DRAMeXchange數據顯示，第二季度全球DRAM存儲器產業的產值連續下降9％，而NAND閃存業則持平。 DRAMeXchange表示，第二季度DRAM比特出貨量連續增長，但芯片價格下跌拖累
2019-08-21 09:24:00
5149 報導，存儲器三強三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron），正加速為10納米DRAM時代做準備。因存儲器削價競爭結束后，三大廠認為以25
2014-04-04 09:08:421340 受標準型DRAM存儲器供不應求影響，4GB DDR3/DDR4原廠顆?，F貨價持續飆漲，本月以來平均漲幅近15%，第三季度以來累計漲幅高達45%至50%，模組價格本月漲幅也超過20%。
2016-10-22 22:04:59591 大陸DRAM和NAND Flash存儲器大戰全面引爆，近期包括長江存儲、合肥長鑫等陣營陸續來臺鎖定IC設計和DRAM廠強力挖角，目前傳出包括鈺創員工、并入聯發科的NOR Flash設計公司常憶，以及
2016-11-22 16:06:151561 之前外資曾警告，DRAM 榮景能否持續，取決于存儲器龍頭三星電子，要是三星擴產，好景恐怕無法持續。如今三星眼看 DRAM 利潤誘人，傳出決定擴產，新產線預計兩年后完工。
2017-03-16 07:40:15616 DRAM（動態隨機存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個二進制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36267 
，從今年第四季度開始，DRAM、NAND產品合約價格開始呈現下跌態勢，預計持續至明年上半年。 ? 今年Q4開始，DRAM、NAND出貨下滑、價格下跌 ? 市場調研機構紛紛表示存儲價格在今年Q4已經出現下跌。根據閃存市場，因為Q3加大了對DRAM的供應，目前DRAM市場
2021-10-21 07:28:004354 （Dynamic RAM，DRAM)。SRAMSRAM（Static RAM，靜態隨機存儲器），不需要刷新電路，數據不會丟失，而且，一般不是行列地址復用的。但是他集成度比較低，不適合做容量大的內存，一般是用在處理器
2012-08-15 17:11:45
DRAM是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優勢在于結構簡單，每一個bit的數據都只需一個電容跟一個晶體管來處
2020-12-10 15:49:11
DRAM存儲器M12L1616lA資料分享
2021-05-12 08:06:46
在本文中，我們將介紹一種新型的非易失性DRAM，以及它與當前內存技術的比較。DRAM是計算技術中必不可少的組件，但并非沒有缺陷。在本文中，我們將研究一種新提出的存儲器-非易失性DRAM-以及它與當前
2020-09-25 08:01:20
以分成SRAM(Static RAM：靜態RAM)和DRAM(dynamic RAM：動態RAM)。ROM是Read Only Memory的縮寫，翻譯過來就是只讀存儲器。常見的ROM又可分為掩膜ROM
2012-01-06 22:58:43
第4章 存儲器教材課后思考題與習題：4.1解釋概念：主存、輔存、Cache、RAM、SRAM、DRAM、ROM、PROM、EPROM、EEPROM、CDROM、Flash Memory主存：主存儲器
2021-07-26 08:08:39
存儲器映射是什么意思？其映射過程是怎樣的？
2022-01-21 07:39:51
感謝Dryiceboy的投遞據市場分析數據,DRAM和NAND存儲器價格近期正在不斷上揚.許多人認為當前存儲器市場的漲價只不過是暫時的供需不穩所導致的;有些人則認為隨著存儲器價格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
SRAM：其特點是只要有電源加于存儲器，數據就能長期保存?！ ?、動態DRAM：寫入的信息只能保存若干ms時間，因此，每隔一定時間必須重新寫入一次，以保持原來的信息不變。 可現場改寫的非易失性存儲器
2017-10-24 14:31:49
SRAM：其特點是只要有電源加于存儲器，數據就能長期保存。 2、動態DRAM：寫入的信息只能保存若干ms時間，因此，每隔一定時間必須重新寫入一次，以保持原來的信息不變。 可現場改寫的非易失性存儲器
2017-12-21 17:10:53
目錄【1】存儲器的層次結構【2】存儲器的分類【3】SRAM基本原理：結構：芯片參數與引腳解讀：CPU與SRAM的連接方式【4】DRAM基本原理：結構芯片引腳解讀：【5】存儲器系統設計【6】存儲器擴展
2021-07-29 06:21:48
存儲器的理解存儲器是由簡單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進行組合形成邏輯上的與非或門，之后在此基礎上，形成組合邏輯用于存儲信息，例如R-S鎖存器和門控D鎖存器，進而進一步組合復雜化，形成我們
2021-12-10 06:54:11
的應用就是應用程序存儲在Flash/ROM中，初始這些存儲器地址是從0開始的，但這些存儲器的讀時間比SRAM/DRAM長，造成其內部執行頻率不高，故一般在前面一段程序將代碼搬移到SRAM/DRAM中去，然后重新映射存儲器空間，將相應SRAM/DRAM映射到地址0，重新執行程序可達到高速運行的目的。
2018-06-10 00:47:17
從個人電腦的角度看嵌入式開發板——小白學ARM（五）各種存儲器——SRAM、DRAM、SDRAM、ROM、NOR、NAND？？？mini2440開發板vs個人電腦各種存儲器——SRAM、DRAM
2021-12-21 06:01:19
商品參數存儲器容量256Mb (16M x 16)存儲器構架(格式)DRAM存儲器類型Volatile工作電壓3V ~ 3.6V存儲器接口類型Parallel
2018-10-24 11:14:57
問題一：位圖都存儲在哪了？都在程序存儲器里嗎問題二：能不能將位圖存儲到外部內存中？問題三：F429的程序存儲器和數據存儲器有多大？
2020-05-20 04:37:13
各位大神好，我想用FPGA讀寫DRAM存儲器，求大神指點哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡，好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
Flash存儲器分為哪幾類？Flash存儲器有什么特點？Flash與DRAM有什么區別？
2021-06-18 07:03:45
KF432C16BBAK2/64金士頓內存條KF432C16BBAK4/128訴求缺貨的存儲器族群，今年以來漲勢凌厲，存儲器模塊龍頭金士頓(Kingston)的DRAM及NAND Flash模塊更是
2022-02-11 14:02:48
SRAM(StaticRandom-AccessMemory）：靜態隨機存儲器，所謂的“靜態”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數據就可以恒常保持。DRAM（Dynamic Random
2021-11-03 06:22:12
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現有存儲器的優點，同時在性能方面又超過了現有幾乎所有的存儲器，因此有可能會贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2022-02-11 07:23:03
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現有存儲器的優點，同時在性能方面又超過了現有幾乎所有的存儲器，因此有可能會贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2023-04-07 16:41:05
靜態隨機存取存儲器SRAM是什么？有何優缺點？動態隨機存取存儲器DRAM是什么？有何優缺點？
2021-12-24 07:04:20
[資訊] DRAM挺過7月 有望旺到后年動態隨機存取內存（DRAM）價格年初以來維持強勢，但封測廠強調，7月爾必達新增產能是否可以去化是重要觀察期，一旦能順利消化，DRAM產業榮景將能持續到明、后年
2010-05-10 10:51:03
問：動態儲器和靜態存儲器有什么區別？答：當然動態儲器(DRAM)與靜態存儲器(SRAM)除了速度外,它們的價格也是一個天一個地,依據實際情況進行設計,以降底產品成本,下面是它們的價紹.SRAM(靜態
2011-11-28 10:23:57
存儲器是怎樣進行分類的？分為哪幾類？為什么要對DRAM進行刷新？如何進行刷新？
2021-09-28 08:50:24
什么是EEPROM存儲器？
2021-11-01 07:24:44
Erasable PROM）。 ?。?） 混合型。 二、半導體存儲器分類 1、按功能分為 （1）隨機存取存儲器（RAM）特點：包括DRAM（動態隨機存取存儲器）和SRAM（靜態隨機存取存儲器），當關機或斷電
2020-12-25 14:50:34
工程師，2-5年工作經驗，封裝廠。無錫8，前道、后道設備工程師，半導體，封測廠，無錫9. 測試設備工程師，半導體，封測廠，無錫。
2010-03-03 13:51:07
在單板設計中，無論是涉及到一個簡易的CPU、MCU小系統或者是復雜的單板設計，都離不開存儲器設計：
1、存儲器介紹
存儲器的分類大致可以劃分如下：
ROM和RAM指的都是半導體存儲器，ROM在系統
2023-05-19 15:59:37
Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、靜態存儲器 SRAM——Static RAM(動態存儲器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字節尋
2022-01-26 07:30:11
如何利用Xilinx FPGA和存儲器接口生成器簡化存儲器接口？
2021-05-06 07:23:59
哈弗結構是什么意思？加劇CPU和主存之間速度差異的原因有哪些？導致DRAM比SRAM慢的原因有哪些？虛擬存儲器的最大容量是由什么原因決定的？
2021-08-11 08:07:31
隨著集成電路制造工藝水平的提高，半導體芯片上可以集成更多的功能，為了讓產品有別于競爭對手的產品特性，在ASIC上集成存儲器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統級芯片的可靠性。隨著對嵌入式存儲器需求的持續增長，其復雜性、密度和速度也日益增加，從而需要提出一種專用存儲器設計方法。
2019-11-01 07:01:17
影響存儲器訪問性能的因素有哪些？DSP核訪問內部存儲器和外部DDR存儲器的時延有什么不同？
2021-04-19 08:32:10
想問一下pcb的工藝，是屬于在晶圓廠做的工藝還是封測廠呀
2021-10-14 22:32:25
程轉換不易，服務器等需求依然暢旺，Mobile DRAM的裝載量持續擴大，都給2018年DRAM的商機帶來足夠的支撐。3D NAND的多層化，既是進入障礙也是商機的來源，但非存儲器的商機仍然占了半導體市場
2018-12-24 14:28:00
存儲器可分為哪幾類？存儲器有哪些特點？存儲器有哪些功能？
2021-10-20 06:46:21
數據存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數據存儲器 片內RAM數據存儲器16M字節外部數據存儲器各有什么區別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數據存儲器包含三部分，片內640字節的FLASH數據存儲器、256字節的RAM以及片外可擴展到16M字節的數據存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動態隨機存儲器（Dynamic RAM），“動態”二字指沒隔一段時間就會刷新充電一次，不然內部的數據就會消失。這是因為DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
存儲器的一般用途是代碼儲存。系統需要一個相對較小進的存儲，大約小2Gb. 這樣 .代碼可以從NOR閃存直接執行，這種存儲器也常用于嵌入式文件系統的存儲器，這些類型的系統中 DRAM 常用便簽式存儲器。在這
2018-05-17 09:45:35
單片機中數據存儲器片內的地址是00--7FH，程序存儲器的片內地址是0000H--0FFFH，請問這兩部分是不是有重疊？請具體詳解！~{:1:}
2013-01-15 09:01:22
方式隨機存取存儲器（RAM）靜態 RAM（SRAM）動態 RAM（DRAM）動態 RAM 和靜態 RAM 的比較只讀存儲器（ROM）存儲容量的擴展存儲器與 CPU 的連接提高訪存速度的措施存儲器概述
2021-07-26 06:22:47
（DRAM）與靜態隨機存儲器（SRAM）兩大類。DRAM 以電容上存儲電荷數的多少來代表所存儲的數據，電路結構十分簡單（采用單管單電容1T-1C的電路形式），因此集成度很高，但是因為電容上的電荷會泄漏，為了能
2022-11-17 16:58:07
而言，鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性。傳統的主流半導體存儲器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態存儲器SRAM和動態存儲器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數據
2011-11-19 11:53:09
而言，鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性。傳統的主流半導體存儲器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態存儲器SRAM和動態存儲器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數據
2011-11-21 10:49:57
。RAM中的存儲的數據在掉電是會丟失，因而只能在開機運行時存儲數據。其中RAM又可以分為兩種，一種是Dynamic RAM(DRAM動態隨機存儲器),另一種是Static RAM(SRAM,靜態隨機存儲器)。ROMROM又稱只讀存儲器，只能從里面讀出數據而不能任意寫入數據。ROM與RAM相比
2022-01-26 06:05:59
基于當代DRAM結構的存儲器控制器設計
1、引言
當代計算機系統越來越受存儲性能的限制。處理器性能每年以60％的速率增長，存儲器芯片每年僅僅增加10％的
2009-12-31 10:57:03714 
為什么存儲器是產業的風向標
存儲器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導體業中經常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產以及應用市場面寬，使其半
2010-01-18 16:07:21499 日本半導體巨頭爾必達及其子公司秋田爾必達22日宣布，已開發出全球最薄的動態隨機存儲器(DRAM)，4塊疊加厚度僅為0.8毫米
2011-06-23 08:43:36993 總結2012年DRAM市場動態并展望2013年，TrendForce提出新的一年DRAM市場值得持續關注的五大重點趨勢
2013-01-10 11:30:041127 日前，存儲器芯片主要供應商之一美光公司（Micron）在香港舉行了 2014 夏季分析師大會，會上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲器的市場趨勢、技術發展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:26
49 FPGA中的存儲塊DRAM 某些FPGA終端，包含板載的、可以動態隨機訪問的存儲塊（DRAM），這些存儲塊可以在FPGA VI中直接訪問，速率非常高。 DRAM可以用來緩存大批量的數據，而且速度可以
2017-11-15 15:13:062740 
紫光國芯26日在互動平臺表示，公司西安子公司從事DRAM存儲器晶元的設計，目前產品委托專業代工廠生產。 未來紫光集團下屬長江存儲如果具備DRAM存儲器晶元的制造能力，公司會考慮與其合作。
2017-11-27 11:05:411848 目前存儲器市況呈現兩樣情，DRAM持續穩健發展，價格平穩或小漲；NAND Flash則因供過于求，價格緩跌。外界預期DRAM市場第3季將可喜迎旺季，而NAND Flash市場價格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:00733 中國存儲器產業如何發展？本文從純市場的角度，就DRAM、NAND Flash、封測技術和發展思路等方面提出幾點思考。
2018-03-07 17:46:005860 
存儲器芯片領域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲器內的信息就流失了，例如 DRAM，主要用來做PC機內存(如DDR)和手機內存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后
2018-04-09 15:45:33109972 存儲器市場爆發，DRAM市場前景看好。2017年全球存儲器市場增長率達到60%，首次超越邏輯電路，成為半導體第一大產品。DRAM繼續保持半導體存儲器領域市占率第一。DRAM廠商中，三星、SK海力士
2018-05-17 10:12:003074 據日媒指出，三星2019年針對存儲器的投資總體會減少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星將大減20%資本支出；而在NAND Flash部分，三星的投資仍將持續增加。
2018-10-10 16:13:443278 很長一段時間里，由于供貨吃緊、技術受限、需求增加等，DRAM在過去九個季度中價格持續上漲。但隨著技術漸入瓶頸，加之2018年智能手機增長勢頭放緩、PC出貨量不斷下滑、云服務盛行下服務器需求大減等影響，市場中DRAM漸趨供過于求，進而使得DRAM價格持續下跌。這種情況，對于國產廠商而言究竟意味著什么呢？
2018-10-17 16:32:58974 在經歷了兩年的瘋狂上漲之后，存儲器市場要進行深度的調整了。美國花旗銀行預計明年存儲器價格會大幅下降，NAND價格會跌45%，DRAM價格會下跌30%，而且明年Q2季度之前不會見底。
2019-01-02 14:23:40895 隨機存取存儲器（RAM）特點：包括DRAM（動態隨機存取存儲器）和SRAM（靜態隨機存取存儲器），當關機或斷電時，其中的 信息都會隨之丟失。 DRAM主要用于主存（內存的主體部分），SRAM主要用于高速緩存存儲器。
2019-01-07 16:46:4915156 19日出具調查報告指出，今年上半年DRAM市場仍供過于求，價格持續下跌，不僅本季價格跌幅將超過二成，下季仍持續看跌15%，相當于上半年累計跌價幅度超過三成，比市場原預期更悲觀，華邦、南亞科等芯片廠，以及模組廠威剛、宇瞻等，營運將面臨下修壓力。
2019-02-22 09:20:122234 根據報導，DRAM的價格接連下跌，零售的計算機用DRAM價格最終也下跌到5萬韓元以下，這樣的走勢比預期要快許多，預計今年出口的前景也不樂觀。
2019-03-10 09:54:57601 存儲器市況不明，針對存儲器價格波動趨勢，存儲器控制芯片廠慧榮總經理茍嘉章表示，預估快閃存儲器（NAND Flash）價格已近谷底，下半年若再跌，幅度大約在低個位數百分比；而動態隨機存取存儲器（DRAM）則預估持續跌至年底。
2019-05-06 16:23:48538 過去存儲器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時代，存儲器業者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器(MRAM)等完全不同模式的新技術。
2019-09-10 15:24:41742 隨著5G時代的逐漸逼近，物聯網的快速發展促進著存儲器需求的持續增長。數據表明，中國消耗全球20%的DRAM及25%的NAND，2017年中國進口存儲器889.21億美元，同比2016年的637.14億美元增長了39.56%。
2019-09-17 10:47:24790 業內研究人員表示，中國目前有三家廠商正在建設的閃存與存儲器工廠，旨在確保自身能夠在NAND與DRAM方面實現自給自足。
2019-09-20 16:53:011653 據臺媒報道，由于第一季度表現良好，加上存儲器產業下半年需求有望升溫，臺灣存儲器模組廠宇瞻股價一路高漲15.9%。
2020-03-08 18:32:312079 年12月開始止跌反彈，市場預期，本季合約價也開始止跌回升，南亞科可望受惠。 展望2021年的供需狀況，由于2020年因疫情且報價下跌，DRAM廠資本
2021-01-06 17:43:452247 DRAM是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優勢在于結構簡單，每一個bit的數據都只需一個電容跟一個晶體管來處
2020-12-11 15:11:293686 
最近Techinsights舉辦了一場關于存儲技術的網絡研討會，Jeongdong Choe博士介紹了他對最新的DRAM，NAND，新興和嵌入式存儲器技術的觀察與分析。以下概述了討論的相關主題。DRA
2020-12-24 13:13:46752 IC設計業者透露，目前以控制器（MCU）封裝產能最為吃緊，“最小下單量從年初到近期，足足翻了五倍”，使得本季MCU封裝漲幅達15%。存儲器封裝需求也旺，不僅取消對客戶的折讓，也動態調整價格，帶旺日月
2021-07-14 15:20:00384 、NAND產品合約價格開始呈現下跌態勢，預計持續至明年上半年。 今年Q4開始，DRAM、NAND出貨下滑、價格下跌 市場調研機構紛紛表示存儲價格在今年Q4已經出現下跌。根據閃存市場，因為Q3加大了對DRAM的供應，目前DRAM市場已經恢復平穩，而NAND市場近期的供應
2021-10-27 09:44:071770 Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、靜態存儲器 SRAM——Static RAM(動態存儲器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字節尋
2021-12-02 10:06:053 在當前計算密集的高性能系統中，動態隨機存儲器（DRAM）和嵌入式動態隨機存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態快速讀/寫存儲器。先進的 DRAM 存儲單元有兩種，即深溝
2023-02-08 10:14:575003 在當前計算密集的高性能系統中，動態隨機存儲器（DRAM）和嵌入式動態隨機存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態快速讀/寫存儲器。
2023-02-08 10:14:39547 
在汽車存儲器市場中，汽車座艙是存儲器的主要應用領域，隨著智能座艙的持續演進，更多的屏幕、觸控、傳感器、高性能SoC等。
2023-03-03 16:53:40576 SRAM也是易失性存儲器，但是，與DRAM相比，只要設備連接到電源，信息就被存儲，一旦設備斷開電源，就會失去信息。
這個設備比DRAM要復雜得多，它一般由6個晶體管組成，因此被稱為6T存儲器(如圖1)。
2023-03-21 14:27:014723 
據麗水經開區官微消息，5月16日，第二十四屆中國浙江投資貿易洽談會“投資浙里”高峰論壇組織重大外資項目簽約儀式。會上，麗水經開區成功簽約頂米科技Memory存儲器產品封測及研究院項目。
2023-05-18 16:03:04837 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器是一種易失性存儲器，意味著當斷電時，存儲在其中的信息會丟失。這是因為DRAM使用電容來存儲數據，電容需要持續地充電來保持數據的有效性。一旦斷電，電容會迅速失去電荷，導致存儲的數據丟失。
2023-07-28 15:02:032207 引言：DRAM價格已連續兩個月未出現大幅下跌。
2023-08-02 10:33:42682 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器的存儲元是電容器和晶體管的組合。每個存儲單元由一個電容器和一個晶體管組成。電容器存儲位是用于存儲數據的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021028 近日，惠州佰維總經理劉昆奇受邀在SiP China 2023大會上發表了主題為《淺析SiP里的存儲封裝》的演講，分享佰維存儲在先進封測領域的技術布局以及典型應用案例，與行業大咖共話先進封測發展趨勢
2023-08-30 17:43:09228 
近日， 惠州佰維總經理劉昆奇受邀在 SiP China 2023大會上 發表了主題為《淺析SiP里的存儲封裝》的演講，分享佰維存儲在先進封測領域的技術布局以及典型應用案例，與行業大咖共話先進封測
2023-08-31 12:15:01328 
近日，三星宣布正在研發一種新型的LLW DRAM存儲器，這一創新技術具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領未來內存技術的發展。
2024-01-12 14:42:03282
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