有源層，上波導(dǎo)層，上限制層，上電極。不同層由不同的外延材料組成。
2018-10-22 08:11:009625 在半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展中，氣相外延發(fā)揮了重要作用，該技術(shù)已廣泛用于Si半導(dǎo)體器件和集成電路的工業(yè)化生產(chǎn)。
2020-08-28 14:24:314759 
實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨立自主。 什么是第三代半導(dǎo)體？ 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。 一、二、三代半導(dǎo)體什么區(qū)別？ 一、材料 第一代半
2020-11-05 09:25:4933330 看到一些新聞，表示某國高科技企業(yè)開發(fā)了一種新型襯底材料，與GaN晶格匹配，可以良好生長GaN。(備注：GaN體單晶制備難度非常大，因此此處所提的GaN是外延層，此處暴露了外延層存在的意義之一
2021-01-11 11:18:0823514 半導(dǎo)體和芯片有什么區(qū)別 由于現(xiàn)在全球缺芯，各個行業(yè)都出現(xiàn)了缺芯情況，現(xiàn)在半導(dǎo)體和芯片都是超級火熱的話題，那么半導(dǎo)體和芯片有什么區(qū)別呢？下面我們就一起來了解一下。 半導(dǎo)體是指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體
2021-08-07 17:44:31106261 有應(yīng)變和無應(yīng)變的絕緣體上鍺(GOI)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管因其高空穴遷移率和低寄生電容而引起了人們對其作為未來高性能金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管之一的強烈興趣。為了實現(xiàn)高質(zhì)量的(應(yīng)變的)GOI
2021-12-10 17:25:06808 ，克服了襯底對異質(zhì)外延的限制。2022年8月15日，相關(guān)研究成果以“用于大規(guī)模異質(zhì)集成的任意表面上半導(dǎo)體2H-MoTe2薄膜的異質(zhì)外延”（Heteroepitaxy of semiconducting
2022-10-19 20:20:571531 
芯片是半導(dǎo)體元件產(chǎn)品的統(tǒng)稱，也被稱作為集成線路、微電路、微芯片，芯片是由硅片制造出來的。而芯片的封裝是芯片制造的一個重要過程，今天為大家科普一個知識，什么是合封芯片，和單封有什么區(qū)別?
2022-10-22 10:20:332418 適合大功率半導(dǎo)體器件的理想襯底之一，由于其機械斷裂強度一般，應(yīng)用時需要合金屬底板配合使用。三、氧化鈹（BeO）
2022-11-18 12:01:381279 國產(chǎn)之光?？?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體： 引領(lǐng)SiC外延片量產(chǎn)新時代 ?？?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體科技(蘇州)有限公司 碳化硅外延片新聞發(fā)布 暨投產(chǎn)啟動儀式圓滿成功 中國蘇州，2022年11月23日——?？?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體科技（蘇州）有限公司
2022-11-29 18:06:051769 初學(xué)者可能會被“芯片”和“半導(dǎo)體”兩個名詞搞混，無法區(qū)分它們之間的關(guān)系，今天金譽半導(dǎo)體就著重來梳理一下，我們經(jīng)常講的芯片和半導(dǎo)體之間有什么聯(lián)系，又有什么區(qū)別。
2022-12-05 17:44:549334 在半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展中，氣相外延發(fā)揮了重要作用，該技術(shù)已廣泛用于Si半導(dǎo)體器件和集成電路的工業(yè)化生產(chǎn)。
2023-05-19 09:06:462467 
外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上，經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應(yīng)用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:092828 
HVPE（氫化物氣相外延法）與上述兩種方法的區(qū)別還是在于鎵源，此方法通常以鎵的氯化物GaCl3為鎵源，NH3為氮源，在襯底上以1000 ℃左右的溫度生長出GaN晶體。
2023-06-11 11:11:32277 GaN半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)為：襯底→GaN材料外延→器件設(shè)計→器件制造。其中，襯底是整個產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)。 作為襯底，GaN自然是最適合用來作為GaN外延膜生長的襯底材料。
2023-08-10 10:53:31664 
氮化鎵襯底是一種用于制造氮化鎵（GaN）基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的基板材料。GaN是一種III-V族化合物半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子特性和高頻特性，適用于高功率、高頻率和高溫應(yīng)用。
使用氮化鎵襯底可以在上面
2023-08-22 15:17:312376 半導(dǎo)體區(qū)別于導(dǎo)體的重要特征? 半導(dǎo)體和導(dǎo)體是電子領(lǐng)域中的兩個重要概念，它們雖然有些相似，但是在性質(zhì)、應(yīng)用和制造過程等方面都有重要的區(qū)別。本文將詳細(xì)介紹半導(dǎo)體與導(dǎo)體的重要特征，以及它們之間的區(qū)別
2023-08-27 15:55:122669 近日，晶能光電發(fā)布12英寸硅襯底InGaN基紅、綠、藍全系列三基色Micro LED外延技術(shù)成果。
2023-09-01 14:07:44738 碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域，處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端，是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。
2023-10-09 16:38:06529 
SiC 襯底是由 SiC 單晶材料制造 而成的晶圓片。襯底可以直接進入 晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，也 可以經(jīng)過外延加工，即在襯底上生 長一層新的單晶，形成外延片。
2023-10-18 15:35:394 科友半導(dǎo)體8英寸碳化硅（SiC）中試線在2023年4月正式貫通后，同步推進晶體生長厚度、良率提升和襯底加工產(chǎn)線建設(shè)，加快襯底加工設(shè)備調(diào)試與工藝參數(shù)優(yōu)化。
2023-10-18 17:43:40724 半導(dǎo)體的外延片和晶圓的區(qū)別？ 半導(dǎo)體的外延片和晶圓都是用于制造集成電路的基礎(chǔ)材料，它們之間有一些區(qū)別和聯(lián)系。在下面的文章中，我將詳細(xì)解釋這兩者之間的差異和相關(guān)信息。 首先，讓我們來了解一下半導(dǎo)體
2023-11-22 17:21:252340 半導(dǎo)體器件為什么要有襯底及外延層之分呢？外延層的存在有何意義？ 半導(dǎo)體器件往往由襯底和外延層組成，這兩個部分在制造過程中起著重要的作用，并且在器件的性能和功能方面具有重要意義。 首先，襯底是半導(dǎo)體
2023-11-22 17:21:281514 清軟微視是清華大學(xué)知識產(chǎn)權(quán)轉(zhuǎn)化的高新技術(shù)企業(yè)，專注于化合物半導(dǎo)體視覺領(lǐng)域量檢測軟件與裝備研發(fā)。其自主研發(fā)的針對碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的襯底和外延無損檢測裝備Omega系列產(chǎn)品，
2023-12-05 14:54:38769 
芯片和半導(dǎo)體有什么區(qū)別? 芯片和半導(dǎo)體是信息技術(shù)領(lǐng)域中兩個重要的概念。在理解它們之前，我們需要首先了解什么是半導(dǎo)體。 半導(dǎo)體是一種介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。在半導(dǎo)體中，電流的傳導(dǎo)主要是由電子和空穴
2023-12-25 14:04:451459 氮化鎵半導(dǎo)體芯片（GaN芯片）和傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片在組成材料、性能特點、應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在著明顯的區(qū)別。本文將從這幾個方面進行詳細(xì)介紹。 首先，氮化鎵半導(dǎo)體芯片和傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片的組成
2023-12-27 14:58:24424 近日，華大半導(dǎo)體旗下中電化合物有限公司榮獲“中國第三代半導(dǎo)體外延十強企業(yè)”稱號，其生產(chǎn)的8英寸SiC外延片更是一舉斬獲“2023年度SiC襯底/外延最具影響力產(chǎn)品獎”。這一榮譽充分體現(xiàn)了中電化合物在第三代半導(dǎo)體外延領(lǐng)域的卓越實力和領(lǐng)先地位。
2024-01-04 15:02:23523 在功率和光子學(xué)應(yīng)用強勁擴張的推動下，到2029年，全球化合物半導(dǎo)體襯底和外延晶圓市場預(yù)計將達到58億美元。隨著MicroLED的發(fā)展，射頻探索新的市場機會。
2024-01-05 15:51:06355 
電子科技領(lǐng)域中，半導(dǎo)體襯底作為基礎(chǔ)材料，承載著整個電路的運行。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，對半導(dǎo)體襯底材料的選擇和應(yīng)用要求也越來越高。本文將為您詳細(xì)介紹半導(dǎo)體襯底材料的選擇、分類以及襯底與外延的搭配方案。
2024-01-20 10:49:54515 只有體單晶材料難以滿足日益發(fā)展的各種半導(dǎo)體器件制作的需要。因此，1959年末開發(fā)了薄層單晶材料生長技外延生長。那外延技術(shù)到底對材料的進步有了什么具體的幫助呢？
2024-02-23 11:43:59304 
上海合晶硅材料股份有限公司（簡稱“上海合晶”，股票代碼：688584）近期在科創(chuàng)板成功上市，成為半導(dǎo)體行業(yè)的新星。該公司專注于半導(dǎo)體硅外延片的研發(fā)與生產(chǎn)，以其卓越的產(chǎn)品質(zhì)量和創(chuàng)新的工藝技術(shù)在市場上樹立了良好的口碑。
2024-02-26 11:20:08311 半導(dǎo)體 IC 設(shè)計的目的是將多個電子元件、電路和系統(tǒng)平臺集成在一個半導(dǎo)體襯底上，從而實現(xiàn)芯片尺寸小、功耗低、集成度高、性能卓越的優(yōu)勢。
2024-03-11 16:42:37513
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