據(jù)TechCrunch網(wǎng)站報(bào)道，碳納米管屬于一種超級(jí)材料——它是直徑為1或2納米的圓柱狀物，它有包括從超級(jí)計(jì)算機(jī)到效能比更高的智能手機(jī)在內(nèi)的許多夢(mèng)幻般應(yīng)用。問(wèn)題是，它們不容易制造，推出商業(yè)化碳納米管產(chǎn)品可能尚需10-15年。
2016-08-22 10:09:07
1710 得益于研究人員的持續(xù)推進(jìn)，碳納米管器件現(xiàn)在正在越來(lái)越接近硅的能力，最新的進(jìn)展也在最近舉辦的IEEE電子器件會(huì)議IEDM上揭曉。會(huì)上，來(lái)自臺(tái)積電，加州大學(xué)圣地亞哥分校和斯坦福大學(xué)的工程師介紹了一種新的制造工藝，該工藝可以更好地控制碳納米管晶體管。這種控制對(duì)于確保在邏輯電路中晶體管完全關(guān)閉至關(guān)重要。
2020-12-16 10:11:293181 碳納米管是20世紀(jì)90年代日本科學(xué)家Iijima先生（Iijima?Sumio. Helical microtubules of graphitic carbon. Nature,1991,354
2023-07-19 13:35:50851 
其實(shí)早在2002年Intel即發(fā)現(xiàn)了這一技術(shù)，一直處于試驗(yàn)演示階段，現(xiàn)在終于把它變成了現(xiàn)實(shí)，Intel打算把它融入到22nm的“Ivy Bridge”芯片，Ivy Bridge晶體管的數(shù)量將達(dá)到10億。
2020-04-07 09:01:21
晶體管技術(shù)方案面臨了哪些瓶頸？
2021-05-26 06:57:13
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點(diǎn)的相關(guān)概念有點(diǎn)模糊，請(qǐng)各位大俠指點(diǎn)！！！
2016-06-07 23:27:44
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
晶體管參數(shù)測(cè)量技術(shù)報(bào)告摘 要晶體管的參數(shù)是用來(lái)表征管子性能優(yōu)劣和適應(yīng)范圍的指標(biāo)，是選管的依據(jù)。為了使管子安全可靠的工作，必須注意它的參數(shù)。本文主要論述以AduC812為核心的晶體管參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，該系
2012-08-02 23:57:09
的hFE檔測(cè)量。測(cè)量時(shí)，應(yīng)先將萬(wàn)用表置于ADJ檔進(jìn)行調(diào)零后，再撥至hFE檔，將被測(cè)晶體管的C、B、E三個(gè)引腳分別插入相應(yīng)的測(cè)試插孔中（采用TO-3封裝的大功率晶體管，可將其3個(gè)電極接出3根引線后，再分
2012-04-26 17:06:32
供應(yīng)晶圓芯片，型號(hào)有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達(dá)林頓晶體管，高頻小信號(hào)晶體管，開(kāi)關(guān)二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請(qǐng)聯(lián)系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管測(cè)量模塊的基本特性有哪些？晶體管測(cè)量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開(kāi)關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來(lái)帶來(lái)了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開(kāi)端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-07-23 00:07:18
有效芯片面積的增加，(2)技術(shù)上的簡(jiǎn)化，(3)晶體管的復(fù)合——達(dá)林頓，(4)用于大功率開(kāi)關(guān)的基極驅(qū)動(dòng)技術(shù)的進(jìn)步。、直接工作在整流380V市電上的晶體管功率開(kāi)關(guān)晶體管復(fù)合(達(dá)林頓)和并聯(lián)都是有效地增加
2018-10-25 16:01:51
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來(lái)帶來(lái)了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開(kāi)端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
）用業(yè)收集電子。晶體管的發(fā)射極電流IE與基極電流IB、集電極電流IC之間的關(guān)系如下：IE=IB+IC3．晶體管的工作條件晶體管屬于電流控制型半導(dǎo)體器件，其放大特性主要是指電流放大能力。所謂放大，是指當(dāng)
2013-08-17 14:24:32
圖像中放、伴音中放、緩沖放大等）電路中使用的高頻晶體管，可以選用特征頻率范圍在30~300MHZ的高頻晶體管，例如3DG6、3DG8、3CG21、2SA1015、2SA673、2SA733、S9011
2012-01-28 11:27:38
【不懂就問(wèn)】圖中的晶體管驅(qū)動(dòng)電路，在變壓器Tr的副邊輸出電阻R3上并聯(lián)的二極管D2，說(shuō)D2的作用是在輸入端有正脈沖輸入時(shí)使得變壓器次級(jí)產(chǎn)生的的正脈沖通過(guò)D2，直接驅(qū)動(dòng)MOSFET管Q2，達(dá)到提高導(dǎo)
2018-07-09 10:27:34
碳納米管/ TiO2 電極光電催化測(cè)定耐蘭方法探討摘要:自合成二氧化鈦2碳納米管( TiO22CN T) 復(fù)合催化劑,用Nafion 溶液把CN T2TiO2 固定到玻碳電極上制成CN T2TiO2
2009-08-08 09:44:34
碳納米管針尖
2019-10-18 09:36:45
1、引言自1991年日本Iijima教授發(fā)現(xiàn)碳納米管以來(lái)，納米技術(shù)吸引了大量科學(xué)家的興趣和研究，是目前科學(xué)界的研究熱點(diǎn)。基于碳納米管獨(dú)特的電學(xué)特性，提出了利用碳納米管陣列構(gòu)筑新型天線和傳輸線的設(shè)想
2019-05-28 07:58:57
正在從二維走向三維世界——芯片設(shè)計(jì)、芯片封裝等環(huán)節(jié)都在向3D結(jié)構(gòu)靠攏。晶體管架構(gòu)發(fā)生了改變當(dāng)先進(jìn)工藝從28nm向22nm發(fā)展的過(guò)程中，晶體管的結(jié)構(gòu)發(fā)生了變化——傳統(tǒng)的平面型晶體管技術(shù)（包括體硅技術(shù)
2020-03-19 14:04:57
，滿足未來(lái)輕薄化的需求。 芯片晶體管橫截面 到了3nm之后，目前的晶體管已經(jīng)不再適用，目前，半導(dǎo)體行業(yè)正在研發(fā)nanosheet FET（GAA FET）和nanowire FET（MBCFET
2020-07-07 11:36:10
Finfet技術(shù)（3D晶體管）詳解
2012-08-19 10:46:17
進(jìn)行高電阻測(cè)量測(cè)量高阻和絕緣材料電阻率高阻低電流測(cè)量體電阻率和表面電阻率惰性氣體或高度真空中的小晶體進(jìn)行高電阻測(cè)量用6線電阻測(cè)量技術(shù)獲得更準(zhǔn)確的電阻測(cè)量碳納米管半導(dǎo)體納米線碳納米管 FET納米傳感器
2021-11-16 15:59:56
在本文中，我們將探討 MOSFET 和鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的不同器件配置及其演變。我們還看到 3D 配置如何允許每個(gè)集成電路使用更多晶體管。 平面與三維 （3D） 平面MOSFET（圖1）在Lg
2023-02-24 15:20:59
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來(lái)代替，MFR151管子能用哪個(gè)來(lái)代替？或是誰(shuí)有這兩個(gè)高頻管子的原件庫(kù)？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
與銷售集團(tuán)總裁Stacy Smith英特爾公司執(zhí)行副總裁兼制造、運(yùn)營(yíng)與銷售集團(tuán)總裁Stacy Smith全球首次展示“Cannon Lake”10納米晶圓，采用超微縮技術(shù)，擁有世界上最密集的晶體管和最小
2017-09-22 11:08:53
世界首款3D芯片工藝即將由無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司BeSang授權(quán)。 BeSang制造了一個(gè)示范芯片，在邏輯控制方面包含1.28億個(gè)縱向晶體管的記憶存儲(chǔ)單元。該芯片由韓國(guó)國(guó)家Nanofab和斯坦福
2008-08-18 16:37:37
Nano-Proprietary旗下的Applied Nanotech公司與Funai Electric先進(jìn)應(yīng)用技術(shù)研究所日前宣布，雙方將針對(duì)一個(gè)研究項(xiàng)目進(jìn)行合作，共同開(kāi)發(fā)基于酶涂層碳納米管
2018-11-19 15:20:44
和IBM在內(nèi)的芯片制造商已經(jīng)在其芯片開(kāi)發(fā)中考慮晶體管老化的影響，正在采取適當(dāng)?shù)姆绞絹?lái)補(bǔ)償因?yàn)槔匣瘜?dǎo)致的芯片性能下降。也許很快在新的芯片中，就會(huì)集成類似“芯片里程表”的功能模塊。 隨著芯片設(shè)計(jì)和制造工藝
2017-06-15 11:41:33
的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。那么，為何說(shuō)7nm就是硅材料芯片的物理極限，碳納米管復(fù)合材料又是怎么一回事呢？面對(duì)美國(guó)的技術(shù)突破，中國(guó)應(yīng)該怎么做呢？XX nm制造工藝是什么概念？芯片的制造...
2021-07-28 07:55:25
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
調(diào)制和振蕩器。晶體管可以獨(dú)立封裝，也可以封裝在非常小的區(qū)域內(nèi)，容納1億個(gè)或更多晶體管集成電路的一部分。（英特爾 3D 晶體管技術(shù)）嚴(yán)格來(lái)說(shuō)，晶體管是指基于半導(dǎo)體材料的所有單一元件，包括由各種半導(dǎo)體材料
2023-02-03 09:36:05
顯示器和透明太陽(yáng)能電池板產(chǎn)品的出現(xiàn)。 在許多透明電子系統(tǒng)中，晶體管都是至關(guān)重要的部件。如今，這種器件通常是薄膜晶體管形式，由In2O3、ZnO2、SnO2等透明導(dǎo)電氧化物材料制成。 不過(guò)，薄膜晶體管
2020-11-27 16:30:52
達(dá)林頓晶體管是一對(duì)雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進(jìn)一步放大
2023-02-16 18:19:11
電場(chǎng)控制材料的電導(dǎo)率。 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種非平面器件，即不受單個(gè)平面的限制。它也被稱為3D，因?yàn)榫哂械谌S度。 為避免混淆，必須了解不同的文獻(xiàn)在提及鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件時(shí)使用不同的標(biāo)簽
2023-02-24 15:25:29
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
測(cè)量高阻低電流測(cè)量體電阻率和表面電阻率惰性氣體或高度真空中的小晶體進(jìn)行高電阻測(cè)量用6線電阻測(cè)量技術(shù)獲得更準(zhǔn)確的電阻測(cè)量碳納米管半導(dǎo)體納米線碳納米管 FET納米傳感器和陣列單電子晶體管分子電子有機(jī)
2021-11-11 10:35:10
測(cè)量高阻低電流測(cè)量體電阻率和表面電阻率惰性氣體或高度真空中的小晶體進(jìn)行高電阻測(cè)量用6線電阻測(cè)量技術(shù)獲得更準(zhǔn)確的電阻測(cè)量碳納米管半導(dǎo)體納米線碳納米管 FET納米傳感器和陣列單電子晶體管分子電子有機(jī)
2021-12-08 15:35:04
率惰性氣體或高度真空中的小晶體進(jìn)行高電阻測(cè)量用6線電阻測(cè)量技術(shù)獲得更準(zhǔn)確的電阻測(cè)量碳納米管半導(dǎo)體納米線碳納米管 FET納米傳感器和陣列單電子晶體管分子電子有機(jī)電子基本運(yùn)放電路二極管和電路晶體管電路雙極結(jié)型
2018-11-09 11:28:25
，導(dǎo)致流過(guò)晶體管的電流為零的大耗盡層。在這種情況下，晶體管被關(guān)閉。 截?cái)鄥^(qū)域特征如下所示： 圖3.截?cái)鄥^(qū)域特征。圖片由Simon Munyua Mugo提供 晶體管操作類似于單刀單擲固態(tài)開(kāi)關(guān)
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？
2017-10-11 23:53:40
晶體管為保持ON狀態(tài)的最低電壓、定義VI(on)為min錯(cuò)誤觀點(diǎn)1：由0開(kāi)始依次加入輸入電壓。2：達(dá)到1.8V時(shí)，數(shù)字晶體管啟動(dòng)。3：因在規(guī)格書規(guī)定的3V(min) 以下，故判斷為不合格。正確觀點(diǎn)A
2019-04-22 05:39:52
混淆VI(on): 數(shù)字晶體管為保持ON狀態(tài)的最低電壓、定義VI(on)為min錯(cuò)誤觀點(diǎn)1：由0開(kāi)始依次加入輸入電壓。2：達(dá)到1.8V時(shí)，數(shù)字晶體管啟動(dòng)。3：因在規(guī)格書規(guī)定的3V(min) 以下，故
2019-04-09 21:49:36
急需一種流動(dòng)性更強(qiáng)的新材料來(lái)替代硅。三五族材料砷化銦鎵就是候選半導(dǎo)體之一，普渡大學(xué)通過(guò)這種材料做出了全球首款3D環(huán)繞閘極(gate-all-around)晶體管。此外，三五族合金納米管將把閘極長(zhǎng)度
2011-12-08 00:01:44
（電阻器）組成。構(gòu)成晶體管的硅是形成地球的巖石中大量含有的物質(zhì)。因此，晶體管也俗稱"石"，設(shè)計(jì)者常用"…之石"的叫法3. 按集成度分類為滿足客戶需求，ROHM在分立式
2019-05-05 01:31:57
效率和功率密度。GaN功率晶體管作為一種成熟的晶體管技術(shù)在市場(chǎng)上確立了自己的地位，但在軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用中通常不被考慮使用。雖然在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中使用GaN可以顯著提高效率，但軟開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器（如LLC）對(duì)效率和頻率
2023-02-27 09:37:29
用IBM43RF0100EV評(píng)估板評(píng)估IBM43RF0100 SiGe晶體管性能
2009-05-12 11:46:34
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 編輯
高清圖詳解英特爾最新22nm 3D晶體管
2012-08-05 21:48:28
采取直接在硅片上真空蒸鍍NiCr合金作為催化劑，用化學(xué)氣相沉積法制備了碳納米管薄膜。并采用H2等離子體球處理碳納米管薄膜，測(cè)試其場(chǎng)發(fā)射特性，并與未經(jīng)處理的碳納米管薄
2008-12-03 12:55:26
13 碳納米管薄膜是一種能應(yīng)用于場(chǎng)發(fā)射平面顯示器等器件中的新型冷陰極材料。該文用Ni作為催化劑，采用催化熱解法在硅片上制備了多壁碳納米管薄膜場(chǎng)發(fā)射陰極，反應(yīng)氣體為乙炔
2009-05-14 19:44:1820 采用硫酸和硝酸混合酸對(duì)催化裂解法（CVD法）制備的多壁碳納米管（MWNTs）進(jìn)行純化，然后運(yùn)用硬脂酸對(duì)碳納米管表面進(jìn)行修飾，并研究了硬脂酸修飾后的碳納米管的表面狀況以及
2009-05-16 01:52:2617 隨著對(duì)碳納米管研究的不斷深入，對(duì)碳納米管的應(yīng)用研究越來(lái)越受到人們的重視。通過(guò)分析碳納米管的物理特性，對(duì)碳納米管的應(yīng)用前景進(jìn)行了廣泛的探索。著重分析了碳納米管
2009-07-13 10:28:1813 碳納米管研究的不斷發(fā)展為其與微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS) 的結(jié)合提供了可能,這種結(jié)合“Top - down”與“Bottom2up”的方法是微米/ 納米技術(shù)的一個(gè)發(fā)展趨勢(shì)。碳納米管的特性及其在MEMS 上
2009-11-16 11:31:0726 文章系統(tǒng)地論述了非碳納米管的制備,較詳盡地介紹了多種非碳納米管制備最新的進(jìn)展,包括硫化物、氮化物、氧化物等等,特別重點(diǎn)地總結(jié)了非碳納米管前沿材料,例如WS2 ,Bi2 S3 , ZnS,
2010-11-21 12:35:4652 采用原位聚合的方法,制備了多壁碳納米管/ 聚甲基丙烯酸甲酯復(fù)合材料。多壁碳納米管經(jīng)過(guò)強(qiáng)酸氧化處理,表面具有有機(jī)活性。碳納米管的加入并未使聚合誘導(dǎo)期延長(zhǎng),但令體系粘度增
2010-11-21 12:37:0549 IBM公司日前發(fā)布了據(jù)稱是全球首款電致發(fā)光(EL)納米管晶體管，并聲稱該器件發(fā)光亮度比發(fā)光二極管(LED)強(qiáng)1000倍，光子通量多達(dá)1萬(wàn)倍。 &n
2006-03-13 13:03:07496 對(duì)碳納米管陰極的制備以及場(chǎng)發(fā)射顯示器的真空封裝技術(shù)進(jìn)行了研究.利用一種新的碳納米管生長(zhǎng)工藝制備出了具有優(yōu)良場(chǎng)發(fā)射性能的碳納米管陰極.并將這種直接生長(zhǎng)的碳納米管薄膜作
2011-04-19 12:24:2542 針對(duì)現(xiàn)有的碳納米管場(chǎng)發(fā)射顯示器(CNT FED)制造技術(shù)中存在的工藝復(fù)雜、 成本過(guò)高的問(wèn)題,提出了用于制造碳納米管場(chǎng)發(fā)射顯示器的全印刷制造技術(shù),即采用絲網(wǎng)印刷工藝制備 CN T FED 器件內(nèi)
2011-04-19 14:59:5734 碳納米管具有一些獨(dú)特的電學(xué)性質(zhì), 在納米電子學(xué)有很好的應(yīng)用前景。隨著納米技術(shù)的發(fā)展, 新的工藝技術(shù)也隨之產(chǎn)生。納米器件的由下至上制作工藝, 是在納米技術(shù)和納米材料的基礎(chǔ)之
2011-06-21 17:50:0662 來(lái)自IBM、蘇黎世理工學(xué)院和美國(guó)普渡大學(xué)的工程師近日表示，他們構(gòu)建出了首個(gè)10納米以下的碳納米管(CNT)晶體管
2012-02-04 09:45:29843 藍(lán)色巨人IBM的科學(xué)家們?cè)俅?b class="flag-6" style="color: red">展示了他們雄厚的科研實(shí)力：歷史上第一次，使用標(biāo)準(zhǔn)的主流半導(dǎo)體工藝，將一萬(wàn)多個(gè)碳納米管打造的晶體管精確地放置在了一顆芯片內(nèi)，并通過(guò)了可行性測(cè)
2012-10-29 11:44:487397 米特拉表示，“如果利用碳納米管晶體管取代硅晶體管，效能比可提高1000倍。”
2016-08-22 14:03:54986 IBM 的研究人員已經(jīng)找到了如何使用碳納米管制造微型芯片的方法，這一成果可以讓我們制造更強(qiáng)的芯片，使得曲面電腦、可注射芯片成為可能。
2016-11-17 13:51:401064 多壁碳納米管_Nafion_納米金構(gòu)建阻抗傳感器研究_胡曉琴
2017-03-19 19:03:463 基于SEM圖像的碳納米管薄膜均勻性表征方法研究_陳彥海
2017-03-19 19:12:420 金百納的核心技術(shù)是碳納米管的制備技術(shù)，具有純度高，管徑小等優(yōu)點(diǎn)。用其分散出來(lái)的新型碳納米管導(dǎo)電漿料(GCN168-40H)，與同類碳納米管導(dǎo)電漿料產(chǎn)品相比具有鐵雜質(zhì)含量低，導(dǎo)電性好等優(yōu)點(diǎn)，能夠更好的滿足動(dòng)力電池對(duì)安全性和導(dǎo)電性需求。
2017-12-27 11:42:524273 
芯片是信息時(shí)代的基礎(chǔ)與推動(dòng)力，碳納米管技術(shù)被認(rèn)為是后摩爾時(shí)代的重要選項(xiàng)。今日?qǐng)?bào)道由北大申報(bào)的”5納米碳納米管CMOS器件“入選了高校十大科技進(jìn)展。
2018-01-02 15:11:341086 
金百納的核心技術(shù)是碳納米管的制備技術(shù)，具有純度高，管徑小等優(yōu)點(diǎn)。用其分散出來(lái)的新型碳納米管導(dǎo)電漿料(GCN168-40H)，與同類碳納米管導(dǎo)電漿料產(chǎn)品相比具有鐵雜質(zhì)含量低，導(dǎo)電性好等優(yōu)點(diǎn)，能夠更好的滿足動(dòng)力電池對(duì)安全性和導(dǎo)電性需求。
2018-01-05 09:35:394861 
目前碳納米管的制備方法主要有三種，分別是弧光放電法，激光高溫?zé)品ㄒ约盎瘜W(xué)氣相沉淀法。本文采用的實(shí)驗(yàn)樣品是使用化學(xué)氣相沉淀法制備多壁碳納米管陣列
2018-03-23 17:10:0010885 
在Nano Letters雜志描述的研究中，Barron和他的團(tuán)隊(duì)在嘗試了各種方法從各種污染物中清潔碳納米管之后，對(duì)多壁碳納米管和單壁碳納米管進(jìn)行了艱苦的阻力測(cè)量。 結(jié)果是他們可以去除的雜質(zhì)越多，阻力測(cè)量值越準(zhǔn)確和一致。
2018-03-09 15:41:344140 經(jīng)多年研發(fā)，趙社濤最近成功突破了碳納米管導(dǎo)電劑的新世代生產(chǎn)技術(shù)，進(jìn)一步大大提高了現(xiàn)有小管徑碳納米管導(dǎo)電劑的性能。新工藝所制造的碳納米管集三大優(yōu)點(diǎn)于一身：1、是陳列式的碳納米管，蓬松易分散
2018-08-21 17:15:328684 
文章介紹了碳納米管的結(jié)構(gòu)和性能，綜述了碳納米管/聚合物復(fù)合材料的制備方法及其聚合物結(jié)構(gòu)復(fù)合材料和聚合物功能復(fù)合材料中的應(yīng)用研究情況，在此基礎(chǔ)上，分析了碳納米管在復(fù)合材料制備過(guò)程中的純化、分散、損傷和界面等問(wèn)題，并展望了今后碳納米管/聚合物復(fù)合材料的發(fā)展趨勢(shì)。
2018-12-13 08:00:008 他們的解決方案依賴于碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管（CNTFET）和電阻式RAM存儲(chǔ)器（RRAM）的3D集成。這種技術(shù)是Shulaker在斯坦福大學(xué)期間，協(xié)助 H.-S. Philip Wong
2019-03-05 11:10:385126 SkyWater科技的晶圓廠生產(chǎn)出第一批可以匹敵先進(jìn)硅芯片性能的3D納米管晶圓。
2019-07-26 14:03:463128 MIT和ADI公司的研究人員們創(chuàng)造了第一個(gè)完全可編程的16位碳納米管微處理器。它是迄今基于碳納米管的CMOS邏輯最復(fù)雜的集成，擁有14000多個(gè)晶體管，基于RISC-V架構(gòu)，可執(zhí)行與商用微處理器相同的任務(wù)。
2019-09-02 14:37:291054 以半導(dǎo)體碳納米管為基礎(chǔ)的晶體管作為先進(jìn)微電子器件中硅晶體管的替代品，顯然很有前景。但碳納米管固有的納米級(jí)缺陷和可變性，以及處理它們面臨的挑戰(zhàn)，阻礙了它們?cè)谖㈦娮宇I(lǐng)域的實(shí)際應(yīng)用。
2019-09-07 07:08:007191 他于近日在底特律對(duì)數(shù)百名工程師表示：“這片晶片是上周五制造的……這是鑄造廠制造的第一塊單片3D集成電路。”晶圓上有多個(gè)芯片，由一層CMOS碳納米管晶體管和一層RRAM存儲(chǔ)單元構(gòu)成，這些存儲(chǔ)單元相互疊放
2019-10-13 16:50:002702 自1991年日本Iijima教授發(fā)現(xiàn)碳納米管以來(lái)，納米技術(shù)吸引了大量科學(xué)家的興趣和研究，是目前科學(xué)界的研究熱點(diǎn)。基于碳納米管獨(dú)特的電學(xué)特性，提出了利用碳納米管陣列構(gòu)筑新型天線和傳輸線的設(shè)想。自此
2020-11-06 10:40:002 但是，這并不代表著對(duì)碳納米管半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)會(huì)一帆風(fēng)順。1998年首個(gè)碳納米管晶體管研發(fā)至今，碳納米管半導(dǎo)體技術(shù)一直遭遇材料上的瓶頸。長(zhǎng)期以來(lái)，最小碳納米管CMOS器件的柵長(zhǎng)停滯在20nm（2014年 IBM）。
2020-08-31 15:00:503526 新的制造工藝，該工藝可以更好地控制碳納米管晶體管。這種控制對(duì)于確保在邏輯電路中充當(dāng)晶體管的晶體管完全關(guān)閉時(shí)至關(guān)重要。
2020-12-15 15:22:131610 論文題目中有個(gè)看起來(lái)有點(diǎn)兒高深的詞「碳納米管紗線」（Carbon nanotube yarns），那么在談具體的研究細(xì)節(jié)之前，我們先來(lái)解決一個(gè)問(wèn)題：碳納米管紗線為何物？
2021-02-20 09:19:302915 
本文提出了一種碳納米管“橋接策略”來(lái)合成這種富含用于 ORR 催化的高活性單原子 Fe 位點(diǎn)和用于 OER催化的高性能NiCo 納米顆粒的雙功能氧電催化劑（FePc||CNTs||NiCo/CP）。
2022-11-11 11:04:52869 碳納米管具有高穩(wěn)定性和卓越的電子特性，已成為替代晶體管中硅的主要候選材料。在11 月 17 日發(fā)表于《科學(xué)》雜志的一篇評(píng)論文章中，西北大學(xué)的Mark Hersam及其合作者概述了碳納米管在高性能 IC 以及適用于物聯(lián)網(wǎng)的低成本/低性能電子產(chǎn)品中的機(jī)遇和剩余挑戰(zhàn)
2022-11-25 10:03:361104 技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室與北京大學(xué)教授張志勇、中科院國(guó)家空間科學(xué)中心副研究員陳睿合作，研制出基于局域底柵的碳納米管晶體管和靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，并系統(tǒng)研究了碳納米管器件與電路的綜合抗輻射能力（圖1）。研究顯示，局域底柵碳納米
2022-12-02 16:49:282655 溝道表面的氧化釔薄膜由電子束蒸發(fā)鍍膜儀所蒸鍍的金屬釔加熱氧化形成，隨后在溝道表面蒸鍍金納米薄膜，金納米薄膜會(huì)自團(tuán)聚形成金顆粒，自此完成浮柵型碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FG-CNT-FET）的制備以及表面的金納米顆粒修飾。
2023-03-23 11:04:101457 OCSiAl通過(guò)技術(shù)革新，提升了單壁碳納米管粉料的產(chǎn)能，同時(shí)推出了新一代的高固含導(dǎo)電產(chǎn)品，相較現(xiàn)有產(chǎn)品，固含提升在2倍以上，進(jìn)一步降低單壁碳納米管的使用成本，提升性價(jià)比。
2023-04-20 09:34:461283 on Carbon Nanotube Film and Application in Optoelectronic Integration”的綜述文章，該綜述全面介紹了高純度半導(dǎo)體碳納米管的提純和薄膜制備
2023-06-12 17:02:40338 
晶體管氫氣傳感器產(chǎn)品已經(jīng)上市， 其探測(cè)限可以達(dá)到 0.5ppm，屬于最高端的氫氣傳感器產(chǎn)品，也是世界首款碳納米管芯片產(chǎn)品。 碳基電子技術(shù)將在未來(lái) 3 年左右用于傳感器芯片領(lǐng)域 ，以及在未來(lái) 5-8 年左右用于射頻芯片領(lǐng)域，并將在未來(lái) 15 年內(nèi)用于高端數(shù)字芯片
2023-09-05 15:10:18538 
隨著科技的進(jìn)步，碳納米管（Carbon Nanotubes，CNT）已經(jīng)逐漸引領(lǐng)鋰電池領(lǐng)域的革新浪潮。傳統(tǒng)導(dǎo)電劑的替代者，碳納米管以其卓越的性能特點(diǎn)，包括優(yōu)異的導(dǎo)電導(dǎo)熱性能、阻酸抗氧化性、低阻抗
2023-10-27 17:41:231433 研究中，他們提出了一種頂柵互補(bǔ)碳納米管金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)（Top Gate complementary CNT MOSFETs）。在該結(jié)構(gòu)中，通過(guò)將摻雜僅僅局限在延伸部分，而在通道保持未摻雜的狀態(tài)，憑借這一架構(gòu)課題組消除了金屬電極的重疊
2024-01-05 16:08:32338 
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