近年來，隨著硅集成電路微細(xì)化暴露出局限性，研究者圍繞摩爾定律消亡后器件技術(shù)的發(fā)展方向展開了討論。盡管存在這樣的情況，但在這次的Highlighted Session上，關(guān)于10nm工藝器件技術(shù)的論文依然很多，表明基于微細(xì)化的高性能化還在推進(jìn)，勢頭依然強(qiáng)勁。
2016-06-28 10:06:30
811 今日，三星電子正式宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)基于10nm FinFET技術(shù)的SoC，這是業(yè)界內(nèi)首家提供10nm工藝代工廠商。新工藝下的SoC性能可以提供27%，功耗將降低40%。
2016-10-17 14:07:01873 近日，有臺(tái)媒對(duì)比了半導(dǎo)體工藝10nm及以下制程的技術(shù)指標(biāo)演進(jìn)對(duì)比圖，其中技術(shù)指標(biāo)主要是看晶體管密度，也就是每平方毫米的晶體管數(shù)量。由于目前僅有Intel、臺(tái)積電、三星等少數(shù)幾家廠商掌握了10nm以下
2021-07-17 07:14:004795 GPU和CPU產(chǎn)品依舊在使用五年前的14nm工藝或者其改進(jìn)版本。新的10nm、7nm工藝雖然已經(jīng)上市，但是綜合頻率、功耗、晶體管密度等因素來看，其表現(xiàn)依舊不能令人滿意。進(jìn)入2020年，也就是21世紀(jì)20
2020-07-07 11:38:14
其實(shí)早在2002年Intel即發(fā)現(xiàn)了這一技術(shù)，一直處于試驗(yàn)演示階段，現(xiàn)在終于把它變成了現(xiàn)實(shí)，Intel打算把它融入到22nm的“Ivy Bridge”芯片，Ivy Bridge晶體管的數(shù)量將達(dá)到10億。
2020-04-07 09:01:21
8050的情況下，補(bǔ)碼通常是8550。8050和8550晶體管的技術(shù)額定值通常是相同的。區(qū)別在于它們的極性。它們共同允許電流安全地流過無線電和無線電，從而為傳輸提供動(dòng)力，并允許在用戶端實(shí)現(xiàn)多種功能
2023-02-16 18:22:30
很多晶體管組成的。芯片制程是指在芯片中，晶體管的柵極寬度。因?yàn)樵谡麄€(gè)芯片中，晶體管的柵極是整個(gè)電路中最窄的線條。如果柵極寬度為10nm，則稱其為10nm制程。納米數(shù)越小，比如從10nm到 7nm，就可以
2019-12-10 14:38:41
晶體管技術(shù)方案面臨了哪些瓶頸？
2021-05-26 06:57:13
的B和C對(duì)稱、和E極同樣是N型。也就是說，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動(dòng)。3. 逆向晶體管有如下特點(diǎn)。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯(lián)時(shí)，當(dāng)需要非常大的電流時(shí)，可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象，有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過每個(gè)晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點(diǎn)的相關(guān)概念有點(diǎn)模糊，請各位大俠指點(diǎn)！！！
2016-06-07 23:27:44
（實(shí)際上有數(shù)nA~數(shù)10nA的漏電流），并認(rèn)為OFF期間的功耗為零。合計(jì)以上各區(qū)間計(jì)算的積分值，除以1周期的長度400μs，為平均功耗，即而且，這里對(duì)雙極晶體管2SD2673例子的集電極電流IC
2019-04-15 06:20:06
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
晶體管參數(shù)測量技術(shù)報(bào)告摘 要晶體管的參數(shù)是用來表征管子性能優(yōu)劣和適應(yīng)范圍的指標(biāo)，是選管的依據(jù)。為了使管子安全可靠的工作，必須注意它的參數(shù)。本文主要論述以AduC812為核心的晶體管參數(shù)測試系統(tǒng)，該系
2012-08-02 23:57:09
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過的電子開關(guān)使用晶體管也可以作為電子開關(guān)使用。但這個(gè)開關(guān)的電流方向只能是單向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
` 《晶體管電路設(shè)計(jì)（下）》是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一，共分上下二冊。本書作為下冊主要介紹晶體管／FET電路設(shè)計(jì)技術(shù)的基礎(chǔ)知識(shí)和基本實(shí)驗(yàn)，內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器
2019-03-06 17:29:48
，發(fā)射極E接紅表筆；PNP管的集電極C接紅表筆，發(fā)射極E接黑表筆。正常時(shí)，鍺材料的小功率晶體管和中功率晶體管的電阻值一般大于10Kω（用R×100檔測，電阻值大于2kΩ），鍺大功率晶體管的電阻值為1.5k
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)？有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外，不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
從事電子設(shè)計(jì)7年了，發(fā)覺這兩本書挺好的，發(fā)上來給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計(jì)（上）放大電路技術(shù)的實(shí)驗(yàn)解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計(jì)（下）FET_功率MOS_開關(guān)電路的實(shí)驗(yàn)解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
`非常不錯(cuò)的晶體管電路設(shè)計(jì)書籍！`
2016-11-08 14:12:33
(1) 電流放大系數(shù)β和hFEβ是晶體管的交流放大系數(shù)，表示晶體管對(duì)交流（變化）信號(hào)的電流放大能力。β等于集電極電流IC的變化量△IC與基極電流IB的變化量△IB兩者之比，即β=△IC/△IBhFE
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-04-10 06:20:24
本文為大家介紹“Si晶體管”（之所以前面加個(gè)Si,是因?yàn)檫€有其他的晶體管，例如SiC）。 雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，但根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理
2020-06-09 07:34:33
本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，不過根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-07-23 00:07:18
100V到700V，應(yīng)有盡有．幾年前，晶體管的開關(guān)能力還小于10kW。目前，它已能控制高達(dá)數(shù)百千瓦的功率。這主要?dú)w功于物理學(xué)家、技術(shù)人員和電路設(shè)計(jì)人員的共同努力，改進(jìn)了功率晶體管的性能。如(1)開關(guān)晶體管
2018-10-25 16:01:51
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
1．晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成，其三個(gè)電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個(gè)PN結(jié)分別稱為集電結(jié)（C、B極
2013-08-17 14:24:32
300V，一般可選用3DG182N、2SC2068、2SC2611、2SC2482等型號(hào)的晶體管。 3．行推動(dòng)管的選用彩色電視機(jī)中使用的行推動(dòng)管，應(yīng)選用中、大功率的高頻晶體管。其耗散功率應(yīng)大于或等于10
2012-01-28 11:27:38
的B和C對(duì)稱、和E極同樣是N型。也就是說，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動(dòng)。3. 逆向晶體管有如下特點(diǎn)。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
晶體管 &
2010-08-12 13:57:39
晶體管配對(duì)
2017-08-24 18:48:13
電子，雷達(dá)和微波應(yīng)用生產(chǎn)全系列AM晶體管。 這些AM晶體管最初由Microwave Semiconductor Corp.和S.T.制造。 ASI的AM晶體管覆蓋60 MHz至3.0 GHz的范圍，功率
2018-07-17 15:08:03
Finfet技術(shù)（3D晶體管）詳解
2012-08-19 10:46:17
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
一、引言PNP 晶體管是雙極結(jié)型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結(jié)構(gòu)。在PNP晶體管結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)PN結(jié)二極管相對(duì)于NPN晶體管反轉(zhuǎn)，使得兩個(gè)P型摻雜半導(dǎo)體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來代替，MFR151管子能用哪個(gè)來代替？或是誰有這兩個(gè)高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
。這場戰(zhàn)役兩家大廠互有消長，首先是三星的14nm較臺(tái)積電的16nm搶先半年投入量產(chǎn)，因兩家大廠的鰭式晶體管(FinFET)設(shè)計(jì)也確有雷同之處，后續(xù)又衍生了競業(yè)禁止官司訴訟等故事，無論如何，最終臺(tái)積電還是
2018-06-14 14:25:19
三星電子近日在國際學(xué)會(huì)“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達(dá)到10nm工藝”。 國際電子器件
2015-12-14 13:45:01
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
調(diào)制和振蕩器。晶體管可以獨(dú)立封裝，也可以封裝在非常小的區(qū)域內(nèi)，容納1億個(gè)或更多晶體管集成電路的一部分。（英特爾 3D 晶體管技術(shù)）嚴(yán)格來說，晶體管是指基于半導(dǎo)體材料的所有單一元件，包括由各種半導(dǎo)體材料
2023-02-03 09:36:05
晶體管通道完全閉合；二維過渡金屬二硫化物受損于其比透明導(dǎo)電氧化物還低的載流子遷移率。 在新加坡-麻省理工學(xué)院研究與技術(shù)聯(lián)盟，正在先行研發(fā)一種有前景的替代材料：GaN。從光學(xué)角度看，GaN的帶隙為
2020-11-27 16:30:52
達(dá)林頓晶體管是一對(duì)雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進(jìn)一步放大
2023-02-16 18:19:11
場效應(yīng)管的演變 鰭式場效應(yīng)晶體管的未來發(fā)展前景 FinFET在5nm之后將不再有用，因?yàn)樗鼪]有足夠的靜電控制，需要晶體管的新架構(gòu)。然而，隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的進(jìn)步，一些公司可能會(huì)出于經(jīng)濟(jì)原因決定在同一節(jié)點(diǎn)上
2023-02-24 15:25:29
的寬度，也被稱為柵長。柵長越短，則可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶體管。目前，業(yè)內(nèi)最重要的代工企業(yè)臺(tái)積電、三星和GF（格羅方德），在半導(dǎo)體工藝的發(fā)展上越來越迅猛，10nm制程才剛剛應(yīng)用一年半，7n...
2021-07-29 07:19:33
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達(dá)林頓對(duì)電路采用PNP晶體管。機(jī)器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
請教：單結(jié)晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
做了一個(gè)單結(jié)晶體管仿真（電力電子技術(shù)的初學(xué)者）。有個(gè)問題請教于各位高手。1：開關(guān)初始時(shí)刻是閉合的時(shí)候，點(diǎn)擊仿真，發(fā)光二極管不亮 。:2：初始時(shí)刻，開關(guān)打開，點(diǎn)擊仿真后，點(diǎn)擊開關(guān)閉合，二極管開始閃爍。按照道理來說。情境1與情境2不應(yīng)該是一樣的嗎，為什么會(huì)有差別啊。
2017-03-07 21:07:45
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個(gè)二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結(jié)（稱這個(gè)PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱這個(gè)PN結(jié)為“集電結(jié)”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
放大，似于多路比較器的輸出，NPN型晶體管多發(fā)射極分別接到比較器的輸出端，集電極共用一路上拉電阻連接至電源，如果多路比較器有一路導(dǎo)通，則該多發(fā)射極晶體管集電極輸出導(dǎo)通拉低，電平為低電平。
不知是否是我理解的這樣？
2024-01-21 13:47:56
晶體管開關(guān)對(duì)電子產(chǎn)品至關(guān)重要。了解晶體管開關(guān)，從其工作區(qū)域到更高級(jí)的特性和配置。 晶體管開關(guān)對(duì)于低直流開/關(guān)開關(guān)的電子設(shè)備至關(guān)重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設(shè)備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測晶體管的性能？怎樣去檢測特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
~3.3nf。當(dāng)Nb上端產(chǎn)生一個(gè)正的驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，由于電容兩端電壓不能突變，上電瞬間電容如同短路，因此可認(rèn)為為VT1提供了很大的正向基極電流，使晶體管迅速導(dǎo)通。之后，電容CB被充電至激勵(lì)電壓的峰值而進(jìn)入穩(wěn)態(tài)
2020-11-26 17:28:49
如何用Multisim10進(jìn)行數(shù)據(jù)采集？如何用LabVIEW顯示單結(jié)晶體管伏安特性？
2021-04-09 06:13:03
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號(hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
判斷為不合格。正確觀點(diǎn)A：首先為了啟動(dòng)數(shù)字晶體管，加入足夠的輸入電壓Vin(如10V)B：漸漸降低電壓，到規(guī)格書規(guī)定的3V時(shí)停止。因仍保持ON狀態(tài)，故該產(chǎn)品為合格。C：如果繼續(xù)降低基極電壓，不能完全保持
2019-04-09 21:49:36
：首先為了啟動(dòng)數(shù)字晶體管，加入足夠的輸入電壓Vin(如10V)B：漸漸降低電壓，到規(guī)格書規(guī)定的3V時(shí)停止。因仍保持ON狀態(tài)，故該產(chǎn)品為合格。C：如果繼續(xù)降低基極電壓，不能完全保持ON狀態(tài)，而向OFF狀態(tài)
2019-04-22 05:39:52
10月7日，沉寂已久的計(jì)算技術(shù)界迎來了一個(gè)大新聞。勞倫斯伯克利國家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限，將現(xiàn)有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。晶體管的制程大小一直是計(jì)算技術(shù)進(jìn)步的硬指標(biāo)。晶體管
2016-10-08 09:25:15
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
和功率密度，這超出了硅MOSFET技術(shù)的能力。開發(fā)工程師需要能夠滿足這些要求的新型開關(guān)設(shè)備。因此，開始了氮化鎵晶體管（GaN）的概念。 HD-GIT的概述和優(yōu)勢 松下混合漏極柵極注入晶體管（HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
效率和功率密度。GaN功率晶體管作為一種成熟的晶體管技術(shù)在市場上確立了自己的地位，但在軟開關(guān)應(yīng)用中通常不被考慮使用。雖然在硬開關(guān)應(yīng)用中使用GaN可以顯著提高效率，但軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器（如LLC）對(duì)效率和頻率
2023-02-27 09:37:29
` 引言 在功率變換器應(yīng)用中，寬帶隙（WBG）技術(shù)日益成為傳統(tǒng)硅晶體管的替代產(chǎn)品。在某些細(xì)分市場的應(yīng)用場景中，提升效率極限一或兩個(gè)百分點(diǎn)依然關(guān)系重大，變換器功率密度的提高可以提供更多應(yīng)用優(yōu)勢
2021-01-19 16:48:15
是最主要的。NVIDIA的Huang先生的觀點(diǎn)可能是正確的：隨著成本的大幅攀升，對(duì)于同樣數(shù)量的晶體管，20 nm一直要比28 nm昂貴得多。對(duì)于采用了大量非線性電路的SoC，例如，RF或者其他模擬晶體管
2014-09-01 17:26:49
，越往下線寬越窄，越靠近器件層。 這是CPU的截面視圖，可以清晰的看到層狀的CPU結(jié)構(gòu)，芯片內(nèi)部采用的是層級(jí)排列方式，這個(gè)CPU大概是有10層。其中最下層為器件層，即是MOSFET晶體管
2020-07-07 11:36:10
近日，SIA發(fā)了個(gè)聳人聽聞的新聞，說intel放棄了10nm工藝的研發(fā)，當(dāng)然這肯定是假消息就是了，今天intel也出面辟謠。不過相信很多人也會(huì)覺得奇怪，那邊TSMC 7...
2021-07-26 08:10:47
大家都在談?wù)揊inFET——可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個(gè)人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人，都認(rèn)為20 nm節(jié)點(diǎn)以后，F(xiàn)inFET將成為SoC的未來。但是對(duì)于要使用這些SoC的系統(tǒng)開發(fā)人員而言，其未來會(huì)怎樣呢?
2019-09-27 06:59:21
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 編輯
高清圖詳解英特爾最新22nm 3D晶體管
2012-08-05 21:48:28
高清圖詳解英特爾最新22nm_3D晶體管
2012-08-02 23:58:43
在今天的IEEE國際電子設(shè)備會(huì)議上，IBM的科學(xué)家們展示了一系列突破性的科研成果，IBM拿出了全球第一個(gè)通道長度(柵極長度)不足10nm的碳納米晶體管，代表了未來計(jì)算技術(shù)的重大突破
2011-12-08 09:23:551284 
? Analog FastSPICE? 電路驗(yàn)證平臺(tái)已完成了電路級(jí)和器件級(jí)認(rèn)證，Olympus-SoC? 數(shù)字設(shè)計(jì)平臺(tái)正在進(jìn)行提升，以幫助設(shè)計(jì)工程師利用 TSMC 10nm FinFET 技術(shù)更有效地驗(yàn)證和優(yōu)化其設(shè)計(jì)。10nm V1.0 工藝的認(rèn)證預(yù)計(jì)在 2015 年第 4 季度完成。
2015-09-21 15:37:101300 導(dǎo)語：聯(lián)發(fā)科和華為均已確定下一代處理器將采用10nm工藝制程，高通也緊追其后遞交10nm芯片樣品給客戶，據(jù)悉，高通10nm訂單均交給三星代工生產(chǎn)。
2016-07-28 19:00:27680 臺(tái)積電為了趕進(jìn)度已在當(dāng)前試產(chǎn)10nm工藝，不過臺(tái)媒指其10nm工藝存在較嚴(yán)重的良率問題，這意味著其10nm工藝產(chǎn)能將相當(dāng)有限，在它優(yōu)先將該工藝產(chǎn)能供給蘋果的情況下，對(duì)另一大客戶聯(lián)發(fā)科顯然不是好消息。
2016-12-23 10:36:28555 雖然摩爾定律即將走向終結(jié)，但半導(dǎo)體制程工藝推進(jìn)的腳步卻一直沒有停下過。臺(tái)積電和三星作為ARM芯片代工陣營的領(lǐng)軍企業(yè)，雙方你追我趕大打制程戰(zhàn)，已將制程工藝推進(jìn)至10nm，而高通聯(lián)發(fā)科等我們所熟知的IC
2017-01-11 10:49:113863 
三星是目前唯一宣布量產(chǎn)10nm芯片的代工廠，涉及驍龍835、Exynos 8895等移動(dòng)SoC。
2017-03-15 08:30:35517 英特爾此前已經(jīng)談?wù)撨^多次 10 納米的 Cannon Lake 芯片了，超級(jí)10nm領(lǐng)先一切對(duì)手,性能升25%功耗降45%,英特爾已經(jīng)有能力在1平方毫米中塞下1億個(gè)晶體管，絕對(duì)是行業(yè)歷史上史無前例的。
2017-04-05 18:01:142082 作為科技行業(yè)著名的“牙膏廠”，英特爾一直走在所有廠商前面。因?yàn)樗?b class="flag-6" style="color: red">10nm制程已經(jīng)跳票三年之久，每當(dāng)一款新的處理器發(fā)布，眾人翹首以待10nm的到來，可英特爾還是給用戶潑冷水，繼續(xù)跳票10nm工藝。
2018-06-15 15:53:005069 由于晶體管制造的復(fù)雜性，每代晶體管制程針對(duì)不同用途的制造技術(shù)版本，不同廠商的代次間統(tǒng)計(jì)算法也完全不同，單純用代次來比較并不準(zhǔn)確。根據(jù)目前業(yè)界常用晶體管密度來衡量制程水平，英特爾最新10nm制程的晶體管密度堪比三星 EUV版本7nm制程。
2018-07-10 16:31:003921 
Cannonlake架構(gòu)的Core i3-8121處理器，通過分析英特爾的10nm工藝晶體管密度達(dá)到了100MTr/mm2，是14nm節(jié)點(diǎn)的2.7倍，而且英特爾首次使用了貴金屬釕。
2018-06-14 11:08:005919 無疑這收獲了業(yè)界潮水般的質(zhì)疑，為何其10nm一直難以出師？有分析稱，10nm工藝之難產(chǎn)的一個(gè)關(guān)鍵是最初指標(biāo)定的太高。相比14nm工藝，10nm工藝的晶體管密度是前者的2.7倍，也就是2.7x的縮放
2018-12-18 10:37:332586 CPU使用數(shù)十億個(gè)微型晶體管，電子門打開和關(guān)閉以執(zhí)行計(jì)算。晶體管越小，所需的功率就會(huì)越小。7nm和10nm是這些晶體管尺寸的測量尺寸。nm是納米和微小長度的縮寫，以此來判斷特定CPU有多強(qiáng)大的有用指標(biāo)。
2019-08-18 10:02:176421 根據(jù)外媒WCCFTECH的報(bào)道，爆料消息稱英偉達(dá)的下一代GPU架構(gòu)將基于三星10nm制程，而不是之前報(bào)道的臺(tái)積電7nm工藝，據(jù)稱使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技術(shù)，另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:462670 Intel正在各個(gè)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)從14nm向10nm的過渡：輕薄本上代還是14/10nm混合，現(xiàn)在已經(jīng)完全是10nm；游戲本、服務(wù)器馬上就都會(huì)首次嘗鮮10nm；桌面則要等到明年底的12代最終實(shí)現(xiàn)交接。
2020-12-07 10:00:071764 現(xiàn)在的芯片技術(shù)越來越先進(jìn)，人們常常能夠聽到某某公司又研發(fā)出5nm、4nm芯片的消息，而目前全球所研發(fā)出的最先進(jìn)的芯片是IBM公司的2nm芯片，我們都知道芯片內(nèi)部有很多晶體管，那么2nm芯片的晶體管
2022-07-04 09:15:363936 華為發(fā)布首款5nm 5G SoC，集成153億晶體管? 在當(dāng)今的數(shù)字時(shí)代，5G成為了一種越來越重要的通信技術(shù)，它能夠大幅提升傳輸速度和低延時(shí)，以實(shí)現(xiàn)更高的數(shù)據(jù)傳輸質(zhì)量。而華為公司最近發(fā)布了自家
2023-09-01 16:47:357031
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