1. OpenAI開發其下一個主要模型GPT-5的努力正落后于計劃
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OpenAI開發其下一個主要AI模型 GPT-5 的努力正落后于計劃,其結果還不能證明巨大的成本是合理的。這與The Information早些時候的一篇報道相呼應,該報道稱,由于GPT-5可能不像以前的模型那樣代 表著巨大的飛躍,OpenAI正在尋求新的戰略。
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報道包含了有關代號為 Orion 的 GPT-5 歷時 18 個月的開發過程的更多細節。據報道,OpenAI 已經完成了至少兩次大型訓練運行,其目的是通過對大量數據進行訓練來改進模型。 最初的訓練運行比預期的要慢,這暗示著更大規模的運行既費時又費錢。 據報道,雖然GPT-5的性能比前代產品更好,但它的進步還不足以證明維持模型運行的成本是合理的。
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2. 美光宣布開發"尖端"HBM4E 工藝 HBM4計劃于2026年量產
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美光(Micron)公布了下一代 HBM4 和 HBM4E 工藝的最新進展,該公司預計將于 2026 年開始量產。HBM4 有望帶來最先進的性能和效率數據,而這正是提升人工智能計算能力的途徑。 美光與SK海力士和三星等公司一樣,也在爭奪 HBM4 的主導地位,在最新的投資者會議上,該公司透露,他們的 HBM4 開發已步入正軌,HBM4E 的"工作也已開始"。
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美光表示:憑借在成熟的 1 β 工藝技術方面的堅實基礎和持續投資,我們預計美光的 HBM4 將在上市時間和能效方面保持領先地位,同時性能比 HBM3E 提升 50%以上。 我們預計 HBM4 將于 2026 年大批量上市。
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3. 黃仁勛透露GB200生產順利 法人估2月中有望大量出貨
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近期英偉達GB200 AI服務器出貨遞延雜音四起,CEO黃仁勛接受外媒專訪時指出,“GB200正滿載生產、進展順利”中,中國臺灣大型法人機構預估,第一季度GB200大量出貨將落在2月中旬。
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法人機構表示,近期GB200延遲出貨傳言紛雜,即使新產品于生產初期良率較低,但目前第一季度GB200大量出貨將落在2月中旬,出貨時程并未見改變,部估全季GB200出貨量約3000~4000臺,第二季度起,將跳升至6000~7000臺,呼應黃仁勛表示目前GB200滿載生產的論調,辟除市場傳言,維持第一季度量產出貨時間不變。
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4. 英偉達GB300最大供應商鴻海進入研發設計階段
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英偉達預計明年3月GTC大會揭露下一代GB300 AI服務器產品線,鴻海、廣達近期先動起來,進入GB300研發設計階段,提前擁抱商機。據悉,英偉達已初步拍定GB300訂單配置,鴻海仍是最大供應商,預計明年上半年推出實機面市,腳步領先全球同行。
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遭點名的GB300中國臺灣供應鏈不評論客戶新品與動態。業界人士指出,如同蘋果iPhone一年推出一款新機的策略,英偉達CEO黃仁勛先前已揭露,英偉達也將循“一年推一世代AI產品”的步調前進,以時間推算,主要伙伴在歲末年終之際,必須提前作業,才能應對英偉達產品開發腳步。
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5. 又一晶圓廠搬入首批設備,明年5月量產通線
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據武漢未來科技城消息,12月18日,長飛先進武漢基地建設迎來新進展——項目首批設備搬入儀式舉辦。本次設備搬入作為廠房建設發展歷程中的重要一環,標志著長飛先進武漢基地即將邁入工藝驗證新階段,全面投產正式進入倒計時。
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據悉,本次搬入的設備涵蓋芯片制造各個環節,包括薄膜淀積、離子注入、光刻、刻蝕等,將為武漢基地構建全鏈條生產能力、加速通線量產奠定堅實根基。長飛先進武漢基地聚焦第三代半導體功率器件研發與生產,總投資預計超過200億元,其中項目一期總投資80億元,規劃年產36萬片6英寸碳化硅晶圓。目前,長飛先進武漢基地項目正加快推進建設并對設備進行安裝調試,預計2025年5月實現量產通線。
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6. 領克 Z20 純電 SUV 上市:全系標配 L2 + 級智駕,限時 13.59 萬-15.09 萬元
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小型純電 SUV Z20正式上市,該車提供三種不同配置,。全系標配 L2 + 級智駕,限時 13.59 萬-15.09 萬元
新車搭載 Flyme Auto 車機系統,內置億咖通安托拉 1000Plus 計算平臺和 7nm 龍鷹一號芯片。其全系標配 L2 + 級智能輔助駕駛系統,具備全天候泊車能力。領克 Z20 車身尺寸為 4460 × 1845 × 1573 mm,軸距為 2755 mm。此外,該車搭載 61.47 kWh 磷酸鐵鋰“領克高性能金磚”電池,純電續航可達 530 km,支持 4.5C 快充技術,15 分鐘實現電量 10%-80%。動力方面,該車搭載 250 kW 后驅電機,峰值扭矩 373 N?m,最高車速達 190 km/h,零百加速時間為 5.3 秒。
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今日看點丨美光宣布開發"尖端"HBM4E 工藝 HBM4計劃于2026年量產;領克 Z20 純電 SUV 上市
- 美光(51418)
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早前在Memcon 2024行業會議上,三星電子代表曾表示,該公司計劃在年底前實現對1c納米制程的大規模生產;而關于HBM4,他們預見在明年會完成研發,并在2026年開始量產。
2024-05-17 15:54:15461
臺積電將采用HBM4,提供更大帶寬和更低延遲的AI存儲方案
在近期舉行的2024年歐洲技術研討會上,臺積電透露了即將用于HBM4制造的基礎芯片的部分新信息。據悉,未來HBM4將采用邏輯制程生產,而臺積電計劃利用其N12和N5制程的改良版來完成這一任務。
2024-05-20 09:14:111088
SK海力士與臺積電攜手量產下一代HBM
近日,SK海力士與臺積電宣布達成合作,計劃量產下一代HBM(高帶寬內存)。在這項合作中,臺積電將主導基礎芯片的前端工藝(FEOL)和后續布線工藝(BEOL),確?;A芯片的質量與性能。而SK海力士則負責晶圓測試和HBM的堆疊工作,確保產品的最終品質與可靠性。
2024-05-20 09:18:46535
臺積電準備生產HBM4基礎芯片
在近日舉行的2024年歐洲技術研討會上,臺積電透露了關于HBM4基礎芯片制造的新進展。據悉,未來HBM4將采用邏輯制程進行生產,臺積電計劃使用其N12和N5制程的改良版來完成這一任務。
2024-05-21 14:53:14728
美光調整2024年資本支出預測,加強AI產業HBM投資力度
美光,這家位于美國愛達荷州波伊西(Boise)的企業,是HBM芯片的三大供應商之一,也是AI服務器所需硬件的關鍵部件。他們生產的最新一代高頻寬存儲器3E(HBM3E)被AI芯片巨頭英偉達(NVDA-US)的H200采用。
2024-05-22 10:08:20374
HBM投資增加,美光2024年資本支出預測上調至80億美元
美光科技適度調整了2024年的資本開支預估,加大對高帶寬存儲(HBM)半導體生產線的投入力度,以迎合人工智能(AI)領域日益旺盛的需求。
2024-05-22 14:59:48531
美光與客戶簽下2025年HBM訂單,HBM內存預計擴增50%
為了滿足HBM領域的旺盛需求,美光決定將本財年的資本支出預算由原計劃的75~80億美元調整為80億美元(約合人民幣579.2億元)。
2024-05-22 16:13:50662
中國AI芯片和HBM市場的未來
然而,全球HBM產能幾乎被SK海力士、三星和美光壟斷,其中SK海力士占據AI GPU市場80%份額,是Nvidia HBM3內存獨家供應商,且已于今年3月啟動HBM3E量產。
2024-05-28 09:40:31906
美光HBM3E解決方案,高帶寬內存助力AI未來發展
美光近期發布的內存和存儲產品組合創新備受矚目,這些成就加速了 AI 的發展。美光 8 層堆疊和 12 層堆疊 HBM3E 解決方案提供業界前沿性能,功耗比競品1低 30%。
2024-05-28 14:08:13655
SK海力士HBM技術再創新高,將集成更多功能
SK海力士正全力開發HBM4E存儲設備,意欲打造集計算、緩存和網絡存儲于一身的新型HBM產品,進而提升性能與數據傳輸速率。
2024-05-29 16:41:27583
SK海力士HBM4芯片前景看好
瑞銀集團最新報告指出,SK海力士的HBM4芯片預計從2026年起,每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內存(HBM)市場的領軍企業,SK海力士已在今年2月宣布其HBM產能已全部售罄,顯示其產品的強勁需求。
2024-05-30 10:27:22787
美光志在HBM市場:計劃未來兩年大幅提升市占率
在全球高帶寬內存(HBM)市場競爭日益激烈的背景下,美光(Micron)近日宣布了其雄心勃勃的市場拓展計劃。該公司預計,在2024會計年度,將搶下HBM市場超過20%的份額,而到2025會計年度末,市占率更是計劃挑戰25%的高位。
2024-06-07 09:58:22618
美光科技計劃擴大HBM生產,或將在馬來西亞建廠
據知情人士透露,全球知名的半導體企業美光科技正積極布局高帶寬存儲器(HBM)市場。該公司不僅在美國本土建設了先進的高帶寬存儲器測試生產線,還計劃擴建位于愛達荷州博伊西總部的HBM相關研發設施,包括生產和驗證線。
2024-06-21 10:21:26572
臺積電攜手創意電子斬獲HBM4關鍵界面芯片大單
在科技浪潮的涌動下,臺積電再次展現其行業領導者的地位。據臺媒《經濟日報》6月24日報道,繼獨家代工英偉達、AMD等科技巨頭AI芯片之后,臺積電近日攜手旗下創意電子,成功斬獲下一代HBM4(高帶寬內存
2024-06-24 15:06:43742
臺積電攜手創意電子,斬獲SK海力士HBM4芯片大單
在全球半導體市場的激烈競爭中,臺積電再次憑借其卓越的技術實力和創新能力,攜手旗下子公司創意電子,成功斬獲了SK海力士在下一代HBM4(High Bandwidth Memory 4)芯片領域的重大
2024-06-25 10:13:12604
ASMPT與美光攜手開發下一代HBM4鍵合設備
在半導體制造技術的持續演進中,韓國后端設備制造商ASMPT與全球知名的內存解決方案提供商美光公司近日宣布了一項重要的合作。據悉,ASMPT已向美光提供了專用于高帶寬內存(HBM)生產的演示熱壓(TC)鍵合機,雙方將攜手開發下一代鍵合技術,以支持HBM4的生產。
2024-07-01 11:04:15860
美光HBM市場雄心勃勃,SK海力士加速應對挑戰
在存儲芯片領域,美國巨頭美光(Micron)近日釋放了強烈的市場擴張信號,宣布其目標是在2025年自然年將高帶寬內存(HBM)市場占有率提升至與DRAM市占率相當的水平,即約20%至25%。這一
2024-07-03 09:28:59524
英偉達、臺積電與SK海力士攜手,2026年量產HBM4內存,能效顯著提升
科技行業持續向AI時代邁進的浪潮中,英偉達、臺積電與SK海力士三大巨頭宣布了一項重大合作,旨在通過組建“三角聯盟”共同推進下一代高帶寬內存(HBM)技術的發展,特別是備受矚目的HBM4內存。這一合作不僅標志著半導體行業的一次重要聯手,也為未來數據處理和計算性能的提升奠定了堅實基礎。
2024-07-15 17:28:05785
SK海力士探索無焊劑鍵合技術,引領HBM4創新生產
在半導體存儲技術的快速發展浪潮中,SK海力士,作為全球領先的內存芯片制造商,正積極探索前沿技術,以推動高帶寬內存(HBM)的進一步演進。據最新業界消息,SK海力士正著手評估將無助焊劑鍵合工藝引入其下一代HBM4產品的生產中,這一舉措標志著公司在追求更高性能、更小尺寸內存解決方案上的又一次大膽嘗試。
2024-07-17 15:17:47979
SK海力士攜手臺積電,N5工藝打造高性能HBM4內存
在半導體技術日新月異的今天,SK海力士再次引領行業潮流,宣布將采用臺積電先進的N5工藝版基礎裸片來構建其新一代HBM4內存。這一舉措不僅標志著SK海力士在高性能存儲解決方案領域的持續深耕,也預示著HBM內存技術即將邁入一個全新的發展階段。
2024-07-18 09:47:53638
今日看點丨蘋果 iPhone 16 Pro / Max 被曝支持 Wi-Fi 7;三星:HBM3e先進芯片今年量產
1. 三星:HBM3e 先進芯片今年量產,營收貢獻將增長至60% ? 三星電子公司計劃今年開始量產其第五代高帶寬存儲器(HBM)芯片HBM3e,并迅速提高其對營收的貢獻。三星電子表示,該公司預計其
2024-08-01 11:08:11769
三星HBM3e芯片量產在即,營收貢獻將飆升
三星電子公司近日宣布了一項重要計劃,即今年將全面啟動其第五代高帶寬存儲器(HBM)芯片HBM3e的量產工作,并預期這一先進產品將顯著提升公司的營收貢獻。據三星電子透露,隨著HBM3e芯片的逐步放量
2024-08-02 16:32:37503
今日看點丨余承東:鴻蒙智行旗下車型將實現全系標配華為智駕;傳通用汽車大裁軟件與服務部門逾1000人
是半導體設計的最后一步,這意味著將設計圖紙交付給半導體代工廠。因為還制作了光掩模,所以它們也被稱為掩模流片(MTO)。 ? HBM4測試產品預計最早于明年初上市,最終的測試產品在流片后需要3~4個月的時間能出來。據悉,三星電子將在驗證首次生產的HBM4產品的
2024-08-20 10:57:22691
三星電子加速推進HBM4研發,預計明年底量產
三星電子在半導體技術的創新之路上再邁堅實一步,據業界消息透露,該公司計劃于今年年底正式啟動第6代高帶寬存儲器(HBM4)的流片工作。這一舉措標志著三星電子正緊鑼密鼓地為明年年底實現12層HBM4產品的量產做足準備。
2024-08-22 17:19:07650
三星、SK海力士及美光正全力推進HBM產能擴張計劃
近期,科技界傳來重要消息,三星、SK海力士及美光三大半導體巨頭正全力推進高帶寬內存(HBM)的產能擴張計劃。據預測,至2025年,這一領域的新增產量將激增至27.6萬個單位,推動年度總產量翻番至54萬個單位,實現驚人的105%年增長率,標志著HBM產能的顯著飛躍。
2024-08-29 16:43:25876
SK海力士9月底將量產12層HBM3E高性能內存
自豪地宣布,SK 海力士當前市場上的旗艦產品——8層HBM3E,已穩坐行業領導地位,而更進一步的是,公司即將在本月底邁入一個新的里程碑,正式啟動12層HBM3E的量產。這一舉措不僅鞏固了SK 海力士在
2024-09-05 16:31:36719
三星攜手臺積電,共同研發無緩沖HBM4 AI芯片技術
據最新報道,三星電子與臺積電攜手共謀AI芯片的未來,雙方正緊密合作開發下一代高帶寬存儲器(HBM4)芯片,旨在鞏固并加強各自在快速增長的人工智能芯片市場中的領先地位。在Semicon Taiwan
2024-09-06 16:42:091508
三星與臺積電合作開發無緩沖HBM4 AI芯片
在科技日新月異的今天,三星電子與臺積電兩大半導體巨頭的強強聯合再次引發業界矚目。據最新報道,雙方正攜手并進,共同開發下一代高帶寬存儲器(HBM4)人工智能(AI)芯片,旨在進一步鞏固并提升在快速增長的AI芯片市場的領導地位。
2024-09-09 17:37:51664
美光12層堆疊HBM3E 36GB內存啟動交付
美光科技近期宣布,其“生產可用”的12層堆疊HBM3E 36GB內存已成功啟動交付,標志著AI計算領域的一大飛躍。這款先進內存正陸續送達主要行業合作伙伴手中,以全面融入并驗證其在整個AI生態系統中的效能。
2024-09-09 17:42:37778
三星電子或2026年將HBM4基底技術生產外包給臺積電
據媒體報道,摩根士丹利(大摩)的分析指出,三星電子預計將于2026年將其HBM4基底技術的生產外包給臺積電,并計劃采用12nm至6nm的先進制程技術。同時,展望未來五年,該領域有望實現15%至20%的年均復合成長率。
2024-10-10 15:25:30545
三星或將HBM產能目標下調至每月17萬顆
據業內人士透露,三星電子已對其2025年底的高帶寬內存(HBM)最大產能目標進行了調整,下調幅度超過10%,從原先計劃的每月20萬顆減至17萬顆。這一變動主要歸因于向主要客戶的量產供應遭遇延遲,導致三星對其尖端的HBM設備投資計劃采取了更為保守的策略。
2024-10-14 16:00:02390
英偉達加速推進HBM4需求,SK海力士等存儲巨頭競爭加劇
韓國大型財團SK集團的董事長崔泰源在周一的采訪中透露,英偉達的首席執行官黃仁勛已向SK集團旗下的存儲芯片制造巨頭SK海力士提出要求,希望其能提前六個月推出下一代高帶寬存儲產品HBM4。SK海力士此前
2024-11-04 16:17:00558
英偉達向SK海力士提出提前供應HBM4芯片要求
近日,韓國SK集團會長透露了一項重要信息,即英偉達公司的首席執行官黃仁勛已向SK海力士提出了一項特殊的要求。黃仁勛希望SK海力士能夠提前六個月供應其下一代高帶寬內存芯片,這款芯片被命名為HBM4
2024-11-05 10:52:48326
HBM4需求激增,英偉達與SK海力士攜手加速高帶寬內存技術革新
董事長崔泰源透露,英偉達公司首席執行官黃仁勛已向SK海力士提出請求,希望其能提前六個月供應最新一代的高帶寬內存芯片——HBM4。
2024-11-05 14:13:03346
英偉達加速Rubin平臺AI芯片推出,SK海力士提前交付HBM4存儲器
日,英偉達(NVIDIA)的主要高帶寬存儲器(HBM)供應商南韓SK集團會長崔泰源透露,英偉達執行長黃仁勛已要求SK海力士提前六個月交付用于英偉達下一代AI芯片平臺Rubin的HBM4存儲芯片。這一消息意味著英偉達下一代AI芯片平臺的問世時間將提前半年。
2024-11-05 14:22:09405
SK海力士推出48GB 16層HBM3E產品
的領先地位,更為未來的高性能計算市場帶來了全新的可能性。 SK海力士CEO郭魯正(Kwak Noh-Jung)表示,盡管業界普遍認為16層HBM市場將從HBM4時代開始興起,但SK海力士憑借前瞻性的技術布局
2024-11-05 15:01:20348
Rambus推出業界首款HBM4控制器IP
Rambus Inc.,業界知名的芯片和半導體IP供應商,近日宣布了一項重大突破:推出業界首款HBM4(High Bandwidth Memory 4,高帶寬內存4代)內存控制器IP。這一創新成果
2024-11-14 16:33:04459
特斯拉或向SK海力士、三星采購HBM4芯片
近日,SK海力士和三星電子正在為特斯拉公司開發第六代高帶寬內存(HBM4)芯片樣品。據悉,特斯拉計劃在測試這兩家公司提供的樣品后,選擇其中一家作為其HBM4芯片的供應商。 與微軟、谷歌、Meta等
2024-11-21 14:22:44612
特斯拉也在搶購HBM 4
據報道,特斯拉已要求三星和SK海力士提供HBM4芯片樣品。這兩家半導體公司都在為特斯拉開發第六代高帶寬內存芯片原型。據KEDGlobal報道,特斯拉已要求三星和SK海力士供應通用的HBM4芯片。預計
2024-11-22 01:09:32578
HBM格局生變!傳三星HBM3量產供貨英偉達,國內廠商積極布局
電子發燒友網報道(文/吳子鵬)根據韓媒sedaily 的最新報道,三星華城17號產線已開始量產并向英偉達供應HBM3內存。同時,美光已經為英偉達供應HBM3E。至此,高端HBM內存的供應由SK海力士
2024-07-23 00:04:003760
HBM3E量產后,第六代HBM4要來了!
電子發燒友網報道(文/黃晶晶)眼下各家存儲芯片廠商的HBM3E陸續量產,HBM4正在緊鑼密鼓地研發,從規格標準到工藝制程、封裝技術等都有所進展,原本SK海力士計劃2026年量產HBM4,不過最近
2024-07-28 00:58:134919
HBM4到來前夕,HBM熱出現兩極分化
電子發燒友網報道(文/黃晶晶)高帶寬存儲器HBM由于生成式AI的到來而異軍突起,成為AI訓練不可或缺的存儲產品。三大HBM廠商SK海力士、三星電子、美光科技也因HBM的供應迎來了業績的高增長。只是
2024-09-23 12:00:112589
風景獨好?12層HBM3E量產,16層HBM3E在研,產業鏈涌動
海力士宣布公司已開始量產12H HBM3E芯片,實現了現有HBM產品中最大的36GB容量。該產品堆疊12顆3GB DRAM芯片,實現與現有的8層產品相同的厚度,同時容量提升50%。運行速度提高至
2024-10-06 01:03:003809
400層閃存、HBM4、122TB SSD等,成為2025年存儲市場牽引力
? 電子發燒友網報道(文/黃晶晶)在人工智能、數據中心、新能源汽車、智能終端等應用的帶動下,存儲新技術新產品加速到來。例如數據中心市場,不僅是高帶寬HBM持續進階,HBM3E到HBM4的演進,企業級
2024-12-16 07:24:001642
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