英飛凌提供500多種EiceDRIVER?柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，用于驅(qū)動(dòng)MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 以及GaN HEMT。其中包括隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器、 電平轉(zhuǎn)換柵極驅(qū)動(dòng)器以及非隔離低邊驅(qū)動(dòng)器，從而滿足各種功率半導(dǎo)體技術(shù)和功率轉(zhuǎn)換拓?fù)涞脑O(shè)計(jì)要求。
2019-01-29 09:58:32
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MOSFET的獨(dú)特器件特性意味著它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路有特殊的要求。了解這些特性后，設(shè)計(jì)人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關(guān)性能的柵極驅(qū)動(dòng)器。在這篇文章中，我們討論了SiC MOSFET器件的特點(diǎn)以及它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的要求，然后介紹了一種能夠解決這些問題和其它系統(tǒng)級(jí)考慮因素的IC方案。
2023-08-03 11:09:57822 
CISSOID在2019年歐洲功率電子及智能傳動(dòng)產(chǎn)品展覽會(huì)（PCIM 2019）上展示了最新的高溫柵極驅(qū)動(dòng)器、碳化硅（SiC）MOSFET器件和IGBT功率模塊。
2019-05-13 11:33:45923 MIC4414YFT EV，MIC4414評(píng)估板是一款低側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于在低側(cè)開關(guān)應(yīng)用中切換N溝道增強(qiáng)型MOSFET。 MIC4414是一款非反相驅(qū)動(dòng)器。該驅(qū)動(dòng)器具有短延遲和高峰值電流
2020-04-16 10:14:10
MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
MOSFET驅(qū)動(dòng)器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一種驅(qū)動(dòng)器最適合您的應(yīng)用呢？
2021-11-08 06:11:40
Si-MOSFET高。與Si-MOSFET進(jìn)行替換時(shí)，還需要探討柵極驅(qū)動(dòng)器電路。與Si-MOSFET的區(qū)別：內(nèi)部柵極電阻SiC-MOSFET元件本身（芯片）的內(nèi)部柵極電阻Rg依賴于柵電極材料的薄層電阻和芯片尺寸
2018-11-30 11:34:24
比Si器件低，不需要進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制就能夠以MOSFET實(shí)現(xiàn)高耐壓和低阻抗。 而且MOSFET原理上不產(chǎn)生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時(shí)，能夠明顯地減少開關(guān)損耗，并且實(shí)現(xiàn)散熱部件
2023-02-07 16:40:49
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-04-09 04:58:00
）可能會(huì)嚴(yán)重影響全局開關(guān)損耗。針對(duì)此，在SiC MOSFET中可以加入米勒箝位保護(hù)功能，如圖3所示，以控制米勒電流。當(dāng)電源開關(guān)關(guān)閉時(shí)，驅(qū)動(dòng)器將會(huì)工作，以防止因柵極電容的存在，而出現(xiàn)感應(yīng)導(dǎo)通的現(xiàn)象。圖3
2019-07-09 04:20:19
柵極電壓，在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時(shí)的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時(shí)間短于IGTB的短路耐受時(shí)間，也可以通過集成在柵極驅(qū)動(dòng)器IC中的去飽和功能來(lái)保護(hù)SiC
2019-07-30 15:15:17
模塊。這些設(shè)計(jì)平臺(tái)目 前針對(duì)戰(zhàn)略客戶而推出，代表了驅(qū)動(dòng)新一代SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器 的完整IC生態(tài)系統(tǒng)的最高水準(zhǔn)。設(shè)計(jì)平臺(tái)類型眾多，既有用于 高電壓、大電流SiC功率模塊的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器板，也有完整
2018-10-30 11:48:08
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
的不是全SiC功率模塊特有的評(píng)估事項(xiàng)，而是單個(gè)SiC-MOSFET的構(gòu)成中也同樣需要探討的現(xiàn)象。在分立結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中，該信息也非常有用。“柵極誤導(dǎo)通”是指在高邊SiC-MOSFET＋低邊
2018-11-30 11:31:17
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2021-07-09 07:00:00
在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車，隔離柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器需要確保隔離柵在所有情況下完好無(wú)損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進(jìn)，以及對(duì)GaN和SiC工藝技術(shù)的引進(jìn)，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。
2019-08-09 07:03:09
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來(lái)研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
DVRFD630-375，開發(fā)板是一種通用電路板，旨在簡(jiǎn)化IXRFD630柵極驅(qū)動(dòng)器的評(píng)估，并為電源電路開發(fā)提供構(gòu)建模塊。 IXRFD630柵極驅(qū)動(dòng)器出廠時(shí)已安裝在評(píng)估板上，并經(jīng)過全面測(cè)試。電路板設(shè)計(jì)允許將驅(qū)動(dòng)器和MOSFET連接到散熱器，這樣做可以將電路板組件用作接地參考的低側(cè)電源開關(guān)
2019-08-06 09:40:40
1）。圖1.與最新一代IGBT相比，TW070J120B SiC MOSFET的開關(guān)速度明顯更快，可在功率轉(zhuǎn)換器中提供更高的效率在 3 相 400 V PFC 中仿真，SiC MOSFET
2023-02-22 16:34:53
的電壓軌。特性? 隔離型電源，輸入范圍為 24V±20%，支持用于三相逆變器（每個(gè)臂為半橋配置）的 6 個(gè) IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器? 低波紋 (<200mV) 偏置輸出（+15V 和 -8V
2015-03-23 14:53:06
接近MOSFET）之間的外部電阻可用于控制柵極處看到的轉(zhuǎn)換速率，從而控制SA和SB輸出的di/dt和dv/dt。GHx高功率運(yùn)轉(zhuǎn)會(huì)打開驅(qū)動(dòng)器的上半部分，向外部電機(jī)驅(qū)動(dòng)橋中高側(cè)MOSFET的柵極提供電流，并將
2020-09-29 16:51:51
，其中SiC MOSFET用于高頻開關(guān)，Si IGBT用于低頻開關(guān)。隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器必須能夠驅(qū)動(dòng)不同要求的開關(guān)，其中較多的是并聯(lián)且采用硅IGBT/SiC MOS混合式多電平配置。客戶希望一種器件就能
2018-10-22 17:01:41
當(dāng)今世界，設(shè)計(jì)師們似乎永遠(yuǎn)不停地追求更高效率。我們希望以更低的功率輸入得到更高的功率輸出！更高的系統(tǒng)效率需要團(tuán)隊(duì)的努力，這包括（但不限于）性能更高的柵極驅(qū)動(dòng)器、控制器和新的寬禁帶技術(shù)。特別是高電流
2019-08-07 04:45:12
FAN7391MX是一款單片高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng) IC，可驅(qū)動(dòng)工作在高達(dá) +600 V 電壓的高速 MOSFET 和 IGBT。它具有緩沖輸出級(jí)，所有 NMOS 晶體管設(shè)計(jì)用于實(shí)現(xiàn)高脈沖電流驅(qū)動(dòng)
2022-01-18 10:43:31
概述：IRS26302DJBPF美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，它把功率MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器與三個(gè)高側(cè)及三個(gè)低側(cè)參考輸出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
本帖最后由 Sillumin驅(qū)動(dòng) 于 2021-11-23 14:05 編輯
NCP5106是一款高壓柵極驅(qū)動(dòng)IC，提供兩個(gè)輸出，用于直接驅(qū)動(dòng)2個(gè)N溝道功率MOSFET或IGBT，使用自舉技術(shù)
2021-11-23 13:57:47
的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動(dòng)器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應(yīng)用）兩種產(chǎn)品。ROHM的1,200
2023-03-29 15:06:13
，降低了88%。還有重要的一點(diǎn)是IGBT的尾電流隨溫度升高而增加。順便提一下，SiC-MOSFET的高速驅(qū)動(dòng)需要適當(dāng)調(diào)整外置的柵極電阻Rg。這在前文“與Si-MOSFET的區(qū)別”中也提到過。與IGBT
2018-12-03 14:29:26
用于Si8751隔離式MOSFET驅(qū)動(dòng)器的Si8751-EVB，Si875x評(píng)估套件是驅(qū)動(dòng)各種應(yīng)用中使用的功率開關(guān)的理想選擇，與普通SSR相比，具有更長(zhǎng)的使用壽命和更高的可靠性。 Si8751隔離式
2020-06-08 12:07:42
應(yīng)用中使用的功率IGBT和MOSFET。 輸出級(jí)的高工作電壓范圍提供了柵極控制設(shè)備所需的驅(qū)動(dòng)電壓。 該光電耦合器提供的電壓和電流使其非常適合直接驅(qū)動(dòng)額定功率高達(dá)800 V / 50 A的IGBT。對(duì)于
2019-10-30 15:23:17
Si-MOSFET/IGBT不斷改進(jìn)，以及對(duì)GaN和SiC工藝技術(shù)的引進(jìn)，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。因此，需要高度集成、耐用的新型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器。這些驅(qū)動(dòng)器的電隔離裝置體積小巧，可集成到驅(qū)動(dòng)器芯片
2021-01-22 06:45:02
的電壓軌。 特性? 隔離型電源，輸入范圍為 24V±20%，支持用于三相逆變器（每個(gè)臂為半橋配置）的 6 個(gè) IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器? 低波紋 (<200mV) 偏置輸出（+15V 和 -8V
2015-04-27 16:55:43
描述TIDA-00195 參考設(shè)計(jì)包括一個(gè) 22kW 功率級(jí)以及 TI 全新的增強(qiáng)型隔離式 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器 ISO5852S（適用于各種應(yīng)用中的電機(jī)控制）。此設(shè)計(jì)可對(duì)三相逆變器（其中整合了額定
2018-12-27 11:41:40
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)過程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說(shuō)明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
(PTC) 加熱器來(lái)加熱冷卻劑。PTC加熱器依靠高壓電池來(lái)運(yùn)行，需要幾千瓦的功率。圖1顯示了由低側(cè)MOSFET/IGBT電源開關(guān)驅(qū)動(dòng)的典型PTC加熱器方框圖。圖1：汽車內(nèi)部加熱器模塊的方框圖過去
2022-11-04 06:40:48
限度降低柵極損耗。柵極驅(qū)動(dòng)器需要能夠以最小的輸出阻抗和高電流能力，提供 +20 伏和 -2 伏到 -5 伏負(fù)偏壓。尤其當(dāng)開關(guān)速度較快時(shí)，必須特別留意系統(tǒng)的寄生效應(yīng)。具體而言，這指的是硅模塊周圍通常存在
2017-12-18 13:58:36
側(cè)和低側(cè)功率級(jí)，并能夠在發(fā)生各種故障時(shí)實(shí)現(xiàn)監(jiān)控和保護(hù)。圖 1：EV 牽引逆變器方框圖SiC米勒平臺(tái)和高強(qiáng)度柵極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)針對(duì)SiC，柵極驅(qū)動(dòng)器必須盡可能降低包括開啟和關(guān)斷能量在內(nèi)的導(dǎo)通和關(guān)斷損耗
2022-11-03 07:38:51
使用隔離式IGBT和SiC柵極驅(qū)動(dòng)器的HEV/EV牽引逆變器設(shè)計(jì)指南
2022-11-02 12:07:56
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動(dòng)器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內(nèi)均可調(diào)整。將該柵極驅(qū)動(dòng)器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來(lái)確認(rèn)柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
用于為高功率 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器供電，該設(shè)計(jì)適合支持 IGBT 的驅(qū)動(dòng)。該 Fly-Buck 設(shè)計(jì)采用 LM5017，即 7.5-100V 寬輸入電壓 600mA 恒定導(dǎo)通時(shí)間 (COT) 同步降壓
2018-09-05 08:54:59
在開啟時(shí)提供此功能。實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證表明，在高負(fù)載范圍和低開關(guān)速度（《5V/ns）下，SiC-MOSFET或IGBT的電流源驅(qū)動(dòng)與傳統(tǒng)方法相比，導(dǎo)通損耗降低了26%。在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等應(yīng)用中，dv/dt 通常限制為 5V/ns，電流源驅(qū)動(dòng)器可提高效率并提供有前途的解決方案。
2023-02-21 16:36:47
IGBT 或 SiC MOSFET。具有可調(diào)消隱時(shí)間的過流保護(hù)。先進(jìn)的主動(dòng)箝位保護(hù)欠壓和過壓鎖定保護(hù)。兩個(gè) 1 安培脈沖變壓器驅(qū)動(dòng)器，用于故障信號(hào)通信。IX6611設(shè)計(jì)用于為高功率開關(guān)器件提供柵極驅(qū)動(dòng)
2023-02-27 09:52:17
您好，我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅(qū)動(dòng)器，但我們遇到了設(shè)備故障和損壞高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器的問題。首先，是否有任何關(guān)于正確設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)器輸出的應(yīng)用說(shuō)明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06
作為應(yīng)用全SiC模塊的應(yīng)用要點(diǎn)，本文將在上一篇文章中提到的緩沖電容器基礎(chǔ)上，介紹使用專用柵極驅(qū)動(dòng)器對(duì)開關(guān)特性的改善情況。全SiC模塊的驅(qū)動(dòng)模式與基本結(jié)構(gòu)這里會(huì)針對(duì)下述條件與電路結(jié)構(gòu)，使用緩沖電容器
2018-11-27 16:36:43
驅(qū)動(dòng)器的可靠性。 同時(shí)本文也介紹了TI最新推出的 UCC27624是雙路低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，，低至-10V輸入端口負(fù)壓承受能力以及強(qiáng)大的抗電流反灌能力，使得該芯片適合高噪聲和輔助供電變壓器驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用場(chǎng)景;具有
2022-11-03 08:28:01
。STGAP2S柵極驅(qū)動(dòng)器全系標(biāo)配4A軌到軌輸出，即使驅(qū)動(dòng)大功率逆變器，也能保證開關(guān)操作快速、高效。輸入到輸出傳播延遲在80ns以內(nèi)，在高開關(guān)頻率下確保PWM控制精確，滿足SiC器件的驅(qū)動(dòng)要求。出色的抗dV
2018-08-06 14:37:25
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場(chǎng)中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場(chǎng)中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場(chǎng)中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
和 –4V 輸出電壓以及 1W(...)主要特色用于在半橋配置中驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET 的緊湊型雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流驅(qū)動(dòng)能力，適用于驅(qū)動(dòng) SiC
2018-10-16 17:15:55
柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠驅(qū)動(dòng) N 型功率 MOSFET 和 IGBT。 FD2606S 內(nèi)置 VCC 和 VB 欠壓（UVLO）保護(hù)功能，防止功率管在過低的電壓下工作。 FD2606S 邏輯輸入兼容 TTL 和 CMOS（低至 3.3V），方便與控制設(shè)備接口。該驅(qū)動(dòng)器輸出具有最小驅(qū)動(dòng)器跨導(dǎo)的高脈沖電流緩沖設(shè)計(jì)。
2021-09-14 07:29:33
電子書“IGBT 和 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器基礎(chǔ)知識(shí)”
2022-10-25 17:20:12
和圖4所示。圖3所示，該原理圖顯示了使用雙極性柵極驅(qū)動(dòng)器電源時(shí)如何實(shí)現(xiàn)SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)。如上所述，這種雙極性柵極驅(qū)動(dòng)電壓不是強(qiáng)制性的，但它有助于最小化米勒效應(yīng)，并產(chǎn)生更好的可控開關(guān)。因此
2023-02-24 15:03:59
振蕩問題尤為重要。針對(duì)這些問題，設(shè)計(jì)了大電流下SiC MOSFET功率模塊的驅(qū)動(dòng)器，包括電源電路、功率放大電路、短路保護(hù)電路、有源米勒鉗位電路和溫度檢測(cè)電路。在分析了驅(qū)動(dòng)振蕩機(jī)理后，通過有限元軟件提取
2024-05-14 09:57:43
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)為驅(qū)動(dòng) UPS、交流逆變器和電動(dòng)汽車充電樁（電動(dòng)汽車充電站）應(yīng)用的功率級(jí)提供了藍(lán)圖。此設(shè)計(jì)基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
為高功率 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器供電，該設(shè)計(jì)適合支持 IGBT 的驅(qū)動(dòng)。該 Fly-Buck 設(shè)計(jì)采用 LM5017，即 7.5-100V 寬輸入電壓 600mA 恒定導(dǎo)通時(shí)間 (COT) 同步降壓
2022-09-26 07:54:11
IGBT 的三相電機(jī)半橋的高側(cè)和低側(cè)功率級(jí)，并能夠監(jiān)控和保護(hù)各種故障情況。圖1：電動(dòng)汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺(tái)和高強(qiáng)度柵極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)特別是對(duì)于SiC MOSFET，柵極驅(qū)動(dòng)器IC
2022-11-02 12:02:05
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)
2018-11-01 11:35:35
單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動(dòng)器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，通過精確的PWM控制提供強(qiáng)大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，STGAP2SiCSN簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)、節(jié)省了空間，并增強(qiáng)了節(jié)能型動(dòng)力系統(tǒng)、驅(qū)動(dòng)器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
，低側(cè)FET導(dǎo)通并開始通過其通道導(dǎo)通。相同的原理適用于通常在DC / DC電源和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中發(fā)現(xiàn)的其它同步半橋配置。負(fù)責(zé)高速接通的一個(gè)重要的柵極驅(qū)動(dòng)器參數(shù)是導(dǎo)通傳播延遲。這是在柵極驅(qū)動(dòng)器的輸入端
2019-03-08 06:45:10
DGD05473FNQ 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的DGD05473FNQ這是一款能夠驅(qū)動(dòng) N 溝道 MOSFET 的高頻柵極驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器的額定電壓高達(dá) 50V
2023-10-24 10:17:47
DGD0597FUQ 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的DGD0597FUQ這是一款高頻高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠驅(qū)動(dòng)半橋配置中的 N 溝道 MOSFET。浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器的額定電壓高達(dá)
2023-10-24 10:45:14
單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路IR2117
IR2117是美國(guó)IR公司專為驅(qū)動(dòng)單個(gè)MOSFET或IGBT而設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:006205 
Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器，可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231432 的柵極驅(qū)動(dòng)要求等。與在這種設(shè)計(jì)中正式使用的雙極晶體管相比，IGBT在驅(qū)動(dòng)電路的尺寸和復(fù)雜度上都有相當(dāng)大的降低。最近在IGBT開關(guān)速度的改進(jìn)取得了設(shè)備適用于電源的應(yīng)用，因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應(yīng)用。許多設(shè)計(jì)者因此轉(zhuǎn)向MOSFET驅(qū)動(dòng)器以滿足其
2017-07-04 10:51:05
22 通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來(lái)研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:395135 
本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、導(dǎo)通和關(guān)斷、功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算可分為三部分；驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部電路
2021-06-14 03:51:003284 
Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來(lái)研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車
2021-01-20 15:00:2413 摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2021-01-28 08:13:3821 ADI隔離柵極驅(qū)動(dòng)器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 本手冊(cè)概述了 ACPL-P349/W349 評(píng)估板的特性以及評(píng)估隔離式 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器所需的配置。需要目視檢查以確保收到的評(píng)估板處于良好狀態(tài)。
2021-06-23 10:45:213572 
ROHM不僅提供電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC，還提供適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器，再介紹ROHM超級(jí)結(jié)MOSFET
2021-08-09 14:30:512467 MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1768 意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅（SiC） MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間，簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。
2022-02-15 14:23:261153 
STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器旨在調(diào)節(jié)碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄體 SO-8 封裝，可節(jié)省空間并具有精確的PWM 控制
2022-08-03 09:47:011477 
隨著新型功率晶體管（例如 SiC Mosfets）越來(lái)越多地用于電力電子系統(tǒng)，因此有必要使用特殊的驅(qū)動(dòng)器。隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器通過提供對(duì) IGBT 和 MOSFET 的可靠控制，旨在滿足 SiC（碳化硅
2022-08-09 09:03:001640 
和發(fā)射極。為了工作MOSFET/IGBT，通常必須向柵極施加相對(duì)于器件源極/發(fā)射極的電壓。專用驅(qū)動(dòng)器用于向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動(dòng)電流。本文討論這些柵極驅(qū)動(dòng)器是什么，為什么需要它們，以及如何定義它們的基本參數(shù)，如時(shí)序、驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和隔離度。
2023-01-30 17:17:121242 
（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。 柵極驅(qū)動(dòng)IC作為電動(dòng)汽車逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們?cè)诘蛪河蚪邮諄?lái)自MCU的控制信號(hào)，并將這些信號(hào)傳遞至高壓域，快速開啟和關(guān)閉功率器件。為適應(yīng)電動(dòng)車輛電池的更高電壓，RAJ29300
2023-02-02 11:10:021138 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）宣布，推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。
2023-02-02 11:09:391103 瑞薩電子推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。
2023-02-03 14:59:11358 從本文開始，我們將進(jìn)入SiC功率元器件基礎(chǔ)知識(shí)應(yīng)用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”。前言：MOSFET和IGBT等電源開關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。
2023-02-08 13:43:22290 
柵極驅(qū)動(dòng)參考 1.PWM直接驅(qū)動(dòng)2.雙極Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器3.MOSFET Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器4.速度增強(qiáng)電路5.dv/dt保護(hù) 1.PWM直接驅(qū)動(dòng) 在電源應(yīng)用中，驅(qū)動(dòng)主開關(guān)
2023-02-23 15:59:0019 寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供? NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器）的使用指南 。本文為
2023-06-25 14:35:02459 
新品6.5A，2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板（配SiCMOSFET）EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半橋電路，用兩個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)IC1ED3142MU12F來(lái)驅(qū)動(dòng)IGBT
2023-07-31 17:55:56505 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器 提供隔離功能的最大功率限制.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-22 16:48:150 報(bào)告內(nèi)容包含：
效率和功率密度推動(dòng)變革
基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器功能
驅(qū)動(dòng)器演進(jìn)以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅(qū)動(dòng)器進(jìn)化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57215 
意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36671 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于IGBT和MOSFET的5.7 kVRMS增強(qiáng)型隔離柵極驅(qū)動(dòng)器ISO5852S數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-29 09:11:360 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于IGBT和MOSFET的 5.7 kVRMS 增強(qiáng)型隔離柵極驅(qū)動(dòng)器ISO5452數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-29 09:10:220 Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。
2024-05-23 11:26:30213 近日，Littelfuse公司發(fā)布了IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，這款新型驅(qū)動(dòng)器在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。
2024-05-23 11:34:21220
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