薄膜太陽能電池需要什么材料？首先是制備薄膜電池沉積所用的氣體
硅烷(SiH4)
硅烷(B2H6)
磷烷(PH3)
還有就是沉積基: TCO 導電玻璃
背電極,一般都是鋁.
別的就是
2009-10-31 10:57:54
1046 外延工藝是指在襯底上生長完全排列有序的單晶體層的工藝。一般來講，外延工藝是在單晶襯底上生長一層與原襯底相同晶格取向的晶體層。外延工藝廣泛用于半導體制造，如集成電路工業的外延硅片。MOS 晶體管
2023-02-13 14:35:4710448 光電子應用正在推動砷化鎵（GaAs）晶圓和外延片市場進入一個新時代！在GaAs射頻市場獲得成功之后，GaAs光電子正成為一顆冉冉升起的新星
2019-09-03 06:05:38
導電橡膠板是將玻璃鍍銀、鋁鍍銀、銀等導電顆粒均勻分布在硅橡膠中，通過壓力使導電顆粒接觸，達到良好的導電性能。在軍事和商業上都有應用。
2019-10-28 09:12:05
導電膠條是將玻璃纖維鍍銀、鋁鍍銀、銅鍍銀、銀、石墨鍍鎳、鎳鍍銀、低密度銀、高密度銀、純鎳、碳黑等等微細導電顆粒，均勻分布在硅橡膠中，通過壓力使導電顆粒接觸而達到良好導電性能的方法制成。
2019-10-25 09:11:07
具有導電功能的薄膜。導電薄膜的荷電載流子在輸運過程中受到表面和界面的散射，當薄膜的厚度可與電子的自由程相比擬時，在表面和界面的影響將變得顯著，這個現象稱為薄膜的尺寸效應。
2019-11-06 09:11:49
閘極,區域圖樣,隋后玻璃基板經光阻剝離洗凈,再以薄膜區電漿輔助化學相沉積機臺形成用作主動區域,經過一系列的協作.
2020-04-03 09:01:06
正確地進行顯示觀察孔的屏蔽設計是至關重要的。 二、透光屏蔽材料大致分為以下三類： （1）薄膜類： 金屬鍍膜玻璃：金屬鍍膜玻璃是采用真空濺射等工藝在普通或鋼化玻璃表面形成致密導電膜而制成的，具有透光率
2014-09-12 17:32:17
`薄膜壓力傳感器廠家-我們的傳感器品牌是WIKON,國產的，下圖是我們傳感器在壓力觸控筆上的應用`
2019-05-04 17:57:54
低電阻，低溫條件下固化的導電性涂料印刷而成。因此，整個薄膜開關的組成，具有一定的柔軟性，不僅適合于平面體上使用，還能與曲面體配合。柔性薄膜開關引出線與開關體的本身是一體的，在制作群體開關的聯機時，將其
2015-01-07 13:46:11
薄膜開關，一般就是一個很薄的、彈性很好的白鋼片，與下面的極板（電路板銅箔或其它金屬片）之間隔了一層絕緣薄膜，按下薄膜開關，白鋼片向下變形，與下面的極板接觸導電，手離開后，白鋼片反彈回來，電路斷開。
2019-10-17 09:01:11
的，如Q值、ESR，絕緣電阻的變化以及電容值在整個指定的容差范圍內的變化。盡管在許多應用場合中，這些參數變化并不會產生負面影響，目前在薄膜元件生產領域的技術突破為，設計人員提供了生產高頻微波元件的一種替代
2019-07-10 07:52:18
ITO薄膜在可見光之范圍內，鍍膜之透光率與導電鍍率約成反比之關系；例如，當鍍膜面電阻率在10Ω/sq以下時，可見光透光率可達80%,但若透光率欲達到90%以上，則面電阻必須提高至100Ω/sq以上。
2019-11-06 09:01:36
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用金端接，用導電膠合的新系列精密薄膜片式電阻。MC ATAU系列的外形尺寸為0402和0603，可在+ 155 ℃高溫下工
2014-08-08 14:15:16
膠、底部填充膠、TUFFY膠、LCM密封膠、UV膠、各向異性導電膠、太陽能電池導電漿料等九大系列光電膠粘劑具有最高的產品性價比，公司在全球擁有近百家世界五百強客戶。最近，UNINWELL國際與上海常祥
2008-12-05 15:25:06
膠、底部填充膠、TUFFY膠、LCM密封膠、UV膠、各向異性導電膠、太陽能電池導電漿料等九大系列光電膠粘劑具有最高的產品性價比，公司在全球擁有近百家世界五百強客戶。最近，UNINWELL國際與上海常祥
2008-12-05 15:21:40
/index.html 摘要：在 GaAs 傳感梁表面的適當位置通過空氣橋技術形成薄膜，它們本身固定在端部的剛性框架上，如圖 1 所示。當外部加速度施加到加速度計時，地震塊將發生位移由于慣性力。地震質量的這種運動
2021-07-07 10:22:15
(HVPE)、 氨熱生長、和液相外延 (LPE)。 塊狀晶體生長后，晶體經歷晶圓加工，包括切割、研磨、機械拋光和化學機械拋光 (CMP)。機械加工產生的表面具有密集的劃痕和損壞網絡。然而，要通過同質外延在
2021-07-07 10:26:01
，非常需要尋找可能更適合器件制造的其他蝕刻劑。2. 蝕刻率研究在我們的研究中，我們使用通過低壓金屬有機化學氣相沉積在半絕緣、Cr 摻雜、取向的 GaAs 襯底上生長的 InGaP 層。AsH3、PH3
2021-07-09 10:23:37
℃下退火1 h并隨爐冷卻至室溫，之后酸洗去除基板表面的銅氧化層．其中熒光玻璃可通過控制薄膜厚度來調節發光性能．然后，將p型和n型熱電粒子按照次序擺入放置在熱端上的模具中，并對準陶瓷基板上涂覆有
2023-02-22 15:56:12
導電銀漿AS6080P，可以極大的提高生產效率。7）豪華車星空頂制作。以星空全景玻璃為例，在全景玻璃天窗上印刷很多小圖形，推薦善仁新材的低溫導電銀漿AS6087；小圖形要和透明覆蓋層上的線路粘結導通，推薦善仁新材的低溫固化導電銀膠AS6080H。
2022-04-15 15:38:13
我想了解關于LED關于外延片生長的結構，謝謝
2013-12-11 12:50:27
改變，從而影響錫須的生長速度。本文討論在電子設備工程聯合委員會（JEDEC）推薦的三個測試條件下進行的測試。在一定程度上，這些測試代表一些常見的實地應用條件。在測試結果的基礎上研制減輕錫須生長的技術
2015-03-13 13:36:02
MOLECULAR BEAM EPITAXY: PRINCIPLES AND APPLICATIONS個人覺得不錯，拿出來分享。
2014-07-28 17:16:42
是單晶襯底的延續，而且與襯底的晶向保持對應的關系。在半導體科學技術的發展中，氣相外延發揮了重要作用，典型代表是Si氣相外延和GaAs以及固溶體氣相外延。Si氣相外延是以高純氫氣作為輸運和還原氣體，在
2018-09-03 09:31:49
`將多壁碳納米管（MWNT）作為導電填充物混入高分子材料SBS中，產生的導電高分子復合材料具有獨特的導電性。實驗驗證摻雜MWNT濃度約為1wt%的SBS材料具有良好的滲流特性，在外力作用下SBS薄膜
2011-03-08 13:13:50
領導的存儲器研究小組提出了一種通過增強功能層薄膜中的局域電場來控制導電細絲的生長位置和方向的方法。通過控制導電細絲的生長過程，從本質上減小導電細絲生長的隨機性，從而減小ReRAM器件轉變參數離散性
2010-12-29 15:13:32
的圖形，包括開關的聯機及其引出線均采用低電阻，低溫條件下固化的導電性涂料印刷而成。因此，整個薄膜開關的組成，具有一定的柔軟性，不僅適合于平面體上使用，還能與曲面體配合。柔性薄膜開關引出線與開關體的本身
2012-07-27 09:46:32
的，所以在植物生長時不需要噴灑農藥就可以避免植物受到害蟲的侵害。這種玻璃和無土栽培技術相結合，我們可以讓長期遠離陸地的飛行人員吃上新鮮的綠色蔬菜，這種技術更可以應用在艦艇上和沙漠中。我國LED轉光生態玻璃已經獲得了國家9項專利認證。這種技術只有少數國家才有，我國便是其中一個。黑龍江建材網
2013-06-06 14:22:54
什么是方塊電阻 方塊電阻又稱膜電阻，是用于間接表征薄膜膜層、玻璃鍍膜膜層等樣品上的真空鍍膜的熱紅外性能的測量值，該數值大小可直接換算為熱紅外輻射率。方塊電阻的大小與樣品尺寸無關，其單位為
2020-06-19 16:40:37
的外延生長生產，條形(電極)以微米級可控的光刻法制作?！炯す舛O管的芯片結構】法布里-珀羅型LD:一種最簡單的激光二極管的結構。外延生長:薄膜結晶生長技術的一種，在原有晶片上進行生長，使之以電路板結晶面一致的結晶排列生長。光刻法:一種將涂敷了感光性物質的表面曝光，利用曝光部分和未曝光部分生成圖案的技術。
2019-07-04 04:20:44
輻射到另一面時受到抑制或衰減。 電磁屏蔽薄膜主要是靠具有導電性能的材料(Ag，ITO氧化銦錫等)制成的薄膜，可以鍍在玻璃上，或是在其它的基板上，如塑料薄膜上，材料主要性能指標是:透光率，和屏蔽效能，即有
2016-07-13 13:56:14
外延生長法(LPE)外延生長法(epitaxial growth)能生長出和單晶襯底的原子排列同樣的單晶薄膜。在雙極型集成電路中，為了將襯底和器件區域隔離(電絕緣)，在P型襯底上外延生長N型單晶硅層
2019-08-16 11:09:49
由于透明導電薄膜具有優異的光電性能，因而被廣泛地應用于各種光電器件中。
2019-09-27 09:01:18
透明導電膜玻璃是指在平板玻璃表面通過物理或化學鍍膜方法均勻的鍍上一層透明的導電氧化物薄膜而形成的組件。對于薄膜太陽能電池來說，由于中間半導體層幾乎沒有橫向導電性能，因此必須使用透明導電膜玻璃有效收集
2019-10-29 09:00:52
采用真空熱蒸發法在石英玻璃基片上制備了具有特殊微柱狀結構的碘化銫閃爍薄膜。運用掃描電子顯微鏡、X射線衍射儀和熒光光譜儀分別對碘化銫薄膜的形貌、結構及發光性能等進
2010-03-05 15:53:12
28 壁厚測試儀 壁厚測試儀是一種用于檢測玻璃瓶壁厚的專用設備，對于瓶罐容器，如安瓿瓶、西林瓶、輸液瓶、啤酒瓶和塑料瓶等，厚度測量同樣至關重要。在食品和化妝品行業，包裝容器如啤酒瓶和塑料瓶的厚度
2023-09-19 14:21:54
玻璃瓶壁厚測量儀 玻璃瓶在我們的日常生活和工業生產中有著廣泛的應用。從食品包裝到化學試劑，再到醫療用品，玻璃瓶在其中都扮演著重要角色。為了確保玻璃瓶的品質和安全性，對其壁厚的精確測量顯得
2023-09-19 14:28:48
玻璃瓶壁厚測試儀 瓶罐容器大家庭涵蓋了玻璃瓶、安瓿瓶、西林瓶、輸液瓶、啤酒瓶、塑料瓶、瓶胚等成員。談到玻璃瓶，我們不得不重點談談在輕量化過程中，壁厚指標這一重要的物理性檢測項目。生產線
2023-09-19 15:02:04
鈉鈣玻璃熱沖擊強度測試儀 玻璃瓶熱沖擊試驗儀是一種專門用于測試玻璃瓶在瞬間高溫和低溫環境下的熱沖擊性能的設備。它能夠模擬實際使用中可能出現的各種熱沖擊情況，例如冷熱溫度的交替、室外和室內
2023-09-27 15:51:22
抗生素玻璃瓶壁厚測量儀 在醫藥行業中，玻璃瓶作為常用的包裝容器，其質量與安全性倍受關注。而藥用玻璃瓶測厚儀，則是確保瓶壁厚度均勻性、一致性的關鍵檢測工具。 壁厚測厚儀的基本原理
2023-09-28 13:25:56
在材料科學和工業生產中，薄膜的熱縮性能是非常重要的指標之一。薄膜在受熱或受冷時，會發生尺寸的變化，這種現象稱為熱收縮。熱縮現象可能會影響薄膜的性能，如機械強度、阻隔性能和密封性能等。因此，準確評估
2023-10-24 16:44:30
一、引言薄膜熱縮性能試驗儀是一種專門用于測試薄膜熱收縮性能的實驗設備，廣泛應用于包裝、材料科學等領域。本文將詳細介紹薄膜熱縮性能試驗儀的工作原理、特點以及應用場景。二、工作原理薄膜熱縮性能試驗儀主要
2023-10-30 16:46:15
TVP玻璃容器熱沖擊試驗儀TVP玻璃容器熱沖擊試驗儀專業適用于玻璃容器在短時間內經受一定溫度沖擊的能力的測定 選用進口優質不銹鋼板和精密機械加工工藝制造，具有耐高溫，耐腐蝕的特點。采用微機
2023-12-18 15:14:02
LED 外延片--襯底材料襯底材料是半導體照明產業技術發展的基石。不同的襯底材料，需要不同的外延生長技術、芯片加工技術和器件封裝技術，襯底材料決定了半導體照明技
2010-12-21 16:39:290 ITO導電玻璃基礎知識
ITO導電玻璃是在鈉鈣基或硅硼基基片玻璃的基礎上，利用磁控濺射的方法鍍上一層氧化銦錫
2008-10-25 16:00:113456 
硅單晶(或多晶)薄膜的沉積
硅（Si）單晶薄膜是利用氣相外延(VPE)技術，在一塊單晶Si 襯底上沿其原來的結晶軸方向，生長一層導電類型
2009-03-09 13:23:416889 利用外延片焊接技術,把Si(111)襯底上生長的GaN藍光LED外延材料壓焊到新的Si襯底上.在去除原Si襯底和外延材料中緩沖層后,制備了垂直結構GaN藍光LED.與外延材料未轉移的同側結構相比,轉移
2011-04-14 13:29:3429 天威薄膜公司自主研制的聚合物背板太陽能電池組件（單片1.1×1.3米）的輕量化技術可保證硅薄膜組件在滿足IEC標準要求的前提下，將重量降至9.79kg/m2，成為目前世界上重量最輕的玻璃基
2012-05-02 13:40:01850 美國加利福尼亞大學伯克利分校（University of California， Berkeley）教授Eli Yablonovitch與美國Alta Devices公司組成的開發團隊，開發出了轉換效率為28.3％的單耦合型薄膜GaAs太陽能電池。
2012-05-16 09:49:553260 ITO膜層的主要成份是氧化銦錫。在厚度只有幾千埃的情況下，氧化銦透過率高，氧化錫導電能力強，液晶顯示器所用的ITO玻璃正是一種具有高透過率的導電玻璃。由于ITO具有很強的吸水性，所以會吸收空氣中的水份和二氧化碳并產生化學反應而變質，俗稱“霉變”，因此在存放時要防潮。
2013-01-28 11:05:433093 來自美國普渡大學的研究團隊研發出了一種全新的可導電玻璃狀透明聚合物薄膜材料，該材料易于大規模制造，成本低于氧化銦錫薄膜導電材料，導電性優于普通聚合物。
2018-06-15 11:44:005592 按晶體生長方法的不同，分為直拉法（CZ）、區熔法（FZ）和外延法。直拉法、區熔法生長單晶硅棒材，外延法生長單晶硅薄膜。直拉法生長的單晶硅主要用于半導體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。目前晶體直徑可控制在Φ3~8英寸。區熔法單晶
2018-11-19 08:00:0024 導電膜是具有導電功能的薄膜。 導電薄膜的荷電載流子在輸運過程中受到表面和界面的散射，當薄膜的厚度可與電子的自由程相比擬時，在表面和界面的影響將變得顯著，這個現象稱為薄膜的尺寸效應。它等效于載流子的自由程減小，因此與同樣材料的塊體相比，薄膜的電導率較小。
2019-06-04 15:24:5914849 ITO導電薄膜是一種廣泛應用于手機、平板、智能穿戴等移動通訊領域的觸摸屏的生產的高技術產品。
2020-01-25 17:28:004604 通信、數據中心、激光、紅外、精密光學、鏡頭及模組、機器視覺、光電傳感等版塊。其中，專業的外延片生產廠商-西安唐晶量子科技有限公司（以下簡稱“唐晶量子”）連續3年參展，本次帶來其主打的兩款高端GaAs外延片產品VCSEL和HBT。
2020-09-15 10:11:053517 雖然在商用化學氣相沉積設備中可以在一次運行中實現多片4H－SiC襯底的同質外延生長，但是必須將晶片裝載到可旋轉的大型基座上，這導致基座的直徑隨著數量或者外延晶片總面積的增加而增加。
2020-12-26 03:52:29492 ）和外延。 薄膜混合集成電路需要用的基片有多種，一般用得最多的是玻璃基片，其次是微晶玻璃和被釉陶瓷基片，有時也用藍寶石和單晶硅基片。 薄膜工藝中包括了蒸發、濺射、化學氣相淀積等。特點為電阻、電容數值控制較精確。 在薄膜電路
2021-12-22 16:41:067760 ，這種腐蝕與玻璃中氧化錫層的分層有關，這是由于氧化錫與玻璃界面附近的鈉積累以及水分從邊緣進入PV模塊引起的。通過改變氧化錫的生長條件或通過使用氧化鋅作為透明的導電性氧化物電極，可以顯著降低薄膜光伏組件中的這種腐蝕。
2022-01-17 13:27:47589 
引言 外延片或所謂的外延片是一種通過外延生長生產的材料，商業上可用于許多不同的電子應用。外延晶片可以由單一材料(單晶晶片)和/或多種材料(異質晶片)制成。可用作襯底的“外延”晶片的選擇有限，例如
2022-01-19 11:12:221185 
高效薄膜太陽能電池需要具有高吸收、低缺陷、透明導電的吸收層 氧化物(TCO)薄膜，透過率超過80%，導電率高。 此外，光可以通過玻璃捕獲并送至光吸收層以提高效率。 本文研究了玻璃表面形貌的形式利用
2022-03-08 11:52:411214 
我們已經使用“種子層概念”在薄膜太陽能電池的玻璃上形成大晶粒多晶硅(多晶硅)膜，該概念基于薄的大晶粒多晶硅模板(種子層)的外延增厚。由于玻璃襯底，所有工藝步驟都被限制在大約600℃的溫度
2022-04-13 15:24:371392 
摘要 在先進的p型金屬氧化物半導體場效應晶體管中，SiGe溝道可用于提高空穴遷移率和定制閾值電壓偏移。在這種器件的源極/漏極區中SiGe:B的低溫選擇性外延生長(SEG)之前，SiGe氧化物的有效
2022-06-20 15:27:24973 
通過圖形化硅氧化或氮化硅掩蔽薄膜生長，可以在掩蔽膜和硅暴露的位置生長外延層。這個過程稱為選擇性外延生長(SEG)。
2022-09-30 15:00:385893 二維半導體薄膜在任意表面的異質外延技術 上海超級計算中心用戶北京大學陳基研究員與合作者提出了一種在不同晶體對稱性、不同晶格常數和三維架構基底上異質外延生長半導體2H-MoTe2薄膜的通用合成技術
2022-10-19 20:20:571531 
固相外延，是指固體源在襯底上生長一層單晶層，如離子注入后的熱退火實際上就是一種固相外延過程。離于注入加工時，硅片的硅原子受到高能注入離子的轟擊
2022-11-09 09:33:5210252 取決于銀粉的含量和顆粒形態、樹脂種類及固化條件。選用密度小且呈片狀銀粉，適當提高固化溫度，延長固化時間能提高電導率。 2.導電銀漿由銀或氧化銀粉、玻璃料及樹脂等調制而成，有高溫銀漿、中溫銀漿、銀鈀漿料及鉑銀漿料等多種，可涂敷或印刷，附
2022-11-17 20:42:322180 碳納米管具有優異的導電、導熱性能，碳納米管導電薄膜具有通電加熱快速升溫、斷電快速將的特點。紅外和遠紅外輻射，發熱效率高，傳熱快，重復穩定性好，性能穩定，是非常好的加熱導熱材料之一。
2022-11-21 10:01:141788 源漏選擇性外延一般采用氮化硅或二氧化硅作為硬掩模遮蔽層，利用刻蝕氣體抑制遮蔽層上的外延生長，僅在曝露出硅的源漏極區域實現外延生長。
2022-11-29 16:05:151708 作者通過退火和濃鹽酸處理去除制備出的MWCNT薄膜的不導電的無定形碳和金屬氧化物，從而有效的提升了薄膜的導電性。然后為了MXCNT擁有更致密的結構和更高的結晶度，作者采用CSA進行了進一步處理。
2023-01-31 09:43:48684 氮化鎵外延片生長工藝較為復雜，多采用兩步生長法，需經過高溫烘烤、緩沖層生長、重結晶、退火處理等流程。兩步生長法通過控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應力而產生翹曲，為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:004345 氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產品。近年來，在國家政策支持下，我國氮化鎵外延片行業規模不斷擴大。
2023-02-06 17:14:353012 通常是指的在藍寶石襯底上用外延的方法（MOCVD）生長的GaN。外延片上面一般都已經做有u-GaN，n-GaN，量子阱，p-GaN。
2023-02-12 14:31:252103 迄今為止， 石墨烯的制備方法主要有機械剝離法、液相剝離法、碳化硅外延法、化學氣相沉積法 （Chemical vapor deposition，CVD）等。其中， CVD法制備的石墨烯薄膜，尤其是在銅等金屬襯底上生長的石墨烯薄膜，具有質量高和可控性好的優點，越發受到科學界和產業界的關注。
2023-02-22 11:28:291120 外延層是在晶圓的基礎上，經過外延工藝生長出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質外延片，可進一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:092828 
由于GaN在高溫生長時N的離解壓很高，很難得到大尺寸的GaN單晶材料，因此，為了實現低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件，研究人員經過幾十年的不斷研究，并不斷嘗試利用不同的外延生長方法在Si
2023-06-10 09:43:44682 HVPE（氫化物氣相外延法）與上述兩種方法的區別還是在于鎵源，此方法通常以鎵的氯化物GaCl3為鎵源，NH3為氮源，在襯底上以1000 ℃左右的溫度生長出GaN晶體。
2023-06-11 11:11:32277 SiC薄膜生長方法有多種，其中化學氣相沉積（chemical vapor deposition, CVD）法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較少、生長速度適中、過程可自動控制等優點，是生長用于制造器件的SiC 外延膜的最常用的方法。
2023-06-19 09:35:52644 
薄膜開關的導電漿料由導電載體、膠粘劑、溶劑、助劑四部分組成
2023-03-29 17:12:13488 
? 導電薄膜指的是具有導電性質的薄膜材料，它可以使得電信號在平面上傳遞，同時還具有透光性和柔韌性。導電薄膜廣泛應用于觸摸屏、電池、顯示器等電子產品中，是現代科技發展的重要組成部分。 01 導電薄膜
2023-06-30 15:38:36959 液相外延是碲鎘汞（MCT）薄膜生長領域最成熟的一種方法，被眾多紅外探測器研究機構和生產商所采用。
2023-08-07 11:10:20734 
碳化硅功率器件與傳統硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導通型單晶襯底上額外生長高質量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
2023-08-15 14:43:341002 
原位拉曼系統實時監測半導體薄膜生長全過程前言原位拉曼系統可以實時監測半導體薄膜生長全過程，利用共聚焦拉曼光譜的“In-Situ”方式，在石英爐中原位觀察半導體薄膜生長過程，并且通過監控不同的生長因素
2023-08-14 10:02:34465 
針對測量ITO導電薄膜的應用場景，CP200臺階儀能夠快速定位到測量標志位；輕松實現一鍵多點位測量；能直觀測量數值變化趨勢。
2023-06-27 10:49:44715 
薄膜和多層中的應力會降低性能，甚至導致技術應用中的故障，通過諸如破裂、彎曲或分層的機制。然而，在某些情況下，應力是理想的，因為它可以用來提高涂層的特定性能，例如導電性，熱穩定性，機械強度或磁性。由于這個原因，評估和控制薄膜和涂層的應力狀態具有技術重要性。
2023-09-28 10:04:13197 
?外延片指的是在村底上生長出的半導體薄膜,薄膜主要由P型、量子阱、N型三個部分構成。
2023-10-20 17:43:520 HVPE主要是利用生長過程中的化學反應，如歧化反應、化學還原反應以及熱分解反應等實現外延晶體薄膜的制備，具有生長溫度高、源爐通氣量大、生長速率大的特點，一般用來制備厚膜以及自支撐襯底，如GaN、AlN等。
2023-10-22 10:41:081220 
電子發燒友網站提供《太陽能光伏玻璃及其薄膜的開發與應用(四).pdf》資料免費下載
2023-11-03 09:12:300 電子發燒友網站提供《太陽能光伏玻璃及其薄膜的開發與應用（一）.pdf》資料免費下載
2023-11-03 09:18:030 通過有效控制AlN薄膜與Si襯底之間的界面反應，利用脈沖激光沉積（PLD）在Si襯底上生長高質量的AlN外延薄膜。英思特對PLD生長的AlN/Si異質界面的表面形貌、晶體質量和界面性能進行了系統研究。
2023-11-23 15:14:40232 
外延工藝的介紹，單晶和多晶以及外延生長的方法介紹。
2023-11-30 18:18:16878 
碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工，需要在其上經過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實現，高質量的碳化硅同質外延材料是碳化硅器件研制的基礎，外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實現。
2023-12-15 09:45:53607 
只有體單晶材料難以滿足日益發展的各種半導體器件制作的需要。因此，1959年末開發了薄層單晶材料生長技外延生長。那外延技術到底對材料的進步有了什么具體的幫助呢？
2024-02-23 11:43:59304 
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