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低熱量化學氣相工藝制備氮化硅
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10570關于碳化硅晶須的制備
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以往關于碳化硅晶須的研究較多。碳化硅晶須的強度和模量確實優于氮化硅晶須，但Si3N4晶須比SiC具有更優良的耐高溫、高
強度、高模量、低膨脹和良好的化學穩定性，被認為是增強金屬和陶瓷材料的理想增強組元。
2023-02-21 09:13:470
0國產氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊，提升新能源汽車性能優勢
國產氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊，提升新能源汽車加速度、續航里程、輕量化、充電速度、電池成本5項性能優勢
2023-03-15 17:22:551018
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集成光學新賽道上的新“跨越”
氮化硅材料的引入，為人們提供了一個解決方案。氮化硅不僅具有多項優異的光學特性，而且氮化硅片上集成光波導的加工也能完美兼容當下標準的CMOS硅芯片制造工藝。目前，世界上僅少數幾個實驗室實現了0.01 dB每厘米甚至更低的光傳輸損耗。
2023-03-22 09:49:29506
506高效率低能耗干法超細研磨與分散壓電陶瓷等硬質礦物材料技術升級
氮化硅研磨環由于研磨環存在內外氣壓差，可以在密閉的真空或者很濃密的場景中快速的上下運動，氮化硅磨介圈在大的球磨機里不僅起到研磨粉碎的作用，更重要的是眾多的氮化硅磨介圈環會發生共振現象，氮化硅
2023-03-31 11:40:35597
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氮化硅陶瓷基板的市場優勢和未來前景
氮化硅基板是一種新型的材料，具有高功率密度、高轉換效率、高溫性能和高速度等特點。這使得氮化硅線路板有著廣泛的應用前景和市場需求，正因為如此斯利通現正全力研發氮化硅作為基材的線路板。
2023-04-11 12:02:401364
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多孔氮化硅陶瓷天線罩材料制備及性能研究
近日，上海玻璃鋼研究院有限公司的高級工程師趙中堅沿著該思路，以純纖維狀α-Si3N4粉為主要原料，通過添加一定比例氧化物燒結助劑，經冷等靜壓成型和氣氛保護無壓燒結工藝燒結制備出了能充分滿足高性能導彈天線罩使用要求的多孔氮化硅陶瓷。
2023-04-16 10:30:461279
1279國產氮化硅陶瓷基板邂逅碳化硅功率模塊，國產新能源汽車開啟性能狂飆模式
新能源電動汽車爆發式增長的勢頭不可阻擋，氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊，對提升新能源汽車加速度、續航里程、充電速度、輕量化、電池成本等各項性能尤為重要。
2023-05-02 09:28:451170
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高導熱氮化硅陶瓷基板研究現狀
的要求，傳統的陶瓷基板如AlN、Al2O3、BeO等的缺點也日益突出，如較低的理論熱導率和較差的力學性能等，嚴重阻礙了其發展。相比于傳統陶瓷基板材料，氮化硅陶瓷由于
2022-12-05 10:57:121388
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陶瓷基板制備工藝研究進展
目前常用的高導熱陶瓷粉體原料有氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）、碳化硅（SiC）和氧化鈹（BeO）等。隨著國家大力發展綠色環保方向，由于氧化鈹有毒性逐漸開始退出歷史的舞臺。
2023-06-27 15:03:56544
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氮化硅陶瓷在四大領域的研究及應用進展
氮化硅陶瓷軸承球與鋼質球相比具有突出的優點:密度低、耐高溫、自潤滑、耐腐蝕。疲勞壽命破壞方式與鋼質球相同。陶瓷球作為高速旋轉體產生離心應力，氮化硅的低密度降低了高速旋轉體外圈上的離心應力。
2023-07-05 10:37:061561
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氮化硅是半導體材料嗎 氮化硅的性能及用途
氮化硅是一種半導體材料。氮化硅具有優異的熱穩定性、機械性能和化學穩定性，被廣泛應用于高溫、高功率和高頻率電子器件中。它具有較寬的能隙（大約3.2電子伏特），并可通過摻雜來調節其導電性能，因此被視為一種重要的半導體材料。
2023-07-06 15:44:433823
3823沉積氮化硅薄膜的重要制備工藝——PECVD鍍膜
PECVD作為太陽能電池生產中的一種工藝，對其性能的提升起著關鍵的作用。PECVD可以將氮化硅薄膜沉積在太陽能電池片的表面，從而有效提高太陽能電池的光電轉換率。但為了清晰客觀的檢測沉積后太陽能電池
2023-09-27 08:35:491775
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國科光芯實現傳輸損耗-0.1dB/cm（1550 nm波長）級別氮化硅硅光芯片的量產
據麥姆斯咨詢報道，經過兩年、十余次的設計和工藝迭代，國科光芯（海寧）科技股份有限公司（簡稱：國科光芯）在國內首個8英寸低損耗氮化硅硅光量產平臺，實現了傳輸損耗-0.1 dB/cm（1550 nm波長
2023-11-17 09:04:54656
656碳化硅和氮化鎵哪個好
、結構、制備方法、特性以及應用方面存在著一些差異。以下將詳細介紹碳化硅和氮化鎵的區別。 1. 物理性質 碳化硅是由碳和硅元素組成的化合物，具有多種晶體結構，包括六方晶系、三方晶系和立方晶系。它具有較高的熔點、硬度、熱導率和
2023-12-08 11:28:51742
742京瓷利用SN氮化硅材料研發高性能FTIR光源
京瓷株式會社（以下簡稱京瓷）成功研發用于FTIR※的氮化硅（Silicon Nitride，以下簡稱SN）高性能光源。
2023-12-15 09:18:06234
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TOPCon核心工藝技術路線盤點
TOPCon 電池的制備工序包括清洗制絨、正面硼擴散、BSG 去除和背面刻蝕、氧化層鈍化接觸制備、正面氧化鋁沉積、正背面氮化硅沉積、絲網印刷、燒結和測試分選，約 12 步左右。從技術路徑角度：LPCVD 方式為目前量產的主流工藝，預計 PECVD 路線有望成為未來新方向。
2023-12-26 14:59:112733
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氮化鎵芯片生產工藝有哪些
氮化鎵芯片是一種新型的半導體材料，由于其優良的電學性能，廣泛應用于高頻電子器件和光電器件中。在氮化鎵芯片的生產工藝中，主要包括以下幾個方面：材料準備、芯片制備、工廠測試和封裝等。 首先，氮化鎵芯片
2024-01-10 10:09:41506
506LPCVD技術助力低應力氮化硅膜制備
LPCVD是低壓化學氣相沉積（low-pressurechemical vapor deposition）的縮寫，低壓主要是相對于常壓的APCVD而言，主要區別點就是工作環境的壓強，LPCVD的壓強通常只有10~1000Pa，而APCVD壓強約為101.3KPa。
2024-01-22 10:38:35167
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工商網監
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