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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>今日看點(diǎn)丨三星、SK海力士探索激光解鍵合技術(shù) 或用于HBM4;小鵬 P7+ 汽車官圖首次亮相

今日看點(diǎn)丨三星、SK海力士探索激光解鍵合技術(shù) 或用于HBM4;小鵬 P7+ 汽車官圖首次亮相

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最新消息,SK海力士將在2020年消費(fèi)電子展(CES)上推出兩款消費(fèi)類PCIe NVMe SSD Gold P31和 Platinum P31。值得注意的是,新款SSD將首次搭載SK海力士128層
2019-12-30 15:57:393776

三星/SK海力士將大規(guī)模投資研發(fā)

為突破半導(dǎo)體市場(chǎng)的不景氣,三星電子(Samsung Electronics)致力升級(jí)微細(xì)制程技術(shù)SK海力士SK Hynix)則準(zhǔn)備以史上最大規(guī)模的投資計(jì)劃應(yīng)戰(zhàn)。
2016-01-26 08:19:58677

存儲(chǔ)器市場(chǎng)漲水,SK海力士價(jià)格一路飆升35%,三星將增產(chǎn)?

據(jù)海外媒體報(bào)道,存儲(chǔ)器價(jià)格超夯,今年至今韓廠SK 海力士SK Hynix )已經(jīng)飆升35%,部分外資相當(dāng)樂觀,預(yù)言還有20%上行空間。三星將增產(chǎn)?
2016-10-15 22:21:29864

三星SK海力士引領(lǐng)韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營(yíng)利破256億美元

據(jù)海外媒體報(bào)道,由三星電子及SK海力士領(lǐng)導(dǎo)的韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可望首次挑戰(zhàn)營(yíng)業(yè)利益破256億美元(約30兆韓元)大關(guān)紀(jì)錄。
2017-01-24 09:12:34821

三星SK海力士都已實(shí)現(xiàn),EUV DRAM 的壓力來到美光這邊?

。 ? 源:SK海力士官網(wǎng) ? SK海力士將這一進(jìn)展定義為:意義非凡。 ? 激進(jìn)的三星SK海力士 在談?wù)揈UV DRAM是否非凡之前,我們先了解一些關(guān)聯(lián)技術(shù)。從原理上說,光刻技術(shù)就是利用光化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法將掩模板上的圖案?jìng)鬟f到晶圓的工藝技術(shù)。近半個(gè)多世紀(jì),半導(dǎo)
2021-07-13 06:36:583097

SK海力士開發(fā)業(yè)界第一款HBM3 DRAM

SK海力士(或“公司”,www.skhynix.com) 宣布業(yè)界首次成功開發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格的HBM3 DRAM。
2021-10-20 10:07:471632

今日看點(diǎn)消息稱 MIUI 14 是 MIUI 最后一個(gè)正式大版本;韓國:三星SK 海力士中國工廠獲得美國無限期許可

芯片設(shè)備的豁免期限。也就是說,在無需單獨(dú)批準(zhǔn)的情況下,三星電子和 SK 海力士可以任意向中國工廠供應(yīng)含美國技術(shù)的半導(dǎo)體設(shè)備。 ? 韓聯(lián)社表示,美國商務(wù)部正在更新其“經(jīng)過驗(yàn)證的最終用戶”名單,以確定哪些實(shí)體可以獲得特定技術(shù)的出口。一旦
2023-10-10 10:59:13984

追趕SK海力士三星、美光搶進(jìn)HBM3E

五代產(chǎn)品。對(duì)于HBM3E,SK海力士預(yù)計(jì)2023年底前供應(yīng)HBM3E樣品,2024年開始量產(chǎn)。8層堆疊,容量達(dá)24GB,帶寬為1.15TB/s。 ? 近日,三星電子也更新了HBM3E的進(jìn)展。據(jù)韓媒報(bào)道
2023-10-25 18:25:243042

今日看點(diǎn)英特爾酷睿 Ultra 移動(dòng)處理器發(fā)布:采用 Intel 4 工藝;極氪汽車發(fā)布首款自研“金磚”電池

努力推動(dòng)人工智能半導(dǎo)體的本地生產(chǎn),近日有業(yè)內(nèi)消息稱三星SK海力士正在商討在美國生產(chǎn)HBM。 ? SK海力士于2022年7月宣布將投資150億美元在美國建立存儲(chǔ)芯片封裝工廠和研發(fā)中心,不過選址至今尚未確定。業(yè)界預(yù)計(jì),SK海力士將選擇生產(chǎn)HBM芯片,并優(yōu)先實(shí)施TSV硅
2023-12-15 11:14:45779

HBM上車?HBM2E被用于自動(dòng)駕駛汽車

技術(shù)的獨(dú)家供應(yīng)商。 ? 由于汽車對(duì)車用芯片更嚴(yán)格的品質(zhì)要求,SK海力士已單獨(dú)生產(chǎn)專門用于汽車用途的HBM2E,這也是目前唯一一家將HBM用于汽車的公司。 ? 我們知道HBM芯片對(duì)于現(xiàn)今AI拉動(dòng)的高性能計(jì)算和數(shù)據(jù)中心已成為必須,隨著HBM2E開始用于汽車,滿足智能駕駛不斷產(chǎn)生的計(jì)算需求,這
2024-08-23 00:10:006585

特斯拉欲將HBM4用于自動(dòng)駕駛,內(nèi)存大廠加速HBM4進(jìn)程

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)近日據(jù)韓媒報(bào)道,特斯拉已向SK海力士三星提交了HBM4的采購意向,并要求這兩家公司提供通用HBM4芯片樣品。特斯拉此次欲采購?fù)ㄓ?b class="flag-6" style="color: red">HBM4芯片,是為了強(qiáng)化超級(jí)電腦
2024-11-28 00:22:001884

三星布陣Asian Edge 第一島鏈再成科技最前線

的商機(jī)仍然暢旺,在供給端僅有三星SK海力士、美光,加上新技術(shù)量產(chǎn)困難,在這些現(xiàn)實(shí)下,2019年對(duì)存儲(chǔ)器廠商而言仍會(huì)是個(gè)豐收的年度。如果要考慮供過于求的變量,可能是第二代10nm等級(jí)的DRAM技術(shù)
2018-12-25 14:31:36

DRAM技術(shù)或迎大轉(zhuǎn)彎,三星海力士擱置擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目

。根本原因不在三星SK宣稱的市場(chǎng)因素,目前DRAM市場(chǎng)價(jià)格并不差,反倒是NAND的價(jià)格還在持續(xù)滑落中。擴(kuò)大價(jià)格低落的產(chǎn)品線,不是拿石頭砸自己的腳嗎?同時(shí)也不是媒體所猜測(cè)的國內(nèi)DRAM產(chǎn)能陸續(xù)釋放,國內(nèi)
2018-10-12 14:46:09

【十德盛科技】主營(yíng)各類memory芯片,鎂光 三星 海力士 存儲(chǔ)芯片 庫存充足

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2019-01-10 14:40:29

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2021-04-27 16:10:09

供應(yīng) 三星 海力士存儲(chǔ)芯片

原裝海力士三星存儲(chǔ)芯片,香港出貨,原包原盒。K4B2G1646F-BCNBK4B2G1646F-BYMAK4B4
2020-02-13 14:35:59

原裝存儲(chǔ)芯片熱賣三星美光海力士

躍朗科技只做全新原裝,主營(yíng)美光三星海力士閃迪旺宏華邦南亞等等,有興趣的歡迎來詢
2020-12-23 12:22:36

回收三星ic 收購三星ic

歐電子長(zhǎng)期全國回收品原裝存儲(chǔ)芯片:三星samsung,海力士SK hynix,現(xiàn)代hyniy,展訊SPREADTRUM,微芯MICROCHIP,閃迪SANDISK芯片,東芝 TOSHIBA芯片,南亞
2021-08-20 19:11:25

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2021-01-29 17:52:55

三星存儲(chǔ)業(yè)務(wù)派狼將金奇南對(duì)戰(zhàn)SK海力士 SK海力士如臨大敵

三星的金奇南猶如一名狼將,金奇南的狼性展現(xiàn)在他的投資企圖上,是一名難得的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。對(duì)于金奇南出任存儲(chǔ)業(yè)務(wù)的CEO時(shí),SK海力士如臨大敵般的恐慌。
2017-12-25 13:03:48888

2018年用繪圖DRAM市場(chǎng)銷量上揚(yáng) 三星SK海力士相繼推出HBM2

據(jù)市場(chǎng)分析,GPU業(yè)者對(duì)繪圖DRAM需求料將有增無減,2018年繪圖DRAM銷量會(huì)持續(xù)上揚(yáng),三星SK海力士相繼量產(chǎn)HBM2,價(jià)格比一般DRAM貴5倍。
2018-02-07 14:47:531751

三星攜手SK 海力士研發(fā)業(yè)界首見的EMI屏蔽技術(shù)

封測(cè)廠當(dāng)心!韓國存儲(chǔ)器大廠三星電子和 SK 海力士,研發(fā)業(yè)界首見的涂布式(Spray)的“電磁波屏蔽”(EMI shielding)技術(shù),打算自行吃下此一封裝程序,省下外包費(fèi)用。
2018-05-22 07:18:001789

10納米DRAM制程競(jìng)爭(zhēng)升溫,SK海力士、美光加速追趕三星

)制程DRAM,目前傳出進(jìn)入第代10納米(1z)制程開發(fā)。SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)也在不斷加速先進(jìn)制程研發(fā)速度,追趕三星,預(yù) ... 10納米級(jí)DRAM先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)
2018-11-12 18:04:02357

三星SK海力士準(zhǔn)備向中國采購原材料 化解目前危機(jī)

為了化解危機(jī),三星電子、SK海力士準(zhǔn)備向中國大陸及中國臺(tái)灣采購更多材料。另外,韓國企業(yè)還會(huì)去日本之外的國家尋找?guī)齑娑嘤嗟钠髽I(yè),向它們采購。
2019-07-11 14:46:123147

三星海力士評(píng)估最快或于7月底開始減產(chǎn),理由為何?

三星電子與SK海力士正在評(píng)估最快從本月起有序減產(chǎn)NAND Flash的方案。
2019-07-11 16:01:292796

行業(yè) | 三星電子和SK海力士完成對(duì)本土氟化氫測(cè)試,已投入DRAM生產(chǎn)

7月15日業(yè)界資訊,三星電子和SK海力士已完成針對(duì)本土氟化氫的可靠性和整合性測(cè)試,近日已投入到DRAM生產(chǎn)。
2019-07-17 10:03:303122

DRAM價(jià)格上漲,三星SK海力士營(yíng)收或改善

本月DRAM現(xiàn)貨價(jià)格急漲,以DRAM為主力商品的三星電子、SK海力士等半導(dǎo)體企業(yè)有望改善營(yíng)收。
2019-12-18 16:36:542865

禁令影響 三星電子和SK海力士將在9月15日停止向華為出售芯片

軟件技術(shù)的產(chǎn)品。 正如外媒分析的那樣,禁令對(duì)三星SK海力士的傷害并不亞于華為,以SK海力士為例,其上半年133億美元的營(yíng)收中,4成都來自對(duì)華為的出口。 有報(bào)道跟進(jìn)表示,事實(shí)上三星SK海力士已經(jīng)向美方提交申請(qǐng),希望允許在15日后繼續(xù)向
2020-09-11 15:54:1718042

三星SK 海力士將停止向華為出售零部件

隨著特朗普政府加強(qiáng)對(duì)華為的制裁,三星SK 海力士將停止向華為出售零部件。華為真正的危機(jī),來了! 三星SK 海力士將斷供華為 近日,根據(jù)朝鮮日?qǐng)?bào)和其他韓國新聞媒體的報(bào)道,三星SK 海力士
2020-09-15 16:41:402485

斷供華為 三星SK海力士:我也不想啊

發(fā)布當(dāng)天(8月17日),三星SK海力士等韓企就已停止生產(chǎn)向華為供應(yīng)的半導(dǎo)體。響應(yīng)如此迅速,難道斷供華為也是韓企的愿望嗎? 斷供華為,三星SK海力士:我也不想啊 此番斷供,三星SK海力士等韓企也是迫不得已。 華為此前公布,
2020-09-17 15:15:132362

三星SK海力士斷供華為,華為大量采購芯片價(jià)格大漲15%

據(jù)報(bào)道,韓國三星SK海力士宣布9月15日將停止向華為出售芯片。禁令期將至,華為何去何從?
2020-09-22 11:33:223421

三星電子和SK海力士已停止對(duì)華為出貨芯片產(chǎn)品

目前,三星電子和SK海力士已停止對(duì)華為出貨芯片產(chǎn)品。據(jù)報(bào)道,SK海力士大約有10%的銷售額來自華為,而華為同樣是三星重要的客戶之一。
2020-09-23 10:20:342126

三星SK海力士同步看好DRAM后市 預(yù)測(cè)后期不排除出現(xiàn)短缺

及資料中心對(duì)伺服器記憶體需求升溫,DRAM市場(chǎng)可望在上半年復(fù)甦。 三星并指出,目前晶圓代工廠急于滿足汽車制造商需求,很多代工廠都呈現(xiàn)產(chǎn)能滿載情況,影響代工廠對(duì)DRAM及NAND生產(chǎn)進(jìn)度,反而衝擊智慧手機(jī)及平板的出貨速度。 SK海力士并預(yù)期,隨著資料中心伺服器及5G智慧手機(jī)增加使
2021-02-01 12:43:00942

淺析三星SK海力士的半導(dǎo)體之戰(zhàn)

韓國半導(dǎo)體已經(jīng)在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈當(dāng)中占據(jù)了重要的地位。在IC Insights所公布的2020年上半年(1H20)全球十大半導(dǎo)體銷售排名中,韓國廠商就占了兩個(gè)名額,分別是排名第二的三星和排名第四的SK海力士
2020-11-19 15:53:509300

內(nèi)存價(jià)格仍在爆降,影響著三星SK海力士等出貨量

內(nèi)存價(jià)格還在繼續(xù)下降,對(duì)于三星SK海力士等廠商來說,這也刺激了相應(yīng)的出貨量。
2020-11-23 11:01:451862

芯片行業(yè)需求好轉(zhuǎn),三星電子和SK海力士股價(jià)上漲

11月23日消息,據(jù)國外媒體報(bào)道,受三星電子和SK海力士上漲拉動(dòng),韓國股市周一收盤創(chuàng)新高。
2020-11-23 16:26:372153

三星電子和SK海力士擴(kuò)大招聘以應(yīng)對(duì)芯片需求激增

在半導(dǎo)體芯片短缺的情況下,兩家韓國半導(dǎo)體巨頭(三星電子和SK海力士)正在積極尋求發(fā)展,他們正在擴(kuò)大招聘以應(yīng)對(duì)芯片的需求不斷增加。在負(fù)責(zé)監(jiān)督半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的設(shè)備解決方案部門中,三星正在招聘經(jīng)驗(yàn)豐富的工程師
2021-02-19 15:42:491722

三星SK海力士重組 存儲(chǔ)芯片寒冬何時(shí)休

三星電子和 SK 海力士已經(jīng)重組,以應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的低迷。他們正在尋求突破復(fù)雜的全球危機(jī),其中包括銷售因經(jīng)濟(jì)低迷而下降。
2022-12-20 14:35:59895

HBM需求高漲 三星SK海力士投資超2萬億韓元積極擴(kuò)產(chǎn)

據(jù)業(yè)界透露,三星電子、sk海力士等存儲(chǔ)半導(dǎo)體企業(yè)正在推進(jìn)hbm生產(chǎn)線的擴(kuò)張。兩家公司計(jì)劃到明年年底為止投資2萬億韓元以上,將目前hbm生產(chǎn)線的生產(chǎn)能力增加兩倍以上。sk海力士計(jì)劃在利川現(xiàn)有的hbm生產(chǎn)基地后,利用清州工廠的閑置空間。
2023-08-01 11:47:02895

三星/SK海力士獲美出口管制無限期豁免 南亞科、旺宏等首當(dāng)其沖

美國將三星電子和sk海力士指定為veu(認(rèn)證終端)用戶,無限期開放了美國企業(yè)對(duì)中國國內(nèi)三星sk海力士工廠的半導(dǎo)體制造設(shè)備出口。同樣,受到美方禁令的臺(tái)積電也于10月9日表示,對(duì)市場(chǎng)傳聞不予評(píng)論。
2023-10-10 11:40:181035

三星SK海力士加碼半導(dǎo)體設(shè)備投資與產(chǎn)量,以緩解行業(yè)壓力

12月18日,傳聞三星SK海力士正籌劃于來年加大芯片制造設(shè)備的投入,如三星電子預(yù)計(jì)投注27萬億韓元,SK海力士則計(jì)劃注入5.3萬億韓元,增幅分別達(dá)25%與100%。
2023-12-19 09:20:35492

三星/SK海力士已開始訂購DRAM機(jī)群工藝和HBM相關(guān)設(shè)備

數(shù)據(jù)顯示,首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴(kuò)大其HBM生產(chǎn)能力,并啟動(dòng)大規(guī)模HBM設(shè)備采購;此外,三星SK海力士計(jì)劃加強(qiáng)DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移,進(jìn)一步加大對(duì)DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:22970

三星電子和SK海力士將聯(lián)合投資622萬億韓元 推進(jìn)“超級(jí)集群”計(jì)劃

三星電子和SK海力士將聯(lián)合投資622萬億韓元,推進(jìn)“超級(jí)集群”計(jì)劃。
2024-01-23 11:35:48635

三星加大投資提升HBM產(chǎn)能,與SK海力士競(jìng)爭(zhēng)加劇

近日,據(jù)報(bào)道,三星電子正計(jì)劃大規(guī)模擴(kuò)大其HBM(高帶寬內(nèi)存)產(chǎn)能,以滿足不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。這一舉措將進(jìn)一步加劇與SK海力士的競(jìng)爭(zhēng)。
2024-01-26 15:33:09746

OpenAI首席執(zhí)行會(huì)見三星SK海力士高管

近日,OpenAI的首席執(zhí)行Sam Altman前往韓國,與三星電子和SK海力士的高管進(jìn)行了會(huì)面。據(jù)報(bào)道,這次會(huì)面的主要議題是探討建立一個(gè)AI半導(dǎo)體聯(lián)盟以及投資機(jī)會(huì)的可能性。
2024-01-30 18:23:461073

SK海力士宣布HBM內(nèi)存生產(chǎn)配額全部售罄

SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對(duì)此表示,作為 HBM 行業(yè)翹楚,海力士洞察到市場(chǎng)對(duì) HBM 存儲(chǔ)的巨大需求,現(xiàn)已提前調(diào)整產(chǎn)量,以期更好地滿足市場(chǎng)需求,保護(hù)其市場(chǎng)占有率。
2024-02-23 14:12:00808

三星追趕AI芯片競(jìng)賽,計(jì)劃采用海力士制造技術(shù)

三星必須采取一些措施來提高其HBM產(chǎn)量......采用MUF技術(shù)對(duì)三星來說有點(diǎn)不得已而為之,因?yàn)樗罱K遵循了SK海力士首次使用的技術(shù)
2024-03-14 11:00:14692

三星否認(rèn)MR-RUF方式用于HBM內(nèi)存生產(chǎn)

實(shí)現(xiàn)HBM的關(guān)鍵所在為多層DRAM堆疊,市場(chǎng)主要采用兩種合作程: SK海力士旗下的MR-RUF與三星的TC-NCF方案。前者為反流焊接粘附DRAM,后填塑模具填充間隙;后者則為熱壓粘連NCF(非導(dǎo)電薄膜)至各DRAM層之間。
2024-03-14 16:31:21914

英偉達(dá)對(duì)三星HBM3E進(jìn)行測(cè)試,海力士仍穩(wěn)坐HBM市場(chǎng)頭把交椅

現(xiàn)如今,SK海力士為英偉達(dá)AI半導(dǎo)體提供主要HBM產(chǎn)品,同時(shí)自去年起,美光公司也加入了該供應(yīng)陣營(yíng)。據(jù)悉,相比其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,三星電子在HBM授權(quán)上大約晚了一年有余。
2024-03-22 09:53:23707

英偉達(dá)尋求從三星采購HBM芯片

英偉達(dá)正在尋求與三星建立合作伙伴關(guān)系,計(jì)劃從后者采購高帶寬存儲(chǔ)(HBM)芯片。HBM作為人工智能(AI)芯片的核心組件,其重要性不言而喻。與此同時(shí),三星正努力追趕業(yè)內(nèi)領(lǐng)頭羊SK海力士,后者已率先實(shí)現(xiàn)下一代HBM3E芯片的大規(guī)模量產(chǎn)。
2024-03-25 11:42:04712

剛剛!SK海力士出局!

在基礎(chǔ)晶圓上通過硅通孔(TSV)連接多層DRAM,首批HBM3E產(chǎn)品均采用8層堆疊,容量為24GB。SK海力士三星分別在去年8月和10月向英偉達(dá)發(fā)送了樣品。此前有消息稱,英偉達(dá)已經(jīng)向SK海力士支付了約5.4億至7.7億美元的預(yù)付款,供應(yīng)下一代HBM3E。 SK海力士三星都在推進(jìn)12層
2024-03-27 09:12:08589

三星聯(lián)席CEO在AI合作交流中力推HBM內(nèi)存

慶桂顯此行主要推廣三星HBM內(nèi)存,并探索AI合作可能性。然而,由于此前在HBM策略上出現(xiàn)失誤,三星已被競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士超越;位于第位的美光近年來也在HBM3芯片上取得突破,成功獲得英偉達(dá)H200訂單。
2024-04-16 16:46:05603

SK海力士聯(lián)手臺(tái)積電推出HBM4,引領(lǐng)下一代DRAM創(chuàng)新

SK海力士表示,憑借其在AI應(yīng)用領(lǐng)域存儲(chǔ)器發(fā)展的領(lǐng)先地位,以及與臺(tái)積電在全球頂尖邏輯代工領(lǐng)域的深厚合作基礎(chǔ),該公司有信心持續(xù)引領(lǐng)HBM技術(shù)創(chuàng)新。通過整合IC設(shè)計(jì)廠、晶圓代工廠及存儲(chǔ)器廠的技術(shù)資源,SK海力士將進(jìn)一步提升存儲(chǔ)器產(chǎn)品性能,實(shí)現(xiàn)新的突破。
2024-04-19 09:28:04524

SK海力士與臺(tái)積電共同研發(fā)HBM4,預(yù)計(jì)2026年投產(chǎn)

HBM3E(第五代 HBM 產(chǎn)品)起,SK海力士HBM 產(chǎn)品基礎(chǔ)裸片均采用自家工藝生產(chǎn);然而,從 HMB4(第六代 HBM 產(chǎn)品)開始,該公司將轉(zhuǎn)用臺(tái)積電的先進(jìn)邏輯工藝。
2024-04-19 10:32:07606

SK海力士將采用臺(tái)積電7nm制程生產(chǎn)HBM4內(nèi)存基片

HBM內(nèi)存基礎(chǔ)裸片即DRAM堆疊基座,兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺(tái)積電簽訂HBM內(nèi)存合作協(xié)議,首要任務(wù)便是提升HBM基礎(chǔ)邏輯芯片性能。
2024-04-23 16:41:19786

SK海力士提前完成HBM4內(nèi)存量產(chǎn)計(jì)劃至2025年

SK海力士宣布,計(jì)劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品,而16層堆疊版本的推出將會(huì)稍后。根據(jù)該公司上月與臺(tái)積電簽署的HBM基礎(chǔ)裸片合作協(xié)議,原本預(yù)計(jì)HBM4內(nèi)存要等到2026年才會(huì)問世。
2024-05-06 15:10:21442

SK海力士明年HBM產(chǎn)能基本售罄

SK海力士近日宣布,其高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片在2025年的產(chǎn)能已經(jīng)基本售罄。這一成績(jī)主要?dú)w功于人工智能(AI)技術(shù)的蓬勃發(fā)展,極大地推動(dòng)了市場(chǎng)對(duì)HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39450

SK海力士加速HBM4E內(nèi)存研發(fā),預(yù)計(jì)2026年面市

HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市場(chǎng)需求,SK海力士將提速研發(fā)進(jìn)程,預(yù)計(jì)最快在 2026 年推出 HBM4E 內(nèi)存在內(nèi)存帶寬上比 HBM4 提升 1.4 倍。
2024-05-14 10:23:09429

漲價(jià)20%!三星SK 海力士將停止供貨這類芯片

業(yè)界傳出,全球前二大DRAM供貨商三星SK海力士全力沖刺高帶寬內(nèi)存(HBM)與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存,下半年起將停止供應(yīng)DDR3利基型DRAM,引起市場(chǎng)搶貨潮,導(dǎo)致近期DDR3價(jià)格飆漲,最高漲幅達(dá)二成,且下半年報(bào)價(jià)還會(huì)再上揚(yáng)。
2024-05-14 10:31:58381

三星電子與SK海力士預(yù)測(cè)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)需求強(qiáng)烈,HBM產(chǎn)能售罄

全球知名存儲(chǔ)芯片制造巨頭三星SK海力士預(yù)判,今年DRAM和高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)價(jià)格將持續(xù)攀升,受益于市場(chǎng)對(duì)于高端芯片,尤其是人工智能相關(guān)芯片的強(qiáng)大需求。
2024-05-15 09:23:52422

SK海力士提前一年量產(chǎn)HBM4E第七代高帶寬存儲(chǔ)器

據(jù)業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì),HBM4E的堆疊層數(shù)將增加到16~20層,而SK海力士原本計(jì)劃在2026年量產(chǎn)16層的HBM4產(chǎn)品。此外,該公司還暗示,有可能從HBM4開始采用“混合技術(shù)以實(shí)現(xiàn)更高的堆疊層數(shù)。
2024-05-15 09:45:35407

SK海力士HBM4E存儲(chǔ)器提前一年量產(chǎn)

SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲(chǔ)研討會(huì)上,由先進(jìn)HBM技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人Kim Kwi-wook宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展。SK海力士計(jì)劃從2026年開始,提前一年量產(chǎn)其第七代高帶寬存儲(chǔ)器HBM4E。這一消息表明,SK海力士HBM技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)速度正在加快。
2024-05-15 11:32:13802

三星HBM3E芯片驗(yàn)證仍在進(jìn)行,英偉達(dá)訂單分配備受關(guān)注

業(yè)內(nèi)評(píng)論指出,三星HBM之所以出現(xiàn)問題,主要原因在于負(fù)責(zé)英偉達(dá)GPU制造的臺(tái)積電在驗(yàn)證過程中采用了SK海力士的標(biāo)準(zhǔn)。由于SK海力士8層HBM3E的生產(chǎn)方式與三星有所差異,導(dǎo)致三星產(chǎn)品未能順利通過驗(yàn)證。
2024-05-16 17:56:201188

臺(tái)積電在歐洲技術(shù)研討會(huì)上展示HBM4的12FFC+和N5制造工藝

目前,我們正在攜手眾多HBM存儲(chǔ)伙伴(如美光、三星SK海力士等)共同推進(jìn)HBM4在先進(jìn)制程中的全面集成。12FFC+基礎(chǔ)Dies在滿足HBM性能需求的同時(shí),具有顯著的成本優(yōu)勢(shì);而N5基礎(chǔ)Dies則可在較低功耗條件下實(shí)現(xiàn)HBM4的預(yù)期速度。
2024-05-17 10:07:08516

三星SK海力士下半年停產(chǎn)DDR3內(nèi)存

近日,三星SK海力士宣布,將于下半年停止生產(chǎn)并供應(yīng)DDR3內(nèi)存,轉(zhuǎn)向利潤(rùn)更高的DDR5內(nèi)存和HBM系列高帶寬內(nèi)存。此舉標(biāo)志著內(nèi)存行業(yè)的一次重要轉(zhuǎn)型。
2024-05-17 10:12:21639

SK海力士HBM技術(shù)再創(chuàng)新高,將集成更多功能

SK海力士正全力開發(fā)HBM4E存儲(chǔ)設(shè)備,意欲打造集計(jì)算、緩存和網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)于一身的新型HBM產(chǎn)品,進(jìn)而提升性能與數(shù)據(jù)傳輸速率。
2024-05-29 16:41:27558

SK海力士HBM4芯片前景看好

瑞銀集團(tuán)最新報(bào)告指出,SK海力士HBM4芯片預(yù)計(jì)從2026年起,每年將貢獻(xiàn)6至15億美元的營(yíng)收。作為高帶寬內(nèi)存(HBM)市場(chǎng)的領(lǐng)軍企業(yè),SK海力士已在今年2月宣布其HBM產(chǎn)能已全部售罄,顯示其產(chǎn)品的強(qiáng)勁需求。
2024-05-30 10:27:22758

三星海力士引領(lǐng)DRAM革新:新一代HBM采用混合技術(shù)

在科技日新月異的今天,DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)作為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件,其技術(shù)革新一直備受矚目。近日,據(jù)業(yè)界權(quán)威消息源透露,韓國兩大DRAM芯片巨頭——三星SK海力士,都將在新一代高帶寬
2024-06-25 10:01:36648

臺(tái)積電攜手創(chuàng)意電子,斬獲SK海力士HBM4芯片大單

在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中,臺(tái)積電再次憑借其卓越的技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新能力,攜手旗下子公司創(chuàng)意電子,成功斬獲了SK海力士在下一代HBM4(High Bandwidth Memory 4)芯片領(lǐng)域的重大
2024-06-25 10:13:12587

ASMPT與美光攜手開發(fā)下一代HBM4設(shè)備

在半導(dǎo)體制造技術(shù)的持續(xù)演進(jìn)中,韓國后端設(shè)備制造商ASMPT與全球知名的內(nèi)存解決方案提供商美光公司近日宣布了一項(xiàng)重要的合作。據(jù)悉,ASMPT已向美光提供了專用于高帶寬內(nèi)存(HBM)生產(chǎn)的演示熱壓(TC)機(jī),雙方將攜手開發(fā)下一代技術(shù),以支持HBM4的生產(chǎn)。
2024-07-01 11:04:15818

美光HBM市場(chǎng)雄心勃勃,SK海力士加速應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn)

雄心勃勃的宣言無疑給當(dāng)前HBM市場(chǎng)的兩大主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手——SK海力士三星帶來了不小的競(jìng)爭(zhēng)壓力,尤其是SK海力士,作為韓國DRAM行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè),正嚴(yán)陣以待,積極調(diào)整策略以應(yīng)對(duì)美光的挑戰(zhàn)。
2024-07-03 09:28:59501

三星SK海力士探索激光解技術(shù)

在半導(dǎo)體技術(shù)的浩瀚星空中,三星電子與SK海力士正攜手點(diǎn)亮一顆璀璨的新星——高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)晶圓工藝技術(shù)的重大革新。據(jù)韓媒最新報(bào)道,這兩家行業(yè)巨頭已正式邁入下一代HBM技術(shù)探索之旅,其核心在于引入一種旨在防止晶圓翹曲的新技術(shù),這一變革預(yù)示著HBM制造領(lǐng)域的新篇章。
2024-07-12 09:29:56709

英偉達(dá)、臺(tái)積電與SK海力士攜手,2026年量產(chǎn)HBM4內(nèi)存,能效顯著提升

科技行業(yè)持續(xù)向AI時(shí)代邁進(jìn)的浪潮中,英偉達(dá)、臺(tái)積電與SK海力士大巨頭宣布了一項(xiàng)重大合作,旨在通過組建“角聯(lián)盟”共同推進(jìn)下一代高帶寬內(nèi)存(HBM技術(shù)的發(fā)展,特別是備受矚目的HBM4內(nèi)存。這一合作不僅標(biāo)志著半導(dǎo)體行業(yè)的一次重要聯(lián)手,也為未來數(shù)據(jù)處理和計(jì)算性能的提升奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
2024-07-15 17:28:05750

SK海力士將在HBM生產(chǎn)中采用混合技術(shù)

在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天,SK海力士再次站在了行業(yè)創(chuàng)新的前沿。據(jù)最新消息,該公司計(jì)劃于2026年在其高性能內(nèi)存(High Bandwidth Memory, HBM)的生產(chǎn)過程中引入混合技術(shù),這一舉措不僅標(biāo)志著SK海力士在封裝技術(shù)上的重大突破,也預(yù)示著全球半導(dǎo)體行業(yè)將迎來新一輪的技術(shù)革新。
2024-07-17 09:58:19771

SK海力士探索無焊劑技術(shù),引領(lǐng)HBM4創(chuàng)新生產(chǎn)

在半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)的快速發(fā)展浪潮中,SK海力士,作為全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商,正積極探索前沿技術(shù),以推動(dòng)高帶寬內(nèi)存(HBM)的進(jìn)一步演進(jìn)。據(jù)最新業(yè)界消息,SK海力士正著手評(píng)估將無助焊劑工藝引入其下一代HBM4產(chǎn)品的生產(chǎn)中,這一舉措標(biāo)志著公司在追求更高性能、更小尺寸內(nèi)存解決方案上的又一次大膽嘗試。
2024-07-17 15:17:47942

SK海力士攜手臺(tái)積電,N5工藝打造高性能HBM4內(nèi)存

在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天,SK海力士再次引領(lǐng)行業(yè)潮流,宣布將采用臺(tái)積電先進(jìn)的N5工藝版基礎(chǔ)裸片來構(gòu)建其新一代HBM4內(nèi)存。這一舉措不僅標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)域的持續(xù)深耕,也預(yù)示著HBM內(nèi)存技術(shù)即將邁入一個(gè)全新的發(fā)展階段。
2024-07-18 09:47:53624

SK海力士轉(zhuǎn)向4F2 DRAM以降低成本

SK海力士近日宣布了一項(xiàng)重要計(jì)劃,即開發(fā)采用4F2結(jié)構(gòu)(垂直柵)的DRAM。這一決策緊跟其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星的步伐,標(biāo)志著SK海力士在DRAM制造領(lǐng)域的新探索SK海力士研究員表示,隨著極紫外(EUV
2024-08-14 17:06:43802

三星電子加速推進(jìn)HBM4研發(fā),預(yù)計(jì)明年底量產(chǎn)

三星電子在半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新之路上再邁堅(jiān)實(shí)一步,據(jù)業(yè)界消息透露,該公司計(jì)劃于今年年底正式啟動(dòng)第6代高帶寬存儲(chǔ)器(HBM4)的流片工作。這一舉措標(biāo)志著三星電子正緊鑼密鼓地為明年年底實(shí)現(xiàn)12層HBM4產(chǎn)品的量產(chǎn)做足準(zhǔn)備。
2024-08-22 17:19:07629

三星SK海力士及美光正全力推進(jìn)HBM產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃

近期,科技界傳來重要消息,三星SK海力士及美光大半導(dǎo)體巨頭正全力推進(jìn)高帶寬內(nèi)存(HBM)的產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃。據(jù)預(yù)測(cè),至2025年,這一領(lǐng)域的新增產(chǎn)量將激增至27.6萬個(gè)單位,推動(dòng)年度總產(chǎn)量翻番至54萬個(gè)單位,實(shí)現(xiàn)驚人的105%年增長(zhǎng)率,標(biāo)志著HBM產(chǎn)能的顯著飛躍。
2024-08-29 16:43:25853

SK海力士引領(lǐng)未來:全球首發(fā)12層HBM3E芯片,重塑AI存儲(chǔ)技術(shù)格局

今日,半導(dǎo)體巨頭SK海力士震撼宣布了一項(xiàng)業(yè)界矚目的技術(shù)里程碑,該公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)12層HBM3E芯片的規(guī)模化生產(chǎn),此舉不僅將HBM存儲(chǔ)器的最大容量推升至史無前例的36GB新高度,更進(jìn)一步鞏固了SK海力士在AI應(yīng)用存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)軍地位。
2024-09-26 16:30:31810

SK海力士Q3利潤(rùn)有望趕超三星半導(dǎo)體

隨著三星電子定于10月8日發(fā)布第季度初步財(cái)務(wù)報(bào)告,市場(chǎng)焦點(diǎn)轉(zhuǎn)向了其與SK海力士之間營(yíng)業(yè)利潤(rùn)的預(yù)期差距如何進(jìn)一步拉大。   SK海力士因在高帶寬內(nèi)存(HBM)領(lǐng)域的強(qiáng)勁表現(xiàn),預(yù)計(jì)將迎來歷史最佳
2024-10-08 15:58:35642

韓華精密機(jī)械向SK海力士提供HBM設(shè)備

 韓華精密機(jī)械公司正式宣告,已成功向SK海力士提供了高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)生產(chǎn)中的核心設(shè)備——TC測(cè)試設(shè)備。   針對(duì)10月16日部分媒體所報(bào)道的“韓華精密機(jī)械與SK海力士HBM TC
2024-10-18 15:51:08437

三星SK海力士市值份額差距縮至13年最小

韓國交易所近日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示,三星電子與SK海力士的市值份額差距已經(jīng)縮小至近13年來的最低水平。
2024-10-28 15:44:59467

P7+引領(lǐng)能耗管理革新,續(xù)航提升顯著

10月30日,在“小P7+技術(shù)溝通會(huì)”上,小汽車動(dòng)力總成中心負(fù)責(zé)人顧捷先生分享了小P7+在純電能耗管理方面的卓越表現(xiàn)。他強(qiáng)調(diào),小汽車始終將能耗水平視為檢驗(yàn)續(xù)航能力的核心標(biāo)準(zhǔn),拒絕采用簡(jiǎn)單的“堆電池”策略,而是致力于通過系統(tǒng)化方案解決能耗難題。
2024-10-30 15:11:24890

英偉達(dá)加速推進(jìn)HBM4需求,SK海力士等存儲(chǔ)巨頭競(jìng)爭(zhēng)加劇

韓國大型財(cái)團(tuán)SK集團(tuán)的董事長(zhǎng)崔泰源在周一的采訪中透露,英偉達(dá)的首席執(zhí)行黃仁勛已向SK集團(tuán)旗下的存儲(chǔ)芯片制造巨頭SK海力士提出要求,希望其能提前六個(gè)月推出下一代高帶寬存儲(chǔ)產(chǎn)品HBM4SK海力士此前
2024-11-04 16:17:00518

英偉達(dá)向SK海力士提出提前供應(yīng)HBM4芯片要求

近日,韓國SK集團(tuán)會(huì)長(zhǎng)透露了一項(xiàng)重要信息,即英偉達(dá)公司的首席執(zhí)行黃仁勛已向SK海力士提出了一項(xiàng)特殊的要求。黃仁勛希望SK海力士能夠提前六個(gè)月供應(yīng)其下一代高帶寬內(nèi)存芯片,這款芯片被命名為HBM4
2024-11-05 10:52:48298

HBM4需求激增,英偉達(dá)與SK海力士攜手加速高帶寬內(nèi)存技術(shù)革新

董事長(zhǎng)崔泰源透露,英偉達(dá)公司首席執(zhí)行黃仁勛已向SK海力士提出請(qǐng)求,希望其能提前六個(gè)月供應(yīng)最新一代的高帶寬內(nèi)存芯片——HBM4
2024-11-05 14:13:03315

英偉達(dá)加速Rubin平臺(tái)AI芯片推出,SK海力士提前交付HBM4存儲(chǔ)器

日,英偉達(dá)(NVIDIA)的主要高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)供應(yīng)商南韓SK集團(tuán)會(huì)長(zhǎng)崔泰源透露,英偉達(dá)執(zhí)行長(zhǎng)黃仁勛已要求SK海力士提前六個(gè)月交付用于英偉達(dá)下一代AI芯片平臺(tái)Rubin的HBM4存儲(chǔ)芯片。這一消息意味著英偉達(dá)下一代AI芯片平臺(tái)的問世時(shí)間將提前半年。
2024-11-05 14:22:09370

SK海力士推出48GB 16層HBM3E產(chǎn)品

領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,更為未來的高性能計(jì)算市場(chǎng)帶來了全新的可能性。 SK海力士CEO郭魯正(Kwak Noh-Jung)表示,盡管業(yè)界普遍認(rèn)為16層HBM市場(chǎng)將從HBM4時(shí)代開始興起,但SK海力士憑借前瞻性的技術(shù)布局
2024-11-05 15:01:20327

SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片

在近日舉行的SK AI峰會(huì)上,韓國存儲(chǔ)巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出,標(biāo)志著SK海力士在高端存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:05360

特斯拉或向SK海力士三星采購HBM4芯片

近日,SK海力士三星電子正在為特斯拉公司開發(fā)第六代高帶寬內(nèi)存(HBM4)芯片樣品。據(jù)悉,特斯拉計(jì)劃在測(cè)試這兩家公司提供的樣品后,選擇其中一家作為其HBM4芯片的供應(yīng)商。 與微軟、谷歌、Meta等
2024-11-21 14:22:44579

特斯拉也在搶購HBM 4

據(jù)報(bào)道,特斯拉已要求三星SK海力士提供HBM4芯片樣品。這兩家半導(dǎo)體公司都在為特斯拉開發(fā)第六代高帶寬內(nèi)存芯片原型。據(jù)KEDGlobal報(bào)道,特斯拉已要求三星SK海力士供應(yīng)通用的HBM4芯片。預(yù)計(jì)
2024-11-22 01:09:32556

英偉達(dá)、微軟、亞馬遜等排隊(duì)求購SK海力士HBM芯片,這些國產(chǎn)設(shè)備廠迎機(jī)遇

AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM(高帶寬存儲(chǔ)器),是由AMD和SK海力士發(fā)起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM,適用于高存儲(chǔ)器帶寬需求的應(yīng)用場(chǎng)合。如今HBM已經(jīng)發(fā)展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代產(chǎn)品,SK海力士目前是唯一能量產(chǎn)HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:312736

HBM格局生變!傳三星HBM3量產(chǎn)供貨英偉達(dá),國內(nèi)廠商積極布局

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子)根據(jù)韓媒sedaily 的最新報(bào)道,三星華城17號(hào)產(chǎn)線已開始量產(chǎn)并向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3內(nèi)存。同時(shí),美光已經(jīng)為英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E。至此,高端HBM內(nèi)存的供應(yīng)由SK海力士
2024-07-23 00:04:003704

HBM3E量產(chǎn)后,第六代HBM4要來了!

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)眼下各家存儲(chǔ)芯片廠商的HBM3E陸續(xù)量產(chǎn),HBM4正在緊鑼密鼓地研發(fā),從規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)到工藝制程、封裝技術(shù)等都有所進(jìn)展,原本SK海力士計(jì)劃2026年量產(chǎn)HBM4,不過最近
2024-07-28 00:58:134875

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