恩智浦半導體業(yè)界首款Doherty架構超寬帶射頻解決方案和雙通道Power-SO8 MOSFET方案，近日分別榮獲業(yè)界殊榮，摘得由環(huán)球資源（Global Sources）旗下《電子工程專輯》于今年3月1日頒發(fā)的 “2013中國年度最佳射頻/無線產(chǎn)品獎”和“2013中國年度最佳功率器件/電壓轉換器產(chǎn)品獎”。

圖片： 恩智浦半導體高性能RF產(chǎn)品線國際產(chǎn)品市場經(jīng)理潘璠（中），代表公司在頒獎典禮上接受環(huán)球資源首席分析師孫昌旭女士（左）、 環(huán)球資源運營及業(yè)務開發(fā)副總裁Graham Kelly 先生（右）的頒獎。

　　《電子工程專輯》頒發(fā)的“中國年度電子成就獎”，在業(yè)內具有極高的知名度和權威性。本屆“年度最佳產(chǎn)品獎” ，不僅表彰年度為工程師帶來重要設計效益的半導體或元件產(chǎn)品，更旨在通過最佳半導體產(chǎn)品評選，推動中國電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展。環(huán)球資源旗下企業(yè)聯(lián)盟 eMedia Asia Limited總裁石博廉 （Brandon Smith） 先生表示：“‘中國年度電子成就獎’旨在表彰對中國大陸電子產(chǎn)業(yè)及技術發(fā)展做出貢獻的人士及企業(yè)，所有得獎者及入圍者在提升中國電子產(chǎn)品的設計及性能方面都起到了非常重要的作用。”

　　該最佳產(chǎn)品獎項由《電子工程專輯》評審小組評選出入圍名單，并由中國大陸工程師社群在網(wǎng)上投票而得出，真實反映了業(yè)界對于獲獎產(chǎn)品的褒獎與肯定。恩智浦全波段UHF Doherty架構射頻方案以其獨一無二的技術，令數(shù)字發(fā)射機制造商用戶能夠享受到Doherty功率放大器提供的高效率增益，并得到極大擴展的帶寬。Power-SO8 MOSFET具備市面上最佳的性能、電流處理能力和可靠性，大大減少了PCB板占位面積，令用戶實現(xiàn)更多設計自由。恩智浦這兩款產(chǎn)品以創(chuàng)新的架構、成熟的開發(fā)環(huán)境和市場應用潛力，勇奪“2013中國年度電子成就獎”的“最佳產(chǎn)品”殊榮。

　　相關鏈接：

　　l 恩智浦高性能RF產(chǎn)品技術專區(qū)，請訪問：http://www.nxp.com/techzones/hprf-techzone/overview.html

　　l 恩智浦MOSFET產(chǎn)品，請訪問：http://www.nxp.com/mosfets

　　l 視頻：用于廣播應用的高效Doherty架構：

　　http://v.youku.com/v_show/id_XNDY5NzIwNTI0.html

　　l 更多“2013中國年度電子成就獎”詳情，請點擊：http://www.eet-china.com/ace/index.html

　　關于恩智浦半導體

　　恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. （Nasdaq： NXPI） 以其領先的射頻、模擬、電源管理、接口、安全和數(shù)字處理方面的專長，提供高性能混合信號（High Performance Mixed Signal）和標準產(chǎn)品解決方案。這些創(chuàng)新的產(chǎn)品和解決方案可廣泛應用于汽車、智慧識別、無線基礎設施、照明、工業(yè)、移動、消費和計算等領域。公司在全球逾25個國家都設有業(yè)務執(zhí)行機構，2012年公司未經(jīng)審核的營業(yè)額達到43.6億美元。更多恩智浦相關信息，請登錄公司官方網(wǎng)站http://cn.nxp.com/查詢。