讓石墨烯（graphene）成為半導體硅材料的接班人，已經成為美國、日本、歐洲甚至是中國等地政府大力支持的優先研究項目；但因為石墨烯缺乏能隙（bandgap）的自然特性，美國麻省理工學院（MIT）與哈佛大學（Harvard University）的研究人員認為大家可能都搞錯了方向，應該是找尋性能媲美石墨烯、但具備能隙的化合物材料。

　　研究人員指出，有一類以NiHITP （nickel hexa-imino-triphenylene）為代表的材料，就擁有上述特性。MIT化學教授Mircea Dinca表示：“就像石墨可剝離為石墨烯（也不過就是片狀的石墨），我們所開發的材料也能剝離成片狀；相較于石墨烯層，我們的材料層是能透過受控制的化學改質（chemical modification）來調節，因此能有系統地改變其電子特性。”

　　該種新開發材料的正式名稱是“Ni3（HITP）2”，因為它鍵合了鎳（Ni）的3個原子以及2個HITP有機分子；不過NiHITP只是一個具備天然能隙之材料類別中的第一種，能針對特定應用在原子等級調節其電子功能。

　　類石墨烯材料的分子架構會自然形成六角形晶格，而每個六角形的開口都能完全對齊

　　Dinca指出：“我們還沒量測出這種材料的能隙，但確定它大于0；石墨烯的能隙是0，并不適合做為半導體。我們現在正試圖將該種材料制作成大尺寸的片狀，首先要量測它的能隙并能更清楚描述其電子特性，其次則是用該種材料來制作組件；而這也是我們所面臨的挑戰。”

　　此外Dinca也表示，由于還有許多可調節的空間，真的看不到在生產更多材料方面的限制；而他們已經有數種其他相關的二維材料，應該都擁有些微不同的電子特性，這也正是他們正在尋找的，可調節的金屬-有機類石墨烯。

　　Dinca的研究團隊并非以傳統方式透過摻雜（doping）將雜質或缺陷導入NiHITP這種新材料，其方法是謹慎在原子層級打造該類材料──也就是在制程中由下至上（bottom-up）調諧其功能，以支持特定的電子、甚至可能是光學特性。

　　根據Dinca的說法：“我們的材料是從原子層級就被明確定義；這就是關鍵所在，我們不是依靠缺陷，那無法被妥善理解而且無法良好控制；我們所創造的材料特性，能透過分子結構從本質上進行修改。我們能用由下至上、一個分子一個分子的方式來進行。”

　　NIHITP就像石墨烯一樣，會自組裝成完美的六角形蜂窩狀晶格，并堆棧成多層、每一層的六角形開口都能完全對齊，孔洞的厚度僅有2奈米。

　　掃描式電子顯微鏡下顯示二維架構集合所形成的納米粒子 （來源：MIT）

　　接下來研究人員打算制作單層狀（monolayer）新材料，以精確量測其能隙，并用以生產電子組件；研究小組也將利用不同化學配方打造出一系列相關材料，針對不同應用從基礎元素調節其特性。例如能擷取不同波長光線的太陽能電池、或是具備超高儲存密度的超級電容，甚至是拓樸絕緣體（topological insulator）、量子霍爾效應組件（quantum Hall Effect device）。