5月7日消息?由于質疑競爭對手的技術進展,三星決定公開自家DRAM產品的電路線寬,以顯示三星在該領域的技術領先地位。據韓媒報導,三星準備打破DRAM業界傳統,將公布自家DRAM產品電路線寬。
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據了解,DRAM電路線寬被業界認定為衡量存儲器公司技術能力的重要指標,DRAM的電路線寬越窄,其功率效率就越高。 因此,過去DRAM業界的傳統就是不明確公開相關產品的確切電路線寬。
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并且,隨著DRAM制程技術在2016年進入10納米級制程后,DRAM制造商也普遍達成共識,通過不公開相關參數來避免過度競爭。 原因主要在于進入到10納米級制程后,電路線寬每縮小1納米,需要2到3年的研發投入,如此長的研發時間意味著以技術議題為營銷賣點的意義并不大。
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基于以上因素,在過去的5到6年間,全球DRAM廠商事實上從未確實的發表過DRAM產品的電路線寬數字。這也是DRAM產業普遍將2016年推出的10納米級制程歸類為第一代1x納米制程,將2018年推出的10納米級制程歸類為第二代1y納米制程,以及在同一年推出的10納米級制程歸類為第三代1z納米制程,之后于2021年初問世的第四代10納米級制程,將其稱之為1a納米制程。
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報道中強調,就因為DRAM廠商普遍將10納米級制程以1x納米制程、1y納米制程、1z納米制程等來稱呼,所以很難確切比較如三星的1z納米制程DRAM和美光的1z納米制程DRAM在電路線寬上的差異。為此,三星決定放棄傳統的模糊化表述,預計將公布旗下各 10 納米級制程 DRAM 產品電路線寬。除了揭示三星對自身制程技術的信心外,這似乎也預示著這一領域的技術競爭將再次激烈化。
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三星表示,將在2021年下半年量產1a納米制程DRAM,該產品的電路線寬為14納米。 事實上,三星是全球第一家在 2016 年初開始量產第一代 1x 納米制程 DRAM 的公司,量產時間領先SK 海力士和美光大約半年到1年。 到了2019年開發出1z納米制程DRAM前,即使三星沒有公布其DRAM電路線寬,卻也無人否認三星在DRAM產業中處于技術領先地位。
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領先局面在第四代1a納米制程DRAM產品上被打破。 全球第三大DRAM制造商美光在2021年1月宣布,已開發出全球首個1a納米制程DRAM,且已投入量產,這使得美光在技術上一口氣超越了此前的龍頭三星。 面對這一情況,三星主管DRAM的DS業務高層表示了憂心與不滿,他認為三星過去生產的1x、1y和1z納米制程DRAM的性能遠遠優于競爭對手,如今在技術上被超越是很大的沖擊,并且對美光宣稱的1a納米制程DRAM的實際情況表示懷疑。
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據悉,三星不僅懷疑美光夸大其1a納米制程DRAM的效能,而且,由于至今未看到美光發表相關產品的照片,也質疑其1a納米制程DRAM是否已真的可進行大規模量產。 因此,三星決定明確公布其下各代10納米級制程DRAM的電路線寬數字。
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電子發燒友綜合報道,參考自科技新報、BusinessKorea等,轉載請注明以上來源。
質疑對手技術進展真實性,三星將公開10納米級制程DRAM電路線寬
- DRAM(181800)
- 三星電子(180033)
- 美光(50950)
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10納米DRAM制程競爭升溫,SK海力士、美光加速追趕三星
2018-11-12 13:24 | 查看: 21 | 評論: 0 | 來自: 半導體產業網 摘要 : 10納米級DRAM先進制程競爭逐漸升溫,三星電子在2017年率先宣布量產第二代10納米(1y
2018-11-12 18:04:02253
三星電子推出30納米級低功率1.25V服務器
關鍵詞:30納米級 , RDIMM , 三星電子 日前,三星電子在電子行業首次推出了采用30納米級企業服務器1.25V 16GB(千兆) DDR3(Double Data Rate 3) RDIMM
2019-01-04 00:09:02307
美光科技正式宣布將采用第3代10納米級制程生產新一代DRAM
根據國外科技媒體《Anandtech》的報導指出,日前美系存儲器大廠美光科技(Micron)正式宣布,將采用第3代10納米級制程(1Znm)來生產新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來生
2019-08-19 15:45:223148
曝三星已開始量產6納米制程 將與臺積電展開競爭
在晶圓代工龍頭臺積電幾乎通吃市場7納米制程產品的情況下,競爭對手三星在7納米制程上幾乎無特別的訂單斬獲。為了再進一步與臺積電競爭,三星則開始發展6納米制程產線與臺積電競爭,而且也在2019年12月開始進行量產。三星希望藉由6納米制程的量產,進一步縮小與臺積電之間的差距。
2020-01-07 15:16:102524
南亞科李培瑛宣布已完成自主研發10納米級DRAM技術 預計2020下半年陸續進入產品試產
南亞科總經理李培瑛近日宣布,已完成自主研發10納米級DRAM技術。
2020-01-13 15:16:102163
南亞科自研10nm DRAM DRAM產品可持續微縮至少三個時代
1 月 13 日訊,近日,南亞科技股份有限公司稱,公司已完成自主研發 10 納米級 DRAM 技術,將在今年下半年試產。順應 10 納米制程發展,南亞科今年資本支出金額將高于去年的 55 億元。據悉,除可改善成本,南亞科成功自主開發 10 納米制程技術,將有助掌握朝高密度新產品發展機會與技術進展。
2020-01-14 10:47:27702
三星成首家在DRAM生產采用EUV技術的存儲器供應商
韓國三星電子于25已經成功出貨100萬個極紫外光刻技術(EUV)生產的業界首款10納米級DDR4 DRAM模組,將為高端PC和移動設備及企業服務器和資料中心應用等提供更先進EUV制程技術產品。 三星
2020-04-03 15:47:511009
三星首款12納米級DDR5 DRAM開發成功
-三星電子新款DRAM將于2023年開始量產,以優異的性能和更高的能效,推動下一代計算、數據中心和AI應用的發展 官方發布? ? 2022年12月21日,三星電子宣布,已成功開發出其首款采用12納米
2022-12-21 11:08:29521
三星電子首款12納米級DDR5 DRAM開發成功
出其首款采用12納米(nm)級工藝技術打造的16 Gb DDR5 DRAM,并與AMD一起完成了兼容性方面的產品評估。 三星電子首款12納米級DDR5 DRAM 三星電子高級副總裁兼DRAM產品與技術負責人
2022-12-21 21:19:54756
SK海力士第四代10納米級DDR5服務器DRAM全球首獲英特爾認證
服務器客戶 韓國首爾2023年1月12日 /美通社/ --?SK海力士12日宣布,公司研發的第四代10納米級(1a)DDR5服務器DRAM獲得了英特爾(Intel?)近期上市的全新第四代Xeon?服務器
2023-01-12 21:32:26610
三星3納米良率不超過20% 將重新擬定制程工藝時間節點
三星最新公布的制程工藝技術路線圖顯示,該公司計劃在2025年開始量產2納米級SF2工藝,以滿足客戶對高性能處理器的需求。此前,三星已于今年公布,其3納米工藝已滿足大規模生產的標準。
2023-06-29 16:26:331270
單芯片超過 100Gb,三星表示將挑戰業界最高密度 DRAM 芯片
三星電子在此次會議上表示:“從2023年5月開始批量生產了12納米級dram,目前正在開發的11納米級dram將提供業界最高密度。”另外,三星正在準備10納米dram的新的3d構架,并計劃為一個芯片提供100gb (gigabit)以上的容量。
2023-10-23 09:54:24485
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