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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>工藝綜述>新型IGBT軟開關(guān)在應(yīng)用中的損耗

新型IGBT軟開關(guān)在應(yīng)用中的損耗

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電磁感應(yīng)加熱的原理是什么?有什么方法可以將電磁感應(yīng)加熱應(yīng)用的IGBT功率損耗降至最低嗎?
2021-05-10 06:41:13

雜散電感對(duì)高效IGBT4逆變器設(shè)計(jì)的影響

100nH時(shí)的開關(guān)損耗度,我們選用了一種接近T4芯片合理使用限值的模塊。因此,我們選擇了一個(gè)采用常見62 mm封裝的300A半橋配置作為平臺(tái),而模塊則分別搭載三款IGBT4 芯片。這三個(gè)模塊采用相同
2018-12-10 10:07:35

柵極電阻RG對(duì)IGBT開關(guān)特性有什么影響?

柵極電阻RG對(duì)IGBT開關(guān)特性有什么影響?
2021-06-08 06:56:22

英飛凌IGBT:BSM150GB60DLC怎么樣

我在做開關(guān),使用的是英飛凌IGBT:BSM150GB60DLC,在大負(fù)載時(shí)驅(qū)動(dòng)波形會(huì)有振蕩現(xiàn)象,有個(gè)別大神說可能是IGBT問題,有用過這個(gè)信號(hào)的大神嗎?這個(gè)管子怎么樣?
2019-03-14 16:50:48

英飛凌第四代IGBT—T4在開關(guān)逆變焊機(jī)的應(yīng)用

摘要:逆變焊機(jī)由于其自身多種優(yōu)點(diǎn)已被越來越廣泛應(yīng)用于各種焊接場合,而開關(guān)技術(shù)由于能顯著降低功率開關(guān)開關(guān)損耗和EMI已被廣泛運(yùn)用于逆變焊機(jī)。為了得到更低整體損耗開關(guān)逆變焊機(jī)需要一種低飽和壓降
2018-12-03 13:47:57

請(qǐng)問下Multisim的延時(shí)開關(guān)在

我用的是13.0這是PSpice的延時(shí)開關(guān),請(qǐng)問Multisim的延時(shí)開關(guān)在哪里呢??死找也找不到.本人大一新手求教
2015-04-04 19:19:57

請(qǐng)問快捷鍵顏色開關(guān)在哪里設(shè)置的?

請(qǐng)問快捷鍵:顏色開關(guān)在哪里設(shè)置的?
2019-06-03 05:35:10

高頻功率切換損耗低,高速IGBT增強(qiáng)PV變頻器效能

一種可能的方式就是使用更為精細(xì)的閘極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。 HS3 IGBT是經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的高效率切換開關(guān),適合用在太陽能變頻器或不斷電系統(tǒng)(UPS)之類的高頻率硬切換應(yīng)用。仿真的結(jié)果也支持這些發(fā)現(xiàn),同時(shí)顯示HS3 IGBT適合在操作切換頻率超過7.5kHz的應(yīng)用,當(dāng)做最新型的切換開關(guān)使用。
2018-10-10 16:55:17

寄生電感在 IGBT開關(guān)損耗測(cè)量中的影響

MOS門極功率開關(guān)元件的開關(guān)損耗受工作電壓、電流、溫度以及門極驅(qū)動(dòng)電阻等因素影響,在測(cè)量時(shí)主要以這些物理量為參變量。但測(cè)量的非理想因素對(duì)測(cè)量結(jié)果影響是值得注意的,
2009-04-08 15:21:3232

IGBT損耗計(jì)算和損耗模型研究

IGBT損耗計(jì)算和損耗模型研究:器件的損耗對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)堯器件參數(shù)及散熱器的選擇相當(dāng)重要。損耗模型主要分為兩大類院基于物理結(jié)構(gòu)的IGBT損耗模型淵physics-based冤和基于數(shù)學(xué)方法的IG
2009-06-20 08:33:5396

新型開關(guān)全橋變換器IGBT高速驅(qū)動(dòng)電路

摘要:提出一種適用于軟開關(guān)全橋變換器的IGBT新型驅(qū)動(dòng)電路,它采用脈沖變壓器隔離,無需附加單獨(dú)浮地電源。IGBT柵源之間沒有振蕩現(xiàn)象,死區(qū)時(shí)間可調(diào)節(jié),驅(qū)動(dòng)電路對(duì)元件參數(shù)變
2010-05-11 08:48:51279

RSD開關(guān)在脈沖電源中的應(yīng)用研究

RSD開關(guān)在脈沖電源中的應(yīng)用研究
2006-04-21 00:04:472314

用兩只雙連開關(guān)在兩地控制兩盞燈

用兩只雙連開關(guān)在兩地控制兩盞燈
2007-09-10 09:02:333489

TOP開關(guān)在開關(guān)電源中應(yīng)用電路圖

TOP開關(guān)在開關(guān)電源中應(yīng)用電路圖
2009-05-12 14:33:511861

采用新型IGBT優(yōu)化軟開關(guān)應(yīng)用中的損耗

IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面:通過采用和改進(jìn)溝槽柵來優(yōu)化垂直方向載流子濃度,以及利用“場終止”概念(也有稱為“
2011-01-10 13:07:36726

IGBT損耗計(jì)算和損耗模型研究

器件的損耗對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)堯器件參數(shù)及散熱器的選擇相當(dāng)重要遙損耗模型主要分為兩大類院基于物理結(jié)構(gòu)的IGBT損耗模型淵physics-based冤和基于數(shù)學(xué)方法的IGBT損耗模型遙對(duì)近年來的各種研究
2011-09-01 16:38:4565

IGBT快速損耗計(jì)算方法

針對(duì)目前PWM 逆變器中廣泛使用的IGBT,提出了一種快速損耗計(jì)算方法。該方法只需已知所使用的IGBT 器件在額定狀態(tài)下的特性參數(shù),就可以快速估算各種條件下的功率損耗。該方法的計(jì)算
2011-09-01 16:42:33111

{1}--8.1開關(guān)的基本概念

開關(guān)
學(xué)習(xí)電子知識(shí)發(fā)布于 2022-11-26 22:00:37

8.1.2{1}--8.1開關(guān)的分類

開關(guān)
學(xué)習(xí)電子知識(shí)發(fā)布于 2022-11-26 22:00:55

Fairchild大幅降低IGBT損耗,助力工業(yè)和汽車應(yīng)用中效率的提升

Fairchild將在PCIM Asia上介紹如何通過打破硅“理論上”的限制 來將IGBT 開關(guān)損耗降低30%
2015-06-15 11:09:231029

基于IGBT功率逆變器損耗準(zhǔn)建模方法

電子資料論文:基于IGBT功率逆變器損耗準(zhǔn)建模方法
2016-07-06 15:14:4727

寄生電感對(duì)IGBT開關(guān)損耗測(cè)量平臺(tái)的搭建

MOS門極功率開關(guān)元件的開關(guān)損耗受工作電壓、電流、溫度以及門極驅(qū)動(dòng)電阻等因素影響,在測(cè)量時(shí)主要以這些物理量為參變量。但測(cè)量的非理想因素對(duì)測(cè)量結(jié)果影響是值得注意的,比如常見的管腳引線電感。本文在理論分析和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)基礎(chǔ)上闡述了各寄生電感對(duì)IGBT開關(guān)損耗測(cè)量結(jié)果的影響。
2017-09-08 16:06:5221

IGBT參數(shù)的定義與PWM方式開關(guān)電源中IGBT損耗分析

不同, 通過IGBT 數(shù)據(jù)手冊(cè)給出的參數(shù)不能確切得出應(yīng)用條件下IGBT損耗。比較好的方法是通過測(cè)量行業(yè)確定IGBT 數(shù)據(jù)手冊(cè)中參數(shù)的測(cè)量條件與實(shí)際應(yīng)用環(huán)境的差別, 并介紹IGBT損耗的簡單測(cè)量方法。 IGBT 參數(shù)的定義 廠商所提供的IGBT 開關(guān)參數(shù)通常是在純感性負(fù)載下
2017-09-22 19:19:3730

一種IGBT損耗精確計(jì)算的使用方法

為精確計(jì)算光伏逆變器的IGBT損耗,指導(dǎo)系統(tǒng)熱設(shè)計(jì),提出了一種IGBT損耗精確計(jì)算的實(shí)用方法。以可視化的T程計(jì)算T具M(jìn)athCAD為載體,基于SVPWM矢量控制原理,建立了光伏逆變器IGBT實(shí)際
2017-12-08 10:36:0264

新手誤區(qū):“小管子發(fā)熱小,大管子發(fā)熱大。”IGBT的真相原來是這樣

Q: 實(shí)際應(yīng)用中,IGBT開關(guān)頻率上限應(yīng)如何確定? A: 開關(guān)頻率是指IGBT在一秒鐘內(nèi)的開關(guān)次數(shù)。而在確定的母線電壓和導(dǎo)通電流下,IGBT每次開關(guān)都會(huì)產(chǎn)生一定的損耗,開通損耗是Eon,關(guān)斷損耗
2020-09-17 16:33:576039

一種基于IGBT的雙管正激軟開關(guān)電源的研究與設(shè)計(jì)

或電流幅值的變換,或者是交流電的頻率、相位等變換,軟開關(guān)電源輸入和輸出都是電能,它屬于變換電能的電源。本論文研究了一種新型雙管正激軟開關(guān)DC/DC變換器電路拓?fù)洹V鞴β势骷捎?b class="flag-6" style="color: red">IGBT元件,由功率二極管、電感、電容組成的諧振網(wǎng)絡(luò)改善IGBT開關(guān)條件,克服了傳統(tǒng)開關(guān)在開通和閉合過程中會(huì)產(chǎn)生功率損耗...
2021-09-17 09:34:3921

開關(guān)損耗原理分析

一、開關(guān)損耗包括開通損耗和關(guān)斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導(dǎo)通時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗;關(guān)斷損耗是指功率管從導(dǎo)通到截止時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗。二、開關(guān)損耗原理分析:(1)、非理想的開關(guān)管在開通時(shí),開關(guān)
2021-10-22 10:51:0611

開關(guān)損耗測(cè)試方案中的探頭應(yīng)用

如今的開關(guān)電源技術(shù)很大程度上依托于電源半導(dǎo)體開關(guān)器件,如MOSFET和IGBT。這些器件提供了快速開關(guān)速度,能夠耐受沒有規(guī)律的電壓峰值。同時(shí)在On或Off狀態(tài)下小號(hào)的功率非常小,實(shí)現(xiàn)了很高的轉(zhuǎn)化效率
2021-11-23 15:07:571095

IGBT開關(guān)損耗產(chǎn)生的原因與PiN二極管的正向恢復(fù)特性

大家好,這期我們?cè)倭囊幌?b class="flag-6" style="color: red">IGBT的開關(guān)損耗,我們都知道IGBT開關(guān)損耗產(chǎn)生的原因是開關(guān)暫態(tài)過程中的電壓、電流存在交疊部分,由于兩者都為正,這樣就會(huì)釋放功率,對(duì)外做功產(chǎn)生熱量。那為什么IGBT開關(guān)
2022-04-19 16:00:383401

如何計(jì)算IGBT損耗

今天作者就幫大家打開這個(gè)黑盒子,詳細(xì)介紹一下IGBT損耗計(jì)算方法同時(shí)一起復(fù)習(xí)一下高等數(shù)學(xué)知識(shí)。
2023-02-07 15:32:381758

RGWxx65C系列IGBT在FRD+IGBT的車載充電器案例中,開關(guān)損耗降低67%

內(nèi)置SiC肖特基勢(shì)壘二極管的IGBT:RGWxx65C系列內(nèi)置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD+IGBT的車載充電器案例中開關(guān)損耗降低67%關(guān)鍵詞 ? SiC肖特基勢(shì)壘二極管(...
2023-02-08 13:43:19434

全SiC功率模塊的開關(guān)損耗

全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比,具有1)可大大降低開關(guān)損耗、2)開關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢(shì)。
2023-02-08 13:43:22673

IGBT模塊開關(guān)損耗計(jì)算方法

0 引言 絕緣柵型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是由MOSFET和功率雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件。IGBT既具有MOSFET的高速開關(guān)
2023-02-22 15:19:511

IGBT有哪些特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

是流控、而MOSFET是壓控。BJT導(dǎo)通損耗小,但開關(guān)損耗大;三個(gè)電極,分別是基極(B)、集電極(C)、發(fā)射極(E)MOSFET開關(guān)損耗小,但導(dǎo)通損耗大,三個(gè)電極,分別是柵極(G)、漏極(D)、源極(S)而IGB
2023-02-22 14:00:530

開關(guān)功率器件(MOSFET IGBT)損耗仿真方法

說明:IGBT 功率器件損耗與好多因素相關(guān),比如工作電流,電壓,驅(qū)動(dòng)電阻。在出設(shè)計(jì)之前評(píng)估電路的損耗有一定的必要性。在確定好功率器件的驅(qū)動(dòng)參數(shù)后(驅(qū)動(dòng)電阻大小,驅(qū)動(dòng)電壓等),開關(guān)器件的損耗基本上
2023-02-22 14:05:543

IGBT導(dǎo)通損耗開關(guān)損耗

從某個(gè)外企的功率放大器的測(cè)試數(shù)據(jù)上獲得一個(gè)具體的感受:導(dǎo)通損耗60W開關(guān)損耗251。大概是1:4.5 下面是英飛凌的一個(gè)例子:可知,六個(gè)管子的總功耗是714W這跟我在項(xiàng)目用用的那個(gè)150A的模塊試驗(yàn)測(cè)試得到的總功耗差不多。 導(dǎo)通損耗開關(guān)損耗大概1:2
2023-02-23 09:26:4915

IGBT結(jié)溫估算—(二)IGBT/Diode損耗的計(jì)算

IGBT模塊損耗包含IGBT損耗和Diode損耗兩部分
2023-05-26 11:21:231257

igbt開關(guān)和硬開關(guān)的區(qū)別

速度、效率、損耗、應(yīng)用范圍等方面有一些不同之處。 工作原理: 硬開關(guān)模式下,當(dāng)IGBT開關(guān)從關(guān)斷狀態(tài)切換到導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),由于電流和電壓較大,會(huì)產(chǎn)生大量的開關(guān)損耗。而在軟開關(guān)模式下,IGBT開關(guān)轉(zhuǎn)換過程中能夠在合適的時(shí)機(jī)通過控制電壓和電流的波形,來減少開關(guān)損耗開關(guān)速度: 硬開關(guān)
2023-12-21 17:59:32658

IGBT高壓開關(guān)的優(yōu)點(diǎn)說明

IGBT高壓開關(guān)的優(yōu)點(diǎn)說明 IGBT是一種高壓開關(guān)器件,它結(jié)合了 MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn),具有許多獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。在本文中,我們將詳細(xì)地探討IGBT的優(yōu)點(diǎn),以便更好地理解其在不同領(lǐng)域的應(yīng)用。 首先
2024-01-04 16:35:47789

?IGBT模塊的損耗特性介紹

IGBT元件的損耗總和分為:通態(tài)損耗開關(guān)損耗開關(guān)損耗分別為開通損耗(EON)和關(guān)斷損耗(EOFF)之和。
2024-01-12 09:07:171028

Vishay發(fā)布五款新型半橋IGBT功率模塊

的Trench IGBT技術(shù),為設(shè)計(jì)者提供兩種卓越的技術(shù)選項(xiàng):低VCE(ON)或低Eoff。這極大地降低了在運(yùn)輸、能源及工業(yè)應(yīng)用中大電流逆變級(jí)的導(dǎo)通或開關(guān)損耗
2024-03-08 11:45:51266

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