寬禁帶半導體材料越來越受行業歡迎。在碳化硅（SiC）正處于大力擴張之時，供應商都在努力滿足SiC功率器件和硅片市場的潛在需求。 譬如，Cree計劃投資高達10億美元來擴張其SiC晶圓產能。根據該公司
2019-07-19 16:59:35
13632 。科銳是碳化硅（SiC）半導體全球領先企業，德爾福科技是汽車動力推進技術全球供應商，雙方的此次合作將通過采用碳化硅（SiC）半導體器件技術，為未來電動汽車（EV）提供更快、更小、更輕、更強勁的電子系統。 科銳碳化硅（SiC）基金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）技術與德
2019-09-10 11:05:408288 2019年9月23日，作為碳化硅（SiC）技術全球領先企業的科銳（Cree），于今日宣布計劃在美國東海岸創建碳化硅（SiC）走廊，建造全球最大的碳化硅（SiC）制造工廠。科銳將在美國紐約州Marcy
2019-09-24 09:59:048326 電子發燒友網報道（文/梁浩斌）SiC供不應求，已經是行業共識。自從電動汽車興起，特斯拉率先在電動汽車上大規模應用SiC功率器件，需求開始爆發后，產能不足成為了SiC應用擴張的最大障礙。 ? 據統計
2022-07-13 07:05:003827 州莫霍克谷（Mohawk Valley）的采用領先前沿技術的 SiC 制造工廠正式開業。這座 200mm 晶圓工廠將助力推進諸多產業從 Si 基產品向 SiC 基半導體的轉型。 ? ? 紐約州州長 Kathy Hochul
2022-04-28 14:43:071454 
在很寬的范圍內實現對器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對于功率器件，4H-SiC被認為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產。
2022-11-22 09:59:261373 在不久前的一場羅姆SiC產品分享會上，筆者詳細了解了SiC產品在功率器件中的比較優勢，以及該公司在SiC產品線、車規產品以及生產制造方面的情況。
2019-07-12 17:35:598422 有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
盡管自20世紀70年代以來，與器件相關的SiC材料研究一直在進行，但是Baliga在1989年最正式地提出了SiC用于功率器件的前景。Baliga的品質因素是有抱負的材料和器件科學家繼續推進SiC
2023-02-27 13:48:12
家公司已經建立了SiC技術作為其功率器件生產的基礎。此外，幾家領先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產品的路線圖奠定了基礎。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-04-22 06:20:22
通過電導率調制，向漂移層內注入作為少數載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數載流子的積聚，在Turn-off時會產生尾電流，從而造成極大的開關損耗。 SiC器件漂移層的阻抗
2023-02-07 16:40:49
。如果是相同設計，則與芯片尺寸成反比，芯片越小柵極電阻越高。同等能力下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此柵極電容小，但內部柵極電阻增大。例如，1200V 80mΩ產品（S2301為裸芯片
2018-11-30 11:34:24
電導率調制，向漂移層內注入作為少數載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數載流子的積聚，在Turn-off時會產生尾電流，從而造成極大的開關損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
本文就SiC-MOSFET的可靠性進行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產品相關的信息和數據。另外，包括MOSFET在內的SiC功率元器件的開發與發展日新月異，如果有不明之處或希望
2018-11-30 11:30:41
SiC-MOSFET的有效性。所謂SiC-MOSFET－溝槽結構SiC-MOSFET與實際產品所謂SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性SiC功率元器件基礎篇前言前言何謂SiC（碳化硅）？何謂碳化硅SiC
2018-11-27 16:38:39
電源系統應用實現小型與更低損耗的關鍵 | SiC肖特基勢壘二極管在功率二極管中損耗最小的SiC-SBDROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管
2019-03-27 06:20:11
-SBD的發展，整理一下當前實際上供應的SiC-SBD。電源IC等通過不同的架構和配置功能比較容易打造出品牌特色，而二極管和晶體管等分立元器件，功能本身是一樣的，因此是直接比較幾乎共通的特性項目來選型的。此時
2018-11-30 11:51:17
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉換器SiC/GaN具有的優勢
2021-03-10 08:26:03
SiC46x是什么？SiC46x有哪些優異的設計？SiC46x的主要應用領域有哪些？
2021-07-09 07:11:50
與硅相比，SiC有哪些優勢？SiC器件與硅器件相比有哪些優越的性能？碳化硅器件的缺點有哪些？
2021-07-12 08:07:35
電導率調制，向漂移層內注入作為少數載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數載流子的積聚，在Turn-off時會產生尾電流，從而造成極大的開關損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬范圍內控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應用于工業機器的電源或光伏發電的功率調節器等。2. 電路構成現在量產中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
具有成本效益的大功率高溫半導體器件是應用于微電子技術的基本元件。SiC是寬帶隙半導體材料，與Si相比，它在應用中具有諸多優勢。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
進行介紹。SiC功率元器件的開發背景之前談到，通過將SiC應用到功率元器件上，實現以往Si功率元器件無法實現的低損耗功率轉換。不難發現這是SiC使用到功率元器件上的一大理由。其背景是為了促進解決全球
2018-11-29 14:35:23
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應用于工業機器的電源或光伏發電的功率調節器等。2. 電路構成現在量產中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
2019-03-25 06:20:09
的方式相存在。 另外，汽車無疑是SiC最大的應用市場，且業內預計到2025年，汽車電子功率器件領域采用SiC技術的占比會超過20%，因此意法半導體、英飛凌、安森美等都在產能擴張、產業整合、技術創新
2022-12-27 15:05:47
5月17日上午，中聯重科塔機智能工廠二期開園活動暨全球最大風電塔機下線儀式在湖南常德隆重舉行。這標志中聯重科塔機智能工廠全線投產，建筑起重機械迎來了全面智能制造的新時代。中聯重科塔機智能工...
2021-07-12 08:03:50
基GaN由于具有更大輸出功率與更快作業頻率，已被看好可取代硅元件成為下一世代的功率元件。近年來全球對于都市基礎建設、新能源、節能環保等方面的政策支持，擴大對于SiC/GaN等高性能功率元件的需求，將進一步促進SiC/GaN功率元件的發展。
2022-08-12 09:42:07
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發的第3代SiC肖特基二極管（以下簡稱“SBD”）成功應用于Murata Power Solutions的產品上。Murata Power
2023-03-02 14:24:46
的量產化，并于 2010 年全球首家成功實現了 SiC-MOSFET 的量產。羅姆希望通過本次研討會，讓更多同行了解 SiC 的優點和特性，更好地應用 SiC 功率器件。研討會的演講概要如下： 1
2018-07-27 17:20:31
項目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃：申請理由本人在半導體失效分析領域有多年工作經驗，熟悉MOSET各種性能和應用，掌握各種MOSFET的應用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
項目名稱：風電伺服驅動控制器SiC器件試用試用計劃：申請理由本人在工業控制領域有十余年的產品開發經驗，目前正在從事風電機組變槳控制系統伺服驅動器的開發，是一個國產化項目，也是SiC器件應用的領域
2020-04-24 18:03:59
要充分認識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導通和關斷
2017-12-18 13:58:36
引言：前段時間，Tesla Model3的拆解分析在行業內確實很火，現在我們結合最新的市場進展，針對其中使用的碳化硅SiC器件，來了解一下SiC器件的未來需求。我們從前一段時間的報道了解到：目前
2021-09-15 07:42:00
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
-SBD和Si-SBD均具有高速性的特征，SiC-SBD不僅擁有優異的高速性且實現了高耐壓。Si-SBD的耐壓極限為200V，而SiC具有硅10倍的擊穿場強，故ROHM已經開始量產1200V的產品，同時在推進
2018-11-29 14:33:47
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
ROHM為參戰2017年12月2日開幕的電動汽車全球頂級賽事“FIAFormula E錦標賽2017-2018（第4賽季）”的文圖瑞Formula E車隊提供全SiC功率模塊。ROHM在上個賽季（第
2018-12-04 10:24:29
其性能的控制元器件的開發。最大限度地發揮SiC-MOSFET的性能，需要優化柵極驅動器最大限度地發揮SiC-MOSFET的性能，需要優化SiC-MOSFET的驅動、即柵極驅動器。ROHM為了實現誰都
2018-12-04 10:11:25
ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內率先開始SiC SBD的量產，目前正在擴充第二代SIC-SBD產品陣容，并推動在
2018-12-04 10:26:52
在開關電源轉換器中,如何充分利用SiC器件的性能優勢？
2021-02-22 07:16:36
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應用于工業機器的電源或光伏發電的功率調節器等。2. 電路構成現在量產中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
2019-03-12 03:43:18
雖然電動和混合動力電動汽車（EV]從作為功率控制器件的標準金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術的FET的轉變代表了提高EV的效率和整體系統級特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45
`①未來發展導向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導體）元器件備受矚目。在科技發展道路上的，“小型化”和“節能化
2017-07-22 14:12:43
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內雖有幾家在持續投入，但還處于開發階段, 且技術尚不完全成熟。從國內
2019-09-17 09:05:05
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-05-07 06:21:51
深愛全系列支持SIC9531DSIC9532DSIC9533DSIC9534DSIC9535DSIC9536DSIC9537DSIC9538DSIC9539DSIC9942B/DSIC9943B
2021-11-13 14:58:25
低功率因素方案SIC953XD系列：TYPESPFMOSFETPackage **范圍SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
：“通過比較發現，電動汽車整車半導體平均總成本是傳統汽車的兩倍，而電動汽車50%的總成本與功率器件有關。” 他認為，SiC在電動車制造中可以節約成本。在電動汽車驅動電機和逆變器中，采用SiC
2023-02-27 14:28:47
甚至無法工作。解決方法就是在管殼內引入內匹配電路，因此內匹配對發揮GaN功率管性能上的優勢，有非常重要的現實意義。 2.SIC碳化硅(SiC)以其優良的物理化學特性和電特性成為制造高溫、大功率電子器件
2017-06-16 10:37:22
專案執行分為三個主要階段：規范和用例定義，技術開發，原型展示研發。WINSIC4AP項目中的SIC技術制造SiC元件需要使用專用生產線，系因半導體的物理特性（摻雜劑的極低擴散性和晶格的復雜性），以及
2019-06-27 04:20:26
SiC,SiC是什么意思
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類型。其典型結構可分為兩類：一類是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱為3C
2010-03-04 13:25:266539 分析了SiC半導體材料的結構類型和基本特性， 介紹了SiC 單晶材料的生長技術及器件工藝技術， 簡要討論了SiC 器件的主要應用領域和優勢
2011-11-01 17:23:20
81 使用SiC的新功率元器件技術
2018-06-26 17:56:005775 SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導率是Si的3倍，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 
SiC功率器件大勢所趨，國際巨頭競相布局，全球領先的半導體供應商意法半導體擬通過并購整合進一步擴大SiC產業規模。日前，意法半導體宣布，公司已簽署協議，收購瑞典碳化硅（SiC）晶圓制造
2019-04-06 16:41:362203 Cree， Inc. （Nasdaq： CREE）宣布，作為公司長期增長戰略的一部分，將投資10億美元用于擴大SiC（碳化硅）產能，在公司美國總部北卡羅萊納州達勒姆市建造一座采用最先進技術的自動化
2019-05-14 10:24:443586 2019年5月7日，美國北卡羅萊納州達勒姆訊 – Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布，作為公司長期增長戰略的一部分，將投資10億美元用于擴大SiC碳化硅產能，在公司美國總部北卡羅萊納州達勒姆市建造一座采用最先進技術的自動化200mm SiC碳化硅生產工廠和一座材料超級工廠。
2019-05-10 09:15:193496 Cree將投資10億美元，擴大SiC碳化硅產能。
2019-05-13 14:57:223403 近日，科銳在官網宣布擴產計劃進展，表示將在美國紐約州建造全球最大SiC制造工廠。
2019-09-26 17:15:086099 美國北卡羅萊納州達勒姆訊––Cree，Inc.（Nasdaq:CREE）宣布，科銳正在推進從硅（Si）向碳化硅（SiC）的產業轉型。為了滿足日益增長的對于Cree開創性Wolfspeed技術的需求
2020-09-02 14:35:242455 日本半導體制造商羅姆在ROHM Apollo Co．，Ltd．（總部位于日本福岡縣）筑后工廠投建的新廠房于近日完工，并將于本月開始安裝生產設備，以滿足電動車等用途的碳化硅（SiC）電源控制芯片產能
2021-01-15 11:50:002203 的 3 倍，而且在器件制造時可以在較寬的范圍內實現必要的 P 型、N 型控制，所以被認為是一種超越 Si 極限的用于制造功率器件的材料。SiC 存在各種多型體（結晶多系），它們的物性值也各不相同。最適合于制造功率器件的是 4H-SiC，現在 4inch～6inch 的單晶晶圓已經實現了量產。
2021-04-20 16:43:0957 一個特斯拉就將消耗SiC晶圓總產能這兩年，由于SiC獨有的優良特性，車廠陸續開始導入SiC器件，這對SiC晶圓的需求量是巨大的。Tesla第1季宣稱6月底美國工廠Model 3及Model Y的年產能
2021-04-29 10:13:141205 州莫霍克谷（Mohawk Valley）的采用領先前沿技術的 SiC 制造工廠正式開業。這座 200mm 晶圓工廠將助力推進諸多產業從 Si 基產品向 SiC 基半導體的轉型。 ? ? 紐約州州長 Kathy Hochul
2022-04-26 23:27:582520 
位于美國紐約州的新工廠擴大 Wolfspeed 制造產能，滿足從汽車到工業等諸多應用對于 SiC 器件急劇增長的需求。
2022-04-27 15:53:49454 電子發燒友網報道（文/梁浩斌）SiC供不應求，已經是行業共識。自從電動汽車興起，特斯拉率先在電動汽車上大規模應用SiC功率器件，需求開始爆發后，產能不足成為了SiC應用擴張的最大障礙。
2022-07-13 09:35:441343 羅姆最近在日本筑后市的羅姆阿波羅工廠完成了一座新建筑。該設施旨在提高碳化硅（SiC）功率器件的生產能力。這座創新建筑采用工廠自動化和可再生節能技術，從生態角度看待制造業 Rohm
2022-07-26 17:24:31812 
碳化硅器件正在幾個大容量功率應用中取代其現有的硅對應物。隨著 SiC 市場份額的持續增長，該行業正在消除大規模商業化的最后一道障礙，包括高于 Si 器件的成本、相對缺乏晶圓平面度、存在
2022-07-30 16:11:17471 
日本筑后羅門阿波羅工廠增建了一座新廠房，旨在提高碳化硅（SiC）功率器件的生產能力。這個新工廠包括工廠自動化和可再生節能技術，以實現更綠色的制造過程。 在接受 EE Times 采訪時，羅姆半導體
2022-08-04 14:50:44488 
來源：半導體芯科技編譯 全球的器件制造商正在加強碳化硅（SiC）的制造，增長將在2024年開始真正起飛。 自特斯拉和意法半導體在Model 3中使用碳化硅以來，已經過去了近五年時間。現在，沒有人懷疑
2022-08-25 11:14:36586 寬帶隙半導體是高效功率轉換的助力。有多種器件可供人們選用，包括混合了硅和SiC技術的SiC FET。本文探討了這種器件的特征，并將它與其他方法進行了對比。
2022-10-31 09:03:23666 近年來，SiC功率器件結構設計和制造工藝日趨完善，已經接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續完善來提高裝置與系統性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導體器件技術發展現狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導體器件的突破。
2022-11-24 10:05:102020 些巨頭開始斥巨資建SiC工廠。 ? ? ? ?據德國《商報》的消息，美國Wolfspeed正在薩爾州建設世界上最大的碳化硅 (SiC) 半導體工廠；該工廠計劃在2027年投產；汽車零部件供應商采埃孚擁有該工廠的少數股權。此次投資或將高達20億歐元。 消息顯示Wo
2023-01-29 17:59:511927 的FBSOA。SiC可以用來制造射頻和微波功率器件，各種高頻整流器，MESFETS、MOSFETS和JFETS等。
2023-02-20 16:14:461597 新增投資的主要部分，約 1000 億日元，將用于建設新的 8 英寸 SiC 晶圓廠和增強相關生產設施。新工廠將合并熊本縣酒酒井地區的自有設施，將生產大直徑8英寸SiC晶圓，引入具有最先進能源效率
2023-03-17 10:09:001118 全球SiC器件產能到2027年將增長兩倍，排名前五的公司是：ST、英飛凌、Wolfspeed、onsemi和ROHM。Yole Intelligence的分析師預測，未來五年SiC器件市場價值將達到60億美元，并可能在2030年代初達到100億美元。
2023-03-27 11:10:00556 碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術，具有傳統硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應用。此外，SiC還具有比Si更低的熱阻，這意味著它可以更有效地散熱，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469 2023年7月12日，羅姆宣布將收購原Solar Frontier國富工廠（宮崎縣國富町），以擴大SiC（碳化硅）功率半導體的產能。
2023-07-13 17:42:17572 首先，是一張制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。
2023-08-06 10:49:071106 
一、什么是SiC半導體？1.SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬
2023-08-21 17:14:581145 
。從Wolfspeed 計劃在德國建設全球最大的 SiC 工廠，到三菱計劃在日本建設8 英寸 SiC 晶圓廠，這些項目不僅涉及氣候變化，還涉及緩和全球緊張局勢和保障芯片供應。 我們在美國政府為其國內芯片制造提供的 527 億美元補貼計劃中看到了這一點，作為其“芯
2023-10-16 18:38:22406 全球范圍內擴大，同時也是推動SiC功率器件需求指數增長的幾個新興應用之一。與傳統的硅功率器件相比，SiC器
2023-10-18 19:17:17368 安森美半導體已完成其在韓國富川的全球最大的碳化硅(SiC)制造工廠的擴建。該工廠將能夠以峰值產能每年生產超過100萬個200毫米SiC晶圓。為了支持SiC制造能力的增長，安森美美計劃在未來三年內雇用
2023-10-26 17:26:58746 了解SiC器件的命名規則
2023-11-27 17:14:49357 
在新能源產業強勁需求下，全球SiC產業步入高速成長期，推升了對SiC襯底產能的需求。
2023-12-19 10:09:18295 
iC逆變器是一種新型的電力電子器件，具有高效率、高頻率、高溫穩定性等優點，廣泛應用于電動汽車、可再生能源、電力系統等領域。制造SiC逆變器需要遵循一定的流程，以確保產品的性能和可靠性。以下是制造
2024-01-10 14:55:44137 
近期，2家臺灣企業正在加速推進其SiC模塊工廠的建設
2024-03-18 10:52:32348 
電子發燒友App
工商網監
評論