規范的產品通常由硅制成,并作為推挽式應用系統的一部分運行。這些晶體管和其他晶體管如何在電化學水平上工作的機制可能有些復雜,但總的來說,它們用一系列極化離子引導和引導電荷。它們通常與放大器電路配合使用;在
2023-02-16 18:22:30
系統集成等諸多優點,在激光器調諧、光分插復用、光纖傳感和色散補償等領域獲得了廣泛的應用〔‘一‘〕。在光子晶體光纖(PCF)問世之初,人們就嘗試在光子晶體光纖中寫人光纖光柵,從全文下載
2010-06-02 10:05:28
兩條光子晶體單模波導和中間放置的兩個全同耦合微腔構成,通過合理地選擇微腔的幾何構形和物理參數,能夠控制波導模式與兩個耦合微腔的耦合方式,使得在直線波導主干通道上傳播的光信息通過共振隧穿機制而高效率
2014-10-14 10:25:04
關于晶體管ON時的逆向電流在NPN晶體管中,基極 (B) 被偏置為正,集電極 (C) 被偏置為負,由發射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔心劣化和損壞,在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯時,當需要非常大的電流時,可以將幾個晶體管并聯使用。因為存在VBE擴散現象,有必要在每一個晶體管的發射極上串聯一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性:就三極管,mos管和可控硅之間的差別和相同點的相關概念有點模糊,請各位大俠指點!!!
2016-06-07 23:27:44
晶體管交直流參數對電路設計的影響是什么?
2021-04-23 06:25:38
晶體管分類 按半導體材料和極性分類 按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結構
2010-08-12 13:59:33
繼電器線圈時,晶體管的導通與關斷控制著線圈中電流的通過。此時,當晶體管由導通狀態向截止狀態轉換時,集電極(線圈中)的電流的突然減小,線圈將會產生一個反電動勢,并作用于集電極。這個反電動勢將高達數百伏(V
2017-03-28 15:54:24
晶體管也就是俗稱三極管,其本質是一個電流放大器,通過基射極電流控制集射極電流。
1、當基射極電流很小可以忽略不計時,此時晶體管基本沒有對基射極電流的放大作用,此時可以認為晶體管處在關斷狀態
2、當基
2024-01-18 16:34:45
晶體管圖示儀器是用來測量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實驗、教學和工程中通過使用圖示儀,可以獲得晶體管的實際特性,能更好的發揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
,PMOS指的是P型MOSFET。注意,MOS中的柵極Gate可以類比為晶體管中的b極,由它的電壓來控制整個MOS管的導通和截止狀態。 NMOS電路符號如下圖: PMOS電路符號如下
2021-01-13 16:23:43
基區中由發射結逐漸流向集電結,形成集電極電流;最后,由于集電結處存在較大的反向電壓,阻止了集電區的自由電子向基區進行擴散,并將聚集在集電結附近的自由電子吸引至集電區,形成集電極電流。2.場效應晶體管
2016-06-29 18:04:43
管的E極接A點,C極接B點;NPN管的E有接B點,C極接A點)后,調節電源電壓,當發光二極管LED點亮時,A、B兩端之間的電壓值即是晶體管的反向擊穿電壓。(本文由Cogo商城-IC元器件在線采購平臺
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數?有的器件有放大倍數改變的參數。另外,不同的仿真模型參數不同如何改變?
2014-02-28 08:42:03
供應晶圓芯片,型號有: 可控硅, 中、大功率晶體管,13000系列晶體管,達林頓晶體管,高頻小信號晶體管,開關二極管,肖特基二極管,穩壓二極管等。有意都請聯系:沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管測量模塊的基本特性有哪些?晶體管測量模塊的基本功能有哪些?
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯的晶體管電路設計書籍!`
2016-11-08 14:12:33
紹了各種電路印制電路板的實際制作,以及電路特性的測量,并對電路的工作機制進行了驗證。《晶體管電路設計與制作》分為兩部分。第一部分介紹單管和雙管電路,主要目的是理解晶體管的基本工作機制。第二部分介紹各種
2018-01-15 12:46:03
無量綱的比例系數。hfe稱為輸出端交流短路時的電流放大系數,簡稱電流放大系數。它反映基極電流IB對集電極電流IC的控制能力,即晶體管的電流放大能力,是一個無量綱的數,習慣上用β表示。 hoe稱為輸入端
2021-05-13 07:56:25
(1) 電流放大系數β和hFEβ是晶體管的交流放大系數,表示晶體管對交流(變化)信號的電流放大能力。β等于集電極電流IC的變化量△IC與基極電流IB的變化量△IB兩者之比,即β=△IC/△IBhFE
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數有哪些?晶體管的開關電路是怎樣的?
2021-06-07 06:25:09
晶體管的半導體的電流由空穴(正極性)和電子(負極性)產生。一般而言的晶體管是指這種由硅構成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱,是指場效應晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-04-10 06:20:24
的電流、電壓和應用進行分類。 下面以“功率元器件”為主題,從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中,將以近年來控制大功率的應用中廣為采用的MOSFET為主來展開。 先來看一下晶體管的分類與特征
2020-06-09 07:34:33
題,從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中,將以近年來控制大功率的應用中廣為采用的MOSFET為主來展開。首先是基礎性的內容,來看一下晶體管的分類與特征。Si晶體管的分類Si晶體管的分類根據
2018-11-28 14:29:28
現代社會帶來了巨大的影響。2. 從鍺到硅最初,晶體管是由鍺(半導體)做成的。但是,鍺具有在80°C左右時發生損壞的缺點,因此現在幾乎都使用硅。硅是可以耐180°C左右熱度的物質。3. 晶體管的作用
2019-07-23 00:07:18
控制大功率現在的功率晶體管能控制數百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開關有很多優點,主要是;(1)容易關斷,所需要的輔助元器件少,(2)開關迅速,能在很高的頻率下工作,(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
現代社會帶來了巨大的影響。2. 從鍺到硅最初,晶體管是由鍺(半導體)做成的。但是,鍺具有在80°C左右時發生損壞的缺點,因此現在幾乎都使用硅。硅是可以耐180°C左右熱度的物質。3. 晶體管的作用
2019-05-05 00:52:40
晶體管的 電流放大原理 該怎么解釋?
2017-03-12 20:30:29
1.晶體管的結構晶體管內部由兩PN結構成,其三個電極分別為集電極(用字母C或c表示),基極(用字母B或b表示)和發射極(用字母E或e表示)。如圖5-4所示,晶體管的兩個PN結分別稱為集電結(C、B極
2013-08-17 14:24:32
、2SD1431、2SD1553、2SD1541等型號的高反壓大功率開關晶體管。 6.達林頓管的選用達林頓管廣泛應用于音頻功率輸出、開關控制、電源調整、繼電器驅動、高增益放大等電路中。 繼電器驅動電路與高增益
2012-01-28 11:27:38
偏、集電結正偏,就是晶體管的倒置放大應用)。要理解晶體管的飽和,就必須先要理解晶體管的放大原理。從晶體管電路方面來理解放大原理,比較簡單:晶體管的放大能力,就是晶體管的基極電流對集電極電流的控制
2012-02-13 01:14:04
1. 晶體管的結構及類型 晶體管有雙極型和單極型兩種,通常把雙極型晶體管簡稱為晶體管,而單極型晶體管簡稱為場效應管。 晶體管是半導體器件,它由摻雜類型和濃度不同的三個區(發射區、基區和集電區
2021-05-13 06:43:22
關于晶體管ON時的逆向電流在NPN晶體管中,基極 (B) 被偏置為正,集電極 (C) 被偏置為負,由發射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔心劣化和損壞,在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
;nbsp; 晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關,基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可做為
2010-08-12 13:57:39
電子,雷達和微波應用生產全系列AM晶體管。 這些AM晶體管最初由Microwave Semiconductor Corp.和S.T.制造。 ASI的AM晶體管覆蓋60 MHz至3.0 GHz的范圍,功率
2018-07-17 15:08:03
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)?IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫,也被稱作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類為功率
2019-05-06 05:00:17
`電子元器件行業有今天的成就,那絕離不開MOS管與場效應晶體管的鼎力相助,但是一些剛入電子行業的常常把MOS管與場效應晶體管混為一談,到底MOS管和場效應晶體管兩者背后到底有何聯系?這對于初學者來說
2019-04-15 12:04:44
向下縮放時失去對漏電流的控制。 答案是利用第三個維度。 MOSFET晶體管從平面單柵極器件演變為多柵極3D單元,以增加電流驅動并減輕短通道效應。 使用3D還可以減少晶體管的面積。占據第三維可以
2023-02-24 15:20:59
求大神相助,Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那,當我設的電壓已經大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導通。
2014-08-08 10:42:58
的,因此在發射極E上使用箭頭來指示電流方向。晶體管的放大功能是:集電極電流由基極電流控制(假設電源可以為集電極提供足夠大的電流),基極電流的微小變化會引起集電極電流的較大變化:集電極電流的變化是基極電流
2023-02-08 15:19:23
晶體管是現代電子產品的基本組成部分之一。在二極管教程中,我們看到簡單的二極管由兩塊半導體材料組成,形成一個簡單的pn結。而晶體管是通過背靠背連接兩個二極管而形成的三端固態器件。因此,它有兩個PN結
2023-02-15 18:13:01
型摻雜半導體材料隔開。PNP晶體管中的大多數電流載流子是空穴s,而電子是少數電流載流子。施加到PNP晶體管的所有電源電壓的極性都是反轉的。電流在PNP中吸收到基極,由于PNP是電流控制器件,適度的基極
2023-02-03 09:44:48
)= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
。晶體管作為一種可變開關,基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可做為電流的開關,和一般機械開關(如Relay、switch)不同處在于晶體管是利用電訊號來控制,而且開關速度可以非常之快,在實驗室中
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替,MFR151管子能用哪個來代替?或是誰有這兩個高頻管子的原件庫?求大神指教
2016-10-26 11:51:18
本帖最后由 生還者 于 2020-8-20 03:57 編輯
《晶體管電路設計與制作》分為兩部分。第一部分介紹單管和雙管電路,主要目的是理解晶體管的基本工作機制。第二部分介紹各種晶體管應用電
2020-08-19 18:24:17
上使用的模擬器“SPICE”對設計的結果進行模擬。《晶體管電路設計與制作》中介紹了各種電路印制電路板的實際制作,以及電路特性的測量,并對電路的工作機制進行了驗證。《晶體管電路設計與制作》分為兩部分。第一部分介紹單
2021-01-05 22:38:36
`內容簡介:《晶體管電路設計》(上)是“實用電子電路設計叢書”之一,共分上下二冊。《晶體管電路設計》(上)作為上冊主要內容有晶體管工作原理,放大電路的性能、設計與應用,射極跟隨器的性能與應用電
2017-07-25 15:29:55
類型。
雙極結型晶體管(BJT)
雙極結型晶體管是由基極、集電極和發射極 3 個區域組成的晶體管。雙極結型晶體管(與 FET 晶體管不同)是電流控制器件。進入晶體管基極區的小電流會導致從發射極流向集電極
2023-08-02 12:26:53
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶體管的工作原理是一樣的。》 光電晶體管光電晶體管是由雙極晶體管或場效應晶體管組成的光電器件。光被吸收在這種器件的有源區域,產生光生載流子,這些載流子通過內部電放大機制并產生光電流增益。光電晶體管在三
2023-02-03 09:36:05
學會了使用傳感器,您可能會錯誤地認為 PNP 晶體管是由正電壓控制的。當然,事情并非如此 - 事實上恰恰相反 - 因為PNP和NPN傳感器名稱與內部使用的晶體管類型(或更復雜的設備的等效物 -有些甚至
2023-02-03 09:50:59
暴露在入射光中。除了曝光的半導體材料是雙極性晶體管晶體管(BJT)的基礎之外,光電晶體管的功能也是類似的。一個光敏晶體管被描述為一個去掉基極端子的 BJT,箭頭暗示基極對光敏感。本文中的其他圖只描述了
2022-04-21 18:05:28
。達林頓通常用于需要低頻高增益的地方。常見應用包括音頻放大器輸出級、功率調節器、電機控制器和顯示驅動器。 達林頓晶體管也被稱為達林頓對,由貝爾實驗室的西德尼達林頓于 1953 年發明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
電場控制材料的電導率。 鰭式場效應晶體管是一種非平面器件,即不受單個平面的限制。它也被稱為3D,因為具有第三維度。 為避免混淆,必須了解不同的文獻在提及鰭式場效應晶體管器件時使用不同的標簽
2023-02-24 15:25:29
PNP晶體管在哪里使用?放大電路采用PNP晶體管。達林頓對電路采用PNP晶體管。機器人應用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應用中的電流。如何控制PNP晶體管?首先,為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
功率晶體管(GTR)具有控制方便、開關時間短、通態壓降低、高頻特性好、安全工作區寬等優點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點,阻礙它的進一步發展。—、結構特性1、結構原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
請教:單結晶體管在什么位置,有人說是UJT,但好象用不了呀?
2013-09-26 16:55:49
各位高手,小弟正在學習單結晶體管,按照網上的電路圖做的關于單結晶體管的仿真,大多數都不成功,請問誰有成功的單結晶體管的仿真仿真啊,可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
,是另一種固態三端設備,可用于柵極脈沖、定時電路和觸發發生器,用于交流功率控制型應用中開關和控制晶閘管和 triac。像二極管一樣,單結晶體管是由單獨的 p 型和 n 型半導體材料構成的,在器件的主導 n
2022-04-26 14:43:33
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態下,基極-發射極結(稱這個PN結為“發射結”)處于正向偏置狀態,而基極-集電極(稱這個PN結為“集電結”)則處于反向偏置狀態。
2019-09-26 09:00:23
。這表示面包板上左右兩側對應位置的走線距離必須完全一致,才能達到最好效果。 如圖: 再來一張實物圖: 下面的大面包板是“靜態存儲單元”,由晶體管Q1~4組成,上面的小面包板是“寫控制電路”,由晶體管Q5
2017-01-08 12:11:06
場效應晶體管(英語:field-effecttransistor,縮寫:FET)是一種通過電場效應控制電流的電子元件。它依靠電場去控制導電溝道形狀,因此能控制半導體材料中某種類型載流子的溝道的導電性
2019-05-08 09:26:37
僅是由多數載流子參與導電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件,具有輸入電阻高(108~109Ω)、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點,現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
2021-05-24 06:27:18
`場效應管與晶體管的比較(1)場效應管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下,應選用場效應管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應選用晶體管
2017-05-06 15:56:51
場效應管與晶體管的比較(1)場效應管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下,應選用場效應管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應選用晶體管。(2
2018-11-05 17:16:04
場效應管與晶體管的比較(1)場效應管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下,應選用場效應管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應選用晶體管。(2
2009-04-25 15:43:51
的影響。【關鍵詞】:光子晶體光纖;;非線性特性;;啁啾皮秒脈沖;;光脈沖壓縮;;超短光脈沖【DOI】:CNKI:SUN:DZJS.0.2010-03-028【正文快照】:0引言高質量的光脈沖壓縮技術是現代高速大容量
2010-05-28 13:38:25
,導致流過晶體管的電流為零的大耗盡層。在這種情況下,晶體管被關閉。 截斷區域特征如下所示: 圖3.截斷區域特征。圖片由Simon Munyua Mugo提供 晶體管操作類似于單刀單擲固態開關
2023-02-20 16:35:09
IGBT是由哪些部分組成的?絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點?如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢?
2021-11-02 06:01:06
如何去判別晶體管材料與極性?如何去檢測晶體管的性能?怎樣去檢測特殊晶體管?
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶體管?如何提高微波功率晶體管可靠性?
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關特性,減小晶體管的損耗,在晶體管基極驅動電路的設計上會采取一些加速措施。如下: 加速電路一 在加速電路一中,并聯在RB兩端的電容CB稱為加速電容,數值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
來至網友的提問:如何選擇分立晶體管?
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻,它們在型號上的大致區別是什么?例如《晶體管電路設計》中列舉的:高頻(2SA****,2SC*****)、低頻(2SB****,2SD****)。現在產品設計中最常用的型號是哪些?
2017-10-11 23:53:40
什么是電信號?常見的晶體管的電路符號有哪幾種?
2021-10-29 07:04:27
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大,通過什么手段能解決?
2021-06-24 07:29:25
晶體管為保持ON狀態的最低電壓、定義VI(on)為min錯誤觀點1:由0開始依次加入輸入電壓。2:達到1.8V時,數字晶體管啟動。3:因在規格書規定的3V(min) 以下,故判斷為不合格。正確觀點A
2019-04-22 05:39:52
混淆VI(on): 數字晶體管為保持ON狀態的最低電壓、定義VI(on)為min錯誤觀點1:由0開始依次加入輸入電壓。2:達到1.8V時,數字晶體管啟動。3:因在規格書規定的3V(min) 以下,故
2019-04-09 21:49:36
1、使用加速電容在基極限流電阻并聯小容量的電容(一般pF級別),當輸入信號上升、下降時候能夠使限流電阻瞬間被旁路并提供基極電流,所以在晶體管由導通狀態變化到截止狀態時能夠迅速從基極抽取電子(因為電子
2023-02-09 15:48:33
有沒有關于晶體管開關的電路分享?
2021-03-11 06:23:27
晶體管的半導體的電流由空穴(正極性)和電子(負極性)產生。一般而言的晶體管是指這種由硅構成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱,是指場效應晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
,LLC初級側電流ILr由次級側電流除以變壓器匝數比n和磁化電流ILm的疊加組成。磁化電流不會傳遞到輸出端,而是需要對晶體管的寄生輸出電容以及變壓器繞組內和繞組間電容的組合放電,從而實現晶體管導通的零
2023-02-27 09:37:29
(MicrosemiCorporation)擴展其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaNonSiC)技術的射頻(RF)晶體管系列,推出新型S波段500WRF器件2729GN-500,新器件瞄準大功率空中交通控制機場監視雷達(ASR
2012-12-06 17:09:16
其它功能。晶體管作為一種可變開關,基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可做為電流的開關,和一般機械開關不同處在于晶體管是利用電訊號來控制,而且開關速度可以非常之快,在實驗室中的切換速度可達
2016-01-26 16:52:08
柵雙極晶體管(IGBT)實現此類拓撲。本文中,我們將重點介紹直接驅動GaN晶體管的優點,包括更低的開關損耗、更佳的壓擺率控制和改進的器件保護。
2020-10-27 06:43:42
這次來展示一下簡單的讓矩形鍵盤控制晶體管的代碼以51單片機為例#include#include#includetypedef unsigned char u8;typedef unsigned int u16;#define jianpan P1#define jingtiguan P...
2022-01-07 07:18:04
2000一5000(α=0.995-0.9998)。 是以P型襯底作為集電極,因此只有集成元器件之間采用PN結隔離槽的集成電路才能制作這種結構的管子。由于這種結構管子的載流子是沿著晶體管斷面的垂直
2019-04-30 06:00:00
`如圖所示,使用STM32輸出通過光耦驅動晶體管陣列MC1413(同ULN2003),但是輸出端測不到,求指教電路是否合適,謝謝。順便貼上MC1413的電氣特性。`
2019-03-18 09:56:56
來至網友的提問:如何選擇分立晶體管?
2018-12-12 09:07:55
。還是回到這篇文章的主題,晶體管的使用心得。由于本人所從事行業的限制,基本沒有機會像《晶體管電路設計》書中那樣深入的使用晶體管來搭建電路,而更多的是使用晶體管來實現功率負載的控制,還有配合運放或者其它
2016-06-03 18:29:59
這個達林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
可折疊的防水晶體管是由哪些部分組成的?什么是生物傳感器(biosensor)?生物傳感器具有哪些功能?防水晶體管在生物傳感器中的應用是什么?
2021-06-17 07:44:18
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