為什么在早期的晶體研究中，人們就對晶體中的缺陷予以重視呢？首先是因為發現晶體內部沒有缺陷簡直是絕無僅有的。
2022-12-02 20:48:11
1913 以前，芯片提供商想辦法通過晶體管和工藝技術來降低功耗。雖然晶體管是產生功耗的主要原因，但并非唯一因素，而且通過晶體管來降低功耗作用是有限的。
2011-08-18 08:50:55815 。 8050晶體管及其等效的8550晶體管設計用于低功耗推挽放大器應用中的互補晶體管對。通常，8050晶體管是2瓦放大器，最大集電極-發射極電流為1.5安培，最大集電極-發射極電壓為25伏。 基本晶體管
2023-02-16 18:22:30
功耗存在。靜態功耗：也稱待機功耗，靜態功耗主要由晶體管的漏電流所導致的功耗。動態功耗：包括開關功耗或者成為翻轉功耗、短路功耗或者稱為內部功耗；動態功耗影響因素：門寄生電容、時鐘翻轉翻轉、時鐘頻率、供電電壓；降低功耗：應當在所有涉及層次上進行，即系統級、邏輯級和物理即，層次越高對功耗降低越有效；在系統
2021-11-11 06:24:53
關于晶體管ON時的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負，由發射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯時，當需要非常大的電流時，可以將幾個晶體管并聯使用。因為存在VBE擴散現象，有必要在每一個晶體管的發射極上串聯一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點的相關概念有點模糊，請各位大俠指點！！！
2016-06-07 23:27:44
晶體管交直流參數對電路設計的影響是什么？
2021-04-23 06:25:38
？5. 連續脈沖？單脈沖？6. 平均功耗是否在周圍溫度的額定功率以下？功率計算的積分公式使晶體管工作會產生電氣負載和熱負載。對晶體管來講，負載太大壽命會縮短，最壞的情況下會導致晶體管被破壞。為防止這種
2019-04-15 06:20:06
）晶體管和陶瓷封裝晶體管等。其封裝外形多種多樣。 按功能和用途分類 晶體管按功能和用途可分為低噪聲放大晶體管、中高頻放大晶體管、低頻放大晶體管、開關晶體管、達林頓晶體管、高反壓晶體管、帶阻晶體管、帶
2010-08-12 13:59:33
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過的電子開關使用晶體管也可以作為電子開關使用。但這個開關的電流方向只能是單向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
晶體管圖示儀器是用來測量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實驗、教學和工程中通過使用圖示儀，可以獲得晶體管的實際特性，能更好的發揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
1．反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測量晶體管發射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
晶體管技術方案面臨了哪些瓶頸？
2021-05-26 06:57:13
晶體管收音機的廠家，我將分批上傳本書的全部內容(這是三管機)，一是給大家了解一下當時我國晶體管收音機的水平，二是展示一下當時我國生產晶體管收音機的廠家，因為它們相當大一部分已不復存在了。
2011-06-16 10:22:19
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數？有的器件有放大倍數改變的參數。另外，不同的仿真模型參數不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
；頻率特性和通頻帶。難點：靜態工作點調整。[理論內容]一、電路工作原理及基本關系式1、工作原理晶體管放大器中廣泛應用如圖1所示的電路，稱之為阻容耦合共射極放大器。它采用的是分壓式電流負反饋偏置電路
2009-03-20 10:02:58
供應晶圓芯片，型號有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達林頓晶體管，高頻小信號晶體管，開關二極管，肖特基二極管，穩壓二極管等。有意都請聯系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
題庫來源：特種作業模考題庫小程序1.晶體管特性圖示儀的功耗限制電阻相當于晶體管放大電路的( )電阻。 BA.基極B.集電極C.限流D.降壓2.集成運放通常有( )部分
2021-09-02 06:19:31
`非常不錯的晶體管電路設計書籍！`
2016-11-08 14:12:33
的設計，運算放大電路的設計與制作。下冊則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關電源電路等。本書面向實際需要，理論聯系實際，通過大量具體的實驗，通俗易懂地介紹晶體管電路設計的基礎知識。1．1 學習晶體管電路
2009-11-20 09:41:18
IC一般不能超出ICM。(3) 集電極最大允許功耗PCMPCM是指晶體管參數變化不超出規定允許值時的最大集電極耗散功率。使用晶體管時，實際功耗不允許超過PCM，通常還應留有較大余量，因為功耗過大往往是
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數有哪些？晶體管的開關電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結構分類根據工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經構成
2019-04-10 06:20:24
是基于代表性的特性進行的，因此存在個別不吻合的內容。請理解為整體的傾向、特征。另外，這些晶體管的結構、工作原理與代表性的參數如下。雙極晶體管（圖中以NPN為例）由PN結組成，通過在基極流過電流，而在集電極
2018-11-28 14:29:28
相對于晶體管的主要評估項目的特征。 對于各項目的評估是基于代表性的特性進行的，因此存在個別不吻合的內容。請理解為整體的傾向、特征。另外，這些晶體管的結構、工作原理與代表性的參數如下。 雙極晶體管
2020-06-09 07:34:33
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發明給當時的電子工業界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機為首，電子技術取得急速
2019-07-23 00:07:18
對于晶體管放大電路，比如常用的共射放大電路，一般基極會有兩個分壓電阻，用來控制給基極一個合適的電平，保證晶體管的基極能導通，這兩個分壓電阻的阻值一般選用的都是K歐姆級別的阻值，原因是什么？ 理論依據是？謝謝！
2020-06-08 17:23:20
晶體管開關能力的方法。在這樣的大功率電路中，存在的主要問題是布線。很高的開關速度能在很短的連接線上產生相當高的干擾電壓。簡單和優化的基極驅動造就的高性能今日的基極驅動電路不僅驅動功率晶體管，還保護功率
2018-10-25 16:01:51
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發明給當時的電子工業界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機為首，電子技術取得急速
2019-05-05 00:52:40
1．晶體管的結構晶體管內部由兩PN結構成，其三個電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個PN結分別稱為集電結（C、B極
2013-08-17 14:24:32
/2N5551、S8050/S8550等型號。選用時應根據應用電路具體要求而定。 后級功率放大電路中使用的互補推挽對管，應選用大電流、大功率、低噪聲晶體管，其耗散功率為100~200W，集電極最大電流為
2012-01-28 11:27:38
關于晶體管ON時的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負，由發射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
晶體管 &
2010-08-12 13:57:39
`FHX35X是一款高電子遷移率晶體管（HEMT），旨在用于2-18GHz頻率范圍內的通用，低噪聲和高增益放大器。該設備非常適合電信，DBS，TVRO，VSAT或其他低噪聲應用。住友電工嚴格
2021-03-30 11:21:24
的高功率晶體管產品組合。我們目前的產品提供超過80％的效率，并利用GaN-on-SiC，Si-LDMOS和Si-VDMOS半導體技術。我們還致力于制造一些首批Si-bipolar器件，從而支持傳統方案
2019-04-15 15:12:37
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當我設的電壓已經大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導通。
2014-08-08 10:42:58
低功耗設計中，晶體管控制電路會對電路產生一定的影響。無論是NPN還是PNP，晶體管的PN結都會有漏電流。當I/O控制基極電壓時，為了穩定基極電壓，一般在NPN開關電路的基極上加一個下拉電阻。在PNP開關電路的設計中，基極增加了一個下拉電阻。上拉和下拉電阻根據控制芯片、晶體管和電路電壓進行選擇。
2023-02-15 18:13:01
產生的噪聲更少。它比其他晶體管小，可以像其他晶體管一樣用于集成電路。X. 如何識別PNP晶體管PNP晶體管通常通過其結構來識別。在比較NPN和PNP晶體管的結構時，我們看到了各種差異。識別PNP晶體管
2023-02-03 09:44:48
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
，而且在高溫條件下的工作也表現良好，可以說是具有極大優勢的開關元件。這張圖是各晶體管標準化的導通電阻和耐壓圖表。從圖中可以看出，理論上SiC-DMOS的耐壓能力更高，可制作低導通電阻的晶體管。目前
2018-11-30 11:35:30
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
先說聲對不起。，這些天導師那邊一堆事。時間不夠。終于找到點時間便說下我的新發現。好了不說廢話了，接著上次的說。我在機智云開發者界面中添加了一個設備。為了方便我今天又加了一個用寵物屋做模板的一個
2015-10-19 22:12:27
放大電路的設計與制作，下冊則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關電源電路等。《晶體管電路設計》(上)面向實際需要，理論聯系實際，通過大量具體的實驗，通俗易懂地介紹晶體管電路設計的基礎知識
2017-07-25 15:29:55
由BTI帶來的功耗降低是比較顯著的。 在實際芯片測試中，使用5年后泄漏電流大約降低11%。實際的電子系統功耗降低能否達到期望的程度還不知道，但至少晶體管老化與功耗降低的關聯理論上是說得通的。這是
2017-06-15 11:41:33
現在蘋果的a12晶體管的數量都到100億了，晶體管數量也不比x86低了，為什么還能還能保持低功耗，同樣用arm cpu的路由器功率卻越來越大？
2018-11-02 09:55:21
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
200，000個電子，而單個電子晶體管僅包含一個或幾個電子，因此將大大降低功耗并提高集成電路的集成度。1989年，J.H.F.Scott-Thomas等研究人員發現了庫侖阻塞現象。當施加電壓時，如果量子點中
2023-02-03 09:36:05
的模擬揭示了為何ITO不能在氮化鎵晶體管中形成良好的歐姆接觸。模擬結果表明，ITO和在AlGaN和GaN界面的二維電子氣之間存在著一個高能勢壘（見圖3（a））。這個勢壘阻礙電子在氧化銦錫和氮化鎵三角阱
2020-11-27 16:30:52
年代和 1960 年代，它也被稱為超級阿爾法對。Darlington認識到這種設計對發射極-跟隨電路的諸多優勢，并為這一概念申請了專利。 達林頓晶體管通常具有低功耗、高增益的特性，使其對輸入電流
2023-02-16 18:19:11
鰭式場效應晶體管優勢 更好地控制通道 抑制短通道效應 更低的靜態漏電流 更快的開關速度 更高的漏極電流（每個封裝的驅動電流更大） 更低的開關電壓 低功耗 鰭式場效應晶體管缺點 難以
2023-02-24 15:25:29
給大家介紹個新發現的單片機內存調試工具MCUMonitor,其界面簡單，操作方便。對于調試內存數據的連續變化，有很大的好處。開發人員移植也很方便，只要在串口通訊端口對接開發的庫。即可實現對內存變量
2018-01-16 17:27:58
在現實生活中，冗余服務器問題一直都很讓人糾結。有時我們甚至想過要用4臺exchange2010實現CAS和MAILBOX全冗余，真是絞盡腦汁啊！現在你可以輕松了。偶的新發現就是新型的19英寸
2012-07-10 16:36:11
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達林頓對電路采用PNP晶體管。機器人應用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關時間短、通態壓降低、高頻特性好、安全工作區寬等優點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發展。—、結構特性1、結構原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關時間短、通態壓降低、高頻特性好、安全工作區寬等優點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發展。—、結構特性1、結構原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
請教：單結晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學習單結晶體管，按照網上的電路圖做的關于單結晶體管的仿真，大多數都不成功，請問誰有成功的單結晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
用雙晶體管實現低噪聲化的測量用高速前置放大器
2019-10-31 09:02:08
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態下，基極-發射極結（稱這個PN結為“發射結”）處于正向偏置狀態，而基極-集電極（稱這個PN結為“集電結”）則處于反向偏置狀態。
2019-09-26 09:00:23
本帖最后由 godiszc 于 2012-8-3 21:54 編輯
場效應晶體管是一種改變電場來控制固體材料導電能力的有源器件，屬于電壓控制性半導體器件，具有輸入電阻高，噪聲小，功耗低，沒有
2012-08-03 21:44:34
`在電子元器件行業，場效應晶體管一直被譽為開關電路的“神器”，那是因為場效應晶體管具有噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成等優點，所以在開關電路中迅速走紅， 可是一提起場效應晶體管在電路中的有何特別
2019-04-16 11:22:48
運動的少子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。場效應晶體管有哪幾種分類場效應管分為結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導電方式：耗盡
2019-05-08 09:26:37
僅是由多數載流子參與導電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
2021-05-24 06:27:18
晶體管開關對電子產品至關重要。了解晶體管開關，從其工作區域到更高級的特性和配置。 晶體管開關對于低直流開/關開關的電子設備至關重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態下工作。一些電子設備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測晶體管的性能？怎樣去檢測特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅動電路的設計上會采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
率根據區域不同而不同。1-1. 熱限制區域在該區域，SOA線具有45o 的傾斜度（功率固定線）。在該區域，下降率是0.8%/oC。1-2. 2次下降區域晶體管存在熱失控引起的2次下降區域。在2次下降
2019-05-05 09:27:01
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區別是什么？例如《晶體管電路設計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現在產品設計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
Iomax大。∴ Iomax≦20((Vin-0.75)/(1.3×R1)-0.75/(1.04×R2))數字晶體管的型號說明IO和IC的區別IC: 能夠通過晶體管的電流的最大理論值IO: 能夠作為數字
2019-04-09 21:49:36
≦20((Vin-0.75)/(1.3×R1)-0.75/(1.04×R2))數字晶體管的型號說明IO和IC的區別IC: 能夠通過晶體管的電流的最大理論值IO: 能夠作為數字晶體管使用的電流的最大值解說
2019-04-22 05:39:52
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結構分類根據工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經構成
2019-05-05 01:31:57
，Panasonic的新HD-GIT - 橫截面 電子俘獲和電流崩塌在沒有特定技術對策的情況下，GaN GiT晶體管遭受電子俘獲問題。一般而言，這些效應與晶體管中的負電荷區域的積累有關。這是由于晶體缺陷
2023-02-27 15:53:50
更短的死區時間，較低的磁化電流導致較低的反向傳導損耗。在狀態3下，當驅動信號VGSL為高電平時，晶體管的ZVS實現，并且沒有開關導通損耗。在狀態4時，晶體管以從漏極到源極的正向電流導通。在此狀態下存在
2023-02-27 09:37:29
。在數字設備中，肯定會使用大規模集成電路，所以不會采用電子管。 通過以上的內容可以看到，電子管與晶體管在結構與工作方式上都存在著較大的區別，這就導致了兩者在應用范圍上的不同，顯然適應性更加廣泛的晶體管將逐漸取代傳統電子管是必然的發展方向，但在某些特定的設計或者場合中仍需使用電子管。
2016-01-26 16:52:08
，在這種情況下采用基于氮化鎵（GaN）晶體管的解決方案意義重大。與傳統硅器件相類似，GaN晶體管單位裸片面積同樣受實際生產工藝限制，單個器件的電流處理能力存在上限。為了增大輸出功率，并聯配置晶體管已成為
2021-01-19 16:48:15
IGBT 是一種功率開關晶體管，它結合了 mosfet 和 bjt 的優點，用于電源和電機控制電路絕緣柵極雙極性晶體管也簡稱為 IGBT，是傳統雙極性晶體管晶體管和場效應晶體管的交叉，使其成為理想
2022-04-29 10:55:25
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
）；晶體管集電極的電大耐壓值，取決于VCEO（Collector-Emitter Voltage）；晶體管能承受的最大功耗，取決于PD（Total Device Dissipation）。圖1一個NPN
2016-06-03 18:29:59
這個達林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
;span]除了使用多柵結構提高器件的柵控能力和S小于60mV/decade的TFET，另一種減小集成電路功耗的方法是降低晶體管的工作電壓Vdd。傳統的MOSFET等比例縮小原則假設閾值電壓也能等比例
2018-10-19 11:08:33
彩電自動搜臺露存的新發現 作者： 王記鎖 春節剛過，親戚一臺康佳T5429E型彩電
2006-04-17 22:26:01865 新發現半導體薄膜材料可產生光伏效應
勞倫斯伯克利國家實驗室的研究人員發現一種新的方法，可克服傳統固態
2010-04-20 09:14:09983 路虎的全新一代發現（以下稱全新發現為發現5，現款則稱發現4）終于上市了。由于造型和平臺相對于發現4的“顛覆”，發現5自發布以來也確實引發了相當大的爭議。不過在這里車云菌想說的是，如果到現在你還在罵發現5（的設計師），那只能說明你真的不懂路虎。因為從任何角度看，發現5的這種轉變都是一種必然。
2017-03-03 16:54:411034 基于小波理論的缺陷檢測中的噪聲處理_路福俊
2017-03-15 08:00:00
0 在電費占運營成本 (OPEX) 很大一部分，而運營成本則占總成本約70%的情況下，降低功耗對運營商來說已刻不容緩。以前，芯片提供商想辦法通過晶體管和工藝技術來降低功耗。雖然晶體管是產生功耗
2017-11-24 18:37:331368 隨著硅基半導體達到其性能極限，氮化鎵（GaN）正成為推動發光二極管（LED）技術、高頻晶體管和光伏器件的下一代材料。然而，阻礙GaN發展的是其體內存在的大量缺陷。
2018-07-09 11:06:5211539
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