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電子發燒友網>制造/封裝>今日看點丨美光宣布開發"尖端"HBM4E 工藝 HBM4計劃于2026年量產;領克 Z20 純電 SUV 上市

今日看點丨美光宣布開發"尖端"HBM4E 工藝 HBM4計劃于2026年量產;領克 Z20 純電 SUV 上市

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預計英偉達將于Q1完成HBM3e驗證 2026HBM4將推出

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HBM4為何備受存儲行業關注?

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開始量產HBM3E解決方案

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據悉,R100將運用臺積的N3制程技術及CoWoS-L封裝技術,與之前推出的B100保持一致。同時,R100有望搭載8顆HBM4存儲芯片,以滿足高性能計算需求。
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三星電子組建HBM4團隊,旨在縮短開發周期,提升競爭力

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SK海力士加速HBM4E內存研發,預計2026面市

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SK海力士HBM4E存儲器提前一量產

SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上,由先進HBM技術團隊負責人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進展。SK海力士計劃2026開始,提前一量產其第七代高帶寬存儲器HBM4E。這一消息表明,SK海力士在HBM技術領域的研發速度正在加快。
2024-05-15 11:32:13819

臺積在歐洲技術研討會上展示HBM4的12FFC+和N5制造工藝

目前,我們正在攜手眾多HBM存儲伙伴(如、三星、SK海力士等)共同推進HBM4在先進制程中的全面集成。12FFC+基礎Dies在滿足HBM性能需求的同時,具有顯著的成本優勢;而N5基礎Dies則可在較低功耗條件下實現HBM4的預期速度。
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三星電子考慮采用1c nm DRAM裸片生產HBM4內存

早前在Memcon 2024行業會議上,三星電子代表曾表示,該公司計劃在年底前實現對1c納米制程的大規模生產;而關于HBM4,他們預見在明年會完成研發,并在2026開始量產。
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臺積將采用HBM4,提供更大帶寬和更低延遲的AI存儲方案

在近期舉行的2024歐洲技術研討會上,臺積透露了即將用于HBM4制造的基礎芯片的部分新信息。據悉,未來HBM4將采用邏輯制程生產,而臺積計劃利用其N12和N5制程的改良版來完成這一任務。
2024-05-20 09:14:111088

SK海力士與臺積攜手量產下一代HBM

近日,SK海力士與臺積宣布達成合作,計劃量產下一代HBM(高帶寬內存)。在這項合作中,臺積將主導基礎芯片的前端工藝(FEOL)和后續布線工藝(BEOL),確?;A芯片的質量與性能。而SK海力士則負責晶圓測試和HBM的堆疊工作,確保產品的最終品質與可靠性。
2024-05-20 09:18:46535

臺積準備生產HBM4基礎芯片

在近日舉行的2024歐洲技術研討會上,臺積透露了關于HBM4基礎芯片制造的新進展。據悉,未來HBM4將采用邏輯制程進行生產,臺積計劃使用其N12和N5制程的改良版來完成這一任務。
2024-05-21 14:53:14728

調整2024資本支出預測,加強AI產業HBM投資力度

,這家位于美國愛達荷州波伊西(Boise)的企業,是HBM芯片的三大供應商之一,也是AI服務器所需硬件的關鍵部件。他們生產的最新一代高頻寬存儲器3EHBM3E)被AI芯片巨頭英偉達(NVDA-US)的H200采用。
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HBM投資增加,2024資本支出預測上調至80億美元

科技適度調整了2024的資本開支預估,加大對高帶寬存儲(HBM)半導體生產線的投入力度,以迎合人工智能(AI)領域日益旺盛的需求。
2024-05-22 14:59:48531

與客戶簽下2025HBM訂單,HBM內存預計擴增50%

為了滿足HBM領域的旺盛需求,決定將本財年的資本支出預算由原計劃的75~80億美元調整為80億美元(約合人民幣579.2億元)。
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SK海力士:HBM3E量產時間縮短50%,達到大約80%范圍的目標良率

據報道,SK海力士宣布第五代高帶寬存儲(HBM)—HBM3E的良率已接近80%。
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中國AI芯片和HBM市場的未來

 然而,全球HBM產能幾乎被SK海力士、三星和美壟斷,其中SK海力士占據AI GPU市場80%份額,是Nvidia HBM3內存獨家供應商,且已于今年3月啟動HBM3E量產
2024-05-28 09:40:31906

HBM3E解決方案,高帶寬內存助力AI未來發展

近期發布的內存和存儲產品組合創新備受矚目,這些成就加速了 AI 的發展。 8 層堆疊和 12 層堆疊 HBM3E 解決方案提供業界前沿性能,功耗比競品1低 30%。
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SK海力士HBM技術再創新高,將集成更多功能

SK海力士正全力開發HBM4E存儲設備,意欲打造集計算、緩存和網絡存儲于一身的新型HBM產品,進而提升性能與數據傳輸速率。
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SK海力士HBM4芯片前景看好

瑞銀集團最新報告指出,SK海力士的HBM4芯片預計從2026起,每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內存(HBM)市場的軍企業,SK海力士已在今年2月宣布HBM產能已全部售罄,顯示其產品的強勁需求。
2024-05-30 10:27:22787

志在HBM市場:計劃未來兩大幅提升市占率

在全球高帶寬內存(HBM)市場競爭日益激烈的背景下,(Micron)近日宣布了其雄心勃勃的市場拓展計劃。該公司預計,在2024會計年度,將搶下HBM市場超過20%的份額,而到2025會計年度末,市占率更是計劃挑戰25%的高位。
2024-06-07 09:58:22618

科技計劃擴大HBM生產,或將在馬來西亞建廠

據知情人士透露,全球知名的半導體企業科技正積極布局高帶寬存儲器(HBM)市場。該公司不僅在美國本土建設了先進的高帶寬存儲器測試生產線,還計劃擴建位于愛達荷州博伊西總部的HBM相關研發設施,包括生產和驗證線。
2024-06-21 10:21:26572

臺積攜手創意電子斬獲HBM4關鍵界面芯片大單

在科技浪潮的涌動下,臺積再次展現其行業領導者的地位。據臺媒《經濟日報》6月24日報道,繼獨家代工英偉達、AMD等科技巨頭AI芯片之后,臺積近日攜手旗下創意電子,成功斬獲下一代HBM4(高帶寬內存
2024-06-24 15:06:43742

臺積攜手創意電子,斬獲SK海力士HBM4芯片大單

在全球半導體市場的激烈競爭中,臺積再次憑借其卓越的技術實力和創新能力,攜手旗下子公司創意電子,成功斬獲了SK海力士在下一代HBM4(High Bandwidth Memory 4)芯片領域的重大
2024-06-25 10:13:12604

ASMPT與攜手開發下一代HBM4鍵合設備

在半導體制造技術的持續演進中,韓國后端設備制造商ASMPT與全球知名的內存解決方案提供商公司近日宣布了一項重要的合作。據悉,ASMPT已向提供了專用于高帶寬內存(HBM)生產的演示熱壓(TC)鍵合機,雙方將攜手開發下一代鍵合技術,以支持HBM4的生產。
2024-07-01 11:04:15860

HBM市場雄心勃勃,SK海力士加速應對挑戰

在存儲芯片領域,美國巨頭(Micron)近日釋放了強烈的市場擴張信號,宣布其目標是在2025自然將高帶寬內存(HBM)市場占有率提升至與DRAM市占率相當的水平,即約20%至25%。這一
2024-07-03 09:28:59524

英偉達、臺積與SK海力士攜手,2026量產HBM4內存,能效顯著提升

科技行業持續向AI時代邁進的浪潮中,英偉達、臺積與SK海力士三大巨頭宣布了一項重大合作,旨在通過組建“三角聯盟”共同推進下一代高帶寬內存(HBM)技術的發展,特別是備受矚目的HBM4內存。這一合作不僅標志著半導體行業的一次重要聯手,也為未來數據處理和計算性能的提升奠定了堅實基礎。
2024-07-15 17:28:05785

SK海力士探索無焊劑鍵合技術,引領HBM4創新生產

在半導體存儲技術的快速發展浪潮中,SK海力士,作為全球領先的內存芯片制造商,正積極探索前沿技術,以推動高帶寬內存(HBM)的進一步演進。據最新業界消息,SK海力士正著手評估將無助焊劑鍵合工藝引入其下一代HBM4產品的生產中,這一舉措標志著公司在追求更高性能、更小尺寸內存解決方案上的又一次大膽嘗試。
2024-07-17 15:17:47979

SK海力士攜手臺積,N5工藝打造高性能HBM4內存

在半導體技術日新月異的今天,SK海力士再次引領行業潮流,宣布將采用臺積先進的N5工藝版基礎裸片來構建其新一代HBM4內存。這一舉措不僅標志著SK海力士在高性能存儲解決方案領域的持續深耕,也預示著HBM內存技術即將邁入一個全新的發展階段。
2024-07-18 09:47:53638

今日看點蘋果 iPhone 16 Pro / Max 被曝支持 Wi-Fi 7;三星:HBM3e先進芯片今年量產

1. 三星:HBM3e 先進芯片今年量產,營收貢獻將增長至60% ? 三星電子公司計劃今年開始量產其第五代高帶寬存儲器(HBM)芯片HBM3e,并迅速提高其對營收的貢獻。三星電子表示,該公司預計其
2024-08-01 11:08:11769

三星HBM3e芯片量產在即,營收貢獻將飆升

三星電子公司近日宣布了一項重要計劃,即今年將全面啟動其第五代高帶寬存儲器(HBM)芯片HBM3e量產工作,并預期這一先進產品將顯著提升公司的營收貢獻。據三星電子透露,隨著HBM3e芯片的逐步放量
2024-08-02 16:32:37503

今日看點余承東:鴻蒙智行旗下車型將實現全系標配華為智駕;傳通用汽車大裁軟件與服務部門逾1000人

是半導體設計的最后一步,這意味著將設計圖紙交付給半導體代工廠。因為還制作了掩模,所以它們也被稱為掩模流片(MTO)。 ? HBM4測試產品預計最早于明年初上市,最終的測試產品在流片后需要3~4個月的時間能出來。據悉,三星電子將在驗證首次生產的HBM4產品的
2024-08-20 10:57:22691

三星電子加速推進HBM4研發,預計明年底量產

三星電子在半導體技術的創新之路上再邁堅實一步,據業界消息透露,該公司計劃于今年年底正式啟動第6代高帶寬存儲器(HBM4)的流片工作。這一舉措標志著三星電子正緊鑼密鼓地為明年年底實現12層HBM4產品的量產做足準備。
2024-08-22 17:19:07650

三星、SK海力士及正全力推進HBM產能擴張計劃

近期,科技界傳來重要消息,三星、SK海力士及三大半導體巨頭正全力推進高帶寬內存(HBM)的產能擴張計劃。據預測,至2025,這一領域的新增產量將激增至27.6萬個單位,推動年度總產量翻番至54萬個單位,實現驚人的105%年增長率,標志著HBM產能的顯著飛躍。
2024-08-29 16:43:25876

SK海力士9月底將量產12層HBM3E高性能內存

自豪地宣布,SK 海力士當前市場上的旗艦產品——8層HBM3E,已穩坐行業領導地位,而更進一步的是,公司即將在本月底邁入一個新的里程碑,正式啟動12層HBM3E量產。這一舉措不僅鞏固了SK 海力士在
2024-09-05 16:31:36719

三星攜手臺積,共同研發無緩沖HBM4 AI芯片技術

據最新報道,三星電子與臺積攜手共謀AI芯片的未來,雙方正緊密合作開發下一代高帶寬存儲器(HBM4)芯片,旨在鞏固并加強各自在快速增長的人工智能芯片市場中的領先地位。在Semicon Taiwan
2024-09-06 16:42:091508

三星與臺積合作開發無緩沖HBM4 AI芯片

在科技日新月異的今天,三星電子與臺積兩大半導體巨頭的強強聯合再次引發業界矚目。據最新報道,雙方正攜手并進,共同開發下一代高帶寬存儲器(HBM4)人工智能(AI)芯片,旨在進一步鞏固并提升在快速增長的AI芯片市場的領導地位。
2024-09-09 17:37:51664

12層堆疊HBM3E 36GB內存啟動交付

科技近期宣布,其“生產可用”的12層堆疊HBM3E 36GB內存已成功啟動交付,標志著AI計算領域的一大飛躍。這款先進內存正陸續送達主要行業合作伙伴手中,以全面融入并驗證其在整個AI生態系統中的效能。
2024-09-09 17:42:37778

三星電子或2026HBM4基底技術生產外包給臺積

據媒體報道,摩根士丹利(大摩)的分析指出,三星電子預計將于2026將其HBM4基底技術的生產外包給臺積,并計劃采用12nm至6nm的先進制程技術。同時,展望未來五,該領域有望實現15%至20%的年均復合成長率。
2024-10-10 15:25:30545

三星或將HBM產能目標下調至每月17萬顆

據業內人士透露,三星電子已對其2025底的高帶寬內存(HBM)最大產能目標進行了調整,下調幅度超過10%,從原先計劃的每月20萬顆減至17萬顆。這一變動主要歸因向主要客戶的量產供應遭遇延遲,導致三星對其尖端HBM設備投資計劃采取了更為保守的策略。
2024-10-14 16:00:02390

英偉達加速推進HBM4需求,SK海力士等存儲巨頭競爭加劇

韓國大型財團SK集團的董事長崔泰源在周一的采訪中透露,英偉達的首席執行官黃仁勛已向SK集團旗下的存儲芯片制造巨頭SK海力士提出要求,希望其能提前六個月推出下一代高帶寬存儲產品HBM4。SK海力士此前
2024-11-04 16:17:00558

英偉達向SK海力士提出提前供應HBM4芯片要求

近日,韓國SK集團會長透露了一項重要信息,即英偉達公司的首席執行官黃仁勛已向SK海力士提出了一項特殊的要求。黃仁勛希望SK海力士能夠提前六個月供應其下一代高帶寬內存芯片,這款芯片被命名為HBM4
2024-11-05 10:52:48326

HBM4需求激增,英偉達與SK海力士攜手加速高帶寬內存技術革新

董事長崔泰源透露,英偉達公司首席執行官黃仁勛已向SK海力士提出請求,希望其能提前六個月供應最新一代的高帶寬內存芯片——HBM4。
2024-11-05 14:13:03346

英偉達加速Rubin平臺AI芯片推出,SK海力士提前交付HBM4存儲器

日,英偉達(NVIDIA)的主要高帶寬存儲器(HBM)供應商南韓SK集團會長崔泰源透露,英偉達執行長黃仁勛已要求SK海力士提前六個月交付用于英偉達下一代AI芯片平臺Rubin的HBM4存儲芯片。這一消息意味著英偉達下一代AI芯片平臺的問世時間將提前半年。
2024-11-05 14:22:09405

SK海力士推出48GB 16層HBM3E產品

的領先地位,更為未來的高性能計算市場帶來了全新的可能性。 SK海力士CEO郭魯正(Kwak Noh-Jung)表示,盡管業界普遍認為16層HBM市場將從HBM4時代開始興起,但SK海力士憑借前瞻性的技術布局
2024-11-05 15:01:20348

Rambus推出業界首款HBM4控制器IP

Rambus Inc.,業界知名的芯片和半導體IP供應商,近日宣布了一項重大突破:推出業界首款HBM4(High Bandwidth Memory 4,高帶寬內存4代)內存控制器IP。這一創新成果
2024-11-14 16:33:04459

特斯拉或向SK海力士、三星采購HBM4芯片

近日,SK海力士和三星電子正在為特斯拉公司開發第六代高帶寬內存(HBM4)芯片樣品。據悉,特斯拉計劃在測試這兩家公司提供的樣品后,選擇其中一家作為其HBM4芯片的供應商。 與微軟、谷歌、Meta等
2024-11-21 14:22:44612

特斯拉也在搶購HBM 4

據報道,特斯拉已要求三星和SK海力士提供HBM4芯片樣品。這兩家半導體公司都在為特斯拉開發第六代高帶寬內存芯片原型。據KEDGlobal報道,特斯拉已要求三星和SK海力士供應通用的HBM4芯片。預計
2024-11-22 01:09:32578

HBM格局生變!傳三星HBM3量產供貨英偉達,國內廠商積極布局

電子發燒友網報道(文/吳子鵬)根據韓媒sedaily 的最新報道,三星華城17號產線已開始量產并向英偉達供應HBM3內存。同時,已經為英偉達供應HBM3E。至此,高端HBM內存的供應由SK海力士
2024-07-23 00:04:003760

HBM3E量產后,第六代HBM4要來了!

電子發燒友網報道(文/黃晶晶)眼下各家存儲芯片廠商的HBM3E陸續量產,HBM4正在緊鑼密鼓地研發,從規格標準到工藝制程、封裝技術等都有所進展,原本SK海力士計劃2026量產HBM4,不過最近
2024-07-28 00:58:134919

HBM4到來前夕,HBM熱出現兩極分化

電子發燒友網報道(文/黃晶晶)高帶寬存儲器HBM由于生成式AI的到來而異軍突起,成為AI訓練不可或缺的存儲產品。三大HBM廠商SK海力士、三星電子、科技也因HBM的供應迎來了業績的高增長。只是
2024-09-23 12:00:112589

風景獨好?12層HBM3E量產,16層HBM3E在研,產業鏈涌動

海力士宣布公司已開始量產12H HBM3E芯片,實現了現有HBM產品中最大的36GB容量。該產品堆疊12顆3GB DRAM芯片,實現與現有的8層產品相同的厚度,同時容量提升50%。運行速度提高至
2024-10-06 01:03:003809

400層閃存、HBM4、122TB SSD等,成為2025存儲市場牽引力

? 電子發燒友網報道(文/黃晶晶)在人工智能、數據中心、新能源汽車、智能終端等應用的帶動下,存儲新技術新產品加速到來。例如數據中心市場,不僅是高帶寬HBM持續進階,HBM3EHBM4的演進,企業級
2024-12-16 07:24:001642

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