閃存巨頭再度發力：三星公司在本屆閃存記憶體峰會上連續公布了32 TB SSD、1TB BGA以及一款高速Z-SSD方案。其中32TB SSD利用64層3D NAND構建而成，即三星旗下的V-NAND品牌，同時配合TLC（即三層單元）設計。

　　64層 V-NAND

　　64層TLC V-NAND最初公布于今年8月底，其能夠提供超越當前256 Gbit 48層技術的存儲容量。目前512 Gbit（64 GB）芯片已經完成，意味著其能夠將SSD存儲容量翻倍。三星方面指出，這套方案的IO速度為每秒800 Mbit。

　　西部數據/東芝也擁有自己的64層3D NAND技術，名為BiCS，目前正處于實驗性階段，芯片容量為256 Gbit。

　　三星方面可能會利用其64層V-NAND芯片打造一款8 TB且尺寸大于M.2的SSD產品。其物理尺寸為22毫米x 110毫米。在利用此款產品的情況下，企業級服務器能夠在1U空間內實現256 TB NAND存儲容量。標準的M.2尺寸則可能用于構建搭載同款芯片的三星4 TB產品。

　　首款采用64層V-NAND芯片的產品預計將在2016年第四季度推出，據猜測其可能是一款采用BGA尺寸設計的平板型設備。

　　32 TB SSD

　　三星還將推出一款面向企業數據存儲場景的2.5英寸SAS連接SSD產品，其中包含32個1 TB組件堆棧，每套堆棧由16個512 Gbit芯片堆疊而成。換句話來說，我們將迎來一款對分層式閃存芯片進行分層疊加的存儲方案。

　　三星公司目前的最高容量SSD產品為2.5英寸15.36 TB PM1633a。此款驅動器當中包含32套封裝堆棧，每套堆棧容納有512塊256 Gbit 48層V-NAND芯片。此前的PM1633產品則采用32層128 Gbit芯片，總體容量為3.84 TB。

　　這款32TB SSD將沿用512 Gbit芯片所采用的基礎雙層布局，其最終定名為PM1643，預計將于2017年年內發售。

　　SSD容量宣傳之戰已然打響

　　三星公司認為，其將能夠在2020年推出100 TB SSD產品; 這可能代表著再進行兩輪V-NAND技術升級，即將其2 Tbit芯片提升為128層結構--但這純粹只是我們的猜測。

　　希捷公司則公布了一款3.5英寸60 TB SSD產品，其可能塞進了1250塊384 Gbit美光32層TLC芯片。

　　東芝公司則在探討利用QLC（即四層單元）閃存打造100 TB SSD的可能性。

　　1TB BGA

　　三星公司還擁有一款1TB BGA（即球柵陣列），其容量達到東芝采用48層BICS技術的TLC NAND 512 GB BG1 BGA封裝方案的兩倍。

　　三星的BGA產品采用TLC閃存、LPDDR4移動DRAM與一款三星控制器。其連續讀取/寫入性能分別為每秒1.5 GB與每秒900 MB。其容量僅為1克，而且應該會采用FO-PLP（即無風扇板極封裝）并于明年年內推出。其尺寸據信為11.5毫米x 13毫米。

　　Z-SSD

　　三星方面將于今年年內推出一款1 TB Z-NAND SSD產品，其采用的3D V-NAND芯片擁有“獨特的電路設計”，同時搭配經過調整的控制器，能夠提供遠超其它V-NAND SSD的速度表現。其延遲水平僅相當于其它V-NAND SSD的四分之一--三星公司將其稱為“極低”--連續讀取性能則為三星PM963 NVMe SSD的1.6倍。

　　下面來看三星公司對于Z-SSD技術的描述：

　　三星的Z-SSD采用V-NAND基礎結構并配合一套獨特的電路設計及控制器，能夠最大程度提升性能水平，其延遲與連續讀取性能水平分別達到三星PM863 NVMe SSD的四分之一與1.6倍。

　　與V-NAND共享基本結構證明其同樣屬于NAND并采用分層設計，但以上內容由韓語直接翻譯而來，所以準確性仍然有待商榷。

　　PM963的最高連續讀取傳輸帶寬為每秒1.6 GB，而新一代Z-SSD的同項參數則可提升至每秒2.56 GB。

　　不過要弄清其延遲水平則相對困難，因為三星方面壓根沒有公布過PM963的延遲。美光9100 NVMe SSD的寫入延遲為30納秒，同等比較之下這可能意味著Z-SSD的延遲為7.5納秒--與英特爾的Optane XPoint 7納秒延遲基本相當。

　　三星的Z-SSD方案：對于1 TB存儲容量來說，這樣的體積似乎確實有點太大了，再加上相當夸張的散熱片設計。

　　三星公司將其性能水平定位在SSD與DRAM之間，這明顯代表著其將成為Xpoint的競爭對手。三星方面計劃利用其處理各類高密度實時分析處理場景下，同時亦適合作為各類工作負載的高性能處理方案。

　　其中“獨特的電路設計”可能代表著其采用SLC芯片（即單層單元），這意味著其在基礎層面擁有遠超MLC（即二層單元）或者TLC（三層單元）產品的讀取與寫入速度。不過利用SLC閃存實現XPoint級別的速度表現仍然可能性很低--事實上，根本不可能。

　　Z-SSD將于2017年年內發布2 TB與4 TB兩種容量版本。