電子發燒友網報道（文/程文智）這幾年GaN和SiC等第三代半導體器件的商用化進展還不錯，GaN器件在快充上開始大規模應用，SiC器件也在汽車上嶄露頭角。現在大家對第三代半導體器件的前景非常看好，很多
2021-12-27 09:01:00
4168 可編程邏輯器件伴隨著半導體集成電路的發展而不斷發展，其發展可以劃分為以下4個階段。
2021-08-17 09:16:009401 
的一年，射頻半導體行業有望繼續取得多項新進展，可能會面臨一些波折，但總體來講勢必將實現大量前沿技術創新。在MACOM、射頻能量聯盟及有關半導體服務商的共同努力下，新的一年有望在半導體相關更多領域，為客戶
2018-02-08 11:01:42
工程學會重慶市造船工程學會重慶兩江半導體研究院重慶集成電路技術創新戰略聯盟重慶市機器人與智能裝備產業聯合會協辦單位: 陜西省半導體行業協會 浙江省半導體行業協會成都市集成電路行業協會深圳市半導體行業協會天津市集成
2019-12-10 18:20:16
我國科學家成功在8英寸硅片上制備出了高質量的氧化鎵外延片。我國氧化鎵領域研究連續取得突破日前，西安郵電大學新型半導體器件與材料重點實驗室的陳海峰教授團隊成功在8英寸硅片上制備出了高質量的氧化鎵外延片
2023-03-15 11:09:59
半導體器件與工藝
2012-08-20 08:39:08
《電子電路分析與設計：半導體器件及其基本應用》主要內容：電子學是研究電荷在空氣、真空和半導體內運動的一門科學（注意此處不包括電荷在金屬中的運動）。這一概念最早起源于20世紀早期，以便和電氣工程
2018-11-13 15:34:39
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:09 編輯
今年剛考上研究生 本科是學通信的 無奈被調劑到專碩 導師是研究半導體器件的 對這方面不是很了解 想問下它的就業前景怎么樣 以后想往集成電路設計方面發展容易嗎？
2012-07-01 23:15:00
進口日本半導體硅材料呆料，硅含量高，其中有些硅圓片，打磨減薄后可以成為硅晶圓芯片的生產材料。聯系方式：沈女士（***）
2020-01-06 09:59:44
` 誰來闡述一下半導體集成電路是什么？`
2020-03-24 17:12:08
，無論是電容式或是電感式，其原理類似，在一塊集成有成千上萬半導體器件的“平板”上，手指貼在其上與其構成了電容（電感）的另一面，由于手指平面凸凹不平，凸點處和凹點處接觸平板的實際距離大小就不一樣，形成的電容
2014-10-19 17:48:27
監測測試設備：總結隨著器件設計難度加大，高精度高可靠性測試設備越來越被前沿研究所依賴。半導體器件測試設備在半導體產業發展中起到非常關鍵的角色，科學的設計需要實際的測量來驗證，沒有測量就沒有科學，這對半導體日益縮小的尺寸和規模的不斷增大所用到的測試設備提出更高的要求。
2020-05-09 15:22:12
的積體電路所組成，我們的晶圓要通過氧化層成長、微影技術、蝕刻、清洗、雜質擴散、離子植入及薄膜沉積等技術，所須制程多達二百至三百個步驟。半導體制程的繁雜性是為了確保每一個元器件的電性參數和性能，那么他的原理又是
2018-11-08 11:10:34
在制造半導體器件時，為什么先將導電性能介于導體和絕緣體之間的硅或鍺制成本征半導體，使之導電性極差，然后再用擴散工藝在本征半導體中摻入雜質形成N型半導體或P型半導體改善其導電性？
2012-07-11 20:23:15
近年來，全球半導體功率器件的制造環節以較快速度向我國轉移。目前,我國已經成為全球最重要的半導體功率器件封測基地。如IDM類（吉林華微電子、華潤微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車時代半導體
2021-07-12 07:49:57
本人小白，最近公司想上半導體器件的塑封生產線，主要是小型貼片器件封裝，例如sot系列。設備也不需要面面俱到，能進行小規模正常生產就行。哪位大神能告知所需設備的信息，以及這些設備的國內外生產廠家，在此先行感謝！
2022-01-22 12:26:47
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍寶石硅（SoS）等工藝技術給業界提供了豐富的選擇。雖然半導體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網絡向
2019-07-05 08:13:58
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍寶石硅（SoS）等工藝技術給業界提供了豐富的選擇。雖然半導體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網絡向長期
2019-08-20 08:01:20
半導體材料半導體的功能分類集成電路的四大類
2021-02-24 07:52:52
還有待完善。 半導體指紋傳感器由于所使用的半導體本身就是損耗件，相對于光學傳感器都存在使用壽命短。光學指紋傳感器圖像采集技術 光學指紋采集技術是最古老也是目前應用最廣泛的指紋采集技術，光學指紋采集設備
2012-06-04 16:43:40
半導體材料從發現到發展，從使用到創新，擁有這一段長久的歷史。宰二十世紀初，就曾出現過點接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應用，是半導體材料開始受到重視。1947年鍺點接觸三極管制成，成為半導體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
半導體三極管的簡易測試小結思考題附錄一國產半導體器件型號的命名方法附錄二半導體二極管參數舉例附錄三半導體三極管參數舉例第二章 低頻小信號放大電路第一節 關于低頻放大器的基本常識第二節 單級低頻小信號放大
2008-07-11 13:05:29
，導電能力明顯改變。2. 本征半導體制作半導體器件時用得最多的半導體材料是硅和鍺，它們原子核的最外層都 有4個價電子。將硅或鍺材料提純（去掉雜質）并形成單晶體后，所有原子在空間 便基本上整齊排列。半導體
2017-07-28 10:17:42
，導電能力明顯改變。2. 本征半導體制作半導體器件時用得最多的半導體材料是硅和鍺，它們原子核的最外層都 有4個價電子。將硅或鍺材料提純（去掉雜質）并形成單晶體后，所有原子在空間 便基本上整齊排列。半導體
2018-02-11 09:49:21
（ microchip ）、集成電路（in te grated circuit, IC）。是指內含集成電路的硅片，體積很小。一般而言，芯片（IC）泛指所有的半導體元器件，是在硅板上集合多種電子元器件實現某種特定功能
2020-11-17 09:42:00
硅基光電子集成芯片，摩爾定律：摩爾定律是由英特爾（Intel）創始人之一戈登·摩爾（Gordon Moore）提出來的。其內容為：當價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數目，約每隔18-24個月
2021-07-27 08:18:42
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替傳統LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
光子集成電路(PIC)是一項新興技術，它基于晶態半導體晶圓集成有源和無源光子電路與單個微芯片上的電子元件。硅光子是實現可擴展性、低成本優勢和功能集成性的首選平臺。采用該技術，輔以必要的專業知識，可
2017-11-02 10:25:07
半導體指常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料。半導體在集成電路、消費電子、通信系統、光伏發電、照明、大功率電源轉換等領域都有應用，如二極管就是采用半導體制作的器件。無論從科技或是經濟發展的角度
2020-12-28 11:21:38
集成電路是一種微型電子器件或部件，它是采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上，然后封裝在一個管殼內，成為具有
2021-09-15 06:45:56
CCD(Charge Coupled Devices)電荷耦合器件是20世紀70年代初發展起來的新型半導體集成光電器件。近30年來，CCD器件及其應用技術的研究取得飛速進展，特別是在圖像傳感和非接觸
2019-10-22 07:28:34
）的集成電路）和羅伯特·諾伊思（基于硅（Si）的集成電路）。當今半導體工業大多數應用的是基于硅的集成電路。集成電路是20世紀50年代后期一60年代發展起來的一種新型半導體器件。它是經過氧化、光刻、擴散、外延、蒸
2023-02-23 15:24:55
材料。與目前絕大多數的半導體材料相比，GaN 具有獨特的優勢：禁帶更寬、飽和漂移速度更大、臨界擊穿電場和熱導率更高，使其成為最令人矚目的新型半導體材料之一。目前，GaN 基發光器件的研究已取得了很大
2019-06-25 07:41:00
趕上甚至超過了成本昂貴的硅上氮化鎵產品的替代技術。我們期待這項合作讓這些GaN創新在硅供應鏈內結出碩果，最終服務于要求最高的客戶和應用。”意法半導體汽車與分立器件產品部總裁Marco Monti表示
2018-02-12 15:11:38
應用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多：半導體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅動電壓
2017-09-04 15:02:41
的射頻器件越來越多，即便集成化仍然很難控制智能手機的成本。這跟功能機時代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場都能夠保證低價。但如果到了5G時代，需要的器件越來越多，價格越來越高。半導體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
和 102 之間變化Q cm（硅的電阻率在 0.1 到 60 Qcm 之間）。半導體介于絕緣體和導體之間，因為它們的帶隙（價帶最高能級與電導帶最低能級之間的能量差）相對較小。分子軌道理論指出，當原子
2021-07-01 09:38:40
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN 半導體材料與器件手冊編號：JFSJ-21-059III族氮化物半導體的光學特性介紹III 族氮化物材料的光學特性顯然與光電應用直接相關，但測量光學特性
2021-07-08 13:08:32
/index.html摘要III-V 族材料與絕緣體上硅 (SOI) 平臺的混合集成是基于二乙烯基硅氧烷-雙苯并環丁烯（簡稱 DVS-BCB 或 BCB）的有源光子器件制造和粘合的有前景的策略出現作為適合這種集成的工業
2021-07-08 13:14:11
的特殊橫向限制，已顯示出成為光學、光電和電子器件的巨大潛力。具有亞波長結構的半導體納米線表現出強大的光學米氏共振，使其成為實現新型光學器件（如極端太陽能吸收器和寬帶光捕獲器件）的理想平臺。這種特殊的一維
2021-07-09 10:20:13
`書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：在硅上生長的 InGaN 基激光二極管的腔鏡的晶圓制造編號：JFSJ-21-034作者：炬豐科技 摘要：在硅 (Si) 上生長的直接帶隙 III-V
2021-07-09 10:21:36
的電子工程是一個嶄新的領域，主要研究真空管中的電荷運動。如今，電子學研究的內容一般包括晶體管和晶體管電路。微電子學研究集成電路（IC）技術，它能夠在一塊半導體材料上制造包含數百萬甚至更多個電路元件
2018-02-08 18:13:14
/控制/保護/接口/監測等外圍電路集成；而分立功率半導體器件則是功率模塊與功率IC的關鍵。圖表1 功率半導體器件分類（來源：中泰證券研究所）功率半導體器件又可根據對電路信號的可控程度分為全控型、半控型
2019-02-26 17:04:37
建模工具所采用。基于其集成的并行SPICE引擎，BSIMProPlus提供強大的全集成SPICE建模平臺，可以用于對各種半導體器件從低頻到高頻的各種器件特性的SPICE建模，包括電學特性測試、器件模型
2020-07-01 09:36:55
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:44 編輯
找了好久的資料，東芝全系列半導體器件替代RENESAS型號列表，日文原版。
2012-12-11 14:11:24
、3-三極管 第二部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極管時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料
2021-05-25 08:01:53
，除了電感器和一些無源元件，大多數電子器件都可以在單個硅芯片上制造。硅是用于集成電路(IC)制造的最常見的半導體材料，盡管它不是唯一的一種。讓我們來研究一下集成電路制造中使用的不同的半導體材料，以及
2022-04-04 10:48:17
50多年前硅（Si）集成電路的發明意義重大，為我們當前所享受的現代計算機和電子產品時代鋪平了道路。但是正如俗話所說，天下沒有不散的筵席，現在存在疑問的是，硅在半導體行業的霸主地位將何時終結？據
2019-07-30 07:27:44
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍寶石硅（SoS）等工藝技術給業界提供了豐富的選擇。雖然半導體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網絡向
2019-08-02 08:23:59
1、GaAs半導體材料可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類，元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
半導體晶圓（晶片）的直徑為4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤，在制造過程中可承載非本征半導體。它們是正（P）型半導體或負（N）型半導體的臨時形式。硅晶片是非常常見的半導體晶片，因為硅
2021-07-23 08:11:27
基于霍耳效應的半導體磁電轉換傳感器。在磁場測量以及利用磁場作為媒介對位移、速度、加速度、壓力、角度、角速度、流量、電流、電功率等許多非電量測量中，半導體磁敏元件是一種重要的器件。磁敏元件分霍耳元件
2019-09-10 10:42:32
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導體生產中采用的主要半導體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導體工作溫度。此外，SiC 的導熱性和 GaN 器件中穩定的導通電
2023-02-21 16:01:16
仿真技術在半導體和集成電路生產流程優化中的應用閔春燕(1)  
2009-08-20 18:35:32
請教，關于MIP705半導體集成電路的應用，請有識之士不惜賜教。
2012-09-22 17:33:44
功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
激光器的主流。盡管半導體激光器的缺點是光束發散角大，光束質量較差。但近年來微光學加工技術和光學整形技術的發展使得半導體激光器輸出的光束質量大大提高。同時半導體激光物理器件技術正向縱深方向推進，其原始
2022-01-10 14:30:55
技術、現代化學等方面的進步，同時它的進展又極大地促進 了相鄰學科的交叉和持續發展。眾多的科研機構在與標準集成電路工藝兼容的硅基光學器件方面開展了廣泛而深 入的研究工作，已經取得了顯著研究成果，許多關鍵技術獲得
2011-11-15 10:51:27
根據不同的誘因，常見的對半導體器件的靜態損壞可分為人體，機器設備和半導體器件這三種。
當靜電與設備導線的主體接觸時，設備由于放電而發生充電，設備接地，放電電流將立即流過電路，導致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
科技有限公司已可以提供商業化的SOI材料。在SOI器件和電路研制方面有中國科學院微電子研究所、中國電子科技集團公司第58所、航天時代集團第七七一研究所、中國科學院半導體所等。 中國科學院微電子研究
2011-07-06 14:11:29
、天文學、環境科學等領域有重要的應用價值。THz振蕩源則是THz頻段應用的關鍵器件。研制可以產生連續波發射的固態半導體振蕩源是THz技術研究中最前沿的問題之一。基于半導體的THz輻射源有體積小、易集成
2019-05-28 07:12:25
silicon photonic circuits“。基于鍺離子注入的硅波導工藝和激光退火工藝，他們實現了可擦除的定向耦合器，進而實現了可編程的硅基集成光路，也就是所謂的光學FPGA。
2019-10-21 08:04:48
安森美半導體電源方案部（PSG）加速了擴展分立器件、集成電路(IC)、模塊和驅動器產品陣容，針對汽車應用中的高電源能效方案。公司電源方案部的汽車認證的器件數現已超過4,000，是該行業中最大的供應商
2018-10-25 08:53:48
去年九月，安森美半導體宣布收購Fairchild半導體。上周，我們完成了前Fairchild半導體產品信息向安森美半導體網站的轉移。這使訪客能瀏覽低、中、高壓電源模塊、集成電路和分立器件合并的、擴展
2018-10-31 09:17:40
高性能、高能效硅解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)日前在臺北舉行的第七屆靜電放電保護技術研討會上，針對如何防止靜電放電(ESD) 所帶來的損失，從元件、制造和系統三個層級
2019-05-30 06:50:43
文章主要介紹了當前射頻集成電路研究中的半導體技術和CAD技術，并比較和討論了硅器件和砷化鎵器件、射頻集成電路CAD和傳統電路CAD的各自特點。近年來，無線通信市場的蓬勃發展，特別是移動電話、無線
2019-07-05 06:53:04
；第五部分表示規格。具體規定見表 3.1 所示。2.日本常用半導體器件的型號命名標準 3.美國常用半導體器件的型號命名標準 4.常用的整流二極管型號及性能 5.硅高頻小功率三極管參數 6.部分國外硅高頻
2017-11-06 14:03:02
常用的功率半導體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
近日，微電子所納米加工與新器件集成技術研究室（三室）在阻變存儲器研究工作中取得進展，并被美國化學協會ACS Nano雜志在線報道。 基于二元氧化物材料的電阻式隨機存儲器（ReRAM）具有低廉的價格
2010-12-29 15:13:32
新型銅互連方法—電化學機械拋光技術研究進展多孔低介電常數的介質引入硅半導體器件給傳統的化學機械拋光（ＣＭＰ）技術帶來了巨大的挑戰，低ｋ 介質的脆弱性難以承受傳統ＣＭＰ 技術所施加的機械力。一種結合了
2009-10-06 10:08:07
問個菜的問題:半導體(或集成電路)工藝 來個人講講 半導體工藝 集成電路工藝 硅工藝 CMOS工藝的概念和區別以及聯系吧。查了一下：集成電路工藝（integrated
2009-09-16 11:51:34
`①未來發展導向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導體）元器件備受矚目。在科技發展道路上的，“小型化”和“節能化
2017-07-22 14:12:43
。我們通常提及的半導體產業除了半導體器件的設計，制造及封裝之外，還包括硅材料制造業及封裝材料制造業。由于集成電路是半導體技術的核心，集成電路的發展及其在各個領域的廣泛應用，極大地推動了半導體行業的進步
2008-09-23 15:43:09
`繼續奉送畢業研究生的學習資料包括 微電子學概論、半導體集成電路、微電子學處理技術等多年的珍藏，對IC設計學習非常的用幫助畢業研究生繼續送資料—微電子學概論、半導體集成電路等[hide][/hide]`
2011-12-15 14:04:37
、日本等國家和組織啟動了至少12項研發計劃，總計投入研究經費達到6億美元。借助各國***的大力支持，自從1965年第一支GaAs晶體管誕生以來，化合物半導體器件的制造技術取得了快速的進步，為化合物半導體
2019-06-13 04:20:24
電力半導體器件的分類
2019-09-19 09:01:01
電源管理半導體的新進展1979年電力電子學會在我國成立，此后，人們開始把用于大功率方向的器件稱為電力半導體。由于微電子學把相關的器件稱為微電子器件，從而也有了電力電子器件之稱。電力半導體和電力
2009-12-11 15:47:08
·基爾比（基于鍺（Ge）的集成電路）和羅伯特·諾伊思（基于硅（Si）的集成電路）。當今半導體工業大多數應用的是基于硅的集成電路。集成電路是20世紀50年代后期一60年代發展起來的一種新型半導體器件
2020-04-22 11:55:14
電路）和羅伯特·諾伊思（基于硅（Si）的集成電路）。當今半導體工業大多數應用的是基于硅的集成電路。集成電路是20世紀50年代后期一60年代發展起來的一種新型半導體器件。它是經過氧化、光刻、擴散、外延、蒸鋁等
2020-02-18 13:23:44
`泰科天潤招聘貼~研發工程師崗位職責：1.半導體器件設計；2.半導體工藝開發；3.研究SiC功率器件方面的最新進展，包括研究文獻、新設計、新技術、新產品等；4.協助小組項目開發。任職要求：1.本科
2018-03-12 16:24:28
的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態半導體外，還有非晶態的玻璃半導體、有機半導體等。 半導體的分類，按照其制造技術可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類
2016-11-27 22:34:51
半導體材料是一類具有半導體性能（導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內）、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。按種類可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類
2019-06-27 06:18:41
本文對半導體泵浦固體激光陀螺近年來研究進展做了分析和評述，表明半導體泵浦固體激光陀螺是一種全新可行的激光陀螺方案。
2009-07-18 11:16:11
20 半導體器件,半導體器件的種類
半導體器件從肯有2個管腳的二極管到最新的系統LSI、超大功率器件均有廣泛的研究，且被廣泛地運用于手機、數碼家電產品
2010-03-01 17:25:025984 文章主要介紹了當前射頻集成電路研究中的半導體技術和CAD技術，并比較和討論了硅器件和砷化鎵器件、射頻集成電路CAD和傳統電路CAD的各自特點。
2011-06-29 09:34:371846 日前，中科院微電子研究所納米加工與新器件集成技術研究室(三室)在阻變存儲器微觀機制研究中取得系列進展。
2012-04-13 09:31:301004 近幾年來，現代光學儀器國家重點實驗室在光纖傳感關鍵技術、微納光纖及其器件、負折射率介質和光子晶體、高清晰度液晶投影顯示技術及系統、多功能高集成度光電子集成器件等研究方向取得了突出進展。在激光與非線性
2017-11-02 15:44:1210 在科技部和中國科學院的大力支持下，半導體研究所集成技術工程研究中心相關課題組多年來致力于射頻諧振器件以及相關的測試表征系統的研制工作，在諧振器構型、微納加工工藝、器件測試方法研究和測試系統組建等方面
2017-12-10 11:09:01728 研究人員在近紅外光學活性材料的設計構建及生物應用研究中取得進展，設計構建了具有雙光子激發、近紅外發射特性的仿生熒光探針并成功將其應用于活體腫瘤的高清晰度熒光成像。
2018-03-22 17:28:284001 
記者近日從內蒙古大學獲悉，該校王蕾研究員帶領的科研團隊在半導體抗光腐蝕研究方面取得新進展，得到國家自然科學基金等多個項目的認可支持。鈍化層助力BiVO4抗光腐蝕研究的相關成果已于近日在國際化
2020-10-14 14:29:111709 書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：III-V集成光子的制備 編號：JFKJ-21-212 作者：炬豐科技 摘要 ? 本文主要研究集成光子的制備工藝。基于III-V半導體的器件，?這項工作涵蓋
2023-04-19 10:04:00130 
近期，中國科學院半導體研究所游經碧研究員帶領的團隊在p-i-n反型結構鈣鈦礦太陽能電池的p型空穴傳輸層設計和可控生長等方面取得重要進展。
2023-11-25 17:28:41333 
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